专利名称：形成光阻层的方法
技术领域：
本发明涉及一种形成光阻层的方法，尤其涉及一种在氮氧化硅(SION)层的表面形成光阻层的方法。
背景技术：
在现有的半导体器件制备过程中，在刻蚀金属层的步骤中，通常在金属层的表面先形成氮氧化硅层，接着在氮氧化硅层的表面形成光阻层，然后将所述光阻层图案化，利用光阻图案刻蚀所述金属层。所述氮氧化硅层用于保护所述金属层，从而避免需要保留的金属层区域被刻蚀掉。然而，在氮氧化硅层的表面形成光阻层的过程中，由于所述氮氧化硅层与所述光阻层的表面特性失配(property mismatching)，导致所述光阻层容易形成空洞缺陷(Void defeat)，如图1，由所述有空洞缺陷的光阻层形成的光阻图案也容易产生缺陷，图2所示。 由于所述光阻层和光阻图案上空洞的存在，所述金属层被刻蚀后，与所述空洞对应位置处的金属层容易产生变形(deformation)，如图3所示，从而导致半导体器件的稳定性下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够避免光阻层空洞缺陷的形成光阻层的方法。一种形成光阻层的方法，包括如下步骤形成导电层；在所述导电层的表面形成氮氧化硅层；利用有机溶剂清洗所述氮氧化硅层的表面；在所述氮氧化硅层的表面形成光阻图案。作为较佳技术方案，所述导电层为钛/氮化钛/铝/钛/氮化钛的复合层，所述钛 /氮化钛/铝/钛/氮化钛的复合层中铝的厚度为2000埃，所述氮氧化硅层的厚度为320埃。作为较佳技术方案，所述有机溶剂为EKC有机溶剂。作为可选技术方案，形成所述光阻图案后，对所述光阻图案进行显影后检查；接着以所述光阻图案为掩膜，干法刻蚀所述导电层；然后，采用EKC有机溶剂清洗所述光阻图案和导电层；对刻蚀后的所述导电层进行刻蚀后检查。与现有技术相比，本发明的形成光阻层的方法，在氮氧化硅层的表面形成光阻图案前，先采用EKC有机溶剂清洗所述氮氧化硅层，从而改变氮氧化硅层的表面特性，提高氮氧化硅层与光阻图案的表面匹配性，避免光阻图案空洞缺陷的产生。
图1是采用现有技术的方法形成的光阻层的空洞缺陷的示意图。图2是采用图1所述的光阻层形成的光阻图案的示意图。图3是采用图2所示的光阻图案刻蚀金属层后的示意图。图4为本发明的形成光阻层的方法的流程图。
图5为采用本发明的方法形成的光阻图案的示意图。图6为采用图5所示的光阻图案刻蚀导电层后的示意图。
具体实施例方式本发明的形成光阻层的方法，在氮氧化硅层的表面形成光阻图案前，先采用EKC 有机溶剂清洗所述氮氧化硅层，从而改变氮氧化硅层的表面特性，提高氮氧化硅层与光阻图案的表面匹配性，避免光阻图案空洞缺陷的产生。为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明作进一步的详细描述。图4为本发明的形成光阻层的方法的流程图。本发明的形成光阻层的方法包括如下步骤形成导电层，优选的，所述导电层可以钛(Tl)/氮化钛(TIN)/铝(AL)/钛/氮化钛的复合层。所述复合层中铝的厚度可以为2000埃。在所述导电层的表面形成氮氧化硅层。优选的，所述氮氧化硅层的厚度为320埃。 所述氮氮氧化硅层用于保护所述导电层，从而避免需要保留的导电层区域被刻蚀掉。利用有机溶剂清洗所述氮氧化硅层的表面。优选的，采用EKC有机溶剂清洗。所述氮氧化硅层的表面经所述有机溶剂清洗后，表面特性发生改变，从而提高与光阻层的表面匹配性。在所述氮氧化硅层的表面形成光阻层，然后将所述光阻层图案化。将所述光阻层图案化的步骤可以采用现有技术的方法，在此不再赘述。形成所述光阻图案后，对所述光阻图案进行显影后检查(After-Develop Inspection, ADI)。以所述光阻图案为掩膜，干法刻蚀所述导电层。采用EKC有机溶剂清洗(solvent clean)所述光阻图案和所述导电层。对所述导电层进行刻蚀后检查(After-Etch Inspection，ΑΕΙ)。与现有技术相比，本发明的形成光阻层的方法，在氮氧化硅层的表面形成光阻图案前，先采用EKC有机溶剂清洗所述氮氧化硅层，从而改变氮氧化硅层的表面特性，提高氮氧化硅层与光阻图案的表面匹配性，避免光阻图案空洞缺陷的产生，如5、图6所示，其中， 图5为采用本发明的方法形成的光阻图案的示意图，图6为采用图5所示的光阻图案刻蚀金属层后的示意图。在不偏离本发明的精神和范围的情况下还可以构成许多有很大差别的实施例。应当理解，除了如所附的权利要求所限定的，本发明不限于在说明书中所述的具体实施例。
权利要求
1.一种形成光阻层的方法，其特征在于，包括如下步骤 形成导电层；在所述导电层的表面形成氮氧化硅层； 利用有机溶剂清洗所述氮氧化硅层的表面； 在所述氮氧化硅层的表面形成光阻图案。
2.根据权利要求1所述的形成光阻层的方法，其特征在于，所述导电层为钛/氮化钛/ 铝/钛/氮化钛的复合层。
3.根据权利要求2所述的形成光阻层的方法，其特征在于，所述钛/氮化钛/铝/钛/ 氮化钛的复合层中铝的厚度为2000埃。
4.根据权利要求1所述的形成光阻层的方法，其特征在于，所述氮氧化硅层的厚度为 320 埃。
5.根据权利要求1所述的形成光阻层的方法，其特征在于，所述有机溶剂为EKC有机溶剂。
6.根据权利要求1所述的形成光阻层的方法，其特征在于，形成所述光阻图案后，对所述光阻图案进行显影后检查。
7.根据权利要求6所述的形成光阻层的方法，其特征在于，显影检查后，以所述光阻图案为掩膜，干法刻蚀所述导电层。
8.根据权利要求7所述的形成光阻层的方法，其特征在于，刻蚀所述导电层后，采用 EKC有机溶剂清洗所述光阻图案和导电层。
9.根据权利要求9所述的形成光阻层的方法，其特征在于，对刻蚀后的所述导电层进行刻蚀后检查。
全文摘要
本发明涉及一种形成光阻层的方法，包括如下步骤形成导电层；在所述导电层的表面形成氮氧化硅层；利用有机溶剂清洗所述氮氧化硅层的表面；在所述氮氧化硅层的表面形成光阻图案。本发明的方法能够提高氧化硅层与光阻图案的表面匹配性，避免光阻图案空洞缺陷的产生。
文档编号H01L21/321GK102324388SQ20111025735
公开日2012年1月18日 申请日期2011年9月1日 优先权日2011年9月1日
发明者胡学清 申请人:上海宏力半导体制造有限公司