专利名称：利用抑制烧结积层陶瓷电容器改善电容温度特性与可靠度的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种烧结方法，具体地，涉及改善电容温度特性与可靠度的抑制收缩烧结方法。
背景技术：
众所周知，积层陶瓷电容器主要由多数复合层相互堆栈并经压合后烧结而成，各复合层为由陶瓷层及形成于该陶瓷层上方的电极层所组成。最先由美国公司研制，其后Murata, TKD、太阳诱电等日本公司迅速发展而产业化，已经部分取代片式铝电解电容和片式钽电容器。目前积层陶瓷电容(Multilayer Ceramic Capacitors, MLCC)已经大量装设于PC、手机、车用电子,作为被动组件(Passive Components)的组件，以储存能量,呈现滤波、旁路、耦合、反耦合及调谐振荡等功效。目前电容器随信息产品的需求而缩小体积，与微控制器、内存等相较，电容虽然不是关键性组件，但其质量的优劣，却关系电子产品性能的表现。MLCC用陶瓷粉料包括_30°C +85 °C使用温度范围内，容量变化率为-80 % +30%的Y5V，-55 °C +125 °C使用温度，容量变化率为±15%獻乂的乂71 。其中X7R属于积层电容，是目前市场所需求、用量最大品种之一。日本公司运用纳米级钛酸钡陶瓷料(BaTiO3)，添加稀土金属氧化物改性，制造成高可靠性的X7R陶瓷粉料。专利文献日本专利特开2004-224653号公报中，提出一种介电质陶瓷，其具有如下组成包含主成分与添加成分，其中，上述主成分含有由ABO3 (A为Ba及Ca，或者为Ba、Ca及Sr ;B为Ti,或者为Ti及Zr、Hf中之至少任一种)所表示的I丐钛矿型化合物,上述添加成分含有S1、特定的稀土类元素R及特定的金属元素M，且该介电质陶瓷具有晶粒与占据晶粒间的晶界，关于上述晶粒 个数之85%以上者，于其截面之90%以上之区域中，上述添加成分不固溶，且存在上述主成分，对于上述晶界中之分析点数之85%以上之分析点，含有至少上述Ba、上述Ca、上述T1、上述S1、上述R及上述M。于该专利文献中，将(Ba，Ca) TiO3作为主成分，S1、特定的稀土类元素R及特定的金属元素M作为副成分，且使上述副成分几乎不固溶于主成分中而是存在于晶界中，以便确保高温负载寿命，从而实现可靠性的提高。另外，在美国专利申请案US 6，829，136中，也是利用由ABO3为主要组成部分的介电陶瓷。其中，至少有70 %的介质陶瓷晶体颗粒有截面积，第一区域包含被溶解的稀土元素并占据5至70%的截面积，第二区域的为自由被溶解的稀土元素并占据10至80%的边缘截面积。利用该材料的单片介电陶瓷薄膜层陶瓷电容器具有优异的电容温度特性和高可靠性。商用陶瓷电容器的应用以Class II为主，可略分为Y5V、X5R、X7R等规格，其中以X7R规格较为严谨，X7R基本上所要求的规格为指在温度范围于-55°C 125°C间(以25°C为基准)，其相对容值变化量小于15%。目前，可符合X7R规格的材料，其一就是钛酸钡(BaTiO3)系统，其以钛酸钡为主体配方。介电体陶瓷器组合物及电子组件的公告1310761号专利，提出一种包括含Ba、Ca、T1、Mg与Mn作为金属元素的复合氧化物的介电陶瓷组合物，并以CV值表示结晶粒子相互间粒内Ca浓度的变动，较佳者为介于5%以上，小于20%之间，更较佳者为介于10%以上，18%以下之间。达到在不具有经白添加剂组份扩散所形成核心外壳结构材料的介电陶瓷组合物下，具有温度依赖特征与可靠度并非视添加剂组份而定的材料特性。该发明介电陶瓷的层合陶瓷电容器符合JIS规格规定的B特征，并符合EIA规格规定的X7R与X8R特征。此外，积层陶瓷电容(MLCC)的薄层化技术及高介电常数材料为实现高电容化及小型化的主要研究方向。伴随着介电层的薄层化使电场强度急遽增加，对于钛酸钡基陶瓷材料介电层微结构的质量要求愈来愈高。