专利名称：具有小芯片的柔性oled显示器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种采用独立控制元件的柔性发光显示装置，这些独立控制元件具有在该装置的基板上分布的单独基板。
背景技术：
平板显示装置与计算装置相结合地广泛用于便携式装置和诸如电视机的娱乐装置。这种显示器通常采用分布在基板上的多个像素来显示图像。各个像素均包含若干个不同颜色的发光元件(通称为子像素)，这些发光元件通常发射红光、绿光和蓝光，以表现各图像元素。已知多种平板显示器技术，例如，等离子体显示器、液晶显示器和发光二极管显不器。包含形成发光元件的发光材料薄膜的发光二极管(LED)在平板显示装置中具有许多优点，并可以用于光学系统。2002年5月7日授予Tang等人的美国专利No. 6，384，529 示出了一种包括有机LED发光元件的阵列的有机LED(OLED)彩色显示器。另选地，可以采用无机材料，无机材料可以包括多晶半导体基体中的磷光晶体或量子点。还可以采用其他的有机或无机材料薄膜来控制对发光薄膜材料的电荷注入、电荷传输或电荷阻断，这在本领域中均是已知的。这些材料被布置在电极之间的基板上并且具有封装覆盖层或封装覆盖片。当电流通过发光材料时，子像素发光。所发射的光的频率取决于使用的材料的性质。在这种显示器中，光可以穿过基板(底部发射器)或穿过封装覆盖物(顶部发射器)而被发出或穿过这二者被发出。为了从LED装置发出光，至少一个电极是透明的。透明电极通常由如氧化铟锡 (ITO)的透明导电氧化物形成。然而，透明导电氧化物对于柔性装置而言有很大问题，因为它们很脆，容易在受力时开裂。这种开裂降低了电极的导电性并且可以使发光材料退化。通常已知用于控制平板显示装置中的像素的两种不同方法有源矩阵控制和无源矩阵控制。在有源矩阵装置中，控制元件分布在平板基板上。通常，各个子像素均由一个控制元件控制，并且各控制元件均包括至少一个晶体管。例如，在一种简单的现有技术的有源矩阵有机发光(OLED)显示器中，各控制元件均包括两个晶体管(选择晶体管和功率晶体管)和一个电容器，该电容器用于存储规定子像素的亮度的电荷。各个发光元件通常采用独立的控制电极和公共电极。形成有源矩阵控制元件的一种常见的现有技术方法通常将半导体材料(例如硅) 的薄膜淀积到玻璃基板上，接着通过光刻工艺使半导体材料形成晶体管和电容器。薄膜硅可以是非晶硅或多晶硅。与以晶体硅晶片中制成的传统晶体管相比，由非晶硅或多晶硅制成的薄膜晶体管(TFT)相对较大并且具有较低的性能。另外，此类薄膜装置通常在整个玻璃基板上表现出局部或大面积的不均勻性，这导致采用此类材料的显示器的电性能和视觉外观的不均勻性。在柔性应用中，相对大的薄膜部件经受相当大的应力，这改变并降低了薄膜部件的性能。Matsumura等人在美国专利申请No. 2006/0055864中描述了用于驱动LCD显示器的晶体硅基板。该专利申请描述了一种将由第一半导体基板制成的像素控制装置选择性地转移并固定到第二平面显示基板上的方法。示出了像素控制装置内的布线互连以及从总线 (buss)和控制电极到像素控制装置的连接。像素控制装置具有大约600微米的厚度。可以采用抛光技术将该厚度降低至大约200微米。然而，对于在具有小于2cm的可用弯曲半径的柔性基板上有效地采用这种像素控制装置来说，该厚度仍然过大。Park等人在"Theoretical and Experiment Studies of Bending of Inorganic Electronic Materials on Plastic Substrates，， (Advanced Functional Materials, 2008,18,2673-2684)中描述了减小在基板上淀积的材料中的应力的技术。该论文论证了柔性基板上的无机材料具有至少三种失效模式开裂、滑动和分层。所描述和测试的材料无法控制显示器中的发光元件。因此，需要一种包含小芯片(chiplet)的改进的柔性发光装置。
