一种制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法
【专利摘要】本发明公开了一种制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，包括：选取带有单层金属层的柔性基板，对该柔性基板上的单层金属层进行刻蚀形成多个金属电极，并对柔性基板没有单层金属层的一面进行激光刻槽形成多个槽；在该柔性基板具有多个槽的一面倒装热压键合多个芯片；将该柔性基板热压键合有多个芯片的一面与一柔性介质层进行热压，使该多个芯片被嵌入到该柔性介质层中；对该柔性基板已嵌入多个芯片的柔性介质层一面进行减薄，得到减薄后的嵌入多个芯片的柔性介质模块；将该柔性介质模块上没有芯片的部分弯折，实现多个芯片的堆叠；对多个芯片堆叠的三维柔性封装模块进行灌封及固化；以及对灌封后的三维柔性封装模块进行打线或植球。
【专利说明】一种制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及微电子行业系统封装【技术领域】，尤其涉及一种制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法。
【背景技术】
[0002]现代便携式电子产品对微电子封装提出了更高的要求，随着对其更轻、更薄、更小、高可靠性、低功耗的不断追求，微电子封装也朝着密度更高、尺寸更小的封装形式发展。近几年来，三维封装技术受到世界各国的广泛关注，美国、欧洲各国、日本等发达国家均投入巨资进行相关的研究和开发，并取得了相当可观的研究成果。
[0003]三维封装技术是指元器件在二维的基础上，进一步向Z轴方向发展形成的三维高密度微电子封装技术，其芯片叠层方式主要包括凸点式、引线键合式、硅片穿孔式、载带式及柔性基板折叠式。由于柔性印制电路新材料、新工艺的迅速发展，柔性基板折叠式立体封装技术已经成为业界的一个研究热点。
[0004]如Tessera公司提出3D μ Z折叠球型堆叠理念，申请了专利并将其应用于叠层CSP封装。欧洲的3D-plus公司和美国的Intel公司对3D柔性折叠封装技术进行了大量研究。日本NEC开发的柔性载板的折叠式芯片尺寸封装，称为FFCSP(Flexible FoldedChip scale package),曾川桢道对超声波进行倒装芯片连接的FFCSP可靠性进行了研究。Valtronic SA使用折叠理念，将逻辑电路、存储器和无源组件结合到单独的SiP中，应用于助听器和心脏起博器。Intel最近对逻辑电路和存储器开发了折叠型堆叠芯片级封装。
[0005]另一方面，为了实现轻薄化的要求，采用超薄的芯片进行三维柔性堆叠封装引起了广泛关注，但是超薄芯片的拿持和对准是一个难以解决的问题，而且现有的封装技术中焊盘和引线框架之间的金属引线都需要占用芯片的纵向空间，增加了芯片的厚度，阻碍了器件向更薄的趋势发展。
【发明内容】
[0006](一 )要解决的技术问题
[0007]有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构及其制备方法，可以将多个超薄芯片嵌入到柔性介质中，并实现多个芯片的堆叠封装。这种三维柔性堆叠封装结构能够有效地利用柔性基板，芯片之间通过柔性基板进行互联，芯片也可以通过柔性基板有效散热。此外，这种三维柔性封装方法不需要对薄芯片进行拿持，有效地解决了薄芯片的拿持以及对准问题。最后，相比硅通孔实现的三维堆叠封装结构，该结构具有工艺简单，价格便宜的优点。此三维柔性堆叠封装结构具有轻量化、薄型化、高密度集成化以及低成本的特点。
[0008]( 二 )技术方案
[0009]为达到上述目的，本发明提供了一种制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，包括:[0010]选取带有单层金属层的柔性基板，对该柔性基板上的单层金属层进行刻蚀形成多个金属电极，并对柔性基板没有单层金属层的一面进行激光刻槽形成多个槽；
