专利名称：半导体发光器件的制作方法
技术领域：
本发明涉及在相同表面侧具有η电极和P电极并且能够从衬底侧输出光的倒装型 III族氮化物半导体发光器件。
背景技术：
例如，在III族氮化物半导体发光器件中，即使当ρ型层经过低电阻处理，由于P 型层的电阻比η型层高，电流基本上不会在ρ型层内横向扩展，光发射仅直接在电极下发生。因此，需要在P型层的上表面上大范围形成电极层。并且，鉴于绝缘材料如蓝宝石用作衬底的事实，有必要在器件的上表面形成相对于η型层的电极作为下层。为了实现这点，采取了如下措施存在于η电极形成区域的上部中的ρ型层、发光层等通过蚀刻移除，在暴露的η型层的上表面上形成供电的η垫电极，然后形成ρ电极，在ρ电极的一部分上形成供电的P垫电极。然而，具体地，当提供一个η垫电极和一个ρ垫电极的情况下，在使用透明导电膜作为P电极和在其上部设置有反射体的倒装型III族氮化物半导体发光器件中，难以使电流在透明导电膜中表面方向上均勻扩散，导致在P型层的表面上没有获得均勻电流密度的问题。由此意味着存在表面上的光发射不均衡并且变得不均勻的问题。然后，为了使得由P 垫电极供应的电流可以在透明导电膜的表面上水平方向流动，已知以下专利文件1中所述的技术。根据以下专利文件1公开的技术，透明导电膜以梳子齿形状形成，其中多个条状物排列，并提供在多个地方与各个条状物连接的多个中间电极，这些多个中间电极和一些供电的P-凸块电极相互连接。根据这种构型，均勻电流密度的电流允许在相对P型层的表面上流动。专利文件1 JP-A-2010-27824然而，在专利文件1的结构中，在透明导电膜上形成的两个η-中间电极和各个 P-中间电极之间的距离不相等，并且考虑到电极对电极的电位分布，不会总是形成具有均勻密度的功率线。因此，为了向P层供应均勻电流密度的电流以实现均勻的光发射，即使在专利文件ι的结构中也有局限。并且，一种趋势是由于透明导电膜较厚地形成为均勻厚度，片电阻变小，则在透明导电膜的表面上水平方向流动的电流扩散并变得均勻。然而，涉及到如下问题当较厚地形成透明导电膜时，膜对光的吸收更多增加，从而降低了光提取效率。
发明内容
因此，为了解决上述问题，做出了本发明，其目的在于利用透明导电膜作为电极的发光器件中实现光提取效率的提高，下降的驱动电压和均勻的光发射。第一方面涉及倒装型半导体发光器件，其包括半透明衬底、由η型III族氮化物半导体制成并堆叠在所述半透明衬底上的第一半导体层、由P型III族氮化物半导体制成的第二半导体层、在所述第二半导体层上形成的透明导电膜、在所述透明导电膜的上部中形成的反射体、与所述透明导电膜的一部份的部位相连接的第二中间电极、和第一中间电极， 所述第一中间电极形成在通过从所述第二半导体层的侧面蚀刻而暴露出的第一半导体层的电极形成部中，同时从半透明衬底侧面输出光，其中所述第一中间电极是与在所述第一半导体层的表面上的多个位置形成的多个电极形成部分别连接的多个电极；所述第二中间电极是与所述透明导电膜的多个位置分别连接的多个电极；提供将多个第一中间电极连接在一起的第一电极和将多个第二中间电极连接在一起的第二电极；并且所述透明导电膜在其中第一中间电极和第二中间电极之间的距离最短的区域内形成为比其他区域薄。在本发明中，在第一中间电极和第二中间电极之间的距离最短的区域内的透明导电膜可形成为平均比其他区域内更薄。因此，在本发明中，透明导电膜还可在第一中间电极和第二中间电极之间的距离最短的区域内均勻和平坦地形成为比其他区域内薄。在本发明中，透明导电膜也可为其中具有薄厚度的多个凹形结构分散在第一中间电极和第二中间电极之间的距离最短的区域中的膜。在本发明中，在第一中间电极和第二中间电极之间的距离最短的区域中，透明导电膜还可是其中其厚度比在其他区域中更薄，并且在该区域中分散有厚度较厚的多个凹形结构的膜。此处，发光器件用于其中使用半透明衬底的所谓倒装芯片结，其半导体层一侧与引线框连接同时向上面对半透明衬底。可在所述透明导电膜上直接形成反射体，或者可形成反射体同时允许绝缘膜介于其间。反射体可由金属形成，或为由多层介电膜构成的复合反射体。