带防反射膜的基材的制造方法及光电池的制作方法
【专利摘要】本发明涉及带防反射膜的基材的制造方法及光电池。本发明提供硬度高且裂纹、擦伤等的发生得到抑制的带防反射膜的基材的制造方法。该带防反射膜的基材由形成于基材上的高折射率层、和形成于该高折射率层上的低折射率层构成，所述制造方法包括下述的工序(a)～(e)：(a)在基材上涂布分散液，该分散液是包含1～1000ppm的碱性氮化合物、且折射率在1.50～2.40的范围内的高折射率金属氧化物粒子的分散液；(b)在低于碱性氮化合物的沸点的温度下除去分散介质；(c)涂布低折射率层形成成分分散液；(d)在除去分散介质后，(e)在120～700℃下进行加热处理。
【专利说明】带防反射膜的基材的制造方法及光电池
【技术领域】
[0001]本发明涉及能够适用于将光能转换为电能后取出的光电池的带防反射膜的基材的制造方法以及具备该基材的光电池(太阳能电池)。更具体涉及防反射性能、光透射率等优异、且表面硬度、耐擦伤性也优异的带防反射膜的基材的制造方法及具备该基材的光电池，该带防反射膜的基材用于提高可见光的利用率、且由形成于基材上的高折射率层和形成于该高折射率层上的低折射率层构成。
【背景技术】
[0002]光电转换材料是连续地将光能转换为电能后取出的材料，是利用电极间的电化学反应来将光能转换为电能的材料。如果将光照射于这样的光电转换材料，则在一方的电极侧产生电子并向对电极迁移，迁移至对电极的电子在电解质中以离子状态迁移并回到一方的电极。由于该光电能量的转换是连续发生的，因此被用于例如太阳能电池等。
[0003]一般的太阳能电池如下构成:首先，在形成有透明性导电膜的玻璃板等支承体上形成光电转换材料用半导体的膜作为电极，再配置另外的形成有透明性导电膜的玻璃板等支承体作为对电极，在这些电极间封入电解质。如果对吸附于光电转换材料用半导体的光敏化材料照射太阳光，则光敏化材料吸收可见光区域的光而被激发。由该激发而产生的电子迁移至半导体，再迁移至透明导电性玻璃电极，通过连接2个电极的导线迁移至对电极，迁移至对电极的电子将电解质中的氧化还原体系还原。另一方面，已使电子迁移至半导体的光敏化材料形成氧化体的状态，但该氧化体被电解质中的氧化还原体系还原，恢复原来的状态。像这样电子连续地流动，光电转换材料起到光电池(太阳能电池)的作用。
[0004]作为该光电转换材料，采用半导体表面吸附有在可见光区域内有吸收的光谱敏化染料(日语:分光増感色素)而得的材料。例如，日本专利特开平1-220380号公报(专利文献I)中记载了在金属氧化物半导体层的表面具有由钌络合物等过渡金属络合物形成的光谱敏化染料层的太阳能电池。此外，日本专利特表平5-504023号公报(专利文献2)中记载了在掺杂有金属离子的氧化钛半导体层的表面具有由钌络合物等过渡金属络合物形成的光谱敏化染料层的太阳能电池。
[0005]这种太阳能电池的情况下，为了提高太阳光的利用率及转换效率，考虑抑制太阳光的反射，因此，在基材上设置了比基材的折射率低的防反射膜。还有，为了提高防反射性能，在基材和防反射膜之间设置高折射率层。
[0006]本申请的 申请人:公开了下述内容:通过使用由氧化钛胶体粒子等和基质前体构成的紫外线遮蔽膜形成用涂布液来形成紫外线遮蔽膜，在其上再使用由内部具有空洞的二氧化硅类无机氧化物粒子和基质前体构成的可见光防反射膜形成用涂布液来形成可见光防反射膜，从而可获得最低反射率、目视反射率(日文:視感反射率)低、耐久性、光电转换效率优异的光电池。(专利文献3:日本专利特开2002-134178号公报)
[0007]现有技术文献
[0008]专利文献[0009]专利文献1:日本专利特开平1-220380号公报
[0010]专利文献2:日本专利特表平5-504023号公报
[0011]专利文献3:日本专利申请特开2002-134178号公报
【发明内容】
[0012]发明所要解决的技术问题
[0013]但是，通过目前的制造方法所得的可见光防反射膜的耐久性(可靠性)低，由于温度、湿度等环境变化、长期使用而引起的劣化有时会在防反射膜中产生裂纹，因膜的膨胀和收缩等而折射率发生变化、防反射性能下降。所以，有时会难以维持高光电转换效率。
[0014]解决技术问题所采用的技术方案
[0015]鉴于上述情况，本发明人为了解决上述问题而进行了认真研究，结果发现通过在基材上涂布含有氧化钛微粒(高折射率的金属氧化物微粒)和碱性氮化合物的分散液，干燥,接着涂布含有二氧化硅前体的低折射率层形成成分分散液,接着进行加热,所得的防反
射膜的硬度显著提高，从而完成了本发明。
[0016][I]带防反射膜的基材的制造方法，该带防反射膜的基材由形成于基材上的高折射率层、和形成于该高折射率层上的低折射率层构成，该制造方法包括下述的工序(a)?