[0011]在该柔性基板具有多个槽的一面倒装热压键合多个芯片；
[0012]将该柔性基板热压键合有多个芯片的一面与一柔性介质层进行热压，使该多个芯片被嵌入到该柔性介质层中；
[0013]对该柔性基板已嵌入多个芯片的柔性介质层一面进行减薄，将该柔性介质层以及多个芯片同时减薄到厚度小于50微米，得到减薄后的嵌入多个芯片的柔性介质模块；
[0014]将该柔性介质模块上没有芯片的部分弯折，使得两边的芯片背面粘贴于中间的芯片背面之上，实现多个芯片的堆叠；
[0015]对多个芯片堆叠的三维柔性封装模块进行灌封及固化；以及
[0016]对灌封后的三维柔性封装模块进行打线或植球。
[0017]上述方案中，所述对柔性基板没有单层金属层的一面进行激光刻槽形成多个槽的步骤中，该多个槽的尺寸与对该柔性基板上的单层金属层进行刻蚀形成的多个金属电极的尺寸一致。
[0018]上述方案中，所述在该柔性基板具有多个槽的一面倒装热压键合多个芯片的步骤中，是采用热压键合将多个芯片倒置安装在该柔性基板具有多个槽的一面，该多个芯片的金属电极正好放置在该柔性基板的多个开槽内，实现该柔性基板上的金属电极与该多个芯片的金属电极之间的热压键合。
[0019]上述方案中，所述将该柔性基板热压键合有多个芯片的一面与一柔性介质层进行热压的步骤中，该柔性介质层与该柔性基板为同一材质。该柔性介质层为多层柔性介质，层压后盖住该多个芯片，将该多个芯片嵌入到该柔性介质层中。
[0020]上述方案中，所述对该柔性基板已嵌入多个芯片的柔性介质层一面进行减薄的步骤中，是采用化学机械抛光方法对该柔性基板已嵌入有多个芯片的柔性介质层一面进行薄型化处理，使整个柔性基板以及层压有柔性介质层的模块厚度低于50微米，而且芯片也可减薄至50微米以下，达到20到30微米左右甚至更薄。所述将该柔性介质层以及多个芯片同时减薄，是将该柔性介质层以及多个芯片同时减薄至厚度为20至30微米。
[0021]上述方案中，所述采用化学机械抛光方法对该柔性基板已嵌入有多个芯片的柔性介质层一面进行薄型化处理之前，还包括:对整个柔性基板以及层压有柔性介质层的模块进行固定，以防止在化学机械减薄过程中伤害芯片以及线路连接。所述对整个柔性基板以及层压有柔性介质层的模块进行固定，是采用临时键合胶将该模块临时键合到一支撑层上，减薄完毕后再去除临时键合胶以及支撑层。
[0022]上述方案中，所述将该柔性介质模块上没有芯片的部分弯折，是利用柔性基板的可弯折性，通过合理布局芯片的位置，将非安装芯片区域进行弯折，且使多个芯片堆叠在一起。所述利用柔性基板的可弯折性，通过合理布局芯片的位置，将非安装芯片区域进行弯折，且使多个芯片堆叠在一起，是通过一定的弯折设备来固定并弯折非安装芯片区域，该设备带有机械手，能够有效地控制弯折曲率并固定弯折位置，准确地对柔性基板进行弯折并固定，同时在弯折过程中保证芯安装芯片柔性基板区域的平整度，以保护芯片与柔性基板的线路连接。
[0023]上述方案中，所述将该柔性介质模块上没有芯片的部分弯折，包括对该柔性介质模块上没有芯片的部分进行一次弯折两层堆叠、对该柔性介质模块上没有芯片的部分进行两次弯折三层堆叠、……、以及对该柔性介质模块上没有芯片的部分进行η次弯折η+1层堆叠，η为自然数。
[0024]上述方案中，所述使得两边的芯片背面粘贴于中间的芯片背面之上，实现多个芯片的堆叠，是将芯片与芯片背对背通过粘接剂粘贴堆叠在一起，实现多芯片的三维柔性堆叠封装结构。
[0025]上述方案中，所述对多个芯片堆叠的三维柔性封装模块进行灌封及固化，是采用塑封材料对该三维柔性封装模块进行密封保护，所选塑封材料为下列树脂中的任一种:环氧、聚酯、聚氨酯、硅橡胶、双马来酰亚胺或氰酸酯。
[0026]上述方案中，所述对灌封后的三维柔性封装模块进行打线或植球，是对灌封后的柔性封装模块通过植球或者打线方式完成最后的三维封装体，与基板或印制电路板连接。
