薄膜平衡-不平衡转换器的制作方法

专利名称：薄膜平衡-不平衡转换器的制作方法
技术领域：
本发明是有关进行平衡-不平衡信号转换的平衡-不平衡转换器，特别是有关有利于小型薄型化的薄膜制作工艺而形成的薄膜平衡-不平衡转换器。
背景技术：
无线通讯机器是由天线、滤波器、RF开关、功率放大器、RF-IC、平衡-不平衡转换器等各种高频元件所构成。在这些元件当中，因为一方面天线和滤波器等共振元件处理 (进行信号传输)将接地电位作为基准的不平衡型信号，一方面实行高频信号的生成和处理的RF-IC处理(进行信号传输)平衡型信号，所以在电磁连接两者的情况下要使用作为平衡-不平衡转换器来行使其功能的平衡-不平衡转换器(Balim)。近来，作为被用于移动电话和携带终端等移动体通讯机以及无线LAN机器等的平衡-不平衡转换器，为了对应于这些机器的小型化而希望更加小型薄型化。作为像这样的薄膜平衡-不平衡转换器例如在专利文献1中有方案提出具有线圈层叠构造的芯片型平衡-不平衡转换器。专利文献专利文献1 日本专利申请公开平07-176918号公报

发明内容
发明所要解决的课题然而，关于上述专利文献1所记载的芯片型平衡-不平衡转换器那样的结构，不能够充分获得既要维持平衡-不平衡转换器的小型化又要在成为转换对象的信号频率下具有所希望的平衡特性，因而会有所谓作为被使用于移动电话等的高频率用的平衡-不平衡转换器其特性还不够充分的问题。在此，本发明就是借鉴于所涉及到的课题而做出的悉心研究之结果，其目的为提供一种既能够维持小型化又能够改善平衡特性的薄膜平衡-不平衡转换器。解决课题的手段为了解决上述课题，根据本发明的薄膜平衡-不平衡转换器，其特征在于具备拥有第1线路部以及第2线路部的不平衡传输线路、拥有分别与第1线路部以及第2线路部相对配置而且实施电磁结合的第3线路部以及第4线路部的平衡传输线路、连接于第1线路部一端的不平衡端子、连接于第3线路部的第1平衡端子、连接于第4线路部的第2平衡端子、连接于第3线路部以及第4线路部的接地端子；接地端子具有从该接地端子延伸至不平衡端子侧区域的延伸部。换言之，根据本发明的薄膜平衡-不平衡转换器的结构，第1线路部在一端被连接于不平衡端子，并且另一端则被连接于第2线路部、第3线路部在一端被连接于第1平衡端子，并且另一端则被连接于接地端子、第4线路部在一端被连接于第2平衡端子，并且另一端则被连接于接地端子、接地端子其一部分突出于不平衡端子侧。这样的结构中，通过让接地端子拥有从该接地端子延伸至不平衡端子侧的区域的延伸部，从而由本发明人确认到了薄膜平衡-不平衡转换器的平衡特性特别是振幅差特性的显著改善效果。另外，上述延伸部也可以被形成于除了与不平衡传输线路以及平衡传输线路的至少一方相对的区域之外的区域。该结构，也由本发明人确认到振幅差特性的显著改善效果。 由此，通过适当调整延伸部的配置，从而就会变得既能够维持出色的振幅差特性又能够调整相位差特性。再有，可以为第3线路部以及第4线路部被形成于第1层，并且电连接第3线路部以及第4线路部的连接部以及与该连接部相连接的延伸部被形成于第2层，另外也可以为连接部与延伸部由引出导体而被互相连接，并且该引出导体以比接地端子侧更加靠近不平衡端子侧的方式被配置。该结构，也由本发明人确认到振幅差特性的显著改善效果。再有，也可以在与形成了第3线路部和第4线路部的层相同的层上或者在与形成了第1线路部和第2线路部的层相同的层上形成延伸部。该结构中，由本发明人确认到并不限制延伸部形成的层而上述相位差特性有着显著的改善效果。另外，关于上述专利文献1所公开的芯片型平衡-不平衡转换器的构造，如果单纯地实行小型化，那么由于传输线路长度的变化而会有电感值发生变化而使平衡-不平衡转换器的诸项特性发生变动的倾向。因此，要消除该不理想的情况，并且为了既要维持被要求的平衡-不平衡转换器诸项特性又要进一步提高通过特性等特性，而可以将第3线路部以及第4线路部形成于相同的阶层，在与该阶层不相同的阶层上第3线路部和第4线路部经由L成分被电连接。艮口， 作为被形成于相同的阶层的第3线路部以及第4线路部经由绝缘层分别被引出至与该阶层不相同的阶层，并且进一步由L成分被互相连接的结构也是可以的。根据这样的结构，那么通过将L成分设置于第3线路部与第4线路部之间，从而就能够使电路阻抗发生变化来改善阻抗匹配，由此而被判明提高了薄膜平衡-不平衡转换器的电气特性。另外，作为上述的线路部可以优选使用线圈。在此情况下，根据本发明的薄膜平衡-不平衡转换器具备拥有第1线圈部(第1线路部)以及第2线圈部(第2线路部)的不平衡传输线路、拥有分别与第1线圈部以及第2线圈部相对配置而且实施电磁结合的第3 线圈部(第3线路部)以及第4线圈部(第4线路部)的平衡传输线路、被连接于第1线圈部一端的不平衡端子、被连接于第3线圈部的第1平衡端子、被连接于第4线圈部的第2 平衡端子、被连接于第3线圈部以及第4线圈部的接地端子；第3线圈部以及第4线圈部被形成于相同的阶层，在与该阶层不相同的阶层上第3线圈部和第4线圈部通过L成分而被电连接。再有，上述的L成分可以是电连接第3线路部和第4线路部的连接导体，并且在其一部分上具有弯曲部。更为具体的是作为该L成分优选使用以取消(消除)在平衡传输线路中的磁场的方式而形成的线圈。另外，上述L成分的至少一部分可以配置于与第3线圈部以及第4线圈部的至少一者的线圈导体的开口部相对的区域。该结构，由本发明人确认到了薄膜平衡-不平衡转换器的电气特性的改善效果。由此，通过适当调整L成分的配置从而就能够实现具有出色的电气特性的薄膜平衡-不平衡转换器。