因此如何藉由提升微结构与介电性质相关性的了解，进而开发高电容及高可靠度MLCC的介电陶瓷材料为本发明的重点。目前高温度稳定性的积层陶瓷电容器是以BaTiO3材料系统的核壳结构为主，此材料系统制作的高温度稳定性积层陶瓷电容器除了由于为配合介电层薄层仍须5-6颗小晶粒，所以导致介电常数低且可靠度不佳。纵观上述现有技术，多在介电陶瓷的电容器成分上做变化的壳核结构积层陶瓷为主的电容器。材料的种类选择，成份调配增加制备的负担，适用范围有所限制。本申请的目的在于通过台湾587067公开号公开的专利“抑制低温陶瓷烧结收缩之方法及抑制层”，除在BCTZ以及BT上不再限制成分比例，使范围相对广泛，达到高介电常数、高电容温度特性和高可靠性，并特别适用于需利用薄层介电层来制制备高容值的积层陶瓷电容器。
发明内容
本发明利用(Ba，Ca) (Ti，Zr)O3为主要材料简称BCTZ，以镍系金属制作积层陶瓷电容，在其积层的外层结构中覆盖BaTiO3钛酸钡简称BT抑制层于组件的上下两边，利用抑制烧结抑制(Ba，Ca) (11，21003系统积层陶瓷电容器晶粒成长，进而改善积层陶瓷电容器电容温度相依特性与可靠度。当烧结温度设在抑制层与被抑制层开始收缩温度之间，由此，被抑制层BCTZ基材在烧结开始收 缩时，BCTZ在X及Y方向收缩确被BT抑制层抑制住，只能在上下方向收缩，如同在被抑制层上下施加应力，此应力可以用来抑制BCTZ晶粒成长，得到与自由烧结完全不同的微观结构，利用抑制烧结的BCTZ将有晶粒几乎不成长的小晶粒分布，此种微观结构适合用来发展高温度稳定性与高可靠度的非壳核结构积层陶瓷电容器。其制作方法大致包含提供第一生坯，其中该第一生坯包含金属层以及八80)(层，其中A为选自IIA族中的一个或者多个元素、B为选自IV族中的一个或者多个元素、X为约3。并于该第一生坯上形成BaTiO3陶瓷层以及同时加热该第一生坯及BaTiO3陶瓷层至特定温度，其中该特定温度能使得第一生坯完成烧结。其中该金属层可为Ni电极层，而ABOx层的A元素为Ba、Ca的组合，而B的成分为T1、Zr的组合。本发明首先探讨液相烧结控制对(Ba，Ca) (Ti，Zr) O3微结构及介电性质的影响，藉由改变其ABO3钙钛矿结构中A/B计量比及所添加BaO-SiO2玻璃的粒径，观察晶体结构、微结构及介电性质的变化及其对产品可靠度的影响。当A/B计量比减少至O. 9956时，发现逐渐产生第二相(Ba，Ca)6(Ti，Zr) 1704(|，其所造成与(Ba，Ca) (Ti，Zr)O3的共晶液相显著地促进晶粒成长。同时，随着A/B计量比降低使居里温度往高温移动，因而造成室温介电常数的增加。在晶界上(Ba，Ca)6 (Ti, Zr) 17040第二相缺陷的形成造成晶界上电场及应力的改变，这些随A/B计量比降低所产生的晶界缺陷形成漏电流的管道，因而导致MLCC可靠度变差。此夕卜，添加粒径较微细BaO-SiO2玻璃的Ba (Ti，Zr) O3陶瓷呈现较均匀的组成分布及较大的晶粒成长。当玻璃添加量固定而其粒径由1200nm减小至326nm,随着玻璃粒径的减小会促进所添加Mn2+离子溶入造成晶格体积膨胀，因此抑制正方相转变为立方相使居里温度提高。当玻璃粒径再减小至185nm，由于均匀晶粒结构的较低正方性，反而使得居里温度往低温陡降。本发明发现玻璃的作用不仅只是作为烧结助剂，更与晶粒成长控制及添加物的传输分布密切相关，并因此造成介电行为显著变化。提高玻璃相分布的均匀性除可有效的提升陶瓷的致密度之外，更可以使得玻璃相的添加量最小化，得以降低其所导致的副作用。第二部分为探讨晶核-晶壳结构控制对BaTiO3介电性质的影响，藉由改变钙含量及添加氧化物的粒径，观察其晶核-晶壳微结构变化，并探讨其对于介电性质及可靠度的影响。伴随着(BahCax)TiO3中钙含量的增加，会使得晶格体积缩小，证明在本发明中较小半径的Ca离子会占据BaTiO3晶格中Ba的位置，因而抑制液相烧结及晶粒成长。