多层陶瓷电子部件及其制造方法与流程

多层陶瓷电子部件及其制造方法相关申请的交叉引用这个申请要求于2012年2月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2012-0016309号的优先权，该韩国专利申请的内容通过引用的方式结合于此。技术领域本发明涉及多层陶瓷电子部件及其制造方法，以及更特别地，涉及具有低等效串联电感（ESL）的多层陶瓷电子部件。

背景技术：
近来，因为对于电子产品而言趋势已经是将会更小并且具有更高的电容量，被用在电子产品中的电子部件因此已经被要求是更小的并且具有更高的电容量。因此，对于多层陶瓷电子部件的需求正在增加。在多层陶瓷电容器的情况下，增大的等效串联电感（下文中称为“ESL”）可导致在电子产品性能的劣化，并且因为电子部件变得更小和更高电容量，增大的ESL在劣化电子部件性能方面的影响已经增大。通常所说的“低电感基片式电容器（LICC）”减小了外部端子之间的距离，并因减小了电流流动路径，从而减小了电容的电感。但是，当内部电极的引出部分被压缩时，为了减小在电容部件与内部电极的引出部分之间在电极密度上的差异，内部电极可能断裂或者弯曲，并且因此，其中的电流流动路径可被显著地增大，导致增大的ESI。[相关的文献]韩国专利第10-0271910号韩国专利公布第2003-0014712号