再有，在第3线圈部和第4线圈部经由L成分而被电连接的阶层上，也可以第1线圈部和第2线圈部通过连接导体而被电连接，并且连接导体和L成分的一部分导体以平行或者大致平行的方式配置。以以上所述形式加以构成，也可以判明电气特性有效地被改善。更为具体的是也可以将L成分配置于接地端子与第4线圈部之间。发明效果根据本发明，通过使接地端子拥有从该接地端子延伸至不平衡端子侧的区域的延伸部，从而能够得到既维持了小型化又在平衡特性方面表现出出色的薄膜平衡-不平衡转换器。另外，在该薄膜平衡-不平衡转换器中，通过将L成分设置于以上所述的第3线路部与第4线路部之间，从而使电路阻抗发生变化来改善阻抗匹配特性，其结果也就能够显著提高薄膜平衡-不平衡转换器的电气特性。


图1是表示本发明的薄膜平衡-不平衡转换器的一个实施方式的结构的等效电路图。图2是表示薄膜平衡-不平衡转换器的一个实施方式的结构的垂直截面图。图3是实施例1的薄膜平衡-不平衡转换器IA的配线层Ml上的水平截面图。图4是实施例1的薄膜平衡-不平衡转换器IA的配线层M2上的水平截面图。图5是实施例1的薄膜平衡-不平衡转换器IA的配线层M3上的水平截面图。图6是实施例2的薄膜平衡-不平衡转换器IB的配线层M3上的水平截面图。图7是实施例3的薄膜平衡-不平衡转换器IC的配线层M3上的水平截面图。图8是参考例1的薄膜平衡-不平衡转换器IR的配线层M3上的水平截面图。图9是表示通过特性评价结果的图表。图10是表示相位差评价结果的图表。图11是表示振幅差评价结果的图表。图12是实施例4的薄膜平衡-不平衡转换器ID的配线层M3上的水平截面图。图13是实施例5的薄膜平衡-不平衡转换器IE的配线层M2上的水平截面图。图14是实施例5的薄膜平衡-不平衡转换器IE的配线层M3上的水平截面图。图15是表示插入损失特性评价结果的图表。图16是表示相位平衡特性评价结果的图表。图17是表示输出平衡特性评价结果的图表。图18是表示本发明的薄膜平衡-不平衡转换器的另外一个实施方式的结构的等效电路图。图19是实施例6的薄膜平衡-不平衡转换器IF的配线层Ml上的水平截面图。图20是实施例6的薄膜平衡-不平衡转换器IF的配线层M2上的水平截面图。图21是实施例6的薄膜平衡-不平衡转换器IF的配线层M3上的水平截面图。图22是实施例7的薄膜平衡-不平衡转换器IG的配线层M3上的水平截面图。图23是参考例2的薄膜平衡-不平衡转换器IS的配线层M2上的水平截面图。图M是参考例2的薄膜平衡-不平衡转换器IS的配线层M3上的水平截面图。图25是表示插入损失特性评价结果的图表。
图沈是表示相位平衡特性评价结果的图表。图27是表示输出平衡特性评价结果的图表。图观是表示反射损失特性评价结果的图表。图四是实施例8的薄膜平衡-不平衡转换器IH的配线层M3上的水平截面图。图30是实施例9的薄膜平衡-不平衡转换器II的配线层M3上的水平截面图。图31是表示插入损失特性评价结果的图表。图32是表示相位平衡特性评价结果的图表。图33是表示输出平衡特性评价结果的图表。图34是表示反射损失特性评价结果的图表。图35是实施例10的薄膜平衡-不平衡转换器IJ的配线层M3上的水平截面图。图36是表示插入损失特性评价结果的图表。图37是表示相位平衡特性评价结果的图表。图38是表示输出平衡特性评价结果的图表。图39是表示反射损失特性评价结果的图表。实施方式以下是一边参照附图一边就有关本发明的实施方式(实施例)加以说明。还有， 在各个图面中将相同的符号标注于相同的要素，从而避免重复说明。另外，上下左右等位置关系并没有特别的限制而是基于图面所表示的位置关系。再有，图面尺寸比例并不限定于图示的比例。另外，以下所述的实施方式是为了说明本发明的例示，但并没有要将本发明只限定于该实施方式的意思。再有，本发明只要不脱离其宗旨那么各种各样的变形都是可能的。图1是表示本发明的薄膜平衡-不平衡转换器所涉及的优选的一个实施方式的结构的等效电路图。薄膜平衡-不平衡转换器1如图1所示具备线路部Ll (第1线路部)以及线路部L2(第2线路部)被串联连接的不平衡传输线路(不平衡电路)UL、线路部L3(第 3线路部)以及线路部L4(第4线路部)被串联连接的平衡传输线路(平衡电路)BL，由线路部Ll以及线路部L3、线路部L2以及线路部L4分别形成电磁结合。在该薄膜平衡-不平衡转换器1中，线路部Ll上的与线路部L2的结合端的另一端被连接于不平衡端子UT。另外，线路部L2上的与线路部Ll的结合端的另一端成为开放端。另外，线路部L3以及线路部L4中的与各自结合端的另一端被连接于平衡端子(第1 平衡端子)BTl以及平衡端子(第2平衡端子)BT2。而且，线路部L3以及线路部L4的结合端与接地端子(接地端子电极)G同电位地连接。上述线路部Ll L4的长度对应于薄膜平衡-不平衡转换器1的要求而有所不同， 例如能够被设定而成为变成转换对象的传输信号的1/4波长(λ/4)共振器电路。另外，线路部Ll L4的形状只要是形成以上所述的电磁结合，就没有特别的限制，即可以制成任意的形状，例如可以列举漩涡状(线圈状)、蛇行状、直线状、曲线状等形态。以下是一边参照图1 一边就有关薄膜平衡-不平衡转换器1的基本性的动作加以说明。在薄膜平衡-不平衡转换器1中如果不平衡信号被输入到不平衡端子UT，那么不平衡信号在线路部Ll以及线路部L2上进行传播。于是，通过线路部Ll与线路部L3发生电磁结合(第1电磁结合)，线路部L2与线路部L4发生电磁结合(第2电磁结合)，从而输入的不平衡信号被转换成在与该不平衡信号相同的频率下并且相位差为180° (π)的2个平衡信号。然后，这2个平衡信号分别从平衡端子BTl以及ΒΤ2输出。还有，从平衡信号到不平衡信号的转换动作与上述从不平衡信号到平衡信号的变换动作相反。接着，就有关薄膜平衡-不平衡转换器1的配线构造的一个例子作如下说明。图 2是概略性地表示薄膜平衡-不平衡转换器1的配线构造的垂直截面图。薄膜平衡-不平衡转换器1如图2所示，例如是在氧化铝等绝缘性基板100上依次形成配线层Μ1、Μ2、Μ3的薄膜平衡-不平衡转换器。