(e):
[0017](a)在基材上涂布分散液，该分散液是包含I?IOOOppm的碱性氮化合物、且折射率在1.50?2.40的范围内的高折射率金属氧化物粒子的分散液；
[0018](b)在低于碱性氮化合物的沸点的温度下除去分散介质；
[0019](C)涂布低折射率层形成成分分散液；
[0020](d)在除去分散介质后，(e)在120?700°C下进行加热处理。
[0021][2]如[I]所述的带防反射膜的基材的制造方法，其中，所述低折射率层形成成分是二氧化硅前体、或者二氧化硅前体和硅溶胶。
[0022][3]如[2]所述的带防反射膜的基材的制造方法，其中，所述二氧化硅前体是选自有机硅化合物的部分水解产物、水解产物、水解缩聚物、聚硅氮烷、聚硅烷、酸性硅酸液的至少I种。
[0023][4]如[I]所述的带防反射膜的基材的制造方法，其中，所述低折射率层形成成分分散液的浓度以固体成分计在0.5?10重量％的范围内。
[0024][5]如[I]所述的带防反射膜的基材的制造方法，其中，所述碱性氮化合物的沸点在40?250°C的范围内。
[0025][6]如[I]所述的带防反射膜的基材的制造方法，其中，所述金属氧化物微粒是由选自Ti02、ZrO2, Al2O3' Zn。、SnO2, Sb2O5' In2O3> Nb2O5的I种以上的金属氧化物、它们的混合物、复合氧化物构成的。
[0026][7]如[6]所述的带防反射膜的基材的制造方法，其中，所述金属氧化物粒子的平均粒径在5?IOOnm的范围内。
[0027][8]如[I]所述的带防反射膜的基材的制造方法，其中，所述含有碱性氮化合物的金属氧化物粒子分散液中的金属氧化物微粒的浓度以固体成分计在0.5?20重量％的范围内。[0028][9]如[I]所述的带防反射膜的基材的制造方法，其中，所述含有碱性氮化合物的金属氧化物粒子分散液还包含基质形成成分，基质形成成分的浓度以固体成分计在0.1~4重量％的范围内。[0029][10]如[I]所述的带防反射膜的基材的制造方法，其中，所述基材在表面具有凹凸，表面粗糙度(RaA)在30nm~I μ m的范围内。
[0030][11]如[I]所述的带防反射膜的基材的制造方法，其中，所述基材是玻璃基材。
[0031][12]带防反射膜的基材，其通过所述制造方法获得，由基材和高折射率层层叠而成。
[0032][13]如[12]所述的带防反射膜的基材，其中，所述高折射率层的平均厚度在50~200nm的范围内。
[0033][14]如[12]所述的带防反射膜的基材，其中，所述低折射率层的平均厚度在30~200nm的范围内。
[0034][15]如[12]所述的带防反射膜的基材，该带防反射膜的基材的铅笔硬度在7H以上。
[0035][16]如[12]所述的带防反射膜的基材，其中，所述高折射率层的表面粗糙度(RaB)在30nm~Ιμπι的范围内。
[0036][17]如[12]所述的带防反射膜的基材，其中，所述低折射率层的表面粗糙度(Rac)在 30nm 以下。
[0037][18]如[12]所述的带防反射膜的基材，其中，所述低折射率层的表面粗糙度(Rac)在30nm~I μ m的范围内。
[0038][19]光电池，其在正面具备上述的带防反射膜的基材。
[0039]发明的效果
[0040]本发明能够提供具备硬度高、且裂纹、擦伤等的发生得到了抑制的带防反射膜的基材的制造方法和带防反射膜的基材以及具备该基材的、可见光的利用率高、由此能够长期稳定地维持高光电转换效率等的光电池(太阳能电池)。
【专利附图】
【附图说明】
[0041]图1表示本发明的光电池的简略剖视图。
[0042]符号的说明
[0043]1......透明电极层
[0044]2……多孔质半导体膜
[0045]3......电极层
[0046]4......电解质
[0047]5......透明基板
[0048]6......基板
【具体实施方式】
[0049][带防反射膜的基材的制造方法]