由于(Baa98Caatl2)TiO3陶瓷粉末呈现较低的正方性，因而在烧结过程中促进添加物扩散，使得烧结后晶粒结构大部分被较高正方性的铁电晶域所占据，使得其室温介电常数与BaTiO3陶瓷相比，能够因此提升约10%高达3009。随着钙含量的增加，由A_site阳离子改变所造成的应力变化会使得居里温度点往高温移动，有助于提高在高温下电容的温度稳定性。当BaTiO3的添加物粒径由次微米级缩小至纳米级，晶粒间的掺杂物会有效地均匀分散，此时在添加物中之元素会与其BaTiO3的反应增加，进而使晶格体积增加。纳米添加物如MnO及Y2O3的添加不仅促进本身元素扩散，还包括烧结助剂(Batl 6Caa4) SiO3中元素如Ca及Si等，可提升其分布的均匀状态并可促进其往晶粒的中心均匀地扩散。使烧结后的晶粒结构大部分被具有高正方性的铁电晶域所占据，因而得到较高的介电常数。此外，纳米级添加物的添加除可提高生胚薄带中陶瓷及添加物颗粒的堆积致密度，减少造成介电层中缺陷所导致短路的机会，更可促进添加物的成分在晶界中的分布，以降低在晶界中添加物凝聚所造成漏电流路径的可能性，因此会大幅度地提升MLCCs的良率及其可信赖性。钛酸钡的电性易与陶瓷层内其它氧化物形成共溶体而改善介电质，为结构所受影响，其以掺杂于陶瓷层以控制 晶粒的成长为> I μ tm，可烧结成介电质最佳的MLCC。只有添加物形成第二相、液相或晶核壳(core-shell)以改善其介电性或温度。积层陶瓷电容器以铁电材料BaTiO3为主，为了得到较平缓电容值温度系数，通常会制作核壳结构的晶粒其中核纯BaTiO3而壳则是BaTiO3加含微量添加剂，为了对以核壳结构的晶粒制作积层陶瓷电容器能通过高温高压条件下的信赖度测试，在两电极间至少需要有5-6颗核壳结构的晶粒，然而为了追求高电容值，两电极间介电层愈变愈薄，导致核壳结构的晶粒必须愈变小来维持5-6颗核壳结构，核壳结构的晶粒变小将导致材料介电常数大幅降低，这对于积层陶瓷电容器利用降低两电极间的介电厚度来提升电容值相关不利，因此必须将材料改变为非核壳结构的晶粒，此种非核壳结构材料在两电极间只需1-2颗就可以通过高温高压条件下的信赖度测试，然而为了得到较平缓电容值温度系数，此类非核壳结构的材料在烧结必须抑制晶粒成长，研究发现利用抑制收缩烧结可以藉由此烧结时产生的抑制力来抑制非核壳结构晶粒成长，得到平缓电容值温度系数的非核壳结构介电材料，适合取代目前核壳结构介电材料来制作高容植的积层陶瓷电容器。根据上述烧结方法的说明，本发明还提供了一种烧结的方法，其包括步骤提供第一生坯，其中该第一生坯包含金属层以及YZOx层，其中Y为选自IIA族中的一个或者多个元素、Z为选自IV族中的一个或者多个元素、X为约3，并于该第一生坯上形成温度特性维持媒介以及同时加热该第一生坯及温度特性维持媒介至特定温度，其中该特定温度能使得该第一生还完成烧结。此外，本发明更可用来提供一种烧结的方法，其包括步骤提供第一生坯，其中该第一生坯包含金属层以及YZOx层，其中Y为选自IIA族中的一个或者多个元素、Z为选自IV族中的一个或者多个元素、X为约3，并于该第一生坯上形成产品特性可靠度维持媒介，以及同时加热该第一生坯及产品特性可靠度维持媒介至一特定温度，其中该特定温度能使得该第一生还完成烧结。基于前面所述的方法，可得知一种电子组件，可包含第一生坯，其中该第一生坯包含金属层以及YZOx层，其中Y为选自IIA族中的一个或者多个元素、Z为选自IV族中的一个或者多个元素、X为约3，且第二生坯形成于该第一生坯上。以及，一种电子组件可包含温度特性维持媒介形成于该第一生坯上，以及一种电子组件亦可包含产品特性可靠度维持媒介形成于该第一生坯上，在此不再赘述。