由配线层Ml而形成不平衡传输线路UL，该不平衡传输线路UL是通过铜(Cu)等金属导体的电镀而被形成的。在不平衡传输线路UL的配线之间为了确保其平坦性而由溅射法嵌入氧化铝等来形成绝缘层101。另外，在配线层Ml与配线层Μ2之间形成有决定薄膜平衡-不平衡转换器1的中心频率的层间绝缘膜102，该层间绝缘膜102是使用氮化硅(SiN) 并由 CVD(Chemical Vapor Deposition)法而形成的。再有，由配线层M2而形成平衡传输线路BL，该平衡传输线路BL是通过铜(Cu)等金属导体的电镀而被形成的。在平衡传输线路BL的配线之间以及在配线层M2与配线层M3 的层间形成有绝缘层103。该绝缘层103是通过由光刻法将聚酰亚胺在配线层M2上覆盖以及图形化形成的。另外，在绝缘层103上形成有连通到配线层M3的通孔(开口部)。而且，由配线层M3形成了连接不平衡传输线路UL以及平衡传输线路BL内的线路部彼此的连接配线(连接导体)，该连接导体也是由铜(Cu)等金属导体的电镀而形成的。另外，在配线层M3上形成有作为保护膜的绝缘层104，该绝缘层104是由聚酰亚胺所形成的。这些不平衡端子UT、平衡端子BT1，BT2以及接地端子G以贯通全部绝缘层的形式而形成。这样，薄膜平衡-不平衡转换器1具有被形成于绝缘基板100上的薄膜多层构造。此外，上述各个绝缘层的材料并不限定于以上所述物质，不仅可以为氮化硅、氧化铝以及二氧化硅等无机类绝缘体，可以是聚酰亚胺以及环氧树脂等有机类绝缘体，并且还能够从这些物质当中作适当选择。另外，用于制造各层的制作方法并不限定于以上所述方法。(实施例1)接着，就有关本实施方式的薄膜平衡-不平衡转换器的一个实施例中的各个配线层M1、M2以及M3的图形作如下详细说明。还有，以下的实施例是使用作为线路部Ll L4 的线圈部Cl C4的实施例。图3 图5是概略性地表示本发明的实施例1的薄膜平衡-不平衡转换器IA中的各个配线层的水平截面图。如图3 图5所示，在配线层Ml M3的所有层上形成有不平衡端子UT、平衡端子BTl，BT2以及接地端子G，各个端子UT、BTU BT2以及G通过通孔P 而在不同的层间进行电连接。还有，在图3 图5所表示的通孔THl TH4中由电镀而形成有用于使上下各层进行电导通的金属导体。以下就有关各个配线层Ml M3的结构作进一步说明。如图3所示，在配线层Ml上邻接形成有构成不平衡传输线路UL的线圈部Cl (第 1线路部)以及线圈部C2(第2线路部)。具体为不平衡传输线路UL是由左右对称的2个线圈部(螺旋形线圈)所构成。另外，各个线圈部C1、C2构成了相当于1/4波长(λ/4)共振器的构件。这些线圈部C1、C2分别相对配置于平衡传输线路BL的线圈部C3、C4，在该相对的部分构成了电磁结合的结合器。
另外，在配线层Ml上，构成线圈部Cl的线圈导体11的外侧的端部Ila被连接于不平衡端子UT，线圈导体11的内侧的端部lib被连接于通孔TH1。另外，构成线圈部C2的线圈导体12的内侧的端部12b被连接于通孔TH2，线圈导体12的外侧的端部12a为开放端， 在接地端子G的附近被开放。线圈导体11、12通过图5所表示的配线层M3的配线31而被互相连接。还有，线圈导体11、12的宽度和圈数没有特别的限定，两者既可以相同也可以不相同。如图4所示，在配线层M2上邻接形成有构成平衡传输线路BL的线圈部C3 (第3 线路部)以及线圈部C4(第4线路部)。具体为平衡传输线路BL是由左右对称的2个线圈部(螺旋形线圈)所构成。另外，各个线圈部C3、C4构成了相当于1/4波长(λ/4)共振器的构件。另外，在配线层Μ2上，构成线圈部C3的线圈导体21的外侧的端部21a被连接于平衡端子BT1，线圈导体21的内侧的端部21b被连接于通孔TH3。另外，构成线圈部C4的线圈导体22的外侧的端部2 被连接于平衡端子BT2，线圈导体22的内侧的端部22b被连接于通孔TH4。线圈导体21、22经由图5所表示的配线层M3的GND电极40A而被相互连接，并由此而被连接于接地端子G。 如图5所示，在配线层M3上形成有用于经由2个通孔THl、TH2来连接不平衡传输线路UL的线圈部C1、C2的配线(连接部)31、以及用于经由2个通孔TH3、TH4来将平衡传输线路BL的线圈部C3、C4电连接于接地端子G的GND电极40A。在此，GND电极40A是从接地端子G延伸至不平衡端子UT附近的接地端子G的延伸部，如图5所示经由通孔TH3、TH4而被连接于线圈导体21、22和接地端子G。换言之，接地端子G以其一部分向不平衡端子UT侧突出的形式而形成。另外，GND电极40A是被形成于至少包含与构成配线层M2的线圈部C3、C4的一部分相对的区域的位置。也就是说，GND 电极40A在平面视图中以与线圈部C3、C4的线圈导体互相重叠的形式而配置。如以上所述，在本实施例中，在一个阶层的配线层Ml上形成有构成不平衡传输线路UL的2个线圈部Cl、C2，在邻接于该阶层的另外的阶层的配线层M2上形成有构成平衡传输线路BL的2个线圈部C3、C4，而且，在与邻接于该配线层M2的配线层Ml相反侧的另外的阶层的配线层M3上，形成有连接线圈部Cl、C2的配线31以及连接线圈部C3、C4和接地端子G的GND电极40A，根据这样的多层配线构造，构成了形成图1所表示的等效电路的薄膜平衡-不平衡转换器1A。本发明人发现，如后述那样，根据这样的薄膜平衡-不平衡转换器1A，通过使电磁性的结合状态发生变化，从而就可发现电气特性有了明显的改善，特别是既能够获得振幅差特性的显著改善又能够实现小型袖珍化。该作用的细节以及机理虽然还未得到明确，但是可以推测为通过将电容成分形成于GND电极与不平衡电极之间，其影响到了特性阻抗，由此也就取得了电气特性的改善，特别是取得振幅差特性的改善效果。