专利名称：Cigs太阳能光电池的制作方法
技术领域：
本实用新型属于光电子器件领域，涉及到一种新的铜(Cu)铟(In)镓(Ga)硒(Se) (简称CIGS)薄膜太阳能电池。
背景技术：
随着能源危机的日趋严重，可再生能源越来越受到人们的重视。而其中，太阳光能以其取之不尽，清洁无污染成为最具潜力的技术。硅基太阳能技术是目前最为成熟的，也是市场占有率最高的，但是受制于高耗能、高污染的制备过程，使其并不能成为最理想的太阳能技术。近年来，薄膜太阳能技术开始兴起，具有重量轻、成本低、易安装等优点。CIGS则是薄膜太阳能技术中效率最高的)，其制备过程采用三阶段式的溅射/硒化方法， 主要是为了创造V型能带结构和η型表面结构从而提高器件的整体效率。V型能级结构比一般的渐进式能级结构在长波区有更高的外量子效率，从而可提高器件的短路电流，而且还有更高的开路电压。而η型表面结构更有利于光生激子的解离以及输出，因此三阶段式的制备方法极大提高了 CIGS器件的性能。不过由于CIGS是多元化合物，如利用真空沉积技术，不管是溅射/硒化，还是共蒸发，都有过程复杂，难规模化的问题。最近NAN0S0LAR和 IBM的研究组分别开发了利用溶液法来制备CIGS活性膜的技术。这类技术不需要真空蒸镀设备，大大减低制作成本，而且容易规模化。这里，我们结合了溶液法的简单快捷和三阶段式的优化结构，利用三阶段式的旋涂来制备CIGS薄膜，为大规模的制备高转换效率，低成本的CIGS太阳能光电池提供了可能。
实用新型内容针对上述现有技术的不足，本实用新型要解决的技术问题是新型结构的CIGS薄膜太阳能电池以及这种薄膜太阳能电池的制备方法。为解决上述技术问题，本实用新型采用如下技术方案一种CIGS太阳能光电池，其包括导电衬底；CIGS活性层，该CIGS活性层制备在所述导电衬底上，主要作为吸光层，η型半导体层，该η半导体层制作在所述CIGS活性层上， 并与之形成ρη结，可有效增大光生激子的解离和输出；窗口层，该窗口层制作在所述η型半导体层用来保护所述N型半导体层；透明电极层，该透明电极层制作在所述窗口层上；采集电极，该采集电极制作在所述透明电极层上，具有采集光生光流的作用。优选的，所述导电衬底为金属导电薄膜，其选用钼、铝、钛、铜或不锈钢，厚度为 200-2000 纳米。优选的，所述CIGS活性层的厚度在0. 5-10微米之间。优选的，所述η型半导体层厚度在20-200nm之间，为硫化镉、硫化锌、硒化镉、硒化锌、碲化镉、碲化锌、或其他II-VI组三元化合物。优选的，所述窗口层材料选用氧化锌或掺杂氧化锌薄膜，掺杂元素为铝、镓或镉， 厚度为20-200纳米。[0010]优选的，所述透明电极层为氧化铟锡薄膜或掺铝、镓、镉的氧化锌薄膜。优选的，所述采集电极选用镍、铝、金、银、铜、钛、铬中的一种或多种。上述技术方案具有如下有益效果该CIGS太阳能光电池的CIGS活性层采用三阶段式的溶液法不仅具有溶液制备法的便宜快捷的优点，而且可优化CIGS活性层的组分比， 极大的提高光电转换效率。上述说明仅是本实用新型技术方案的概述，为了能够更清楚了解本实用新型的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。本实用新型的具体实施方式
由以下实施例及其附图详细给出。
图1为本实用新型实施例的结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的优选实施例进行详细介绍。如图1所示，为CIGS太阳能光电池的结构示意图。该器件包括导电衬底1 ；CIGS 活性层2，该CIGS活性层2是利用三阶段式溶液法制作在导电衬底1上的；η型半导体层3， 该η型半导体层3是利用CBD或者真空沉积法(包括热蒸发，溅射等不同的物理气相沉积和化学气相沉积方法)制作在CIGS活性层2上的；窗口层4 ；透明电极层5 ；和金属采集电极6。所述的导电衬底1为金属导电薄膜，通常为钼电极厚度200-2000纳米但不局限于钼，也包括其他适用金属材料，如铝、钛、铜和不锈钢等。导电衬底1上面是采用溶液法(泛指一切涂料法，如旋涂法，喷涂法，糟模法等)制备的CIGS活性层2。如用旋涂法，通过控制旋涂速度、溶液浓度和不同的旋涂次数便可以改变该CIGS活性层2的厚度，通常情况下该缓冲层的厚度在0. 5-10微米之间。CIGS活性层2上面的η型半导体层3是采用CBD或者真空沉积法制备的，该功能层是为了与CIGS层形成有效的ρη结，从而提高光生激子的分离和输出，该η型半导体层3的厚度通常情况下在20-200纳米之间，该η型半导体层3 — 般为硫化镉(CcK)材料，但不局限于此，也包括其他η型半导体，例如硫化锌、硒化镉、硒化锌、碲化镉、碲化锌，以及其他II-VI组三元化合物。η型半导体层3上面是窗口层4和透明电极层5。窗口层4的材料选用氧化锌或掺杂氧化锌薄膜，掺杂元素为铝、镓或镉，厚度为20-200纳米。透明电极层为氧化铟锡薄膜或掺铝、镓、镉的氧化锌薄膜。最后是金属采集电极6，一般是镍/铝，但不局限于此，还包括其他金属，包括金、银、铜、钛、铬等。下面以旋涂法为例对上述CIGS太阳能光电池的制备方法进行详细介绍。