[0027]上述方案中，所述对灌封后的三维柔性封装模块进行打线或植球前还包括:对三维柔性封装模块进行模块堆叠，实现多个模块的堆叠封装。
[0028](三)有益效果
[0029]本发明与其他三维封装结构相比有数项优点。
[0030]首先，本发明有效地利用柔性基板，芯片之间通过柔性基板进行互联，芯片也可以通过柔性基板有效散热。
[0031]第二，本发明先进行芯片与柔性基板的键合，层压后进行化学机械抛光减薄，不需要对薄芯片进行拿持，有效地解决了薄芯片的拿持以及对准问题。
[0032]第三，由于对柔性介质层以及芯片同时减薄到50微米以下，因此整个三维封装模块可以实现轻量薄型化。
[0033]第四，相比硅通孔实现的三维堆叠封装结构，该结构具有工艺简单，价格便宜的有点。
[0034]第五，整个工艺采用的方法可与平面半导体工艺兼容，最终实现一体化制作。
[0035]第六，此三维柔性堆叠封装结构实现了系统级封装，并具有轻量化、薄型化、高密度集成化以及低成本的特点。
【专利附图】
【附图说明】
[0036]图1是依照本发明实施例的制作三维柔性堆叠封装结构的方法流程图。
[0037]图2a是依照本发明实施例的带有线路的柔性基板剖面图。
[0038]图2b是依照本发明实施例的将带有线路的柔性基板背面开槽的剖面图。
[0039]图2c是依照本发明实施例的将多个芯片与背面开槽的柔性基板热压键合的剖面图。
[0040]图2d是依照本发明实施例的将键合有多个芯片的柔性基板与柔性介质层层压的剖面图。
[0041]图2e是依照本发明实施例的采用临时键合胶将嵌入有多个芯片的柔性介质模块临时键合到一支撑层的剖面图。
[0042]图2f是依照本发明实施例的将嵌入有多个芯片的柔性介质层一面进行减薄后的剖面图。[0043]图2g是依照本发明实施例的去除临时键合胶后已减薄后的嵌入有多个芯片的柔性介质层剂面图。
[0044]图2h是依照本发明实施例的将柔性基板弯折使得多个芯片堆叠的剖面图。
[0045]图2i是依照本发明实施例的将三维柔性堆叠封装模块塑封固化后的剖面图。
[0046]图2j是依照本发明实施例的给塑封固化后的三维柔性堆叠封装模块植球的剖面图。
[0047]图3是依照本发明实施例的两次弯折柔性基板实现的三维柔性堆叠封装结构的剖面图。
[0048]图4是依照本发明实施例的三维柔性封装模块堆叠后的剖面图。
[0049]主要附图标记如下:
[0050]101-柔性基板
[0051]102-柔性基板上的金属电极
[0052]103-柔性基板上金属线路的背面开槽
[0053]104-多个芯片
[0054]105-柔性介质层
[0055]106-临时键合胶
[0056]107-支撑层
【具体实施方式】
[0057]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
[0058]如图1所示，图1是依照本发明实施例的制作三维柔性堆叠封装结构的方法流程图，该方法包括以下步骤:
[0059]步骤1:选取带有单层金属层的柔性基板，对该柔性基板上的单层金属层进行刻蚀形成多个金属电极，并对柔性基板没有单层金属层的一面进行激光刻槽形成多个槽；其中，该多个槽的尺寸与对该柔性基板上的单层金属层进行刻蚀形成的多个金属电极的尺寸—致。
[0060]步骤2:在该柔性基板具有多个槽的一面倒装热压键合多个芯片；其中采用热压键合将多个芯片倒置安装在该柔性基板具有多个槽的一面，该多个芯片的金属电极正好放置在该柔性基板的多个开槽内，实现该柔性基板上的金属电极与该多个芯片的金属电极之间的热压键合。
[0061]步骤3:将该柔性基板热压键合有多个芯片的一面与一柔性介质层进行热压，使该多个芯片被嵌入到该柔性介质层中；其中，该柔性介质层与该柔性基板为同一材质。该柔性介质层为多层柔性介质，层压后盖住该多个芯片，将该多个芯片嵌入到该柔性介质层中。