另外，在相对于所有的第二中间电极构成成对的一个第一中间电极的情况下，在第一中间电极和第二中间电极之间的距离最短的区域是指存在于电极之间的区域，其间的距离为最近。这种区域的实例包括椭圆形区域，该椭圆形区域不包括这两个电极并且其中电极间的间隙是长轴；矩形区域，其中电极间的间隙是长边；和多边形区域，其中电极间的间隙是长边，将各电极相互连接的线段为目标。对于种组合，当第一中间电极连续改变时， 其中各个第一中间电极相对于第二中间电极的距离为最短的区域如上定义。整个该区域与其他区域相比形成为薄且均勻，或者使得厚度薄的多个柱状凹形结构分散在该区域中。总之，该区域与其他区域相比可形成为平均是薄的。III族氮化物半导体是指由通式AlxGE^nzN(x+y+z = 1，0彡x、y和ζ彡1)表示的半导体，并且包括通过用其他3Β族元素(13族元素)Β或Tl取代部分的Al、( 或h或者用其他5B族元素(15族元素)P、As、Sb或Bi取代部分N而形成的那些材料。更一般地， III族氮化物半导体是指GaN、InGaN、AWaN或AlfeJnN，其中各自都至少含有fei。通常，Si 用作η-型杂质，Mg用作ρ-型杂质。一般地，Si掺杂η-型GaN用于第一半导体层中，而Mg 掺杂P-型GaN用于第二半导体层中。然而，这仅仅是一个实例，也可使用其中加入h或具有前述任意组成比的化合物半导体。半导体发光器件的层构成是任意的，并且各层的组成比也是任意的。对于形成于第二半导体层上的透明导电膜，当涉及某个任意第一中间电极时，在相对于所有第二中间电极的成对的第一中间电极中，所述透明导电膜在所述两个电极间的距离最短的区域中形成为比其他区域更薄。由此，第一中间电极和第二中间电极间的最短路径的电阻变大，因此在最短距离流动的电流密度可减小。即，可以在透明导电膜的表面上使水平方向流动的电流扩散，从而使得水平方向流动的电流的电流密度在表面上分布均勻。结果，发光照射可在表面上均勻进行。
图1是根据本发明一个特定实施方案的半导体发光器件的截面图。图2是上述特定实施方案的半导体发光器件的平面图。图3a和北是示出用于根据一些实施方案的半导体发光器件的各种类型透明导电膜的结构的截面图。图4是示出根据另一个实施方案的半导体发光器件的结构的平面图。图5是示出根据另一个实施方案的半导体发光器件的结构的平面图。
具体实施例方式下面描述进行本发明的模式。任意材料可用作衬底，只要其是半透明衬底。其实例包括蓝宝石(Al2O3)15透明导电膜的实例包括金属氧化物。代表性地，可以使用氧化铟锡(ITO)或氧化锌(ZnO)。另外，可以使用由向SiO中添加几个百分比的元素获得的材料(所述元素将成为三价离子如Al2O3或Ga2O3 (例如AZO或GZ0))、氟掺杂的氧化锡(FTO)、氧化铟和氧化锌的复合物、加铌二氧化钛TihNbiA(TNO)或其他材料如氧化锌基材料、氧化铟基材料、氧化锡基材料和镉基材料(CTO)制成的透明导电膜。尽管第一电极和第二电极各自的材料是任意的，但是可以使用金、金和钛的多层膜或低共熔合金如金-锡(AuSn)。作为形成透明导电膜的方法，可以采取溅射、真空气相沉积等。期望的是构成发光层的单量子阱结构或多量子阱结构包括由至少含铟(In)的III族氮化物基化合物半导体制成的阱层，其可表示为AlyGivy-JnzN(0彡y < 1，和0 < ζ彡1)。发光层结构的实例包括由掺杂或未掺杂的^vJnzNO) < ζ彡1)制成的阱层和由具有大于阱层的带隙和具有任意组成的III族氮化物基化合物半导体制成的势垒层，表示为Alfe^nN。其优选实例包括由未掺杂(;ai_JnzN(0 < ζ彡1)制成的阱层，和由未掺杂GaN制成的势垒层。此处，术语“掺杂” 是指掺杂剂有意结合到原料气体中并加入到期望的层中；而术语“未掺杂”是指掺杂剂并不有意结合到原料气体中。因此，术语“未掺杂”还包括其中掺杂通过附近层的扩散自发进行的情况。作为使得III族氮化物半导体层进行晶体生长的方法，分子束外延(MBE)、金属-有机气相外延(MOVPE)、氢化物气相外延(HVPE)、液相外延等是有效的。