图1a烧结方法示意图b改善温度特性烧结方法示意图c改善产品特性可靠度烧结方法示意2电子组件烧结生坯产品示意3积层陶瓷电 容结构示意4积层陶瓷电容三种材料的烧结收缩曲线如图标意5自由烧结下BCTZ晶粒图6抑制烧结下BCTZ晶粒图7电容器的电容值改变率随温度变化图8电容器在125°C 100V下的绝缘电阻值率随时间变化图9a电容烧结方法示意图 b改善电容温度特性烧结方法示意图c改善电容特性可靠度方法示意10电容组件烧结生坯产品示意图主要组件符号说明11提供第一生胚步骤13形成第二生胚步骤15同时加热步骤21提供第一生胚步骤23形成温度特性维持媒介步骤25同时加热步骤31提供第一生胚步骤33形成产品特性可靠度维持媒介步骤
35同时加热步骤40电子组件41第一生坯411第一生坯金属层413第一生坯陶瓷层YZOx层43第二生坯51提供第一生胚步骤53形成第二生胚步骤55同时加热步骤61提供第一生胚步骤63形成温度特性维持媒介步骤65同时加热步骤71提供第一生胚步骤73形成产品特性可靠度维持媒介步骤75同时加热步骤 80电容组件81第一生坯811第一生坯金属层813第一生坯陶瓷层YZOx层83第二生坯
具体实施例方式请参见图la，一种烧结的方法，其包括步骤提供一第一生坯11，其中该第一生坯包含金属层以及YZOx层，其中Y为选自IIA族中的一个或者多个元素、Z为选自IV族中的一个或者多个兀素、X为约3,并于该第一生还上形成第二生还13以及同时加热该第一生还及第二生坯至特定温度15，其中该特定温度能使得该第一生坯完成烧结。在本发明的较佳实施例中，该特定温度为900°C以上，且该第二生坯的烧结温度高于该特定温度。此外，该第一生坯在该特定温度具有收缩量，并受该第二生坯抑制。由该方法所烧结的产品中，该金属层可为Ni电极层、该Y的成分是Ba、Ca的组合，而该Z的成分是T1、Zr的组合。根据上述烧结方法的较佳实施例中，亦即特定温度为900°C以上、烧结温度高于该特定温度、收缩量并受抑制、金属层可为Ni电极层、Y的成分是Ba、Ca的组合，以及Z的成分是T1、Zr的组合，因为全部可与其它各实施例相对应，因此不再赘述。请参见图lb，根据本发明的发明精神，还可用来提供一种烧结的方法，其包括步骤提供第一生坯21，其中该第一生坯包含金属层以及￥20)(层，其中Y为选自IIA族中的一个或者多个元素、Z为选自IV族中的一个或者多个元素、X为约3，并于该第一生坯上形成温度特性维持媒介23以及同时加热该第一生坯及温度特性维持媒介至特定温度25，其中该特定温度能使得该第一生坯完成烧结。请参见图lc，根据本发明的发明精神，更可用来提供一种烧结的方法，其包括步骤提供第一生坯31，其中该第一生坯包含金属层以及YZOx层，其中Y为选自IIA族中的一个或者多个元素、Z为选自IV族中的一个或者多个元素、X为约3，并于该第一生坯上形成产品特性可靠度维持媒介33，以及同时加热该第一生坯及产品特性可靠度维持媒介至特定温度35，其中该特定温度能使得该第一生坯完成烧结。请参见图2，根据本发明的发明精神，可得知一种电子组件40包含第一生坯41，其中该第一生坯包含金属层411以及YZOx层413，其中Y为选自IIA族中的一个或者多个元素、Z为选自IV族中的一个或者多个元素、X为约3，且第二生坯43形成于该第一生坯上。而根据前面所述的烧结方法及电子组件的烧结产品也轻易可知，一种电子组件可包含温度特性维持媒介形成于该第一生坯上，以及一种电子组件也可包含一产品特性可靠度维持媒介形成于该第一生坯上，在此不再赘述。请参见图9a，一种电容烧结的方法，其包括步骤提供第一生坯51，其中该第一生坯包含金属层以及YZOx层，其中Y为选自IIA族中的一个或者多个元素、Z为选自IV族中的一个或者多个兀素、X为约3,并于该第一生还上形成第二生还53以及同时加热该第一生坯及第二生坯至特定温度55，其中该特定温度能使得该第一生坯完成烧结。在本发明的较佳实施例中，该特定温度为900°C以上，且该第二生坯的烧结温度高于该特定温度。此外，该第一生坯在该特定温度具有收缩量，并受该第二生坯抑制。