[0062]步骤4:对该柔性基板已嵌入多个芯片的柔性介质层一面进行减薄，将该柔性介质层以及多个芯片同时减薄到厚度小于50微米，得到减薄后的嵌入多个芯片的柔性介质模块；
[0063]其中，采用化学机械抛光方法对该柔性基板已嵌入有多个芯片的柔性介质层一面进行薄型化处理，使整个柔性基板以及层压有柔性介质层的模块厚度低于50微米，而且芯片也可减薄至50微米以下，达到20到30微米左右甚至更薄；
[0064]所述采用化学机械抛光方法对该柔性基板已嵌入有多个芯片的柔性介质层一面进行薄型化处理之前，还包括:对整个柔性基板以及层压有柔性介质层的模块进行固定，以防止在化学机械减薄过程中伤害芯片以及线路连接。所述对整个柔性基板以及层压有柔性介质层的模块进行固定，是采用临时键合胶将该模块临时键合到一支撑层上，减薄完毕后再去除临时键合胶以及支撑层。
[0065]步骤5:将该柔性介质模块上没有芯片的部分弯折，使得两边的芯片背面粘贴于中间的芯片背面之上，实现多个芯片的堆叠；
[0066]其中，所述将该柔性介质模块上没有芯片的部分弯折，是利用柔性基板的可弯折性，通过合理布局芯片的位置，将非安装芯片区域进行弯折，且使多个芯片堆叠在一起。所述利用柔性基板的可弯折性，通过合理布局芯片的位置，将非安装芯片区域进行弯折，且使多个芯片堆叠在一起，是通过一定的弯折设备来固定并弯折非安装芯片区域，该设备带有机械手，能够有效地控制弯折曲率并固定弯折位置，准确地对柔性基板进行弯折并固定，同时在弯折过程中保证芯安装芯片柔性基板区域的平整度，以保护芯片与柔性基板的线路连接；
[0067]所述将该柔性介质模块上没有芯片的部分弯折，包括对该柔性介质模块上没有芯片的部分进行一次弯折两层堆叠、对该柔性介质模块上没有芯片的部分进行两次弯折三层堆叠、……、以及对该柔性介质模块上没有芯片的部分进行η次弯折η+1层堆叠，η为自然数；
[0068]所述使得两边的芯片背面粘贴于中间的芯片背面之上，实现多个芯片的堆叠，是将芯片与芯片背对背通过粘接剂粘贴堆叠在一起，实现多芯片的三维柔性堆叠封装结构。
[0069]步骤6:对多个芯片堆叠的三维柔性封装模块进行灌封及固化；
[0070]其中，所述对多个芯片堆叠的三维柔性封装模块进行灌封及固化，是采用塑封材料对该三维柔性封装模块进行密封保护，所选塑封材料为下列树脂中的任一种:环氧、聚酯、聚氨酯、硅橡胶、双马来酰亚胺或氰酸酯。
[0071]步骤7:对灌封后的三维柔性封装模块进行打线或植球；
[0072]其中，对灌封后的三维柔性封装模块进行打线或植球，是对灌封后的柔性封装模块通过植球或者打线方式完成最后的三维封装体，与基板或印制电路板连接。对灌封后的三维柔性封装模块进行打线或植球前还包括:对三维柔性封装模块进行模块堆叠，实现多个模块的堆叠封装。
[0073]基于图1所述的制作三维柔性堆叠封装结构的方法流程图，下面结合图2所示的具体的工艺流程，对本发明进一步详细说明。
[0074]如图2a所示，选取带有单层金属层的柔性基板101，同时通过传统的基板曝光工艺对柔性基板上的单层金属层进行刻蚀，形成多个金属电极102，该多个金属电极102构成金属线路。
[0075]如图2b所示，对柔性基板没有单层金属层的一面进行激光刻槽，形成多个槽103，槽103的形状和尺寸与金属电极102 —致、
[0076]如图2c所示，将多个芯片104与柔性基板具有多个槽103的一面进行热压键合，使多个芯片104的金属电极正好 可以放置在柔性基板的槽103内。[0077]如图2d所示，将该柔性基板热压键合有多个芯片104的一面与一柔性介质层105进行热压，使该多个芯片104被嵌入到该柔性介质层105中，这里柔性介质层105选取与柔性基板101相同的材料。
[0078]如图2e所示，采用临时键合胶106将与柔性介质层105热压后的柔性基板101具有多个金属电极102的一面与一支撑层107临时键合，键合面为柔性基板101带有多个金属电极102的一面。
