一种温度补偿型积层陶瓷电容器之介电材料组成物的制作方法

文档序号:6833794阅读:141来源:国知局
专利名称:一种温度补偿型积层陶瓷电容器之介电材料组成物的制作方法
技术领域
本发明涉及一种积层陶瓷电容器,尤其是一种温度补偿型积层陶瓷电容器之介电材料组成物。
背景技术
一种温度补偿型积层陶瓷电容器之介电材料组成物,特别适合供制造电容温度系数为0±03ppm/°C范围的积层陶瓷电容器用。烧结温度在1000°C以下,可与90% Ag/10%Pd内电极相匹配,制成积层陶瓷电容器。本发明系由100重量份之第一成份13. Omole^^ BaO^ 20. 5mole%, I. 0mole%^ Bi203 ^ 8. 5mole%,8. 0mole%^ Nd203 ^ 16. Omole%,63. Omole % ( Ti02 ( 71. Omole %与 2 16 重量份由 BaO,Bi203, Si02, ZnO, B203 所组成的第二成份的玻璃加以配合组成,其中玻璃的组成为5% < BaOS 30^,20%(Bi203 ( 70%,0%^ Si02 ( 30%, 10%^ ZnO ( 40%, 10%^ B203 ( 60%。

发明内容
针对上述问题,本发明提供温度补偿型积层陶瓷电容器及其介电材料组成物。一种温度补偿型积层陶瓷电容器之介电材料组成物,特别适合供制造电容温度系数为0±03ppm/°C范围的积层陶瓷电容器用。烧结温度在1000°C以下,可与90% Ag/10%Pd内电极相匹配,制成积层陶瓷电容器。本发明系由100重量份之第一成份13. Omole^^ BaO^ 20. 5mole%, I. 0mole%^ Bi203 ^ 8. 5mole%,8. 0mole%^ Nd203 ^ 16. Omole%,63. Omole % ( Ti02 ( 71. Omole %与 2 16 重量份由 BaO,Bi203, Si02, ZnO, B203 所组成的第二成份的玻璃加以配合组成,其中玻璃的组成为5% < BaOS 30^,20%(Bi203 ( 70%,0%^ Si02 ( 30%, 10%^ ZnO ( 40%, 10%^ B203 ( 60%。
具体实施例方式一种温度补偿型积层陶瓷电容器之介电材料组成物,其中该第一成份中之各组成成份系以BaCO3 (碳酸钡),Bi2O3 (三氧化二铋),Nd2O3 (三氧化二钕),Ti02 ( 二氧化钛)为起始原料,于球磨中湿式混合16小时, 倒出烘乾后于窑炉中以1050°C以上高温烧制2小时,烧制料再经粗碎细磨至0.9以下,温度补偿型积层陶瓷电容器介电材料组成物,其中该第一成份中之各组成成份系以BaC03 (碳酸钡),Bi203 (三氧化二铋),或Nd2 (C03) 3 (碳酸钕),Ti02( 二氧化钛)为起始原料,于球磨中湿式混16小时,倒出烘乾后于窑炉中以1050°C以上高温烧制2小时,烧制料再经粗碎细磨至0. 9以下,温度补偿型积层陶瓷电容器介电材料组成物,其中该第二成份中之各组成成份依比例秤量、混合、烘乾后于1100°C熔化水淬后再经粗碎细磨至1.5以下,一种温度补偿型积层陶瓷电容器,该积层陶瓷电容器之介电材料组成物是由100重量份之第一成份Ba0-Bi203-Nd203-Ti02与2_16重量份的第二成份玻璃加以配合的组成物,该第二成份之玻璃之组成为5%。
权利要求
1.一种温度补偿型积层陶瓷电容器介电材料组成物,其特征在于组成成份由100重量份之第一成份 13. Omole % ^ BaO ^ 20. 5mole %, I. Omole % ( Bi203 ( 8. 5mole %,.8.Omole % ^ Nd203 ( 15. Omole %,63. Omole % ^ Ti02 ( 71. Omole %与 2-16 重量份之玻璃所组成的第二成份组合而成该介电材料瓷粉组成物,其中该第二成份之玻璃之组成为 5%彡 BaO 彡 30%,20%^ Bi203 ^ 70%,0%^ Si02 ^ 30%, 10%^ ZnO ^ 40%, 10%(B203 ( 60%。
全文摘要
一种温度补偿型积层陶瓷电容器之介电材料组成物,特别适合供制造电容温度系数为0±03ppm/℃范围的积层陶瓷电容器用。烧结温度在1000℃以下,可与90%Ag/10%Pd内电极相匹配,制成积层陶瓷电容器。本发明系由100重量份之第一成份13.0mole%≤BaO≤20.5mole%,1.0mole%≤Bi2O3≤8.5mole%,8.0mole%≤Nd2O3≤16.0mole%,63.0mole%≤TiO2≤71.0mole%与2~16重量份由BaO,Bi2O3,SiO2,ZnO,B2O3所组成的第二成份的玻璃加以配合组成,其中玻璃的组成为5%≤BaO≤30%,20%≤Bi2O3≤70%,0%≤SiO2≤30%,10%≤ZnO≤40%,10%≤B2O3≤60%。
文档编号H01G4/08GK102737836SQ20111008554
公开日2012年10月17日 申请日期2011年4月7日 优先权日2011年4月7日
发明者徐孝华 申请人:徐孝华
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1