专利名称：多工艺机台的工序控制方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及多工艺机台的工序控制方法。
背景技术：
集成电路制造工艺多数通过机台完成，机台可以进行一种工艺或多种工艺，本申请书称能够进行多种工艺的机台为多工艺机台，衡量机台生产速率的一个指标是WPH，即每小时能够处理的晶圆数量。对于多工艺机台，如何控制工艺，以尽可能提高机台生产速率是业内重点关心的问题。图1是现有一种多工艺机台的结构示意图，下述字母M表示搬运晶圆，P表示对晶圆进行工艺处理，该机台依照下述步骤处理每个晶圆 TMlend ；
步骤al (Ml)将晶圆从晶圆盒装入CH-F，起始时间TMlstart，结束时间为步骤a2(Pl)在CH-F中对晶圆进行工艺处理，起始时间为TPlstart，结束时间为步骤a3(M2)将晶圆从CH-F中搬运至CH-C，起始时间为TMktart，结束时间为步骤a4(P2)在CH-C中对晶圆进行工艺处理，起始时间为TP2start，结束时间为步骤a5 (M3)将晶圆从CH-C中搬运至CH-A，起始时间为TM3start，结束时间为步骤a6 (M4)将晶圆从CH-A中搬运至CH-1，起始时间为TM4start，结束时间为步骤a7(P3)在CH-I中对晶圆进行工艺处理，起始时间为TP3start，结束时间为步骤a8(M5)将晶圆从CH-I中搬运至CH-3，起始时间为TMktart，结束时间为步骤a9(P4)在CH-3中对晶圆进行工艺处理，起始时间为TP如tart，结束时间为步骤alO(M6)将晶圆从CH-3中搬运至CH-B，起始时间为TM6start，结束时间为步骤all (P5)在CH-B中对晶圆进行工艺处理，起始时间为TP5start，结束时间为
发明内容
本发明提供多工艺机台的工序控制方法，以便提高机台WPH。本发明技术方案的核心思路在于选择多工艺机台的瓶颈工艺，增加与该瓶颈工艺共享搬运设备的非瓶颈工艺的等待时间，然后在该非瓶颈工艺的等待时间内，将需要瓶颈工艺处理的晶圆搬运至瓶颈工艺，以便通过加快瓶颈工艺的晶圆处理速率，来提高多工艺机台的WPH。多工艺机台中各工艺均有等待时间(stay time)，即前一个晶圆通过该工艺处理完毕后，但晶圆还未从该工艺处开始搬运出的时间，空闲时间最小的工艺段成为多工艺机台的瓶颈工艺。较佳的，该非瓶颈工艺增加的等待时间满足下述两个条件该增加的等待时间小于向瓶颈工艺搬运晶圆的时刻与该非瓶颈工艺处理完毕时刻的时间差，且大于瓶颈工艺的晶圆搬出完成时刻与该非瓶颈工艺处理完毕时刻的时间差。较佳的，所述增加的等待时间进一步满足该增加的等待时间大于瓶颈工艺前一工艺处理完毕时刻与该非瓶颈工艺处理完毕时刻的时间差。上述技术方案通过增加与该瓶颈工艺共享搬运设备的非瓶颈工艺的等待时间，然后在该非瓶颈工艺的等待时间内，将需要瓶颈工艺处理的晶圆搬运至瓶颈工艺，提高了单位时间的瓶颈工艺晶圆处理数量，从而提高了多工艺机台的WPH。
图1为一种多工艺机台的结构及工艺流程示意图。图2为本发明实施例中多工艺机台工序控制方法流程示意图。
具体实施例方式本发明实施例提供的多工艺机台工序控制方法主要流程如下步骤1，选择多工艺机台的瓶颈工艺；步骤2，增加与该瓶颈工艺共享搬运设备的非瓶颈工艺的等待时间，较佳的，增加的等待时间满足条件1)及条件2)条件1)该增加的等待时间小于向瓶颈工艺搬运晶圆的时刻与该非瓶颈工艺处理完毕时刻的时间差，且大于瓶颈工艺的晶圆搬出完成时刻与该非瓶颈工艺处理完毕时刻的时间差。条件2、该增加的等待时间大于瓶颈工艺前一工艺处理完毕时刻与该非瓶颈工艺处理完毕时刻的时间差。步骤3，在该非瓶颈工艺的等待时间内，将需要瓶颈工艺处理的晶圆搬运至瓶颈工艺。下面给出上述流程的一个具体实施方法，仍以图1所示多工艺机台为例。首先计算该多工艺机台的各工艺晶圆的等待时间，选择出瓶颈工艺CH-C，然后增加与CH-C共享搬运设备的非瓶颈工艺CH-B的等待时间TXCHB，增加的等待时间TXCHB满足条件1)及条件2)条件1) (TM3end-TP5end) < TXCHB <= (TM2start_TP5end)