[0079]如图2f所示，从嵌入有多个芯片104的柔性介质层105的一面对临时键合在支撑层107上的柔性基板101及柔性介质层105进行化学机械抛光，将其减薄至50微米以下。
[0080]如图2g所示，在一定条件下，使得临时键合胶106失去键合力，去除临时键合胶106及支撑层107，得到减薄后的嵌入多个芯片的柔性介质模块。
[0081]如图2h所示，采用弯折设备将该柔性介质模块上没有芯片的部分弯折，两侧的芯片与中间的芯片背对背堆叠，同时采用粘结剂将堆叠的芯片粘接固定，该弯折设备带有机械手，可保证安装有芯片的柔性基板保持平整，不损坏芯片与基板的连接。
[0082]如图2i所示，采用塑封材料对弯折后的芯片堆叠模块进行塑封，这时模块仍然在弯折设备中，弯折设备在弯折前会涂覆一层材料，塑封后可轻易将塑封的三维模块取出。
[0083]如图2j所示，对塑封后的三维堆叠封装模块进行植球，得到最终的三维柔性堆叠封装结构体。
[0084]图3示出了依照本发明实施例的两次弯折柔性基板实现的三维柔性堆叠封装结构的剖面图，在图4中，在柔性基板上有三个芯片，两次弯折后实现了三层堆叠封装，芯片之前通过柔性基板上的传输线或者通孔进行连接。图4示出了依照本发明实施例的三维柔性封装模块堆叠后的剖面图，在图3中，两个三维柔性封装模块堆叠，模块之间可采用带有连接通孔或者硅通孔的转接板连接，也可采用金属与金属键合的方法进行连接。
[0085]以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，包括: 选取带有单层金属层的柔性基板，对该柔性基板上的单层金属层进行刻蚀形成多个金属电极，并对柔性基板没有单层金属层的一面进行激光刻槽形成多个槽； 在该柔性基板具有多个槽的一面倒装热压键合多个芯片； 将该柔性基板热压键合有多个芯片的一面与一柔性介质层进行热压，使该多个芯片被嵌入到该柔性介质层中； 对该柔性基板已嵌入多个芯片的柔性介质层一面进行减薄，将该柔性介质层以及多个芯片同时减薄到厚度小于50微米，得到减薄后的嵌入多个芯片的柔性介质模块； 将该柔性介质模块上没有芯片的部分弯折，使得两边的芯片背面粘贴于中间的芯片背面之上，实现多个芯片的堆叠； 对多个芯片堆叠的三维柔性封装模块进行灌封及固化；以及 对灌封后的三维柔性封装模块进行打线或植球。
2.根据权利要求1所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述对柔性基板没有单层金属层的一面进行激光刻槽形成多个槽的步骤中，该多个槽的尺寸与对该柔性基板上的单层金属层进行刻蚀形成的多个金属电极的尺寸一致。
3.根据权利要求1所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述在该柔性基板具有多个槽的一面倒装热压键合多个芯片的步骤中，是采用热压键合将多个芯片倒置安装在该柔性基板具有多个槽的一面，该多个芯片的金属电极正好放置在该柔性基板的多个开槽内，实现该柔性基板上的金属电极与该多个芯片的金属电极之间的热压键合。
4.根据权利要求1所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述将该柔性基板热压键合有多个芯片的一面与一柔性介质层进行热压的步骤中，该柔性介质层与该柔性基板为同一材质。
5.根据权利要求4所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，该柔性介质层为多层柔性介质，层压后盖住该多个芯片，将该多个芯片嵌入到该柔性介质层中。
6.根据权利要求1所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述对该柔性基板已嵌入多个芯片的柔性介质层一面进行减薄的步骤中，是采用化学机械抛光方法对该柔性基板已嵌入有多个芯片的柔性介质层一面进行薄型化处理，使整个柔性基板以及层压有柔性介质层的模块厚度低于50微米，而且芯片也可减薄至50微米以下，达到20到30微米左右甚至更薄。