发明内容
根据本发明，提供了一种柔性发光显示装置，该柔性发光显示装置包括a)基板，其具有显示区域；b)粘接层，其比所述基板薄并且形成在所述基板的表面上；c)多个小芯片，它们的厚度大于2微米且小于200微米并且粘接到所述粘接层，各小芯片均具有至少一个连接焊盘，所述多个小芯片分布于所述显示区域内，并且其中，所述粘接层的至少一部分在所述小芯片的一部分的上方延伸；d)多个底部电极，它们在所述显示区域中形成在所述粘接层上，各底部电极均电连接到一个小芯片的连接焊盘，所述小芯片由此向各个底部电极提供电流；e)至少一个发光材料层，其形成在所述底部电极上；f)顶部电极，其形成在所述至少一个材料层上，其中，所述底部电极、所述至少一个材料层以及所述顶部电极合起来比所述粘接层薄；g)盖，其比所述粘接层厚，并且所述盖位于所述顶部电极上并粘接到所述基板； 并且h)其中，所述小芯片、所述底部电极、所述至少一个材料层和所述顶部电极在由所述多个层a至g形成的结构的中性应力面处或附近，所述柔性发光显示装置的弯曲半径小于 2cm。本发明提供了用于具有减小的弯曲半径的柔性发光二极管装置的改进结构。
图1是根据本发明实施方式的装置的局部横截面图；图2是根据本发明另选实施方式的装置的平面图；以及图3是根据本发明实施方式的弯曲装置的三维视图。
具体实施例方式参照图1(横截面图)和图2(平面图)，在本发明的一个实施方式中，柔性发光显示装置1包括具有显示区域21的基板10和形成在基板10表面上的比基板10薄的粘接层18。具有大于2微米且小于200微米的厚度T的多个小芯片20被粘接到粘接层18，各个小芯片20均具有至少一个连接焊盘24，多个小芯片20分布在显示区域21内，并且粘接层 18的至少一部分18c在小芯片20的上方延伸。多个底部电极12形成在显示区域21中的粘接层18上，各个底部电极12均电连接至一个小芯片20的连接焊盘M。至少一个发光材料层14形成在底部电极12上，并且顶部电极16形成在该至少一个发光材料层14上。电极12、16和至少一个发光材料层14形成比粘接层18薄的发光二极管15(例如，有机发光二极管(OLED))。小芯片20通过连接焊盘M向LED 15的底部电极12提供电流，以驱动该至少一个发光材料层14发光。小芯片20可以由通过总线28连接到小芯片20的外部控制器沈控制(图2)。小芯片20的上部、从连接焊盘M到底部电极12的电连接以及LED 15 形成了柔性发光显示装置1的工作组件。比粘接层18厚的盖30位于顶部电极16上并且被粘接到基板10。小芯片20的至少一部分、底部电极12、至少一个发光材料层14和顶部电极16位于元件10、18、20、12、 14,16,30形成的结构的中性应力面处或附近，并且该柔性发光显示装置1的弯曲半径小于 2cm。基板和盖可以是柔性的；本文中所使用的术语“柔性”是指在没有开裂、分层或机械故障的情况下具有等于或小于2cm的弯曲半径。越柔性的层具有越小的弹性模数。可以对底部电极12进行构图以形成能够单独控制的发光二极管像素15，如图2所示。