专利名称：荧光体层转印片及发光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及荧光体层转印片及发光装置，详细而言，本发明涉及适宜用作白色发光装置的发光装置以及用于其制造的荧光体层转印片。
背景技术：
近年来，作为能够发出高能量的光的发光装置，已知有白色发光装置。白色发光装置中例如设置有发蓝色光的LED (发光二极管)和能够将蓝色光转换成黄色光的荧光体层， 白色发光装置通过将由LED发出的蓝色光和蓝色光被荧光体层转换得到的黄色光混色来发出高能量的白色光。作为这种白色发光装置，例如提出了如下方法在形成有向上侧开口的凹部的安装基板上，在凹部的底面设置蓝色LED芯片，并且以被覆凹部的上端(开口边缘部)的方式设置含有荧光体的树脂片(例如参照日本特开2003-46133号公报)。为了将日本特开2003-46133号公报中记载的树脂片设置在安装基板上，首先在安装基板的凹部的开口边缘部的上表面层叠粘接剂，接着将含有荧光体的树脂片层叠在粘接剂的上表面。
发明内容
然而，日本特开2003-46133号公报所提出的树脂片的设置方法需要首先在安装基板上形成粘接剂层、然后介由粘接剂层将树脂片粘接在安装基板上。因此，存在制造工序增加、变烦琐、费时间等不利情况。本发明的目的在于提供一种能简便地设置荧光体层的荧光体层转印片、以及通过使用该转印片转印荧光体层而以优异的制造成本得到的发光装置。本发明的荧光体层转印片的特征在于，其具有剥离基材、和形成在前述剥离基材上的荧光体层、和形成在前述荧光体层上的粘接剂层。另外，本发明的荧光体层转印片优选的是，前述荧光体层具有相互隔着间隔地排列配置的多个荧光体部，前述粘接剂层与前述各荧光体部之间的前述剥离基材的上表面接触。另外，本发明的荧光体层转印片优选的是，前述粘接剂层的折射率高于前述荧光体层的折射率。另外，本发明的发光装置的特征在于，所述发光装置具有基板、和设置在前述基板上的发光二极管、和以被覆前述发光二极管的方式设置在前述基板上的荧光体层，前述荧光体层通过使用具有剥离基材、和形成在前述剥离基材上的荧光体层、和形成在前述荧光体层上的粘接剂层的荧光体层转印片而被转印在前述基板上，从而介由前述粘接剂层与前述基板粘接。根据本发明的荧光体层转印片，可以通过将荧光体层转印到基板上的简易方法， 介由粘接剂层简便地将荧光体层粘接在基板上。
3
因此，可以用简便的方法以优异的制造成本得到本发明的发光装置。
图1示出本发明的荧光体层转印片的一个实施方式的平面图。
图2为用于制造荧光体层转印片的工序图，
(a)示出准备剥离基材的工序，
(b)示出将荧光体组合物涂布在剥离基材上的工序，
(C)示出形成荧光体层的工序，
(d)示出将粘接剂组合物涂布在剥离基材上的工序，
(e)示出形成粘接剂层的工序。
图3为用于制造本发明的发光装置的一个实施方式的工序图，
(a)示出准备基板和发光二极管的工序，
(b)示出通过荧光体层转印片将荧光体层转印到基板上的工序，
(C)示出使粘接剂层固化的工序，
(d)示出在荧光体部之上设置透镜的工序。
图4为用于制造荧光体层转印片的另一工序图，
(a)示出准备第一剥离基材的工序，
(b)示出将荧光体组合物涂布在第一剥离基材上的工序，
(C)示出形成荧光体层的工序，
(d)示出准备第二剥离基材的工序
(e)示出将粘接剂组合物涂布在第二剥离基材上的工序，
(f)示出形成粘接剂层的工序，
(g)示出贴合荧光体层和粘接剂层的工序。