由该方法所烧结的产品中，该金属层可为Ni电极层、该Y的成分是Ba、Ca的组合，而该Z的成分是T1、Zr的组合。根据上述电容烧结方法的较佳实施例中，即特定温度为900°C以上、烧结温度高于该特定温度、收缩量并受抑制、金属层可为Ni电极层、Y的成分是Ba、Ca的组合，以及Z的成分是T1、Zr的组合，因为全部可与其它各实施例相对应，因此不再赘述。请参见图％，根据本发明的发明精神，还可用来提供一种电容烧结的方法，其包括步骤提供第一生坯61，其中该第一生坯包含金属层以及YZOx层，其中Y为选自IIA族中的一个或者多个元素、Z为选自IV族中的一个或者多个元素、X为约3，并于该第一生坯上形成电容温度特性维持媒介63以及同时加热该第一生坯及温度特性维持媒介至特定温度65，其中该特定温度能使得该第一生坯完成烧结。
请参见图9c，根据本发明的发明精神，更可用来提供一种电容烧结的方法，其包括步骤提供第一生坯71，其中该第一生坯包含金属层以及￥20)(层，其中Y为选自IIA族中的一个或者多个元素、Z为选自IV族中的一个或者多个元素、X为约3，并于于该第一生坯上形成电容产品特性可靠度维持媒介73，以及同时加热该第一生坯及产品特性可靠度维持媒介至特定温度75，其中该特定温度能使得该第一生坯完成烧结。请参见图10，根据本发明的发明精神，可得知一种电容组件80包含第一生坯81，其中该第一生坯包含金属层811以及YZOx层813，其中Y为选自IIA族中的一个或者多个元素、Z为选自IV族中的一个或者多个元素、X为约3，且第二生坯83形成于该第一生坯上。而根据前面所述的烧结方法及电容组件的烧结产品也轻易可知，一种电容组件可包含一温度特性维持媒介形成于该第一生坯上，以及一种电容组件亦可包含一产品特性可靠度维持媒介形成于该第一生坯上，在此不再赘述。以上所述的所有烧结方法及产品的实施例，也可相对应用于消费性电子产品、计算机产品及通讯装置等的积层陶瓷组件的烧结，不再赘述。为了更加了解本发明实施后的样态及相对于目前技术的进步，在此再以文字配合图式加以说明。本发明利用(Ba，Ca) (Ti，Zr)O3为主要材料简称BCTZ 513，以镍卑金属511制作积层陶瓷电容，在其积层的外层结构中覆盖BaTiO3钛酸钡简称BT抑制层53于组件上下两边，组件结构如图3，三种材料的烧结收缩曲线如图4，电极镍最早收缩，被抑制层BCTZ其次，抑制层BT有最高温度的收缩区线。当烧结温度设在抑制层与被抑制层开始收缩温度之间，由此，被抑制层BCTZ基材在烧结开始收缩时，BCTZ在X及Y方向的收缩的确被BT抑制层抑制住，只能往上下方向收缩，就像在被抑制层上下施加应力，此应力可以用来抑制BCTZ晶粒成长，得到与自由烧结完全不同的微观结构，利用抑制烧结的BCTZ将有晶粒几乎不成长的小晶粒分布，此种微观结构适合用来发展高温度稳定性与高可靠度的非壳核结构积层陶瓷电容器。 平均原始粒径约O. 45微米的BCTZ做成积层陶瓷电容器，以60微米厚度的钛酸钡BT夹在组件上下两边后在1150°C进行共烧2小时，明显地，自由烧结下BCTZ晶粒成长到大约4微米如图5，然而利用钛酸钡BT当抑制层的确能有效地抑制BCTZ基材的晶粒成长，烧结后其平均晶粒大小可抑制在O. 45微米与原始平均粒径相当如图6，此微观结构变化将影响其电容器相关的电容值温度系数与可靠度等特性。图7说明电容器的电容值改变率随温度变化，明显 地，相对于自由烧结，抑制烧结的电容器其电容值改变率随温度变化是较平坦，另外在图8是电容器在125 °C 100V下的绝缘电阻值率随时间变化，这常用来评估电容器在使用时的可靠度，明显地看出经过抑制烧结的电容器因晶粒小且均匀所以可靠度寿命较长。
权利要求
1.一种电容烧结的方法，其包括步骤 提供第一生坯，其中所述第一生坯包含金属层以及YZOx层，其中Y为选自IIA族中的一或多个元素、Z为选自IV族中的一或多个元素、X为约3 ； 在所述第一生坯上形成第二生坯；以及 同时加热所述第一生坯及第二生坯至特定温度，其中所述特定温度能使得第一生坯完成烧结。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述特定温度为900°C以上。