在本发明的一些实施方式中，可以在顶部电极16 (和形成在顶部电极16上的任何层)之间采用缓冲层40。尽管小芯片20可以具有最多200微米的厚度，但优选地，小芯片 20的厚度小于50微米，更优选地小于20微米，最优选地小于12微米，例如8至12微米。 小芯片越薄，柔性就越高。但是同时，小芯片必须具有足够的厚度以在小芯片M内构造集成电路22。中性应力面是当元件叠层弯曲时多个平面元件的叠层中没有经受应力的平面。层叠的平面元件在它们的相邻表面上被粘接起来。例如，粘接到基板的盖形成两个平面元件的叠层。当将该叠层弯曲以使得盖的外表面形成凹形而基板的外表面形成凸形(顶面和底面)时，盖经受与凹形曲线的方向正交的横向压缩力，并且基板经受与凸形曲线的方向正交的横向张力。换言之，盖受到挤压，而基板被拉伸。压缩力在盖的外表面处最大，并且在该力变为张力并朝着基板的外表面增加之前，该力在远离盖的外表面的点处减小至零。如果沿相反的方向将叠层弯曲，则发生相反的情况。元件叠层内的力为零的点形成了中性应力面。需要注意的是，中性应力面不一定是平坦的，其位置将取决于叠层中的其他元件。但是，通常来说，无论弯曲方向或弯曲量如何，中性应力面将占据平面元件的叠层内的相同位置。装置的弯曲半径是装置可弯曲并继续工作的最小曲率半径。可采用防止或减少水气进入LED 15中的封装层。例如，在本发明的一个实施方式中，封装层42可以形成在粘接层18上和底部电极12下。封装层44可以形成在顶部电极 16上和缓冲层40 (如果存在的话)与盖30下。小芯片20中的电路22可以响应于通过附加的连接焊盘M从控制器26提供的外部信号来驱动LED 15发光。在一个另选实施方式中，封装层42和44可以分别地直接附接到基板10和30的内表面。本发明可以在顶部发射器实施方式或底部发射器实施方式中使用。在底部发射器实施方式中，基板10和底部电极12是透明的，光2被发射透过基板10。在顶部发射器实施方式中，盖30和顶部电极12是透明的，光3被发射透过盖30。在另选实施方式中，柔性发光显示装置1既顶部发射又底部发射。盖30可以直接形成在顶部电极16上。根据本发明的实施方式，为了提供机械鲁棒且灵活的实现，基板10和盖30比粘接层18和可选的缓冲层40厚得多。同样地，粘接层18和可选的缓冲层40比电极12、16和材料层14厚得多。厚得多意味着至少厚两倍，优选地厚五倍。在一些实施方式中，术语“厚得多”可以表示厚十倍或更多。例如，在本发明的各种实施方式中，基板10和盖30的厚度可以是100微米、200微米、500微米、Imm或2mm。粘接层18和缓冲层40的厚度可以是2 微米、10微米、20微米、或50微米或者更大。电极和发光层12、16和14的厚度通常小于2 微米，优选地小于1微米。中性应力面是粘接起来的叠层内的理论平面，其中每一层均具有各自的应力因数。如Kim等人在《Science》2008年4月25日第320卷第507页O008)中描述的，通过选择材料和层厚度，可以控制中性应力面的位置。装置厚度被认为是包括盖和基板在内的总的柔性发光显示装置1厚度。中性应力面通常位于中性区的中心，并且中性区从中性应力面的任一侧延伸。术语“中性应力面处或附近”是指中性区，并且位于“中性应力面处或附近”的层在中性区内。中性区的总厚度是装置厚度的20%或200微米中较大的一个。例如，具有ε < 的破坏应变极限的显示器包含Si (其上构造有集成电路芯片的材料，具有约ε = 0.7%的应变极限)，该显示器必须被弯曲至R= IOmm的曲率半径。