具体实施例方式图1示出本发明的荧光体层转印片的一个实施方式的平面图，图2示出用于制造荧光体层转印片的工序图，图3示出用于制造本发明的发光装置的一个实施方式的工序图。另外，在图1中，为了方便起见，以纸面的上下方向为前后方向，以纸面的左右方向为左右方向。在图1和图2(e)中，该荧光体层转印片1形成为大致平板矩形，其具有剥离基材 2、和形成在剥离基材2上的荧光体层3、和形成在荧光体层3上的粘接剂层4。剥离基材2在俯视图中形成为对应于荧光体层转印片1的外形形状，具体而言，形成为大致平板矩形片状。具体而言，作为形成剥离基材2的材料，例如可列举出聚乙烯、聚丙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯等树脂材料，例如铁、铝、不锈钢等金属材料等。优选列举出树脂材料。另外，为了提高从荧光体层3和粘接剂层4上剥离的剥离性，可以根据需要对剥离基材2的表面(上表面)进行有机硅处理、长链烷基处理、氟处理等剥离处理。剥离基材2的厚度例如为10 1000 μ m,优选为50 500 μ m。荧光体层3形成在剥离基材2的上表面上，具有相互隔着间隔地排列配置的多个荧光体部5。各荧光体部5沿荧光体层转印片1与厚度方向正交的方向、即剥离基材2的面方向、具体是沿前后方向和左右方向相互隔着间隔地配置。例如在图1中，荧光体部5以前后方向上4列、左右方向上3列的模式排列配置。另外，荧光体部5形成为俯视图大致圆形。荧光体层3例如由含有荧光体的荧光体组合物形成。荧光体组合物优选含有荧光体和树脂。作为荧光体，例如可列举出能将蓝色光转换成黄色光的黄色荧光体。作为这种荧光体，例如可列举出在复合金属氧化物、金属硫化物等中掺杂例如铈(Ce)、铕(Eu)等金属原子而得到的荧光体。具体而言，作为荧光体，可列举出例如Y3Al5O12: Ce (YAG (钇 铝 石榴石)Ce)、(Y， GcO3Al5O12:Ce、Tb3Al3O12:Ce、Ca3Sc2Si3O12Ce, Lu2CaMg2 (Si, Ge)3012:Ce 等具有石榴石型晶体结构的石榴石型荧光体；例如(Sr，Ba)2Si04:Eu、Ca3SiO4Cl2:Eu、Sr3SiO5:Eu、Li2SrSiO4:Eu、 Ca3Si2O7IEu等硅酸盐荧光体；例如CaAl12O19:Mn、SrAl2O4: Eu等铝酸盐荧光体；例如SiS: Cu， Al、CaS:Eu、CaGa2S4:Eu, SrGa2S4:Eu 等硫化物荧光体；例如 CaSi2O2N2:Eu, SrSi2O2N2:Eu, BaSi2O2N2: Eu、Ca-α -SiAlON 等氮氧化物荧光体；例如 CaAlSiN3: Eu、CaSi5N8: Eu 等氮化物荧光体；例如K2SiF6 = Mru K2TiF6IMn等氟化物系荧光体等。优选列举出石榴石型荧光体，进一步优选列举出Y3Al5O12:Ce。另外，上述荧光体成粒状，平均粒径例如为0. 1 30 μ m，优选为0. 2 10 μ m。荧光体的平均粒径通过粒度分布测定装置来测定。荧光体可以单独使用或者将两种以上组合使用。例如，相对于荧光体组合物，荧光体的配合比例例如为1 50质量％，优选为5 30质量％。另外，荧光体相对于100质量份树脂的配合比例例如为1 100质量份，优选为 5 40质量份。树脂是用于分散荧光体的基体，例如可列举出有机硅树脂、环氧树脂、丙烯酸类树脂等透明树脂等。优选的是，从耐久性的观点考虑，可列举出有机硅树脂。有机硅树脂在分子内主要具有由硅氧烷键(-Si-O-Si-)形成的主链、和烷基(例如甲基等)或烷氧基(例如甲氧基)等有机基团键合于主链的硅原子(Si)而成的侧链。具体而言，作为有机硅树脂，例如可列举出脱水缩合型有机硅树脂、加成反应型有机硅树脂、过氧化物固化型有机硅树脂、湿固化型有机硅树脂、固化型有机硅树脂等。优选列举出加成反应型有机硅树脂等。有机硅树脂在25°C下的运动粘度例如为10 30mm2/S。树脂可以单独使用或者将两种以上组合使用。相对于荧光体组合物，树脂的配合比例例如为50 99质量％，优选为70 95质量％。荧光体组合物通过按上述配合比例配合荧光体和树脂、并搅拌混合来制备。荧光体层3的折射率nl例如为1. 30 1. 50，优选为1. 35 1. 45。另外，荧光体层3的折射率nl根据JIS K7142的记载来测定。