[0050]本发明的特征是包括下述的工序(a)~(e)。[0051](a)高折射率的金属氧化物粒子分散液的涂布工序
[0052](b)分散液的干燥工序
[0053](c)低折射率层形成成分分散液的涂布工序
[0054](d)溶剂的除去、(e)加热工序
[0055]某材
[0056]作为本发明中使用的基材，可使用目前公知的玻璃、聚碳酸酯、丙烯酸树脂、PET、TAC等塑料片材、塑料膜等、塑料板等，其中玻璃基材由于能获得硬度优异的带防反射膜的基材，因而优选。
[0057]此外，对于上述基材，在用于光电池的情况下，较好是表面具有凹凸，其表面粗糙度(RaA)为30nm?I μ m、更好是在50nm?0.8 μ m的范围。
[0058]如果具有该范围的凹凸，则防眩性高、反射眩光(日文:映>9込办)也得到抑制。还有，在用于光电池的情况下，抑制反射使光透射率提高，由光利用率的提高引起的光电转换效率提高的效果显著。
[0059]作为基材，除了可以使用表面具有所需的凹凸的市售的基板外，也可通过目前公知的方法如对表面平坦的玻璃基板进行喷砂处理，或在表面平坦的玻璃基板上涂布凝胶分散液，使其干燥、固化，或者涂布金属氧化物粒子和凝胶的混合分散液，进行干燥、固化等的方法，形成凹凸后使用。在基材表面也可以形有电极层。
[0060]本发明中，上述表面粗糙度(RaA)和后述的表面粗糙度(RaB)、表面粗糙度(Rac)利用原子力显微镜(AFM)、或激光显微镜来测定。
[0061]表面粗糙度(RaA)在大约IOOnm以下时用AFM测定，在超过IOOnm时用激光显微
镜测定。
[0062]本发明中使用的基材较好是折射率在1.45?1.64的范围内。
[0063]在光学用途方面，难以获得折射率低于上述范围的下限的通用玻璃基材，如果基材的折射率过高，则基材和设在基材上的高折射率层之间的折射率差小，有时会无法充分获得透射率提高的效果。
[0064]在用于光电池的情况下，基板和电极层的可见光透射率以高为宜，具体而言，理想的是在50%以上、特好是在90%以上。电极层的电阻值较好是分别在ΙΟΟΩ/cm2以下。
[0065].工序(a)
[0066]在上述基材上涂布含有高折射率金属氧化物粒子、和I?IOOOppm的碱性氮化合物的分散液。
[0067]作为本发明中使用的金属氧化物粒子，较好是使用折射率在1.50?2.40、更好是在1.55?2.30的范围内的金属氧化物粒子。
[0068]如果金属氧化物粒子的折射率小，则虽然也可以与基材的折射率不同，但与基材的折射率差小，透射率的提高效果有时会不足。金属氧化物粒子的折射率过高时，有时也会发生由金属氧化物粒子引起的散射，透射率的提高效果不足。
[0069]本发明中，基材的折射率与高折射率层的折射率之差较好是大约在0.1?1.0、更好是在0.5?1.0的范围内。
[0070]作为金属氧化物粒子，可例举Ti02、Zr02、A1203、ZnO> SnO2> Sb2O5> ln203、Nb2O5 等金属氧化物粒子、它们的混合物粒子、复合氧化物粒子。[0071]这些金属氧化物粒子能够获得分散性、稳定性优异的金属氧化物粒子的分散液，特别是能够容易获得平均粒径小、透明性优异且适合用于光学用途的粒子。
[0072]金属氧化物粒子的平均粒径较好是在5?lOOnm、更好是在7?50nm的范围内。
[0073]金属氧化物粒子的平均粒径小的粒子容易凝集，有时分散液的稳定性不足，使用这种金属氧化物粒子的分散液而形成的高折射率的层的致密化不足，最终所得的防反射膜的硬度、耐擦伤性不足。如果金属氧化物粒子的平均粒径过大，则倾向于发生米氏散射(日文:S —散乱)、光透射率不足，在用于光电池的情况下，有时光电转换效率的提高效果会不足。