但是，作用并不限定于此。(实施例2)图6是概略性地表示本发明的实施例2的薄膜平衡-不平衡转换器IB中的配线层 M3的水平截面图。除了配线层M3之外的结构其余都与实施例1相同。如图6所示薄膜平衡-不平衡转换器IB的GND电极40B与实施例1的GND电极40A有所不同，是被形成于除了与构成平衡传输线路BL的线圈部C3、C4相对的区域之外的位置。换言之，GND电极40B 是被形成于不与线圈部C3、C4相重叠的区域。GND电极40B从接地端子G延伸至不平衡端子UT的附近，另外，经由配线层M3的通孔TH3、TH4而与线圈部C3、C4的各个配线(引出导体)32、33相电连接。(实施例3)图7是概略性地表示本发明的实施例3的薄膜平衡-不平衡转换器IC中的配线层M3的水平截面图。除了配线层M3之外的结构其余都与实施例1相同。如图7所示薄膜平衡-不平衡转换器IC的GND电极40C与薄膜平衡-不平衡转换器IA的GND电极40A有所不同，是被形成于与构成配线层M2的线圈部C3、C4的各个的一部分相对的区域的位置。 另夕卜，GND电极40C的面积变得比GND电极40A的面积来得大。(参考例1)图8是概略性地表示参考例1的薄膜平衡-不平衡转换器IR中的配线层M3的水平截面图。除了配线层M3之外的结构其余都与实施例1相同。如图8所示在薄膜平衡-不平衡转换器IR的配线层M3上形成有用于连接线圈部Cl、C2的配线31以及为了将线圈部 C3、C4连接于接地端子G的配线34。配线31是经由2个通孔TH1、TH2而连接被形成于配线层Ml的线圈导体11的端部lib与线圈导体12的端部12b的连接部(连接导体)。另外，配线34是经由2个通孔TH3、TH4而连接被形成于配线层M2的线圈导体21的端部21b 与线圈导体22的端部22b的连接部(连接导体)。如以上所述，参考例1没有实施例1 3中的延伸至不平衡端子UT侧的区域的GND电极。(特性评价1)关于以上所说明的薄膜平衡-不平衡转换器1A、IB、1C、1R，由模拟法求得插入损失特性(通过特性)、相位平衡(相位差)特性以及输出平衡(振幅差)特性。将传输信号的评价对象频率设定为MOO 2500MHz。图9是表示插入损失特性评价结果的图表，图10 是表示相位平衡特性评价结果的图表，图11是表示输出平衡特性评价结果的图表。在各个附图中，曲线E1A、E1B、E1C、E1R分别是表示有关薄膜平衡-不平衡转换器1A、1B、1C、1R的评价结果。在此，插入损失特性(通过特性)是表示评价对象频率区域中的通过信号的损失程度的指标，在评价对象频率区域中OdB为理想的通过特性。另外，相位平衡特性是从平衡端子BTl与平衡端子BT2输出的2个平衡信号的相位差，ISOdeg为更加理想的相位平衡。 再有，输出平衡(振幅差)特性是从平衡端子BTl与平衡端子BT2输出的2个平衡信号的振幅差(输出差)，OdB为更加理想的输出平衡。根据以上所述的这些结果，各个实施例的薄膜平衡-不平衡转换器1A、IB、IC分别与参考例1的薄膜平衡-不平衡转换器IR相比较，从而确认到这些实施例的薄膜平衡-不平衡转换器1A、1B、1C既能够基本维持插入损失特性(通过特性)又具备良好的相位平衡特性，另外，输出平衡特性的改善效果显著而且能够获得基本理想的输出平衡特性。即，根据各个实施例的薄膜平衡-不平衡转换器1A、1B、1C，就能够在宽频区域实现平坦的输出平衡特性。另外，如果参照有关实施例1、2、3的评价结果的话，那么就可确认到通过调整GND 电极的配置以及面积，既能够维持出色的输出平衡特性又能够调整相位平衡特性。例如，实施例2中，与实施例1相比就既能够维持出色的输出平衡特性又能够提高相位平衡特性。
(实施例4)图12是概略性地表示本发明的实施例4的薄膜平衡-不平衡转换器ID中的配线层M3的水平截面图。除了配线层M3之外的结构其余都与实施例1相同。如图12所示在薄膜平衡-不平衡转换器ID具备用于经由2个通孔THl以及TH2而连接线圈部Cl、C2的配线31和用于经由2个通孔TH3以及TH4而连接线圈部C3、C4的配线(连接部)35以及用于使线圈部C3、C4电连接于接地端子G的GND电极40D。GND电极40D如图12所示是从接地端子G延伸至不平衡端子UT附近的电极，被形成于至少包含与构成配线层M2的线圈部C3、C4的各个的一部分相对的区域的位置。另外，配线35与GND电极40D是由配线(引出导体)36而被相互连接，该引出导体36被配置为比接地端子G侧更加靠近于不平衡端子 UT侧。如以上所述，在实施例4的薄膜平衡-不平衡转换器ID中，连接配线(连接部)35 与GND电极40D的配线(引出导体)36被配置为比接地端子G侧更加靠近于不平衡端子 UT侧。换言之，构成线圈部C3的线圈导体21的到接地端子G的长度，与包含配线(连接部)35长度的、构成线圈部C4的线圈导体22到接地端子G的长度有所不同，线圈部C3以及线圈部C4的形状为互不对称。(实施例5)图13是概略性地表示本发明的实施例5的薄膜平衡-不平衡转换器IE中的配线层M2的水平截面图，图14是概略性地表示本发明的实施例5的薄膜平衡-不平衡转换器 IE中的配线层M3的水平截面图。在薄膜平衡-不平衡转换器IE上，除了以上所述的通孔 THl TH4之外还形成了通孔TH5、TH6，另外，在这些通孔TH5以及TH6中由电镀而形成有用于使配线层M2、M3进行电导通的金属导体。还有，除了配线层M2、M3之外的结构均与实施例1相同。如图13所示，薄膜平衡-不平衡转换器IE与薄膜平衡-不平衡转换器IA有所不同，在与形成了线圈部C3、C4的层相同的层(配线层M2)上形成有从接地端子G延伸至不平衡端子UT附近的GND电极40E。