荧光体层3的厚度例如为20 500 μ m,优选为50 300 μ m。粘接剂层4以对应于荧光体层转印片1的外形形状的方式形成，具体而言，以露出剥离基材2的周缘部的方式形成。即，粘接剂层4以被覆荧光体层3的表面以及露出荧光体层3的剥离基材2的表面(除外周缘部)的方式形成为大致平板片状。具体而言，粘接剂层4接触各荧光体5的表面(上表面和周侧面)以及各荧光体部5之间的剥离基材2的表面(上表面)。作为粘接剂层4，例如由环氧粘接剂组合物、有机硅粘接剂组合物、聚氨酯粘接剂组合物、丙烯酸类粘接剂组合物等粘接剂组合物形成。作为粘接剂组合物，优选列举出环氧粘接剂组合物、有机硅粘接剂组合物，进一步优选列举出环氧粘接剂组合物。环氧粘接剂组合物例如含有环氧树脂和固化剂。作为环氧树脂，可列举出例如双酚型环氧树脂(例如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂等)、酚醛清漆(novolac)型环氧树脂(例如苯酚酚醛清漆型环氧树脂等)等芳香族系环氧树脂，例如三环氧丙基异氰脲酸酯(异氰脲酸三缩水甘油酯)、乙内酰脲环氧树脂等含氮环环氧树脂，例如脂肪族系环氧树脂，例如双环型环氧树脂等脂环式环氧树脂，例如乙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚等缩水甘油醚型环氧树脂，例如三嗪系环氧树脂等。环氧树脂的环氧当量例如为100 1200g/eqiv.。环氧当量根据JIS K7236 (2001
年)来测定。另外，环氧树脂在25°C下的粘度例如为800 6000mPa · S。这些环氧树脂可以单独使用或者将两种以上组合使用。固化剂是能通过加热使环氧树脂固化的潜在性固化剂(环氧树脂固化剂)，例如可列举出咪唑化合物、胺化合物、酸酐化合物、酰胺化合物、酰胼化合物、咪唑啉化合物等。作为咪唑化合物，例如可列举出2-苯基咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑寸。作为胺化合物，可列举出例如乙二胺、丙二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺等多胺、或者它们的胺加合物(amine adduct)等，例如间苯二胺、二氨基二苯甲烷、二氨基二苯砜等。作为酸酐化合物，例如可列举出邻苯二甲酸酐(phthalicanhydride)、马来酸酐、 四氢邻苯二甲酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、4-甲基-六氢邻苯二甲酸酐、甲基纳迪克酸酐 (methyl nadic anhydride)、均苯四酸酐、十二碳烯基琥珀酸酐、二氯琥珀酸酐、二苯甲酮四羧酸酐、氯菌酸酐(chlorendic anhydride)等。作为酰胺化合物，例如可列举出双氰胺、聚酰胺等。作为酰胼化合物，例如可列举出己二酸二酰胼等。作为咪唑啉化合物，例如可列举出甲基咪唑啉、2-乙基-4-甲基咪唑啉、乙基咪唑啉、异丙基咪唑啉、2，4-二甲基咪唑啉、苯基咪唑啉、i^一烷基咪唑啉、十七烷基咪唑啉、 2-苯基-4-甲基咪唑啉等。这些固化剂可以单独使用或者将两种以上组合使用。固化剂的配合比例取决于固化剂与环氧树脂的当量比，相对于100质量份环氧树脂，例如为1 30质量份。
