提高集成电路封装连接强度的方法

文档序号:6998019阅读:186来源:国知局
专利名称:提高集成电路封装连接强度的方法
技术领域
本发明涉及集成电路的封装,具体地说是一种提高集成电路封装连接强度的方法,属于集成电路制造技术领域。
背景技术
本发明涉及集成电路的封装,具体地说是一种提高集成电路封装连接强度的方法,属于集成电路制造技术领域
随着半导体集成电路器件引出端I/O数的提高,封装密度提高,封装引出端均采用面阵阵列排布,如球栅阵列(PBGA/CBGA)、陶瓷柱栅阵列(CCGA),但这些封装在使用中均存在着焊接可靠性不足的问题,甚至在焊接跟部产生致命的焊接裂纹而可能导致电路失去功能。目前,控制焊接跟部连接失效的方法主要是采取限制封装尺寸、限制应用范围(温度范围等)、增加封装焊球/焊柱高度、降低焊接材料硬度和改进焊接工艺等,这使得封装设计受限,电路应用受限,甚至需要更换封装形式等,带来产品研发周期长、费用增加、体积增加等问题。

发明内容
本发明针对上述集成电路封装存在的焊接跟部易形成微裂纹并可能导致电路失效的问题,提供一种提高集成电路封装连接强度的方法。按照本发明提供的技术方案,一种提高集成电路封装连接强度的方法,在集成电路封装完成后,在封装电路的边缘用围堰胶形成围堰,再在所述围堰与焊接跟部之间灌注封胶层,然后固化。所述围堰的高度为0. 10—0. 25謹。所述封胶层的厚度为0. 10—0. 20mm。所述围堰胶采用环氧胶或电子灌封胶。所述封胶层采用环氧胶或电子灌封胶。所述固化是将集成电路放入烘箱中,加热至120 130°C,保温45 60min。所述集成电路采用焊球封装连接。所述集成电路采用焊柱封装连接。本发明与现有技术相比具有以下优点本发明在不改变现有封装结构和材料、封装形式,也不改变现有组装设备的情况下,通过在焊接的跟部灌注一定厚度的封胶层,并固化,从而解决焊接薄弱部位易出现耐疲裂纹而失效的问题,大大提高了封装的可靠性;本发明使CCGA电路组装可重新返工,而不需要再植新的焊柱;本发明工艺简单易行,较经济。


图1是本发明采用焊球封装连接的增强剖面图。
图2是本发明采用焊柱封装连接的增强剖面图。图3是采用焊球封装组装连接的增强示意图。图4是采用焊柱封装组装连接的增强示意图。
具体实施例方式下面结合附图中的实施例对本发明作进一步的说明。图1 图4中,包括封装电路1、焊球2、第一焊料3、围堰4、封胶层5、焊柱6、第二焊料7、有机基板8等。实施例1,1. 27 mm节距CBGA560封装
如图1所示,根据封装材料,采用台湾永宽化学股份有限公司的围堰用JB206型环氧胶,在CBGA560陶瓷封装电路1的边缘形成0. 10—0. 25mm高的围堰4 ;再用灌封用JB207 型环氧胶在焊球2跟部之间形成0. 10-0. 20mm厚的封胶层5,然后在烘箱中120 130°C、 45 60min固化,焊球2底部及第一焊料3被封胶层5包裹住,冷却后即完成了增强。电路1与印刷电路板的组装参见图3,电路焊接完成后,用灌封用JB207型环氧胶如前述一样使CBGA560封装电路1与有机基板8得到增强,使焊球2跟部及第二焊料7焊接不会由于温度改变而出现焊接裂纹。实施例2,1. Omm节距CCGAl 121封装
如图2所示,根据封装材料,采用汉高乐泰公司的FP4451型电子灌封胶,在CCGAl 121 陶瓷封装电路1边缘形成0. 10—0. 25mm高的围堰4 ;再用FP4450型电子灌封胶在焊柱6 跟部之间形成0. 10—0. 20mm厚的封胶层5,然后在烘箱中120 130°C,45 60min固化, 焊柱6底部及第一焊料3被封胶层5包裹住,冷却后即完成了增强。电路1与印刷电路板组装参见图4,电路焊接完成后,用灌封用JB207型环氧胶如前述一样使CCGA1121封装电路1与有机基板8得到增强,使焊柱6跟部及焊料7焊接不会由于温度改变而出现焊接裂纹。本发明可以在不改变现有封装结构和材料、封装形式,也不改变现有组装设备的情况下,通过在焊球/焊柱焊接的跟部灌注一定厚度的封胶层,并固化,从而解决焊球、焊柱焊接薄弱部位易出现耐疲裂纹而失效的问题,大大提高了 PBGA/CBGA、CCGA封装的可靠性;本发明使CCGA电路组装可重新返工,焊柱不会再出现因焊料熔化而带来焊柱位置变化而影响电路使用等问题,可以如CPGA电路一样直接返工,而不需要再植新的焊柱;本发明工艺简单易行,较经济。
权利要求
1.一种提高集成电路封装连接强度的方法,其特征是在集成电路封装完成后,在封装电路(1)的边缘用围堰胶形成围堰(4),再在所述围堰(4)与焊接跟部之间灌注封胶层 (5),然后固化。
2.根据权利要求1所述的提高集成电路封装连接强度的方法,其特征是所述围堰(4) 的高度为0. 10—0. 25mm。
3.根据权利要求1所述的提高集成电路封装连接强度的方法,其特征是所述封胶层 (5)的厚度为 0. 10—0. 20mm。
4.根据权利要求1所述的提高集成电路封装连接强度的方法,其特征是所述围堰胶采用环氧胶或电子灌封胶。
5.根据权利要求1所述的提高集成电路封装连接强度的方法,其特征是所述封胶层 (5)采用环氧胶或电子灌封胶。
6.根据权利要求1所述的提高集成电路封装连接强度的方法,其特征是所述固化是将集成电路放入烘箱中,加热至120 130°C,保温45 60min。
7.根据权利要求1所述的提高集成电路封装连接强度的方法,其特征是所述集成电路采用焊球(2)封装连接。
8.根据权利要求1所述的提高集成电路封装连接强度的方法,其特征是所述集成电路采用焊柱(6)封装连接。
全文摘要
本发明涉及一种提高集成电路封装连接强度的方法,在集成电路封装完成后,在封装电路的边缘用围堰胶形成围堰,再在所述围堰与焊接跟部之间灌注封胶层,然后固化。本发明在不改变现有封装结构和材料、封装形式,也不改变现有组装设备的情况下,通过在焊接的跟部灌注一定厚度的封胶层,并固化,从而解决焊接薄弱部位易出现耐疲裂纹而失效的问题,大大提高了封装的可靠性;本发明工艺简单易行,较经济。
文档编号H01L21/77GK102157445SQ20111008016
公开日2011年8月17日 申请日期2011年3月31日 优先权日2011年3月31日
发明者丁荣峥, 李秀林, 黄强 申请人:中国电子科技集团公司第五十八研究所, 无锡中微高科电子有限公司
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