另外，如图14所示，在配线层M3上形成有用于经由2个通孔TH1、TH2来连接线圈部Cl、C2的配线31、用于经由通孔TH3、TH5来电连接线圈部C3 与GND电极40E的配线(连接部)37、用于经由通孔TH4、TH6来电连接线圈部C4与GND电极40E的配线(连接部)38。如以上所述，可以推定通过将GND电极40E配置于配线层M2， 由于与不平衡端子UT在上下方向(配线层的层叠方向)形成电容成分，从而与实施例1相比较能够形成更加大的容量成分。(特性评价2)关于以上所说明的薄膜平衡-不平衡转换器1D、1E，由模拟法求得插入损失特性、 相位平衡特性以及输出平衡特性。将传输信号的评价对象频率设定为MOO 2500MHz。图 15是表示插入损失特性评价结果的图表，图16是表示相位平衡特性评价结果的图表，图17 是表示输出平衡特性评价结果的图表。在各个附图中，曲线E1D、E1E、E1R分别是表示有关薄膜平衡-不平衡转换器1D、1E、1R的评价结果。根据以上所述的这些结果，从而确认到各个实施例的薄膜平衡-不平衡转换器 IDUE分别与参考例1的薄膜平衡-不平衡转换器IR相比较，既能够基本维持插入损失特性又具备良好的相位差特性，另外，输出平衡特性的改善效果显著从而显示出基本理想的输出平衡特性，从而能够获得与上述实施例1 3的薄膜平衡-不平衡转换器1A、1B、1C基本相同等的电气特性。S卩，根据实施例4的薄膜平衡-不平衡转换器1D，即使将包含GND线的线圈部C3 的长度和线圈部C4的长度为非对称，也能够确认获得与实施例1 3的薄膜平衡-不平衡转换器1A、1B、1C相同的效果。另外，根据实施例5的薄膜平衡-不平衡转换器1E，即使将延伸至不平衡端子UT附近的GND电极设置于配线层M2，也能够确认获得与实施例1 3的薄膜平衡-不平衡转换器1A、1B、1C相同的效果。这可以推定为，通过将GND电极配置于配线层M2，由于以上下贯通配线层M2的形式形成不平衡端子UT，所以不平衡端子UT与配线层M2之间的电容成分不仅是在相同层内而且也在上下方向(配线层的层叠方向)上产生， 作为结果而形成了较大的电容成分。如果鉴于这样的理由，可认为即使在将延伸至不平衡端子UT附近的GND电极设置于配线层Ml的情况下，由于相对于不平衡端子UL在上下方向 (配线层的层叠方向)上产生同样的电容成分，所以也能够获得与实施例1 5相同的效^ ο接着，图18是表示本发明的薄膜平衡-不平衡转换器所涉及的优选的另外一个实施方式的结构的等价电路图。本实施方式中的薄膜平衡-不平衡转换器1如图18所示，除了在线路部L3与线路部L4之间设置有L成分(线圈成分)L5之外，其余均以与图1所表示的实施方式中的薄膜平衡-不平衡转换器1相同的形式构成。(实施例6)接着，就有关本实施方式的薄膜平衡-不平衡转换器的一个实施例中的各个配线层M1、M2、M3的图形作如下详细说明。还有，以下的实施例也是使用作为线路部Ll L4的线圈部Cl C4。图19 图21是概略性地表示本发明的实施例6的薄膜平衡-不平衡转换器IF 中的各个配线层的水平截面图。如图19 图21所示，在配线层Ml M3的所有层上形成有不平衡端子UT、平衡端子BT1，BT2以及接地端子G，各个端子UT、BT1、BT2以及G经由通孔P而在不同的层间进行电连接。以下就有关各个配线层Ml M3的结构作进一步说明。如图19所示，在配线层Ml上邻接形成有构成不平衡传输线路UL的线圈部Cl (第 1线路部、第1线圈部)以及线圈部C2(第2线路部、第2线圈部)。具体地，不平衡传输线路UL由左右对称的2个线圈部(螺旋形线圈)构成。另外，各个线圈部C1、C2构成相当于 1/4波长(λ /4)共振器的构件。这些线圈部C1、C2分别相对配置于平衡传输线路BL的线圈部C3、C4，在该相对的部分构成了电磁结合的结合器。另外，在配线层Ml上形成有通孔THl、TH2，在这些通孔THl、TH2中由电镀而形成有用于使配线层Ml M3进行电导通的金属导体。而且，在配线层Ml上，构成线圈部Cl的线圈导体11的外侧的端部Ila被连接于不平衡端子UT，线圈导体11的内侧的端部lib被连接于通孔TH1。另外，构成线圈部C2的线圈导体12的内侧的端部12b被连接于通孔TH2， 线圈导体12的外侧的端部1 为开放端，在接地端子G的附近被开放。线圈导体11、12通过图21所表示的配线层M3的配线(连接导体)31而被互相连接。此外，线圈导体11、12 的宽度和圈数并没有特别的限定，两者既可以相同也可以不相同。如图20所示，在配线层M2上邻接形成有构成平衡传输线路BL的线圈部C3(第3 线路部、第3线圈部)以及线圈部C4(第4线路部、第4线圈部)。具体地，平衡传输线路BL是由左右对称的2个线圈部(螺旋形线圈)所构成。另外，各个线圈部C3、C4构成相当于1/4波长(λ /4)共振器的构件。另外，在配线层Μ2上形成有从接地端子G延伸至不平衡端子UT附近的GND电极 40。而且，在配线层Μ2上除了上述的通孔THl、ΤΗ2之外还形成有通孔ΤΗ3 ΤΗ5，在这些通孔ΤΗ3 ΤΗ5中由电镀Cu而形成有为了使配线层Μ2与配线层Μ3进行电导通的金属导体。另外，在配线层Μ2上，构成线圈部C3的线圈导体21的外侧的端部21a被连接于平衡端子BT1，线圈导体21的内侧的端部21b被连接于通孔TH3。另外，构成线圈部C4的线圈导体22的外侧的端部2 被连接于平衡端子BT2，线圈导体22的内侧的端部22b被连接于通孔TH4。线圈导体21、22经由图21所表示的配线层M3的配线(L成分)32而被相互连接。如图21所示，在配线层M3上形成有以下所述配线用于经由2个通孔TH1、TH2来连接不平衡传输线路UL的线圈部C1、C2的配线(连接部)31 ；用于经由2个通孔TH3、TH4 来连接平衡传输线路BL的线圈部C3、C4的配线(L成分)32A ；用于经由通孔TH5来电连接线圈部C3与GND电极40的配线(GND线)33。