环氧粘接剂组合物通过按上述配合比例配合上述环氧树脂和固化剂、并搅拌混合来制备。粘接剂层4的折射率n2例如为1. 35 1. 65，优选为1. 41 1. 58。另外，粘接剂层4的折射率n2高于荧光体层3的折射率nl，具体而言，例如高 0. 05 0. 30，优选高 0. 10 0. 20。如果粘接剂层4的折射率n2高于荧光体层3的折射率nl，则可以提高由发光装置 18(后述)发出的光的输出效率。此外，粘接剂层4的折射率π2根据JIS Κ7142的记载来测定。粘接剂层4的厚度Tl、即从荧光体层3的上表面到荧光体层转印片1的上表面的高度Tl例如为1 1000 μ m，优选为10 100 μ m。而且，为了制造该荧光体层转印片1，首先，如图2(a)所示，准备剥离基材2。接着，如图2(b)所示，将荧光体组合物8涂布在剥离基材2上。此外，在荧光体组合物8中，根据需要，还可以为了调节粘度而以适当的比例配合例如甲苯等溶剂。荧光体组合物8的涂布例如使用印刷法等。印刷法例如将形成有荧光体部5的反转图案(reversed pattern)的丝网6载置在剥离基材2上、接着介由丝网6通过刮板 (squeegee) 7来印刷荧光体组合物8。该印刷法通过使各荧光体部5的上表面和丝网6的上端面形成一个面而使其变平坦，因此可以均勻且简便地涂布荧光体组合物8。此后，根据需要，在通过加热来除去溶剂之后，从剥离基材2上取下丝网6，从而如图2(c)所示，形成具有多个荧光体部5的荧光体层3。接着，如图2(d)所示，在剥离基材2上以被覆荧光体层3的方式涂布粘接剂组合物9。此外，在粘接剂组合物9中，根据需要，还可以为了调节粘度而按适当的比例配合例如卡必醇醋酸酯等溶剂。粘接剂组合物9的涂布例如使用印刷法、涂布法等，优选使用印刷法。印刷法例如将框部件21载置于剥离基材2的周缘部、接着通过刮板7来印刷粘接剂组合物9。该印刷法通过使粘接剂层4的上表面和框部件21的上端面形成一个面而使其变平坦，因此可以均勻且简便地涂布粘接剂组合物9。此后，根据需要，在通过加热来除去溶剂之后，从剥离基材2上取下框部件21，从而如图2(e)所示，形成粘接剂层4。由此，可以得到荧光体层转印片1。接着，参照图3来说明使用该荧光体层转印片1制造发光装置18的方法。在该方法中，首先，如图3(a)所示，准备基板10和设置在基板10上的发光二极管 11。基板10具有基底基板13、形成于基底基板13的上表面的导体图案14和从基底基板13的上表面向上方立设的壳体15。基底基板13形成为俯视图大致矩形平板状，例如由聚酰亚胺树脂等公知的绝缘树脂形成。导体图案14将发光二极管11的端子与用于向发光二极管11供电的电源端子(未图示)电连接。导体图案14例如由铜、铁等导体材料形成。壳体15在俯视图中以将接下来说明的发光二极管11逐个包围的方式配置，形成为截面宽度往上逐渐变窄的大致梯形。由此，壳体15将用于容纳后述发光二极管11的区域分隔开。另外，由于排列配置有多个发光二极管11，因此壳体15在俯视图中形成为大致格子状。此外，被壳体15分隔开的区域在俯视图中形成为略小于荧光体部5的大致圆形。作为发光二极管11，例如可列举出主要发蓝色光的蓝色发光二极管(蓝色LED)寸。发光二极管11在基底基板13上设置多个。各发光二极管11设置在被壳体15分隔开的区域内，借助于导体图案14和引线16而电连接(wire bonding，引线接合)。此外，在基底基板13上，在被壳体15分隔开的区域中填充有密封层12，由此来密封各发光二极管11。密封层12由公知的密封树脂形成，其上表面与壳体15的上表面在厚度方向上形成一个面。接着，在该方法中，如图3(b)所示，使用上述荧光体层转印片1将荧光体层3转印到基板10上。具体而言，使荧光体层转印片1的粘接剂层4的表面(图3(b)中的下表面(背面)、图2(e)中的上表面)与基板10的壳体15的表面(上表面)和密封层12的表面(上表面)抵接。由此，发光体层3介由粘接剂层4贴合于壳体15和密封层12的上表面。另外，荧光体层3以被覆发光二极管11的方式来设置。具体而言，以使荧光体部 5在俯视图中包括被壳体15分隔开的区域的方式设置荧光体层3。接着，如图3(b)的虚拟线所示，将剥离基材2从荧光体层3的表面(上表面)和从各荧光体部5之间露出的粘接剂层4的表面(上表面)上剥离。