构成半导体发光器件每一层的III-V族氮化物半导体可由至少由AIxGiiyInN(0彡χ彡1，0彡y彡1，和 0 ^ x+y ^ 1)表示的二元体系、三元体系或四元体系半导体组成的III-V族氮化物基化合物半导体形成。并且，这种III族元素的一部分可被硼(B)或铊(Tl)取代，一部分氮(N) 可被磷(P)、砷(As)、锑(Sb)或铋(Bi)取代。另外，在用这种半导体形成η-型层的情况下，可加入Si、Ge、k、Te、C等作为η-杂质，而在形成P-型层的情况下，可加入Be、Ca、Sr、Ba等作为ρ-型杂质。实施方案1
图1是实施方案1的半导体发光器件的截面图，图2是其平面图。半导体发光器件1是能够发射具有蓝光区域波长的光的倒装芯片型发光二极管(LED)。如果正向电压为 3. 2V，而正向电流为350mA，该半导体发光器件1发射具有峰波长为450nm的光。并且，半导体发光器件1从顶视图看形成为矩形形状。对于发光器件1的平面尺寸，一边为约1000 μ m, 另一边为约500 μ m。在具有100 μ m厚度的蓝宝石衬底101上形成由氮化铝(AlN)制成并且具有约20nm膜厚度的缓冲层102，并且在所述缓冲层102上形成η-型接触层104(第一半导体层)，其为由硅(Si)掺杂GaN制成并具有约8. 0 μ m膜厚度的高载流子浓度η+层。所述η-型接触层104具有5X1018/cm3的电子密度。尽管期望该层的电子密度尽可能的高， 但能够将电子密度增加到2X1019/cm3。然后，在η-型接触层104上形成静电放电电阻改善层(ESD层)105。ESD层105具有从η-型接触层104 —侧起的第一 ESD层、第二 ESD层和第三ESD层的三层结构。第一 ESD层由具有Si浓度1 X IO16至5Χ IO1Vcm3的n-GaN制成。第一 ESD层的厚度为200至lOOOnm。并且，尽管由于在第一 ESD层的表面上的螺旋位错(Threading Dislocation)产生小量小坑，其小坑密度为不超过1 X 108/cm2。第二 ESD 层由未掺杂GaN制成。第二 ESD层的厚度为50至200nm。在第二 ESD层的表面上也产生小坑，其小坑密度为2X108/cm2以上。尽管第二 ESD层是未掺杂的，由于残余载流子，其载流子浓度为1 X IO16至1 X IO1Vcm30在第二 ESD层中，可在其中载流子浓度不超过5X IO17/ cm3的范围内掺杂Si。第三ESD层由Si掺杂GaN制成并具有通过Si浓度(/cm3)和膜厚度 (nm)的乘积定义的0.9XlO2tl至3. 6XlO2tl (nm/cm3)的特征值。例如，当第三ESD层的厚度为 30nm 时，Si 浓度为 3. OXlO18 至 1. 2 X IO1Vcm30在WSD层105上形成具有多量子阱结构(MQW)的发光层106，其中堆叠了由膜厚度为20nm的未掺杂GaN和膜厚度为3nm的未掺杂Giia8Ina2N构成的三个循环。在发光层106 上形成对应于由镁(Mg)掺杂Ala Jiia85N形成的覆层和具有约60nm膜厚度的ρ-型层107。 另外，在P-型层107上形成由镁(Mg)掺杂GaN形成并具有约130nm膜厚度的ρ-型接触层 108(第二导体层)。并且，在ρ-型接触层108上形成通过溅射或真空气相沉积的方式形成的由ITO制成的透明导电膜10。在所述透明导电膜10上形成由SiO2制成的第一绝缘保护膜20。所述透明导电膜10的厚度分别为在厚的部分为0. 3 μ m和在薄的部分为0. 1 μ m。第一绝缘保护膜20的厚度为0. 3 μ m。由Al制成的反射体50以0. 1 μ m的厚度形成于所述第一绝缘保护膜20上。在其上形成厚度为0.3μπι的第二绝缘保护膜21。因此，反射体50嵌入具有将第一绝缘保护膜20和第二绝缘保护膜21整合于其中的绝缘保护膜中。并且，在多个位置， 各自连接透明导电膜10的第二中间电极40分别形成于开口穿过第一绝缘保护膜20、第二绝缘保护膜21和反射体50的多个窗口中。