通常，为了非常简单的近似，装置的中性区厚度t被定义为t = 2 · e · R，其中R是显示器的期望最大弯曲半径。因此，示例显示器的中性区厚度t 为200um(t = 2 · 1% · 10mm)。在本发明的一个实施方式中，中性应力面位于顶部电极16 与至少一个材料层14相交的地方(元件17)。柔性基板上的无机元件容易由于开裂、滑动或分层而发生故障。通过将小芯片20 设置在粘接层18内，使得粘接层18的至少一部分18c在小芯片20的一部分的上方延伸， 可以减少滑动和分层的问题。具体地讲，使小芯片20位于粘接层18( S卩，18b)之内可以减少滑动的问题，从而使得小芯片20无法沿粘接层18的表面滑动。使粘接层的一部分18c在小芯片20的至少一部分的上方延伸可以减少分层的问题，从而使得小芯片20不能轻易地从粘接层18剥离。通过将小芯片20的至少一部分(优选地为上部(例如，连接焊盘24)， 更优选地为上表面)设置在中性应力面处或附近，减少了开裂。小芯片20的上表面尤其受到关注，这是因为连接焊盘M和布线连接位于该上表面处，期望将连接故障减到最少。在本发明的一个实施方式中，柔性基板10的弹性模数小于粘接层18的弹性模数。 在本发明的另一个实施方式中，盖30的弹性模数小于缓冲层40的弹性模数。在本发明的又一个实施方式中，粘接层18的弹性模数小于小芯片20的弹性模数。通过要求基板10和盖30具有比粘接层18和可选的缓冲层40小的弹性模数，粘接层18和可选的缓冲层40中的应力分别降低。通过要求粘接层18具有比小芯片20小的弹性模数，并且继而要求基板 10具有比粘接层18小的弹性模数，减小了小芯片20中的应力和开裂，并且滑动和分层也减少。由于小芯片20是控制光发射器的关键元件，因此减小小芯片20中的应力(以及到小芯片的连接)将改善柔性发光显示装置1在应力下的性能。同样，通过要求可选的缓冲层 40具有比盖30小的弹性模数，可以减小薄的电极12、16以及一个或多个材料层14中的应力。由于这些层中的故障可以导致像素故障或整个柔性发光显示装置1的故障，因此减小
7缓冲层40中的应力将改善柔性发光显示装置1在应力下的性能。对图1中示出的结构进行的应力建模表明具有图示结构的OLED装置可以在不超过中性区内的给定临界应变极限的情况下弯曲至较小的曲率半径。在本发明的实施方式中，封装层形成在一个或多个材料层14下面或上面或者同时形成在一个或更多个材料层14的下面和上面。如所知的那样，有机发光材料受湿气的不利影响。因此，使用减少水气透入一个或多个发光层14的透湿度的封装层可以提高装置的寿命。此类封装层通常为无机薄膜并且非常脆。常常在基板10和盖30中采用这些封装层。 然而，根据本发明的实施方式，当柔性发光显示装置1弯曲时，基板10和盖30经受最大应力，因此基板10和盖30中的任何无机材料层更容易发生故障。因此，根据本发明的一个实施方式，如图所示，分别利用封装层42和44将无机封装层设置在粘接层18上或顶部电极 16上。在这些位置，封装层经受较少的应力，因此更容易经受得住弯曲应力。位于粘接层18 上的封装层42可以通过溅射、化学气相淀积(CVD)或原子层淀积(ALD)来提供。溅射无机材料(例如，二氧化硅)提供了一些保护，而化学气相淀积提供了改善的性能。然而，原子层淀积提供了针对湿气透入的最佳保护。一旦形成为层，就可以通过光刻技术对封装层42 构图，以形成通孔(via) 19，底部电极可穿过该通孔连接到小芯片的连接焊盘M。