此后，如图3 (c)所示，通过加热使粘接剂层4固化。加热温度例如为100 150°C。由此，荧光体层3介由粘接剂层4粘接于壳体15和密封层12的上表面。此外，粘接剂层4由于上述固化而主要在厚度方向上收缩。固化后的粘接剂层4 的厚度(从荧光体层3的下表面到壳体15和密封层12的上表面的高度)T2例如为1 1000 μ m, iftit为 15 ~ 80 μ m。此后，如图3(d)所示，将透镜17设置在各荧光体部5之上。透镜17成大致半球状(大致圆顶状)，其以被覆用于密封各发光二极管11的密封层12的上方的方式介由公知的粘接剂层(未图示)来设置。透镜17例如由有机硅树脂等透明树脂形成。而且，利用上述荧光体层转印片1，可以通过将荧光体层3转印到基板10上的简易方法来介由粘接剂层4将荧光体层3简便地粘接在基板10上。因此，能够用简便的方法以优异的制造成本得到发光装置18。图4示出用于制造荧光体层转印片的另一工序图。其中，在图4中，对与上述各部对应的部件标以同样的附图标记，并省略其详细说明。上述图2的荧光体层转印片1的制造方法在剥离基材2上依次层叠荧光体层3和粘接剂层4，而例如也可以如图4所示，在两个剥离基材上分别形成荧光体层3和粘接剂层 4，然后将荧光体层3与粘接剂层4贴合。在该方法中，首先，如图4(a)所示，准备第一剥离基材19。第一剥离基材19与上述剥离基材2相同。
接着，如图4 (b)所示，将荧光体组合物8涂布在第一剥离基材19上，接着，根据需要，在通过加热来除去溶剂之后，如图4(c)所示地形成荧光体层3。如图4(d)所示，另行准备第二剥离基材20。第二剥离基材20与上述剥离基材2 相同。接着，如图4 (e)所示，将粘接剂组合物9涂布在第二剥离基材20上，接着，根据需要，在通过加热来除去溶剂之后，如图4(f)所示地在第二剥离基材20上形成粘接剂层4。粘接剂层4可以形成在除了周缘部以外的第二剥离基材20的整个上表面上。此后，如图4(g)所示，将荧光体层3与粘接剂层4贴合。由此，形成具有荧光体层3、和形成在荧光体层3的表面(上表面)上的第一剥离基材19、和粘接剂层4、和形成在粘接剂层4的背面(下表面)上的第二剥离基材20的荧光体层转印片1。此后，在荧光体层转印片1中，将第二剥离基材20从粘接剂层4的背面(下表面) 上剥离，然后使用该荧光体层转印片1将荧光体层3转印到基板10上。此外，上述的说明中，荧光体层3具有多个荧光体部5，而虽未图示，例如也可以仅具有1个荧光体部5。优选的是，荧光体层3具有相互隔着间隔地排列配置的多个荧光体部5。根据这种配置，可以用彼此相互独立的荧光体部5被覆被壳体15分隔开的各个区域。而且，与以连续被覆上述各区域的方式形成的情况相比，各荧光体部5个别地形成在所需部位，因此与连续形成的荧光体层3中的荧光体的浓度相比，可以使各荧光体部5 的荧光体的浓度均勻，并且可以使厚度均勻。因此，可以实现均勻的发光。结果，可以不再需要发光装置18的发光试验，可以降低制造成本。进而，由于粘接剂层4与隔着间隔配置的各荧光体部5之间的剥离基材2的上表面接触，因此如果使用荧光体层转印片1来转印荧光体层3，则各荧光体部5之间的粘接剂层4会粘接在将发光二极管11分隔开的壳体15的上表面。因此，可以提高荧光体层转印片1与基板10的粘接性。结果，可以可靠地通过荧光体层3来被覆发光二极管11，提高白色光的输出效率。另外，在上述说明中，在基板10上设置密封层12，而虽未图示，例如也可以不设置密封层12，使容纳发光二极管11的区域为中空状。另外，在上述说明中，在发光装置18中设置透镜17，而虽未图示，例如也可以不设置透镜17地来构成发光装置18。另外，在上述说明中，经由引线16将发光二极管11与导体图案14电连接(引线接合)，而虽未图示，例如也可以在发光二极管11的下表面形成端子，不使用引线16，而是通过焊接等来将该端子与导体图案14的端子电连接(倒装焊接，flip chip bonding) 0实施例以下给出实施例来进一步具体说明本发明，但本发明并不受实施例的任何限定。实施例1荧光体层转印片的制作