第二中间电极40由厚度0.01 μ m的钛(Ti)和厚度0.5μπι的金(Au)的双结构构成。并且，第二中间电极40可由Ti和Au的合金构成。同时，第一中间电极30形成于通过由ρ-型接触层108蚀刻而暴露的η-型接触层 104上。所述第一中间电极30具有双结构，并且通过在η-型接触层104的部分暴露的部分即电极形成部16上依次堆叠具有约18nm膜厚度的钒(V)层31和具有约1. 8 μ m膜厚度的铝(Al)层32而构成。然后，在第二绝缘保护膜21上设置具有矩形形状以使多个第二中间电极40相互连接的第二电极70和具有矩形形状以使多个第一中间电极30相互连接的第一电极60。这些第二电极70和第一电极60形成与导线框连接的凸块。
通过沿着透明导电膜10的位置水平切割半导体发光器件1而获得的平面形状示出于图2中并且具有在χ轴方向较长的矩形。多个第二中间电极40沿着长边设置在透明导电膜10的平面表面上的多个位置。并且，多个第一中间电极30设置在η-型接触层104的平面表面上的多个位置。对于所有的所述多个第二中间电极40，短边方向(χ轴方向)上的位置是相等的；对于所有的所述多个第一中间电极30，在短边方向上的位置是相等的。并且，各个第二中间电极40和第一中间电极30构成相同的对，其中在长边方向(y轴方向) 的位置是相等的。当考虑到相对于所有第二中间电极40的成对的任意一个第一中间电极30时，可以确定其中两个电极间的距离为最近的第二中间电极40。然后，当逐个改变第二中间电极 30的同时类似考虑两个电极对时，可分别确定具有相对于各第一中间电极30的最近距离的第二中间电极40。因此，在所有第一中间电极30和第二中间电极40的组合中，具有两电
极间最近距离的电极对，即(nl, pi)、(n2, p2)、(n3, p3)、(n4, p4)......数量对应于第一
中间电极30的数量。在图2中，说明了四对电极。没有第一中间电极30和第二中间电极 40的具有椭圆形状的最邻近区域Al至A4的透明导电膜10形成薄的0. 1 μ m的厚度，而在其他区域形成厚的0. 3μπι的厚度。在最邻近区域Al至Α4中，由于透明导电膜10薄，片电阻与其他区域相比更大。因此，在表面上水平方向流动的电流密度比其他区域小。因此，在第二中间电极40和第一中间电极30的对电极之间的透明导电膜10的表面上在水平方向流动的电流密度均勻和平滑。结果，在垂直方向上在发光层106上流动的电流密度的表面分布变得均勻，并且光发射分布变得均勻。如上所述，当透明导电膜10没有制成为薄的时候，电流集中在透明导电膜10的最邻近区域Al至Α4中，而当最邻近区域Al至Α4中的透明导电膜10制成为薄的时候，在最邻近区域Al至Α4的电流浓度被减缓，在表面上获得均勻的电流分布。并且，由于这些最邻近区域Al至Α4位于半导体发光器件的发光表面的中心，可以减少通过透明导电膜10的中心光损耗。另外，由于在其他区域的透明导电膜比最邻近区域Al至Α4的形成得厚，半导体发光器件的驱动电压没有增加。然后，描述本发明半导体发光器件的制造方法。首先，在400°C下通过MOCVD在蓝宝石衬底上形成氮化铝(AlN)的低温外延的缓冲层102。然后，在调整到最佳温度的同时通过MOCVD方法依次堆叠各自通过各III族氮化物半导体的外延生长由III族氮化物半导体形成的η-型接触层104、ESD层105、发光层106、ρ-型层107和ρ-型接触层108。对于MOCVD中的原材料气体，氨气(NH3)用作氮源；三甲基镓(Ga(CH3)3)用作( 源；三甲基铟 (In(CH3)3)用作In源；三甲基招(Al(CH3)3)用作Al源；娃烷(SiH4)用作n_型掺杂气；环戊二烯基镁(Mg(C5H5)2)用作ρ-型掺杂气；和H2或N2用作载气。前述半导体层的外延生长是公知方法。各个层在蓝宝石衬底101上外延生长。然后，ITO在ρ-型接触层108的整个表面均勻沉积为0. 3 μ m的厚度，从而形成透明导电膜10。 