根据本发明的一个实施方式，连接到小芯片的连接焊盘M以向小芯片提供来自外部控制器沈的信号(例如，功率信号、接地信号、数据信号和选择信号)的一个或更多个导线层观形成在粘接层18上。在一个优选实施方式中，采用了单个导线层观。由于导线 28的电导率可以受应力影响，因此将导线观设置在粘接层18上方可以减小导线在柔性发光显示装置1弯曲时经受的应力。可选的封装层42可形成在导线观上。小芯片20基本上被埋入粘接层18内，以减小小芯片20上的应力。然而，作为制造工艺的一部分，小芯片20还粘接到柔性基板10。因此，第一粘接层18a可以用于将小芯片20粘接到柔性基板10，接着提供第二层18b以将小芯片20嵌入粘接层18中。粘接层 18的一部分18c位于小芯片20的至少一部分的上方。通过仔细地选择并匹配柔性基板10、粘接层18、可选缓冲层40和柔性盖30的材料和厚度，小芯片20的至少一部分(例如，连接焊盘M所在的表面)、可选的封装层42、底部电极12、至少一个发光材料层14、顶部电极16和可选的封装层44可以位于柔性发光显示装置1的中性应力面处或附近。在一个简单的实施方式中，柔性盖30和基板10包括相同的材料，并且均比粘接层18和缓冲层40厚五倍。例如，盖30和基板10的厚度均可以是 100微米，而粘接层18和缓冲层40的厚度均为20微米。小芯片20的厚度可以是5至18 微米，LED 15的厚度小于2微米。因此，小芯片20和LED 15的厚度小于20微米，而该结构的余下部分的厚度是240微米。因此，柔性发光显示装置1的性能最关键的无机元件的厚度小于柔性发光显示装置1自身厚度的十分之一。因此，当柔性发光显示装置1受到应力时(例如，被卷起时)，关键的无机元件可以经受大大减小的应力。在本发明的一个实施方式中，柔性基板10和盖30包括相似或相同的材料(例如， 诸如PET或PEN的聚合物)。包括“相似或相同的材料^t味着多个层包括相同类型的材料并且具有相似的机械特性。还可以设置附加的无机层以降低水气透过提高基板10和盖30 的刚度的材料的透湿度。通过针对粘接层18采用可固化聚合物(例如，苯并环丁烯)，将相似材料用于缓冲层40，同时采用厚度小于20微米的小芯片，可以使得柔性发光显示装置1具有小于2cm的弯曲半径。在此实施方式中，基板10和盖30可以具有相同的厚度，粘接层 18和缓冲层40可以具有相同的厚度。“具有相同的厚度”意味着多个层的厚度之间的差异在相同值的10%以内。可以采用清洁的200微米厚PET基板来构造一个此类装置。可选地，可以利用ALD 或CVD在该基板上淀积氧化铝、二氧化硅或氧化锌的薄层(小于1微米)。可以淀积2微米的苯并环丁烯(BCB)层；可以在BCB上印制小芯片阵列；可以在第一层和小芯片上淀积20 微米的下BCB层。可以在BCB上淀积薄的、厚度小于1微米的可选的无机氧化铝、二氧化硅或氧化锌涂层。利用光刻方法，可以在BCB和可选的氧化物涂层中打开通孔，以露出小芯片顶部的连接焊盘。通过在BCB层或可选氧化物表面上淀积金属，然后利用标准的光刻方法对导线构图，可以形成连接到小芯片上的连接焊盘以形成有源矩阵控制系统的布线层。可以在导线上涂敷薄(约1微米)的平坦化层。然后，可以使用光刻方法来打开至所淀积和构图的导线和ITO的通孔以形成透明电极。可以淀积有机材料和反射金属电极，以形成OLED 结构。可以施敷第三个可选的无机氧化铝、二氧化硅或氧化锌涂层，然后在顶部电极和无机层(如果存在的话)上施敷22微米的上BCB层。然后，可以将厚度为200微米的PET盖粘接到PET基板。可选地，PET盖可以在朝向OLED的一侧具有利用ALD或CVD淀积的薄(小于1微米)的氧化铝、二氧化硅或氧化锌层。