技术实现要素：
本发明的方面提供了一种具有相对低的等效串联电感（ESL）的多层陶瓷电子部件及其制造方法。根据本发明的一个方面，提供了一种多层陶瓷电子部件，包括：陶瓷本体，具有外部电极；以及内部电极，在陶瓷本体内设置在陶瓷层之间，其中，当外部电极被连接和延伸的方向被表示为“宽度方向”；内部电极被层压的方向被表示为“厚度方向”；并且垂直于宽度方向和厚度方向的方向被表示为“长度方向”时，陶瓷本体的宽度小于陶瓷本体的长度，被层压的内部电极的数量是250个或更多个，当陶瓷层的厚度用Td表示并且内部电极的厚度用Te表示时，0.5≤Te/Td≤2.0，以及在陶瓷本体的沿宽度-厚度方向的横截面中，当陶瓷本体的沿宽度方向的中心部分的厚度用Tm表示并且陶瓷本体的每个侧部的厚度用Ta表示时，0.9≤Ta/Tm≤0.97。陶瓷本体的沿宽度方向的中心部分可以是在陶瓷本体的沿宽度方向的中心的两侧上在陶瓷本体的宽度的15%内的区段内。陶瓷本体的侧部可以是从陶瓷本体的沿宽度方向的每侧在陶瓷本体的宽度的10%内的区段。内部电极可包括：电容形成部分，通过重叠内部电极和相邻的内部电极而形成电容；以及引出部分，从电容形成部分的一部分延伸并且被引出到陶瓷本体的外部，引出部分比电容形成部分更厚。外部电极可延伸到陶瓷本体的沿宽度方向彼此相对的侧表面上、以及延伸到与侧表面相邻的其它表面的部分上。陶瓷层的厚度可以是陶瓷层的被设置在相邻的内部电极的电容形成部分之间的厚度。内部电极的厚度可以是内部电极的电容形成部分的厚度。沿宽度-厚度方向的横截面可位于在陶瓷本体的沿长度方向的中心的两侧上在陶瓷本体的长度的40%内的区段内。根据本发明的另一方面，提供了一种制造多层陶瓷电子部件的方法，该方法包括：通过层压250个或更多个内部电极层而制备长方体生基片（greenchip），每个内部电极层均被插入在陶瓷层之间，长方体生基片的宽度小于长方体生基片的长度；压缩生基片的沿宽度方向的侧部，从而使得被压缩部分的厚度与未被压缩部分的厚度的比是0.9-0.97；烧结生基片；以及在烧结后的基片的沿宽度方向的侧表面上形成外部电极。在生基片的制备步骤中，相邻的内部电极可被分别暴露于生基片的相对表面。在生基片的制备步骤中，可将内部电极形成为使得其引出部分比其电容形成部分更厚。在压缩步骤中，可沿内部电极的层压方向执行压缩。在外部电极的形成步骤中，可将外部电极延伸到与沿宽度方向的侧表面相邻的其它表面的部分。附图说明本发明的上述的和其它的方面、特征和其它优点将从下面结合附图的详细描述中更清楚地理解，附图中：图1是根据本发明的实施例的多层陶瓷电子部件的立体图；图2是根据本发明的实施例的陶瓷本体的示意图；图3是图2的分解立体图；图4是沿着图1的线X-X’获得的横截面图；图5至7是示出根据本发明的实施例的内部电极的变型的示意图；以及图8是示出陶瓷层和内部电极的厚度的测量的示意图。具体实施方式现在将参考附图详细地描述本发明的实施例。但是，本发明可以以多种不同的形式实施并且不应当被解释为被限于这里所阐述的实施例。本发明的实施例被提供以使得本领域技术人员可以更完全地理解本发明。在附图中，为了清楚起见，元件的形状和尺寸可能被放大，并且将始终使用相同的标号来指代相同的或者类似的元件。可能提供多层陶瓷电容器、多层基片式电感器、基片式珠（chipbead）、基片式变阻器等来作为多层陶瓷电子部件。下文中，将参照多层陶瓷电容器详细地描述本发明的实施例，但是本发明不应该被看作被限制于此。图1是根据本发明的实施例的多层陶瓷电子部件的立体图；图2是根据本发明的实施例的陶瓷本体的示意图；图3是图2的分解立体图；图4是沿着图1的线X-X’获得的横截面图；图5至7是示出根据本发明的实施例的内部电极的变型的示意图；以及图8是示出陶瓷层和内部电极的厚度的测量的示意图。参考图1，根据本发明的实施例的多层陶瓷电子部件可包括陶瓷本体10和外部电极21和22。如图1所示，“宽度方向”可以表示外部电极21和22被连接和延伸的方向（“W方向”）；“层压方向”或者“厚度方向”可以表示内部电极被层压的方向（“T方向”）；以及“长度方向”可以表示垂直于宽度方向和层压方向的方向（“L方向”）。陶瓷本体10可以由具有相对高介电常数的陶瓷材料形成，并且不限制于此，也可以使用基于钛酸钡的或者基于钛酸锶的材料或者类似材料。陶瓷本体10可以通过层压并然后烧结多个陶瓷层而形成，所述多个陶瓷层可以接合成单个本体，从而使得各个相邻的层可以不容易相互区分。陶瓷本体10可以是平行六面体。特别地，陶瓷本体10可以具有沿厚度方向彼此相对的顶部表面S1和底部表面S2、沿长度方向彼此相对的端部表面S3和S4、以及沿宽度方向彼此相对的侧表面S5和S6。但是，由于制造过程误差等原因，陶瓷本体10可能实际上不具有完全地长方形的形状。陶瓷本体10的宽度（即，外部电极21和22之间的距离）小于其长度。在通常的层压陶瓷电子部件中，外部电极可以设置在陶瓷本体的沿长度方向的端部表面上。在这种情况下，由于当交流电被施加到外部电极时电流路径可被拉长，因此可以形成更大的电流环路，并且所感应的磁场的强度可以增大，导致在电感的增大。横跨陶瓷本体10的外部电极21和22之间的距离可以小于其长度，以减小电流路径。因此，外部电极21和22之间的距离是小的，导致电流路径的减小，并且因而可减小电流环路，从而减小电感。同样地，所述多层陶瓷电子部件（其外部电极21和22之间的距离小于其长度）可以被称为反几何形状电容器（RGC）或者低电感基片式电容器（LICC）。所层叠的内部电极的数量可以是250个或更多个。ESL增加的缺陷仅仅当所层叠的内部电极31和32的数量是250个或更多个时可能发生。当前的实施例被提供以解决这个缺陷，将参照表1对其进行描述。内部电极31或32的厚度Te与陶瓷层11的厚度Td的比Te/Td可以是0.5-2.0或者更小。当该比Te/Td小于0.5时，可不发生诸如破裂或者脱层（delamination）的缺陷。当该比Te/Td是0.5或者更大时，可首先发生破裂或者脱层的缺陷。当前的实施例被提供以解决这些缺陷。当该比Te/Td大于2.0时，内部电极31或32的厚度大大地大于陶瓷层11的厚度，并且因此，甚至当改变其它的因素时，破裂或者脱层也不可被防止。将在下面解释诸如破裂或者脱层的缺陷，这些缺陷可能相对于内部电极的厚度Te与陶瓷层的厚度Td的比Te/Td而发生。由于内部电极31和32包含导电金属，所以内部电极的热膨胀系数可大于陶瓷层的热膨胀系数。由于重复的膨胀和收缩贯穿整个加热过程，因此应力可能集中在内电极31或32与陶瓷层11之间的界面上，最终导致破裂或者脱层。在内部电极的厚度与陶瓷层的厚度的比相对低的情况下，由于内部电极的相对小程度的膨胀和收缩，可能不产生可以导致破裂或者脱层的应力，因此可能不发生破裂或者脱层的缺陷。但是，在内部电极的厚度与陶瓷层的厚度的比较大的情况下，内部电极在陶瓷本体10中的百分比更大，并且因此，内部电极的热膨胀和收缩可能更大。因此，可能发生破裂或者脱层。陶瓷层11的厚度Td可以指陶瓷层11的被设置在内部电极...