7.根据权利要求6所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述将该柔性介质层以及多个芯片同时减薄，是将该柔性介质层以及多个芯片同时减薄至厚度为20至30微米。
8.根据权利要求6所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述采用化学机械抛光方法对该柔性基板已嵌入有多个芯片的柔性介质层一面进行薄型化处理之前，还包括:对整个柔性基板以及层压有柔性介质层的模块进行固定，以防止在化学机械减薄过程中伤害芯片以及线路连接。
9.根据权利要求8所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述对整个柔性基板以及层压有柔性介质层的模块进行固定，是采用临时键合胶将该模块临时键合到一支撑层上，减薄完毕后再去除临时键合胶以及支撑层。
10.根据权利要求1所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述将该柔性介质模块上没有芯片的部分弯折，是利用柔性基板的可弯折性，通过合理布局芯片的位置，将非安装芯片区域进行弯折，且使多个芯片堆叠在一起。
11.根据权利要求10所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述利用柔性基板的可弯折性，通过合理布局芯片的位置，将非安装芯片区域进行弯折，且使多个芯片堆叠在一起，是通过一定的弯折设备来固定并弯折非安装芯片区域，该设备带有机械手，能够有效地控制弯折曲率并固定弯折位置，准确地对柔性基板进行弯折并固定，同时在弯折过程中保证芯安装芯片柔性基板区域的平整度，以保护芯片与柔性基板的线路连接。
12.根据权利要求1所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述将该柔性介质模块上没有芯片的部分弯折，包括对该柔性介质模块上没有芯片的部分进行一次弯折两层堆叠、对该柔性介质模块上没有芯片的部分进行两次弯折三层堆叠、……、以及对该柔性介质模块上没有芯片的部分进行η次弯折η+1层堆叠，η为自然数。
13.根据权利要求1所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述使得两边的芯片背面粘贴于中间的芯片背面之上，实现多个芯片的堆叠，是将芯片与芯片背对背通过粘接剂粘贴堆叠在一起，实现多芯片的三维柔性堆叠封装结构。
14.根据权利要求1所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述对多个芯片堆叠的三维柔性封装模块进行灌封及固化，是采用塑封材料对该三维柔性封装模块进行密封保护，所选塑封材料为下列树脂中的任一种:环氧、聚酯、聚氨酯、硅橡胶、双马来酰亚胺或氰酸酯。
15.根据权利要求1所述的制作`嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述对灌封后的三维柔性封装模块进行打线或植球，是对灌封后的柔性封装模块通过植球或者打线方式完成最后的三维封装体，与基板或印制电路板连接。
16.根据权利要求1所述的制作嵌入式超薄芯片的三维柔性堆叠封装结构的方法，其特征在于，所述对灌封后的三维柔性封装模块进行打线或植球前还包括:对三维柔性封装模块进行模块堆叠，实现多个模块的堆叠封装。
【文档编号】H01L21/60GK103681458SQ201210321441
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年9月3日 优先权日:2012年9月3日
【发明者】张霞, 于大全, 张博 申请人:中国科学院微电子研究所