基板的厚度和盖的厚度应当匹配，就像下BCB 层的厚度和上BCB层的厚度应当匹配一样。在另选实施方式中，PET盖和基板可以包括其他常见材料，并具有其他常见厚度。具体地讲，基板材料和盖材料可以包括市售的多层防潮材料。可以采用具有与BCB类似可用的粘接力、可固化性和透明度的另选材料，只要层的厚度匹配即可。由于盖和基板在材料和厚度方面匹配，并且由于上BCB层和下BCB层在材料和厚度方面匹配，因此中性区将包括小芯片的顶部、布线层、电极和有机层，以及第二和第三无机层(如果存在的话)。在本发明的另一个实施方式中，基板10或盖30中的任一方可以是金属膜(例如， 不锈钢)。已知的是，水不能渗透金属膜，并且金属膜还是不透明的。因此，例如，如果采用金属膜作为基板10，则盖30必须包括不同的透明材料。在这种情况下，柔性发光显示装置的结构并不关于工作组件对称。因此，基板10和盖30可能在厚度方面不相同，因为基板10 和盖30的弹性模数不同，中性应力面的位置因此并不在基板10的外表面与盖30的外表面之间的中点处。同样，在粘接层18和缓冲层40中使用的材料可以不同，因此这两个层的厚度可以不同。另外，在工作组件的位置处或附近，可以调节缓冲层40或粘接层18中的任一方的厚度来补偿基板10和盖30的在柔性发光显示装置1的中性应力面处或附近的材料或厚度方面的差异。在其他实施方式中，中性应力面的位置也可以变化。在这种情况下，缓冲层40的厚度或粘接层18的厚度在补偿时变化。通过采用厚度为50微米的金属箔基板，可以构造不对称的装置。淀积2微米的苯并环丁烯(BCB)层，可以将小芯片阵列印制到该BCB上，可在第一层和小芯片上淀积20微米的下BCB层。利用光刻方法，可以在BCB中打开通孔以露出小芯片顶部的连接焊盘。通过在表面(任一 BCB层)上淀积金属，然后利用标准光刻方法对导线进行构图，可以形成连接到小芯片上的连接焊盘以形成有源矩阵控制系统的布线层。可以在导线上涂敷薄(约1 微米)的平坦化层。然后，可以使用光刻方法来开过至淀积和构图的导线和ITO的通孔以形成透明电极。可以淀积有机材料和反射金属电极以形成OLED结构。可以施敷可选的无机氧化铝、二氧化硅或氧化锌涂层，然后在顶部电极和无机层(如果存在的话)上面施敷30 微米的低模数粘合剂的上层。然后，可将厚度大约为275微米的PET盖粘接到金属基板。可选地，PET盖可以在朝向OLED的一侧具有薄(小于1微米)的氧化铝、二氧化硅或氧化锌层，其利用ALD或CVD淀积。另选地，PET盖和金属基板可以包括其他常见材料，并具有其他常见厚度。具体地讲，基板和盖材料可以包括市售的多层防潮材料。可以采用具有与BCB 类似地可用粘接力、可固化性和透明度的替代材料。 在此实方式中，尽管盖和基板在材料和厚度方面不匹配，但是这样选择材料和厚度使得中性区将包括小芯片的顶部、布线层、电极和有机层以及第二和第三无机层(如果存在的话)。在具有η个层且第一层位于顶部的多层叠层中，中性区的位置由下式给出
权利要求