条件2) (TPlend-TP5end) < TXCHB。具体工序流程如下步骤b 1 (Ml)将晶圆从晶圆盒装入CH-F，起始时间TMlstart，结束时间为 TMlend ；步骤M(Pl)在CH F中对晶圆进行工艺处理，起始时间为TPlstart，结束时间为 TPlend ；步骤b3(M2)将晶圆从CH-F中搬运至CH-C，起始时间为TMktart，结束时间为 TM2end ；步骤b4(P2)在CH-C中对晶圆进行工艺处理，起始时间为TP2start，结束时间为 TP2end ；步骤l35(M3)将晶圆从CH-C中搬运至CH-A，起始时间为TM3start，结束时间为 TM3end ；步骤M (M4)将晶圆从CH-A中搬运至CH_1，起始时间为TM4start，结束时间为 TM4end ；步骤b7(P3)在CH-I中对晶圆进行工艺处理，起始时间为TP3start，结束时间为 TP3end ；步骤b8(M5)将晶圆从CH-I中搬运至CH_3，起始时间为TMktart，结束时间为 TM5end ；步骤b9(P4)在CH-3中对晶圆进行工艺处理，起始时间为TP如tart，结束时间为 TP4end ；步骤blO(M6)将晶圆从CH-3中搬运至CH-B，起始时间为TM6start，结束时间为 TM6end ；步骤bll (P5)在CH-B中对晶圆进行工艺处理，起始时间为TP5start，结束时间为 TbP5end，其中 TbP5end = TP5end+TXCHB ；步骤bl2 (M7)将CH-F最新处理完毕的晶圆搬运至CH-C中，起始时间为 TM7start,结束时间为 TM7end ；步骤bl3(M8)将晶圆从CH-B中搬运至LL，机台对该晶圆的处理完成，起始时间为 TM8start,结束时间为 TM8end ；显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
权利要求
1.一种多工艺机台工序控制方法，其特征在于，包括步骤 选择多工艺机台的瓶颈工艺；增加与该瓶颈工艺共享搬运设备的非瓶颈工艺的等待时间；在所述非瓶颈工艺的等待时间内，将需要瓶颈工艺处理的晶圆搬运至瓶颈工艺。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述增加的等待时间满足条件该增加的等待时间小于向瓶颈工艺搬运晶圆的时刻与所述非瓶颈工艺处理完毕时刻的时间差，且大于瓶颈工艺的晶圆搬出完成时刻与所述非瓶颈工艺处理完毕时刻的时间差。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，该增加的等待时间大于瓶颈工艺前一工艺处理完毕时刻与所述非瓶颈工艺处理完毕时刻的时间差。
全文摘要
本发明提供多工艺机台的工序控制方法，以便提高机台WPH，该工序控制方法包括步骤选择多工艺机台的瓶颈工艺，增加与该瓶颈工艺共享搬运设备的非瓶颈工艺的等待时间，然后在所述非瓶颈工艺的等待时间内，将需要瓶颈工艺处理的晶圆搬运至瓶颈工艺，以便通过加快瓶颈工艺的晶圆处理速率，来提高多工艺机台的WPH。
文档编号H01L21/67GK102354674SQ20111034199
公开日2012年2月15日 申请日期2011年11月2日 优先权日2011年11月2日
发明者赵波 申请人:上海宏力半导体制造有限公司