在此，连接线圈部C3、C4的配线32A，从通孔TH3到通孔TH4以在形成通孔THl、 TH2的一侧迂回的形式而延伸。通过这样的构造，在配线32A上电流以与流通于线圈部C3、 C4的电流方向相反的方向流动，从而作为削弱平衡传输线路BL磁场的L成分而起作用。换言之，L成分可以被看作为是以消除平衡传输线路上的磁场的形式在与线圈部C3、C4的线圈导体卷绕方向相反的方向上进行卷绕的逆卷线圈。具体地，如图21所表示的那样，通过使连接GND线33与配线(L成分)32A的连接点位于配线32A上的通孔TH3侧，从而通过该连接点(连接合流点)也能够从线圈部C4侧的配线32A的部分形成逆卷线圈。以如此形式将L成分设置于线圈部C3、C4之间，由此可推定能够获得电路阻抗发生变化而阻抗匹配特性被改善并且在电气特性方面表现出色的薄膜平衡-不平衡转换器。但是，所起到的作用并不限定于此。另外，逆卷线圈只要以消除平衡传输线路中的磁场的形式而形成即可，因此与线圈部C3、C4中任意一者的线圈部的线圈导体的卷绕方向相反地构成即可。此外，L成分并不局限于图示的构造，如果是电连接线圈部C3、C4的配线而且在其一部分上具有弯曲部分的构造即可，例如也可以不作1周(1个回转)的半周(0.5个回转)半卷绕线圈或者包括圆环状、还有蛇形状(弯曲状meander)的形态的构造。如以上所述，在本实施例中，在一个阶层的配线层Ml上形成有构成不平衡传输线路UL的2个线圈部C1、C2，在邻接于此的另外的阶层的配线层M2上形成有构成平衡传输线路BL的2个线圈部C3、C4，而且，在与邻接于该配线层M2的配线层Ml相反侧的另外的阶层的配线层M3上，形成有连接线圈部Cl、C2的配线(连接导体)31、连接线圈部C3、C4的配线(L成分)32A、以及连接线圈部C3、C4与接地端子G的配线(GND线)33，根据这样的多层配线构造，构成了形成图18所表示的等效电路的薄膜平衡-不平衡转换器1F。根据这样的薄膜平衡-不平衡转换器1F，通过使电磁性的结合状态发生变化，从而就能够期待电气特性的提高。以下就有关线圈部C3、C4的配线32A的构造对本实施方式的薄膜平衡-不平衡转换器1(图18)的平衡特性的影响，通过使用各种各样的实施例以及参考例来加以评价。以下在对那些实施例以及参考例的版图进行说明之后，陈述有关平衡特性的评价结果。(实施例7)图22是概略性地表示本发明的实施例7的薄膜平衡-不平衡转换器IG中的配线层M3的水平截面图。除了配线层M3之外的结构其余都与实施例6相同。如图22所示，薄膜平衡-不平衡转换器IG中，连接线圈部C3、C4的配线32B的构造与实施例6的薄膜平衡-不平衡转换器IF的配线32A的构造有所不同，配线32B是以在比实施例6的配线32A 更上侧迂回的形式而形成的。即，配线32B从通孔TH3延伸至通孔THl附近并且从通孔THl 附近与配线31相平行或者大致相平行地延伸至通孔TH2附近，而且从通孔TH2附近延伸至通孔TH4。(参考例2)图23是表示参考例2的薄膜平衡-不平衡转换器IS中的配线层M2的水平截面图，图M是概略性地表示本发明的参考例2的薄膜平衡-不平衡转换器IS中的配线层M3 的水平截面图。除了配线层M2、M3之外的结构其余都与实施例6相同。如图23以及图M 所示在薄膜平衡-不平衡转换器IS的配线层M2、M3上取代实施例6的通孔TH5而形成有通孔TH6。不仅是薄膜平衡-不平衡转换器1S，在使用LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramics)而制作的平衡-不平衡转换器中，也会因为相位特性由于传输线路的长度而受到影响，所以包含GND线的线圈部C3、C4的长度优选以尽可能成为相同长度的形式进行设计，另外，因为GND线越长越会有多余的L成分且容易使电气特性受到影响，所以GND线优选尽可能短的长度。因此，准备具有从连接通孔TH3、TH4的配线32R的中心引出GND线33并以最短的距离经由通孔TH6从而电连接于配线层M2的GND电极40的构造的薄膜平衡-不平衡转换器1S，作为用于验证具有实施例6结构的薄膜平衡-不平衡转换器的效果的参考物。另外，在薄膜平衡-不平衡转换器IS中，在配线层M3形成有用于连接线圈部Cl、 C2的配线31以及用于将线圈部C3、C4连接于接地端子G的配线32R。配线31经由2个通孔TH1、TH2连接被形成于配线层Ml的线圈导体11的端部lib与线圈导体12的端部12b 的连接部(连接导体)。另外，配线32R是经由2个通孔TH3、TH4连接被形成于配线层M2 的线圈导体21的端部21b与线圈导体22的端部22b的连接部(连接导体)。这样，参考例 2是配线32R从通孔TH3到通孔TH4不以在形成通孔TH1、TH2的一侧迂回(实施例6以及实施例7)的形式延伸的例子。此外，参考例2的薄膜平衡-不平衡转换器IS的等效电路图与图1所表示的相同， 从图1以及图18可以理解，参考例2的薄膜平衡-不平衡转换器IS的等价电路图与实施例6的薄膜平衡-不平衡转换器IF的等价电路图的不同之处就在于L成分L5是否存在于线圈部C3、C4之间。(特性评价3)关于以上所说明的薄膜平衡-不平衡转换器1F、1G、1S，由模拟法求得插入损失特性(通过特性)、相位平衡特性、输出平衡特性以及反射损失特性。将传输信号的评价对象频率设定为MOO 2500MHz。图25是表示插入损失特性评价结果的图表，图沈是表示相位平衡特性评价结果的图表，图27是表示输出平衡特性评价结果的图表，图观是表示反射损失特性评价结果的图表。在各个附图中，曲线E1F、E1G、E1S分别是表示有关薄膜平衡-不平衡转换器1F、1G、1S的评价结果。在此，关于插入损失特性、相位平衡特性以及输出平衡特性的含义与前述的相同。 另外，反射损失特性(反射特性)因为没有从部件的反射是理想的，所以可以说这个值越大特性越良好。