1.一种柔性发光显示装置，该柔性发光显示装置包括a)基板，其具有显示区域；b)粘接层，其比所述基板薄并且形成在所述基板的表面上；c)多个小芯片，它们的厚度大于2微米且小于200微米，并且所述多个小芯片粘接到所述粘接层，各个小芯片均具有至少一个连接焊盘，所述多个小芯片分布于所述显示区域内， 并且其中，所述粘接层的至少一部分在所述小芯片的一部分的上方延伸；d)多个底部电极，它们形成在所述显示区域中、所述粘接层上，各个底部电极均电连接到一个小芯片的连接焊盘，所述小芯片由此向所述底部电极中的每一个提供电流；e)至少一个发光材料层，其形成在所述底部电极上；f)顶部电极，其形成在所述至少一个发光材料层上，其中，所述底部电极、所述至少一个材料层以及所述顶部电极合起来比所述粘接层薄；g)盖，其比所述粘接层厚，所述盖位于所述顶部电极上并粘接到所述基板；并且h)其中，所述小芯片、所述底部电极、所述至少一个发光材料层和所述顶部电极位于由所述多个层a至g形成的结构的中性应力面处或附近，所述柔性发光显示装置的弯曲半径小于2cm。
2.根据权利要求1所述的柔性发光显示装置，其中，所述基板和所述盖包括相同的材料。
3.根据权利要求1所述的柔性发光显示装置，其中，所述基板和所述盖具有相同的厚度。
4.根据权利要求1所述的柔性发光显示装置，其中，所述基板和所述盖包括不同的材料。
5.根据权利要求4所述的柔性发光显示装置，其中，所述基板和所述盖具有不同的厚度。
6.根据权利要求1所述的柔性发光显示装置，该柔性发光显示装置还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述顶部电极与所述盖之间。
7.根据权利要求6所述的柔性发光显示装置，其中，所述缓冲层和所述粘接层包括相同的材料。
8.根据权利要求6所述的柔性发光显示装置，其中，所述缓冲层和所述粘接层具有相同的厚度。
9.根据权利要求6所述的柔性发光显示装置，其中，所述缓冲层的柔性低于所述盖的柔性。
10.根据权利要求6所述的柔性发光显示装置，其中，所述缓冲层和所述粘接层包括不同的材料。
11.根据权利要求10所述的柔性发光显示装置，其中，所述缓冲层和所述粘接层具有不同的厚度。
12.根据权利要求6所述的柔性发光显示装置，其中，所述缓冲层的厚度介于2微米与 50微米之间。
13.根据权利要求1所述的柔性发光显示装置，其中，所述粘接层的柔性低于所述基板的柔性。
14.根据权利要求1所述的柔性发光显示装置，该柔性发光显示装置还包括封装层，所述封装层形成在所述粘接层上或所述粘接层内。
15.根据权利要求1所述的柔性发光显示装置，该柔性发光显示装置还包括封装层，所述封装层形成在所述小芯片和所述粘接层上。
16.根据权利要求1所述的柔性发光显示装置，该柔性发光显示装置还包括封装层，所述封装层形成在连接到所述连接焊盘的导线上。
17.根据权利要求1所述的柔性发光显示装置，其中，所述粘接层的厚度是2微米至50 微米。
18.根据权利要求1所述的柔性发光显示装置，其中，所述基板的厚度是50微米至500 微米，或者其中，所述盖的厚度是50微米至500微米。
19.根据权利要求1所述的柔性发光显示装置，其中，所述中性应力面位于所述顶部电极与所述一个或多个材料层相交处。
20.根据权利要求1所述的柔性发光显示装置，该柔性发光显示装置还包括形成在所述粘接层上的布线层。
全文摘要
一种柔性发光显示装置，其具有比装置基板薄的粘接层；粘接到粘接层的多个小芯片，其中粘接层的至少一部分在小芯片的一部分的上方延伸；形成在粘接层上的OLED，并且其中，该OLED比粘接层薄；比粘接层厚的盖，其位于OLED上并粘接到装置基板；并且其中，小芯片和OLED位于装置的中性应力面处或附近，并且装置的弯曲半径小于2cm。
文档编号H01L27/32GK102334208SQ201080009232
公开日2012年1月25日 申请日期2010年2月12日 优先权日2009年2月25日
发明者R·S·库克, 约翰·W·哈默 申请人:全球Oled科技有限责任公司