接着，在透明导电膜10的整个表面涂覆光刻胶，并且曝光和显影对应于图1的η-型接触层 104的电极形成部16的部分以在该部分中形成窗口。然后，进行干蚀刻同时用其余透明导电膜10和光刻胶做掩模，以曝光η-型接触层104，从而形成电极形成部16。然后，在移除光刻胶之后，在该器件的整个上表面上涂覆光刻胶，并且曝光和显影图2中所述最邻近区域Al至Α4的部分，从而在那些部分中形成窗口。然后，透明导电膜10干蚀刻至仅0. 2 μ m的深度，从而使最邻近区域Al至A4的透明导电膜10形成薄的0. Ιμπι的厚度。在后续步骤中，采用本领域公知的光刻法形成各个层。即，连续地沉积除第一中间电极30和第二中间电极40之外的第一绝缘保护膜20、反射体50和第二绝缘保护膜21。接着，待与η-型接触层104连接的第一中间电极30和待与透明导电膜10连接的第二中间电极40类似地通过光刻法沉积。然后，沉积用于使多个第一中间电极30相互连接的第一电极60和用于使多个第二中间电极40相互连接的第二电极70，从而完成半导体发光器件。作为形成所述最邻近区域Al至Α4的透明导电膜10的方法，也可以采用下列方法。在P-型接触层108上均勻形成0.2μπι厚度的ITO制成的透明导电膜10。接着，在透明导电膜10的整个表面涂覆光刻胶，并且曝光和显影图2中所述最邻近区域Al至Α4的部分，以在那些部分中形成窗口。然后，剩余的光刻胶用作掩模，移除所述窗口的全部透明导电膜10。接着在移除光刻胶之后，均勻地沉积厚度为0. Ιμπι的ΙΤ0，由此形成透明导电膜 10。据此，最邻近区域Al至Α4的透明导电膜10可制成具有0. 1 μ m的厚度，同时使其他部分的厚度为0. 3μπι。并且，对于形成薄的最邻近区域Al至Α4的透明导电膜10的方法，也可以采用下列方法。在P-型接触层108上均勻形成0. ιμπι的厚度的ITO制成的透明导电膜10。接着，在透明导电膜10的整个表面涂覆光刻胶，并且曝光和显影图2中除所述最邻近区域Al 至Α4以外的其他部分，从而使得光刻胶仅留在最邻近区域Al至Α4中。然后，ITO在该状态进一步沉积0.2μπι的厚度。然后，剥离光刻胶。据此，最邻近区域Al至Α4的透明导电膜10可制成具有0. 1 μ m的厚度，同时使其他部分的厚度为0. 3 μ m。在前述实施方案1中，如图3A所示，透明导电膜10的最邻近区域Al至A4结构与其他区域相比形成为薄并且平坦和均勻。然而，如图3B所示的截面图和图4所示的平面图可见，可分散多个柱状凹形结构80。凹形结构的直径为5 μ m，而凹形结构-凹形结构循环为 20 μ m0以这种方式，最邻近区域Al至Α4的厚度可制成平均上是薄的。在该情况下，通过不规则性促进光的不规则反射，从而能够增强光提取效率。可使用凹形结构，以具有0. 5μπι 以上和不超过20 μ m的直径，以及0. 5 μ m以上和不超过100 μ m的循环。最邻近区域Al至A4中的关系，第一中间电极30和第二中间电极40可为图5所示的一种。在图5的情况中，提供了五个第一中间电极301至305和四个第二中间电极401 至404。第一中间电极301、第二中间电极401和第一中间电极302交替布置在同一 y坐标沿着χ坐标增长的方向上的最下面的位置。并且，第二中间电极402、第一中间电极303和第二中间电极403交替布置在同一 y坐标沿着χ坐标增长的方向上的中间位置。第一中间电极304、第二中间电极404和第一中间电极305交替布置在同一 y坐标沿着χ坐标增长的方向上的最上面的位置。然后，柱形凹形结构80分散和设置在其中成对的各第一中间电极和各第二中间电极的电极-电极距离为最短的最邻近区域Bl至Β8中，例如，第一中间电极301和第二中间电极401之间的间隙，第一中间电极301和第二中间电极402之间的间隙等等。在这8个最邻近区域B中的凹形结构80的分散图案是相同的。并且，柱形凹形结构80分散和设置在其中电极-电极距离为最短的最邻近区域的四个区域Cl、C2、C3和C4 中，所述区域分别在位于透明导电膜10的中心的第一中间电极303和在最低位置的第二中间电极401之间的间隙，第一中间电极303和中间位置的第二中间电极402之间的间隙，第一中间电极303和中间位置的第二中间电极403之间的间隙以及第一中间电极303和最上
