全局对准标记以及全局对准方法

文档序号:7163725阅读:603来源:国知局
专利名称:全局对准标记以及全局对准方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域,更具体地说,本发明涉及一种全局对准标记以及全局对准方法。
背景技术
全局对准标记(GlcAal alignment mark)主要用于Nikon曝光机台的粗对准,帮助定位精对准所需标记的位置。图1示意性地示出了根据现有技术的全局对准标记。全局对准标记通常需要三根信号源,这些信号皆由设计的三根图形(对准标记) 产生。因此,如图1所示,在现有技术中,在密封圈中布置了三个线形对准标记1、2、3。密封圈主要位于电路版图外圈,是一种挖下去的沟槽,用于阻挡水汽进入电气电路,从而保护器件。图1中的标号A和B示出了密封圈的两个侧壁,例如称为第一侧壁A和第二侧壁B。并且,图2示意性地示出了根据现有技术的全局对准标记的局部放大图。如图2所示,密封圈的第一侧壁A和第二侧壁B之间布置了三个相互平行的线形对准标记1、2、3。其中,对准标记1与第一侧壁A之间的距离为a,对准标记1与对准标记2之间的距离为b,对准标记2与对准标记3之间的距离为b,对准标记4与第一侧壁B之间的距离为d。例如, a = 5um, b = 19um, c = 13um, d = 5um。因此,图1所示的根据现有技术的全局对准标记所占用的横向尺寸至少为 a+b+c+d,并且更具体地说,根据现有技术的全局对准标记所占用的横向尺寸一般不小于 50um。该横向尺寸较大,会占用较大的切割道面积,从而减少了晶圆中实际可获得的有效芯
片数量。

发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷,提供一种能够减少切割道尺寸的全局对准标记以及全局对准方法。根据本发明的第一方面,提供了一种全局对准标记,其包括布置在密封圈的第一侧壁和第二侧壁之间的单个对准标记,其中所述第一侧壁和所述第二侧壁用作对准标记, 并且所述第一侧壁、所述单个对准标记和所述第二侧壁被用作全局对准标记所需的三根信号源。根据本发明的第二方面,提供了一种全局对准方法,其包括在密封圈的第一侧壁和第二侧壁之间布置单个对准标记,并且将所述第一侧壁和所述第二侧壁用作对准标记, 并且将所述第一侧壁、所述单个对准标记和所述第二侧壁用作全局对准标记所需的三根信号源。根据本发明,利用第一侧壁和第二侧壁代替现有技术的两根信号源(对准标记) 来用作全局对准标记通常所需的三根信号源中的两根,从而可以减小全局对准标记所占用的横向尺寸,能够减少切割道尺寸。并且,根据本发明的全局对准标记能减少错误的信号, 这是因为通常密封圈或电路外围也会产生信号,从而会导致正常的3根信号源变为5根信号源。将原有的第一信号源、第三信号源用密封圈代替则确保了只有3根信号源,从而避免误识别。


结合附图,并通过参考下面的详细描述,将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征,其中图1示意性地示出了根据现有技术的全局对准标记。图2示意性地示出了根据现有技术的全局对准标记的局部放大图。图3示意性地示出了根据本发明实施例的全局对准标记。图4示意性地示出了根据本发明实施例的全局对准标记的局部放大图。图5示意性地示出了根据本发明实施例的全局对准标记的信号仿真图。需要说明的是,附图用于说明本发明,而非限制本发明。注意,表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且,附图中,相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施例方式为了使本发明的内容更加清楚和易懂,下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。图3示意性地示出了根据本发明实施例的全局对准标记。如图3所示,根据本发明实施例的全局对准标记仅仅在密封圈的第一侧壁A和第二侧壁B之间布置单个对准标记 4。在本实施例中,第一侧壁A和第二侧壁B也用作对准标记,第一侧壁A和第二侧壁B用作全局对准标记通常所需的三根信号源中的两根,即第一侧壁A、单个对准标记4和第二侧壁B被用作全局对准标记所需的三根信号源。图4示意性地示出了根据本发明实施例的全局对准标记的局部放大图。如图 4所示,在本发明实施例的全局对准标记中,原来全局对准标记所占用的总的横向尺寸 "a+b+c+d"变为仅仅只有“b+c”。这样,对于“a = 5um, b = 19um, c = 13um, d = 5um”的具体示例,原来全局对准标记所占用的总的横向尺寸“a+b+c+d = 42um”变为仅仅只有“b+c = 32um”,大大减小了全局对准标记所占用的总的横向尺寸。利用第一侧壁A和第二侧壁B代替图1和图2所示的左右两根信号源(对准标记 1、3)来用作全局对准标记通常所需的三根信号源中的两根,从而可以减小全局对准标记所占用的横向尺寸,能够减少切割道尺寸。并且,根据本发明实施例的全局对准标记能减少错误的信号,这是因为通常密封圈或电路外围也会产生信号,从而会导致正常的3根信号源变为5根信号源。将原有的第一信号、第三信号用密封圈代替则确保了只有3根信号源,从而避免误识别。图5示意性地示出了根据本发明实施例的全局对准标记的信号仿真图。从图5可以看出,图中的三个信号很清晰。可以理解的是,虽然本发明已以较佳实施例披露如上,然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言,在不脱离本发明技术方案范围情况下, 都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
权利要求
1.一种全局对准标记,其特征在于包括布置在密封圈的第一侧壁和第二侧壁之间的单个对准标记,其中所述第一侧壁和所述第二侧壁用作对准标记,并且所述第一侧壁、所述单个对准标记和所述第二侧壁被用作全局对准标记所需的三根信号源。
2.一种全局对准方法,其特征在于包括在密封圈的第一侧壁和第二侧壁之间布置单个对准标记,并且将所述第一侧壁和所述第二侧壁用作对准标记,并且将所述第一侧壁、所述单个对准标记和所述第二侧壁用作全局对准标记所需的三根信号源。
全文摘要
本发明提供了一种全局对准标记以及全局对准方法。根据本发明的全局对准标记包括布置在密封圈的第一侧壁和第二侧壁之间的单个对准标记,其中所述第一侧壁和所述第二侧壁用作对准标记,并且所述第一侧壁、所述单个对准标记和所述第二侧壁被用作全局对准标记所需的三根信号源。根据本发明,利用第一侧壁和第二侧壁代替现有技术的两根信号源来用作全局对准标记通常所需的三根信号源中的两根,从而可以减小全局对准标记所占用的横向尺寸,能够减少切割道尺寸。并且,根据本发明,将原有的第一信号源、第三信号源用密封圈代替则确保了只有3根信号源,从而避免误识别。
文档编号H01L23/544GK102566339SQ20111034206
公开日2012年7月11日 申请日期2011年11月2日 优先权日2011年11月2日
发明者孔蔚然, 孙贤波 申请人:上海宏力半导体制造有限公司
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