[0074]作为金属氧化物粒子分散液的分散介质，可例举例如甲醇、乙醇、丙醇、2-丙醇(IPA)、丁醇、二丙酮醇、糠醇、四氢糠醇等醇类；乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸异丙酯、乙酸丙酯、乙酸异丁酯、乙酸丁酯、乙酸异戊酯、乙酸戊酯、乙酸-3-甲氧基丁酯、乙酸-2-乙基丁酯、乙酸环己酯、乙二醇单乙酸酯等酯类；乙二醇、己二醇等二醇类；含乙醚、乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、乙二醇异丙醚、二乙二醇单甲醚、二乙二醇单乙醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丙醚等醚类的亲水性溶剂；乙酸丙酯、乙酸异丁酯、乙酸丁酯、乙酸异戊酯、乙酸戊酯、乙酸-3-甲氧基丁酯、乙酸-2-乙基丁酯、乙酸环己酯、乙二醇的乙酸酯等酯类；丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮、丁基甲基酮、环己酮、甲基环己酮、二丙基酮、甲基戊基酮、二异丁基酮等酮类；甲苯等极性溶剂。这些分散介质可以单独使用或2种以上混合使用。
[0075]作为溶剂，可使用比所使用的碱性氮化合物的沸点低、或与所使用的碱性氮化合物的沸点同等程度的溶剂。
[0076]金属氧化物粒子分散液中的金属氧化物粒子的浓度以固体成分计，较好是在0.5?20重量％、更好是在I?10重量％的范围内。金属氧化物粒子的浓度以固体成分计不在上述范围内的情况下，有时会难以形成后述的平均膜厚的高折射率层。
[0077]碱性氮化合物有助于促进涂布在高折射率层上的低折射率层形成成分的致密化和固化。这种碱性氮化合物较好是在干燥时不蒸发的碱性氮化合物，较好是沸点在40?250°C、更好是在80?150°C的范围内的碱性氮化合物。
[0078]具体而言，可例举例如正丙胺(沸点48.(TC)、正丁胺(沸点77.(TC)、异丁胺(沸点67.5°C )、仲丁胺(沸点62.5°C )、叔丁胺(沸点43.6°C )、戊胺(沸点104°C )、2-乙基己基胺(沸点169.20C )、烯丙基胺(沸点53.3°C )、苯胺(沸点184.7°C )、N-甲基苯胺(沸点196.10C )、邻甲苯胺(沸点200.7 V )、间甲苯胺(沸点202°C )、对甲苯胺(沸点200.40C )、环己胺(沸点134.50C )、卩比咯(沸点129°C )、哌啶(沸点105°C )、卩比啶(沸点115.3°C )、α -甲基吡啶(沸点129.4°C )、β -甲基吡啶(沸点144.1°C )、Y -甲基吡啶(沸点145.40C )、喹啉(沸点237.TC )、异喹啉(沸点243.2V )、甲酰胺(沸点210.5°C )、N-甲基甲酰胺(沸点182.5°C )、乙酰胺(沸点221.2V )、N-甲基乙酰胺(沸点206°C )、N-甲基丙酰胺(沸点148°C )、二乙胺(沸点55.5°C )等伯胺；二丙胺(沸点109.40C )、二异丙胺(沸点 83.50C )、二丁胺(沸点 159.6V )、二异丁胺(沸点 138°C )、二戊胺(沸点92°C )、二甲基苯胺(沸点193°C )、二乙基苯胺(沸点217°C )、二环己胺(沸点113.5°C )、2，4_ 二甲基吡啶(沸点157.5°C )、2，6_ 二甲基吡啶(沸点144°C )、乙二胺(沸点117.3°C )、丙二胺(沸点119.3°C )、二亚乙基三胺(沸点207.1°C )、N，N-二甲基甲酰胺(沸点153.(TC )、N，N-二乙基甲酰胺(沸点177.5°0、1^二甲基乙酰胺(沸点166.10C )等仲胺；三乙胺(沸点89.6V )、三丁胺(沸点91.50C )、三戊胺(沸点HC )等叔胺；四甲基氯化铵(沸点110°c )、四乙基氯化铵(沸点110°c )、四丙基氯化铵(沸点IOO0C )、四丁基氯化铵(沸点100°C )等季铵盐。
[0079]其中，
[0080]如果使用这些碱性氮化合物，则在后述的工序(d)中进行干燥时，碱性氮化合物从高折射率层脱离，促进上层所涂布的低折射率层形成用分散液的低折射率层形成成分的致密化，接着，在工序(e)进行加热处理，从而能够形成硬度、耐擦伤性等优异的防反射膜。