根据以上所述的这些结果，确认到各个实施例的薄膜平衡-不平衡转换器1F、1G 分别与参考例2的薄膜平衡-不平衡转换器IS相比较，既能够基本维持输出平衡特性以及反射损失特性，又能够具备良好的插入损失特性以及相位平衡特性。另外，如果参照有关实施例6以及实施例7的插入损失特性和反射损失特性的结果，在减弱平衡传输线路BL的磁场的方向(取消磁场的方向)上，可以看到因为在线圈部C3、C4之间形成L成分(配线32A、 32B)而产生的微小的的中心频率的高频移动。另外，作为具有比实施例6的薄膜平衡-不平衡转换器IF更进一步减弱磁场的构造的实施例7的薄膜平衡-不平衡转换器1G，被确认为电气特性有较大的改善。根据这些评价结果通过调整连接线圈部C3、C4的配线构造特别是通过调整L成分的大小，从而既可充分维持被要求的薄膜平衡-不平衡转换器的诸项特性，而且也能够谋求提高插入损失特性(通过特性)等电气特性。再有，被设置于线圈部C3、C4之间并且作用于减弱平衡传输线路磁场的方向的L 成分，有关对薄膜平衡-不平衡转换器电气特性的影响，可以使用实施例8的薄膜平衡-不平衡转换器IH以及实施例9的薄膜平衡-不平衡转换器II来评价。以下，对实施例8以及实施例9的版图进行说明之后，就有关其电气特性加以陈述。(实施例8)图四是概略性地表示本发明的实施例8的薄膜平衡-不平衡转换器IH中的配线层M3的水平截面图。除了配线层M3之外的结构其余都与实施例6相同。如图四所示，薄膜平衡-不平衡转换器IH中，连接线圈部C3、C4的配线32C的构造与上述实施例6以及实施例7的薄膜平衡-不平衡转换器1F、1G的配线32A、32B的构造有所不同，配线32C具有以更为显著地减弱平衡传输线路磁场的形式进行作用的构造。具体地，配线32C以被配置于与线圈部C3、C4的线圈导体开口部相对的区域的形式，并且从通孔TH3到通孔THl的附近以在线圈部C3的线圈导体开口部上迂回的形式进行延伸，另外，从通孔THl的附近延伸至通孔TH2的附近，进一步以从通孔TH2的附近到通孔TH4以在线圈部C4的线圈导体开口部上迂回的形式进行延伸。(实施例9)图30是概略性地表示本发明的实施例9的薄膜平衡-不平衡转换器II中的配线层M3的水平截面图。除了配线层M3之外的结构其余都与实施例6相同。如图30所示，薄膜平衡-不平衡转换器II是以从上述实施例8的薄膜平衡-不平衡转换器IH的构造进一步减弱平衡传输线路磁场的形式而构成的。具体地，配线32C是从通孔TH3到通孔THl的附近，以在线圈部C3的线圈导体的开口部上而且是在其开口部的中央迂回的形式进行延伸， 另外，从通孔THl的附近延伸至通孔TH2的附近，进一步从通孔TH2的附近到通孔TH4以在线圈部C4的线圈导体的开口部上而且是在其开口部的中央迂回的形式进行延伸。(特性评价4)
关于以上所说明的薄膜平衡-不平衡转换器1H、1I，由模拟法求得插入损失特性、相位平衡特性、输出平衡特性以及反射损失特性。将传输信号的评价对象频率设定为 2400 2500MHz。图31是表示插入损失特性评价结果的图表，图32是表示相位平衡特性评价结果的图表，图33是表示输出平衡特性评价结果的图表。图34是表示反射损失特性评价结果的图表。在各个附图中，曲线E1H、Ell, ElS分别是表示薄膜平衡-不平衡转换器 1H、II、IS的评价结果。根据以上所述的这些结果，各个实施例的薄膜平衡-不平衡转换器1H、1I分别与参考例2的薄膜平衡-不平衡转换器IS相比较，从而就可确认到出色的改善效果。具体地， 关于插入损失特性，实施例8以及实施例9均比参考例2更为良好。另外，关于相位平衡特性，虽然由于中心频率的高频移动的影响而使得由实施例8以及实施例9的改善程度较小， 但是实施例8以及实施例9要比参考例2更为良好。这就显示出了通过调整频率能进一步改善相位平衡特性。另外，关于输出平衡特性，实施例8为良好，实施例9如果对从OdB的差进行比较的话虽然基本上与参考例2相同等，但是根据该结果通过对GND线的构造下功夫，从而显示出能够达到最适当的输出平衡特性。此外，关于反射损失特性，实施例8以及实施例9都比参考例2更为良好。因此，也就可以理解为实施例8以及实施例9的薄膜平衡-不平衡转换器1H、1I其电气特性被得到了改善。另外，实施例8以及实施例9因为是以比实施例6以及实施例7进一步减弱平衡传输线路的磁场的形式，即以L成分变大的形式形成连接线圈部C3、C4的配线，从图31所表示的插入损失特性和图34所表示的反射损失特性可以理解，中心频率的高频移动比较大。 为此，就可以认为实施例8以及实施例9的薄膜平衡-不平衡转换器1H、1I其电气特性的改善效果要比实施例6以及实施例7的薄膜平衡-不平衡转换器1F、1G来得大。此外，实施例8以及实施例9的情况一方面其插入损失特性、输出平衡特性以及反射损失特性的改善程度要比实施例6以及实施例7的情况来得大，而相位平衡特性的改善程度为较小。这可以被考虑为因为使以减弱平衡传输线路的磁场的形式进行作用的配线 32C、32D延伸至磁场更为集中的线圈导体的开口部，所以对于电磁结合的影响程度变得更大，且对于特性阻抗的影响程度变大。为此，在插入损失特性和输出平衡特性等被得到进一步改善的同时，通过使线圈部C3、C4的配线32C、32D延伸至线圈导体的开口部上，从而取消平衡传输线路磁场的效果变强并起到对线路长度的反作用，有助于实质性的电磁结合的线路长度变短，因而以至于相位平衡特性的改善幅度变小。(实施例10)图35是概略性地表示本发明的实施例10的薄膜平衡-不平衡转换器IJ中的配线层M3的水平截面图。除了配线层M3之外的结构其余都与实施例6相同。如图35所示薄膜平衡-不平衡转换器IJ与上述实施例9的薄膜平衡-不平衡转换器II的构造不同， 连接线圈部C3、C4之间的配线32E只是被配置于与线圈部C4的线圈导体开口部相对的区域。