8面位置的第二中间电极404之间的间隙。尽管在这四个最邻近区域C中的凹形结构80的分散图案是相同的，但是该分散图案与最邻近区域B中的凹形结构80的分散图案不同，并且凹形结构80的密度小。通过这种方法，可以使得在透明导电膜10的表面上水平方向流动的电流密度分布均勻，在上述实施方案1中，尽管第一绝缘保护膜20和第二绝缘保护膜21由二氧化硅 (SiO2)形成，它们还可由诸如二氧化钛(TiO2)、氧化铝(Al2O3)和氧化钽(Tii2O5)的金属氧化物或者具有电绝缘特性的树脂材料如聚酰亚胺形成。并且，在上述实施方案1中，尽管Al 用于反射体50，发射体50也可由含Al或Ag作为主要成分的合金形成。另外，发射体50可由银(Ag)、铑(1 )、钌(Ru)、钼(Pt)、钯(Pd)或含有这些金属的至少一种的合金形成。另外，发射体50可为由具有彼此不同折射率的两种材料的多层所形成的分布式布拉格反射体(DBR)。第二中间电极40可由Ni层、Au层和Al层三层构成，三层各自与透明导电膜10连接。作为由AuSn低共熔合金形成且表面由Au形成的凸块电极的第一电极60和第二电极 70，分别经由Ti形成的第一层、Ni形成的第二层、Ti形成的第三层和Ni形成的第四层与第一中间电极30和第二中间电极40连接。各第一层的Ti增加第一中间电极30和第二中间电极40之间的连接强度。第二至第四层是阻止焊料Sn扩散的层。并且，选自Ti、Al、Pd、 Pt、V、Ir和1 的至少一种金属可用作第一中间电极30。第一电极60和第二电极70可通过镀覆、丝网印刷、溅射、真空气相沉积等方法形成。透明导电膜10也可通过溅射、CVD、真空气相沉积等方法形成。本发明可应用于发光层，以使表面上的发光照明均勻。
权利要求
1.一种倒装芯片型半导体发光器件，包括 半透明衬底；由η型III族氮化物半导体制成并堆叠在所述半透明衬底上的第一半导体层； 由P型III族氮化物半导体制成的第二半导体层； 在所述第二半导体层上形成的透明导电膜； 在所述透明导电膜的上部中形成的反射体； 与所述透明导电膜的一部分的部位相连接的第二中间电极；和第一中间电极，所述第一中间电极形成在通过从所述第二半导体层一侧进行蚀刻而暴露出的所述第一半导体层的电极形成部中，而从所述半透明衬底一侧输出光，其中所述第一中间电极是与在所述第一半导体层的表面上的多个位置中形成的多个所述电极形成部分别连接的多个电极；所述第二中间电极是与所述透明导电膜的多个位置分别连接的多个电极，并且提供将多个所述第一中间电极相互连接的第一电极和将多个所述第二中间电极相互连接的第二电极；和所述透明导电膜在所述第一中间电极和所述第二中间电极之间的距离最短的区域内形成为比其他区域内薄。
2.权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述透明导电膜在所述第一中间电极和所述第二中间电极之间的距离最短的区域内形成为比其他区域内薄并且是均勻的。
3.权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述透明导电膜为在所述第一中间电极和所述第二中间电极之间的距离最短的区域中分散有厚度薄的多个凹形结构的膜。
全文摘要
第一中间电极30是与在第一半导体层104的表面上的多个位置形成的多个电极形成分别连接的多个电极。第二中间电极40是与透明导电膜的多个位置分别连接的多个电极。第一电极60将多个第一中间电极连接在一起，而第二电极70将多个第二中间电极连接在一起。透明导电膜10在其中第一中间电极和第二中间电极之间的距离最短的区域A内形成为比其他区域内薄。
文档编号H01L33/32GK102201515SQ201110080168
公开日2011年9月28日 申请日期2011年3月25日 优先权日2010年3月26日
发明者出口将士, 神谷真央 申请人:丰田合成株式会社