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二生坯的烧结温度高于所述特定温度且所述第一生坯在所述特定温度具有收缩量，并受所述第二生坯抑制。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属层为Ni电极层，Y的成分为Ba、Ca的组合，且Z的成分为T1、Zr的组合。
5.一种电容烧结的方法，其包括步骤 提供第一生坯，其中所述第一生坯包含金属层以及YZOx层，其中Y为选自IIA族中的一个或者多个元素、Z为选自IV族中的一个或者多个元素、X为约3 ； 在所述第一生坯上形成温度特性维持媒介；以及 同时加热所述第一生坯及温度特性维持媒介至特定温度，其中所述特定温度能使得所述第一生还完成烧结。
6.一种电容烧结的方法，其包括步骤 提供第一生坯，其中所述第一生坯包含金属层以及YZOx层，其中Y为选自IIA族中的一个或者多个元素、Z为选自IV族中的一个或者多个元素、X为约3 ； 在所述第一生坯上形成产品特性可靠度维持媒介；以及 同时加热所述第一生坯及产品特性可靠度维持媒介至特定温度，其中所述特定温度能使得所述第一生坯完成烧结。
7.一种电容烧结的方法，其包括步骤 提供第一生坯，其中所述第一生坯包含金属层以及YZOx层，其中Y为选自IIA族中的一个或者多个元素、Z为选自IV族中的一个或者多个元素、X为约3 ;以及 加热所述第一生坯至特定温度，其中所述特定温度能使得所述第一生坯完成烧结。
8.一种电容，包含 第一生坯，其中所述第一生坯包含金属层以及YZOx层，其中Y为选自IIA族中的一个或者多个元素、Z为选自IV族中的一个或者多个元素、X为约3 ;以及第二生坯，所述第二生坯形成于所述第一生坯上。
9.一种电容，包含 第一生坯，其中所述第一生坯包含金属层以及YZOx层，其中Y为选自IIA族中的一个或者多个元素、Z为选自IV族中的一个或者多个元素、X为约3 ;以及温度特性维持媒介，所述温度特性维持媒介形成于所述第一生坯上。
10.一种电容，包含 第一生坯，其中所述第一生坯包含金属层以及YZOx层，其中Y为选自IIA族中的一个或者多个元素、Z为选自IV族中的一个或者多个元素、X为约3 ;以及 产品特性可靠度维持媒介，所述产品特性可靠度维持媒介形成于所述第一生坯上。
11.一种消费性电子产品、计算机产品或通讯装置，包括积层陶瓷电容，其中所述积层陶瓷电容是通过利用权利要求1、5、6或7所述的方法制备的，且所述消费性电子产品包括音响器材、电视、光盘播放器、掌上型游乐器、电视游乐器、个人数字助理、MP3播放器、MP4播放器、数字相机、数字摄影机、打印机、扫描机、多功能事务机、数字相框、GPS定位系统、电子纸、计算机外设商品；所述计算机产品包括桌上型计算机、笔记型计算机、麦金塔计算机、平板计算机、准系统计算机、掌上型计算机或小笔电；所述通讯装置包括无线传送接收单元、行动电话、智能型手机、对讲机、传呼机、电话机、视讯电话、传真机、无线通话器或网络电话。
全文摘要
本发明利用(Ba，Ca)(Ti，Zr)O3为主要介电材料，用抑制烧结来改变(Ba，Ca)(Ti，Zr)O3的微结构，开发出非壳核结构的高温度稳定性与高可靠性介电质。(Ba，Ca)(Ti，Zr)O3基材在烧结时晶粒成长受到抑制，进而在(Ba，Ca)(Ti，Zr)O3介电质被抑制烧结，得到较小平均晶粒分布所形成的，进而达到电容器的低电容值温度系数与高可靠度等特性。
文档编号C04B35/64GK103050280SQ20111030852
公开日2013年4月17日 申请日期2011年10月12日 优先权日2011年10月12日
发明者李文熙 申请人:李文熙