准备由聚对苯二甲酸乙二醇酯形成的、厚度50 μ m的剥离基材(参照图2(a))。另外，配合沈质量份由Y3Al5O12 = Ce形成的荧光体颗粒(球形，平均粒径8 μ m) 和74质量份有机硅树脂(加成反应型有机硅树脂，运动粘度(25 °C )20mm2/S，WACKER ASAHIKASEI SILICONE CO.，LTD.制造)，搅拌均勻，由此制备荧光体组合物。接着，通过印刷法将所制备的荧光体组合物涂布在剥离基材上(参照图2(b))。在印刷法中，首先，将上述图案的丝网载置在剥离基材上，接着，通过刮板借助于丝网来印刷荧光体组合物。此后，从剥离基材上取下丝网，在100°c下干燥，从而形成具有排列配置的多个荧光体部的、厚度75 μ m的荧光体层(参照图2(c))。另行配合50质量份环氧树脂(双酚A型环氧树脂，环氧当量600g/eqiv.，粘度 (250C ) 2000mPa · s,东都化成公司制造)和30质量份固化剂(酸酐化合物，新日本理化公司制造)，搅拌均勻，由此制备环氧粘接剂组合物。接着，将框部件载置在剥离基材的周缘部，接着，通过刮板来印刷所制备的环氧粘接剂组合物(参照图2(d))。此后，从剥离基材上取下框部件，在100°C下干燥，从而形成厚度(Tl) 67 μ m的粘接剂层(参照图2(e))。由此制作荧光体层转印片(参照图1)。发光装置的制造准备具有基底基板、导体图案和壳体的基板以及蓝色发光二极管(参照图3(a))。 此外，借助于引线对蓝色发光二极管和导体图案进行引线接合，然后通过密封层进行密封。接着，使用上述制造的荧光体层转印片来将荧光体层转印到基板上(参照图 3(b))。S卩，使荧光体层转印片的粘接剂层的表面与基板的壳体的上表面及密封层的上表面抵接，从而以被覆蓝色发光二极管的方式介由粘接剂层将荧光体层贴合在壳体和密封层的上表面。接着，将剥离基材剥离(参照图3(b)的虚拟线)。此后，通过150°C的加热来使粘接剂层固化(参照图3(c))。固化后的粘接剂层的厚度(T2)为40 μ m。之后，介由粘接剂层(有机硅系)来设置圆顶状的透镜。由此制造发光装置。ML折射率的测定测定荧光体层转印片中的荧光体层的折射率(nl)和粘接剂层的折射率(π2)，结果分别为1. 41和1. 58。折射率根据JIS Κ7142的记载来测定。表 权利要求
1.一种荧光体层转印片，其特征在于，其具有剥离基材、和形成在所述剥离基材上的荧光体层、和形成在所述荧光体层上的粘接剂层。
2.根据权利要求1所述的荧光体层转印片，其特征在于，所述荧光体层具有相互隔着间隔地排列配置的多个荧光体部，所述粘接剂层与各所述荧光体部之间的所述剥离基材的上表面接触。
3.根据权利要求1所述的荧光体层转印片，其特征在于，所述粘接剂层的折射率高于所述荧光体层的折射率。
4.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置具有基板、和设置在所述基板上的发光二极管、和以被覆所述发光二极管的方式设置在所述基板上的荧光体层，所述荧光体层通过使用具有剥离基材、和形成在所述剥离基材上的荧光体层、和形成在所述荧光体层上的粘接剂层的荧光体层转印片而被转印在所述基板上，从而介由所述粘接剂层与所述基板粘接。
全文摘要
本发明提供荧光体层转印片及发光装置。具体提供一种荧光体层转印片，其具有剥离基材、和形成在剥离基材上的荧光体层、和形成在荧光体层上的粘接剂层。
文档编号H01L33/00GK102315339SQ201110184478
公开日2012年1月11日 申请日期2011年6月29日 优先权日2010年6月29日
发明者伊藤久贵, 佐藤慧, 大薮恭也 申请人:日东电工株式会社