1.制备CIGS先驱体的工艺如下(1)纳米先驱体将12毫升的0LEYLAMIN，1. 5毫摩的氯化铜和1. 0毫摩的氯化铟， 0. 5毫摩的氯化镓放入100毫升容积的三颈反应瓶。在氩气保护下升温到130度，保持30 分钟。然后将反应温度升高到225度，并迅速注入含有1摩尔硫的3毫升0LEYLAMINE。反应30分钟后，冷却到60度并加入10毫升的甲苯。最后加入毫升乙醇，离心分离出来，按所需浓度分散到甲苯中作为CIGS的先驱体。(2)溶液先驱体先制备四种不同的先驱体，然后按照所需要不同的元素组成比混合成最终的溶液先驱体。先驱体A 0. 955克硫化铜，0. 3848克硫和12毫升无水联氨；先驱体B :1. 8661克硒化铟，0. 3158克硒和12毫升无水联氨；先驱体C :0. 4183克镓，0. 9475 克硒和12毫升无水联氨；先驱体D 0. 9475克硒和6毫升无水联氨。2.将钠钙玻璃在清洗剂中反复清洗，然后再经过去离子水，丙酮和异丙醇溶液浸泡并超声各15分钟，最后用氮气吹干并经过紫外臭氧处理15分钟。3.用真空沉积得方法制备钼电极800纳米左右。4.将过滤后的具有一定化学组分比的溶液以800转/分钟的转速旋涂在金属衬底上，低温退火后(150-350度)，再重复同样的旋涂过程，达到所需的厚度后，再改变溶液的化学组分比进行下一阶段的旋涂，其化学组分比分别为=IrvxGaxSeziCuSeArvxGaxSe。一共分三个阶段进行旋涂。第一阶段沉积^hGaje纳米粒子或者前驱体溶液，厚度为0. 1-10 微米，是总^hGaJe厚度的50-99% ；第二阶段沉积Cuk纳米粒子或者前驱体溶液，厚度为0. 1-10微米；第三阶段沉积^hGaJe纳米粒子或者前驱体溶液，厚度为0. 1-5微米，是总hl-xGade厚度的1_50%。在沉积不同的部分之间，利用％纳米粒子或者前驱体溶液进行硒化，衬底温度是室温-600度。完成全部旋涂后，最后再高温Q50-550度)退火30分钟，使前驱体反应结晶，形成具有V型能级结构的连续CIGS膜。5.采用CBD方法制作η型硫化镉层6.然后再用溅射真空沉积法制备氧化锌薄膜和氧化铟锡透明电极。7.最后用热蒸发制备镍/铝采集电极。该CIGS太阳能光电池的CIGS活性层采用三阶段式的溶液法不仅具有溶液制备法的便宜快捷的优点，而且可优化CIGS活性层的组分比，极大的提高光电转换效率。以上对本实用新型实施例所提供的一种自动安装螺丝钉装置进行了详细介绍，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型实施例的思想，在具体实施方式
及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制，凡依本实用新型设计思想所做的任何改变都在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种CIGS太阳能光电池，其特征在于，其包括导电衬底；CIGS活性层，该CIGS活性层制备在所述导电衬底上，主要作为吸光层，η型半导体层， 该η半导体层制作在所述CIGS活性层上，并与之形成ρη结，可有效增大光生激子的解离和输出；窗口层，该窗口层制作在所述η型半导体层用来保护所述N型半导体层；透明电极层， 该透明电极层制作在所述窗口层上；采集电极，该采集电极制作在所述透明电极层上，具有采集光生光流的作用。
2.根据权利要求1所述的CIGS太阳能光电池，其特征在于所述导电衬底为金属导电薄膜，其选用钼、铝、钛、铜或不锈钢，厚度为200-2000纳米。
3.根据权利要求1所述的CIGS太阳能光电池，其特征在于所述CIGS活性层的厚度在0. 5-10微米之间。
4.根据权利要求1所述的CIGS太阳能光电池，其特征在于所述η型半导体层厚度在 20-200nm之间，为硫化镉、硫化锌、硒化镉、硒化锌、碲化镉或碲化锌。
5.根据权利要求1所述的CIGS太阳能光电池，其特征在于所述窗口层材料选用氧化锌厚度为20-200纳米。
6.根据权利要求1所述的CIGS太阳能光电池，其特征在于所述透明电极层为氧化铟锡薄膜。
7.根据权利要求1所述的CIGS太阳能光电池，其特征在于所述采集电极选用镍、铝、 金、银、铜、钛、铬中的一种。
专利摘要本实用新型公开了一种CIGS太阳能光电池，其包括导电衬底；CIGS活性层，n型半导体层，该n半导体层制作在所述CIGS活性层上，并与之形成pn结；窗口层，该窗口层制作在所述n型半导体层用来保护所述N型半导体层；透明电极层，该透明电极层制作在所述窗口层上；采集电极，该采集电极制作在所述透明电极层上。该CIGS太阳能光电池的CIGS活性层采用三阶段式的溶液法不仅具有溶液制备法的便宜快捷的优点，而且可优化CIGS活性层的组分比，极大的提高光电转换效率。
文档编号H01L31/0336GK202025785SQ201120017760
公开日2011年11月2日 申请日期2011年1月20日 优先权日2011年1月20日
发明者刘德昂, 张智恒, 谢承智, 钱磊, 顾龙棣 申请人:苏州瑞晟太阳能科技有限公司