具体地，配线32E从通孔TH3延伸至通孔THl的附近，另外，从通孔THl的附近延伸至通孔TH2的附近，进一步从通孔TH2的附近到通孔TH4以在线圈部C4的线圈导体的开口部上而且是在其开口部的中央迂回的形式进行延伸。(特性评价5)关于薄膜平衡-不平衡转换器1J，为了与上述薄膜平衡-不平衡转换器1I、1S相比较而由模拟法求得插入损失特性、相位平衡特性、输出平衡特性以及反射损失特性。将传输信号的评价对象频率设定为MOO 2500MHz。图36是表示插入损失特性评价结果的图表，图37是表示相位平衡特性评价结果的图表，图38是表示输出平衡特性评价结果的图表。图39是表示反射损失特性评价结果的图表。在各个附图中，曲线E1I、E1J、E1S分别是表示薄膜平衡-不平衡转换器1I、1J、1S的评价结果。根据这些结果，实施例10的薄膜平衡-不平衡转换器IJ与参考例2的薄膜平衡-不平衡转换器IS相比较虽然能够确认到插入损失特性、相位平衡特性以及反射损失特性有所改善，但是如果与实施例9的薄膜平衡-不平衡转换器II相比较的话那么就可判明插入损失特性、输出平衡特性以及反射损失特性的改善程度较小。因此，虽然连接线圈部 C3、C4的配线32E(L成分)被配置于与单方线圈部C4的线圈导体开口部相对的区域也会有改善的效果，但是可以确认到L成分被配置于与线圈部C3、C4双方的线圈导体开口部相对的区域更为适宜。(变形例)此外，如上述所述，本发明并不限定于上述各个实施方式以及实施例，在不变更本发明的宗旨的限度上各种各样的变形都是可能的。例如，在实施例2中虽然说明了 GND电极40B被形成于除了与构成平衡传输线路BL的线圈部C3、C4相对向的区域之外的位置的例子，但是GND电极也可形成于除了与构成不平衡传输线路UL的线圈部C1、C2以及构成平衡传输线路BL的线圈部C3、C4的至少一方相对的区域之外的位置。另外，不平衡端子UT、 平衡端子BT1、BT2以及接地端子G的配置并不限定于附图所示的位置。另外，构成薄膜平衡-不平衡转换器的多层配线构造既可以是不足附图所示的层数也可以是多于附图所示的层数。而且，当然也可以是绝缘性基板100上的配线层的顺序变成相反的构造。另外，只要是在不脱离本发明主要宗旨的范围内采用各种各样的线圈配置都是可能的，例如线圈部C3和线圈部C4的配线只要是以减弱平衡传输线路的磁场的形式进行作用的话，即使是圆形状或者椭圆形状乃至于像六边形那样的六边形状都是可以的。再有， GND线33并不受限于如上述各个实施方式那样的被连接于配线32 (L成分)与线圈部C3之间的情况，例如也可以被连接于配线32 (L成分)与线圈部C4之间。如上所述，本发明的薄膜平衡-不平衡转换器因为能够实现既能够维持小型化又能够改善平衡特性的薄膜平衡-不平衡转换器，所以特别能够适用于被要求小型化的无线电通讯机器。
1权利要求
1.一种薄膜平衡-不平衡转换器，其特征在于 具备具有第1线路部以及第2线路部的不平衡传输线路；具有分别与所述第1线路部以及所述第2线路部相对配置而且电磁结合的第3线路部以及第4线路部的平衡传输线路；连接于所述第1线路部的一端的不平衡端子；连接于所述第3线路部的第1平衡端子；连接于所述第4线路部的第2平衡端子；以及连接于所述第3线路部以及所述第4线路部的接地端子，所述接地端子具有从该接地端子延伸至所述不平衡端子侧的区域的延伸部。
2.如权利要求1所记载的薄膜平衡-不平衡转换器，其特征在于所述延伸部被形成于除了与所述不平衡传输线路以及所述平衡传输线路的至少一方相对的区域之外的区域。
3.如权利要求1所记载的薄膜平衡-不平衡转换器，其特征在于 所述第3线路部以及所述第4线路部形成于第1层，电连接所述第3线路部以及所述第4线路部的连接部以及与该连接部相连接的所述延伸部形成于第2层。
4.如权利要求3所记载的薄膜平衡-不平衡转换器，其特征在于所述连接部与所述延伸部由引出导体互相连接并且该引出导体以比所述接地端子侧更加靠近所述不平衡端子侧的方式配置。
5.如权利要求1所记载的薄膜平衡-不平衡转换器，其特征在于在与形成了所述第3线路部和所述第4线路部的层以及形成了所述第1线路部和所述第2线路部的层中的至少任意一个层相同的层上形成所述延伸部。
6.如权利要求1所记载的薄膜平衡-不平衡转换器，其特征在于所述第3线路部以及所述第4线路部形成于相同的阶层，在与该阶层不相同的阶层上， 所述第3线路部和所述第4线路部经由L成分电连接。
7.如权利要求1所记载的薄膜平衡-不平衡转换器，其特征在于 所述各个线路部由线圈形成。
8.如权利要求7所记载的薄膜平衡-不平衡转换器，其特征在于所述L成分的至少一部分被配置于与所述第3线路部以及所述第4线路部中的至少一者的线圈导体的开口部相对的区域上。
9.如权利要求7所记载的薄膜平衡-不平衡转换器，其特征在于 所述L成分配置于所述接地端子与所述第4线路部之间。
全文摘要
本发明的薄膜平衡-不平衡转换器，具备具有第1线路部(L1)以及第2线路部(L2)的不平衡传输线路(UL)、具有分别与第1线路部(L1)以及第2线路部(L2)相对配置而且实施电磁结合的第3线路部(L3)以及第4线路部(L4)的平衡传输线路(BL)、被连接于第1线路部(L1)一端的不平衡端子(UT)、被连接于第3线路部(L3)的第1平衡端子(BT1)、被连接于第4线路部(L4)的第2平衡端子(BT2)、被连接于第3线路部(L3)以及第4线路部(L4)的接地端子(G)；接地端子(G)具有从该接地端子(G)延伸至不平衡端子(UT)侧区域的延伸部。
文档编号H01P5/10GK102332632SQ20111018300
公开日2012年1月25日 申请日期2011年6月27日 优先权日2010年6月25日
发明者远藤真 申请人:Tdk株式会社