[0081]金属氧化物粒子分散液中的碱性氮化合物的浓度较好是在I~lOOOppm、更好是在5~500ppm的范围内。
[0082]如果金属氧化物粒子分散液中的碱性氮化合物少，则该化合物的效果低，上述工序(d)中的低折射率层的致密化不足，最终所得的防反射膜的硬度、耐擦伤性的提高效果有时会无法充分获得。金属氧化物粒子分散液中的碱性氮化合物过多时，也可能因为对金属氧化物粒子分散液中的粒子产生影响而导致分散液不稳定，最终所得的防反射膜的硬度、耐擦伤性有时会不足。
[0083]高折射率层形成用金属氧化物粒子分散液也可以根据需要含有基质形成成分。 [0084]作为基质形成成分，可以使用与后述的低折射率层形成成分相同的物质，具体而言较好是二氧化硅前体。
[0085]含碱性氮化合物的金属氧化物粒子分散液中的基质形成成分的浓度以固体成分计较好是在4重量％以下、更好是在0.3~4重量％的范围内。
[0086]如果含有基质，则能够形成致密的高折射率层，并且与低折射率层及基材的密合性提闻。
[0087]高折射率层形成用金属氧化物粒子分散液的总固体成分浓度较好是在0.6~24重量％、更好是在1.3~14重量％的范围内。高折射率层形成用金属氧化物粒子分散液的总固体成分浓度不在上述范围内的情况下，有时会难以形成后述的规定范围的平均膜厚的高折射率层。
[0088]作为将包含这种碱性氮化合物的金属氧化物粒子分散液涂布于基材的方法，只要能够均匀地涂布于基材上，就无特别限定，可采用目前公知的方法。例如，可例举棒涂法、浸涂法、喷涂法、旋涂法、辊涂法、凹版涂布法、狭缝涂布法等。
[0089].工序(b)
[0090]接着，在低于碱性氮化合物的沸点的温度下除去分散介质，使涂膜干燥。具体而言，在50~120°C、较好是在60~100°C (注意，在溶剂的沸点以上)进行干燥。
[0091]干燥时间随干燥温度而不同，大约20分钟以下、较好是30秒~10分钟。
[0092]用于光电池的情况下，形成于基材上的高折射率层的表面粗糙度(RaB)理想的是在30nm~I μ m、更好是在50nm~0.8 μ m的范围内。高折射率层的表面粗糙度(RaB)低于30nm的情况下，有时会无法获得充分的光透射率的提高效果。
[0093]此外，采用本发明中优选的分散液涂布法时，高折射率层的表面粗糙度(RaB)不会超过I μ m。
[0094]高折射率层的平均厚度较好是在50~200nm、更好是在80~120nm的范围内。[0095]如果高折射率层的平均厚度薄，则反射率不降低，所以无法获得充分的光透射率的提高效果，用于光电池的情况下，有时会无法充分获得由光利用率的提高引起的光电转换效率提高的效果。如果高折射率层的平均厚度厚，则有时会无法获得充分的光透射率，用于光电池的情况下，有时会无法获得充分的光电转换效率提高的效果。
[0096]表面具有凹凸的高折射率层的平均厚度可通过由带高折射率层的基材的重量减去基材的重量，并除以高折射率层的比重来算出。
[0097].工序(C)
[0098]接着，在上述高折射率层上涂布低折射率层形成成分分散液，形成低折射率层。
[0099]作为低折射率层形成成分，只要能够以比上述高折射率层的折射率低的折射率形成强度、耐擦伤性优异的低折射率层就没有特别限定，本发明中优选使用二氧化硅前体、或者二氧化硅前体和硅溶胶。
[0100]此外，作为二氧化硅前体，除有机硅化合物的部分水解产物、水解产物、水解缩聚物外，优选使用作为硅氮烷的聚合物的聚硅氮烷、作为硅烷的聚合物的聚硅烷、酸性硅酸液
坐寸O
[0101]作为有机硅化合物，使用以下述式(I)表示的有机硅化合物。
[0102]Rn-SiX4_n (I) [0103](式中，R是碳数I~10的非取代或取代烃基，彼此可以相同或不同；X是碳数I~
4的烷氧基、羟基、卤素、氣；n是O~3的整数。)
[0104]其中，优选n=0的4官能度有机硅化合物，具体而言，优选使用四甲氧基硅烷、四乙氧基娃焼、四丙氧基娃焼、四丁氧基娃焼等的水解广物、水解缩聚物。
[0105]此外，作为硅氮烷，使用以下述式(2)表示的硅氮烷。
[0106][化I]
[0107]
【权利要求】
1.带防反射膜的基材的制造方法，该带防反射膜的基材由形成于基材上的高折射率层、和形成于该高折射率层上的低折射率层构成，其特征在于，包括下述的工序(a)~(e): (a)在基材上涂布分散液，该分散液是包含I~1000ppm的碱性氮化合物、且折射率在1.50~2.40的范围内的高折射率金属氧化物粒子的分散液； (b)在低于碱性氮化合物的沸点的温度下除去分散介质； (c)涂布低折射率层形成成分分散液； (d)在除去分散介质后，(e)在120~700°C下进行加热处理。
2.如权利要求1所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述低折射率层形成成分是二氧化硅前体、或者二氧化硅前体和硅溶胶。
3.如权利要求2所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述二氧化硅前体是选自有机硅化合物的部分水解产物、水解产物、水解缩聚物、聚硅氮烷、聚硅烷、酸性硅酸液的至少I种。
4.如权利要求1所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述低折射率层形成成分分散液的浓度以固体成分计在0.5~10重量％的范围内。
5.如权利要求1所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述碱性氮化合物的沸点在40~250°C的范围内。
6.如权利要求1所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物微粒是由选自TiO2、ZrO2、Al203、Zn0、SnO2、Sb205、In2O3^Nb2O5的I种以上的金属氧化物、它们的混合物、复合氧化物构成的。
7.如权利要求6所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述金属氧化物粒子的平均粒径在5~IOOnm的范围内。
8.如权利要求1所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述含有碱性氮化合物的金属氧化物粒子分散液中的金属氧化物微粒的浓度以固体成分计在0.5~20重量％的范围内。
9.如权利要求1所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述含有碱性氮化合物的金属氧化物粒子分散液还包含基质形成成分，基质形成成分的浓度以固体成分计在0.1~4重量％的范围内。
10.如权利要求1所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述基材在表面具有凹凸，表面粗糙度(RaA)在30nm~Iym的范围内。
11.如权利要求1所述的带防反射膜的基材的制造方法，其特征在于，所述基材是玻璃基材O
12.带防反射膜的基材，其特征在于，通过权利要求1~11中任一项所述的制造方法而获得，由基材和闻折射率层层置而成。
13.如权利要求12所述的带防反射膜的基材，其特征在于，所述高折射率层的平均厚度在50~200nm的范围内。
14.如权利要求12所述的带防反射膜的基材，其特征在于，所述低折射率层的平均厚度在30~200nm的范围内。
15.如权利要求12所述的带防反射膜的基材，其特征在于，带防反射膜的基材的铅笔硬度在7H以上。
16.如权利要求12所述的带防反射膜的基材，其特征在于，所述高折射率层的表面粗糙度(RaB)在30nm~I μ m的范围内。
17.如权利要求12所述的带防反射膜的基材，其特征在于，所述低折射率层的表面粗糙度(Rac)在30nm以下。
18.如权利要求12所述的带防反射膜的基材，其特征在于，所述低折射率层的表面粗糙度(Rac)在30nm~I μ m的范围内。
19.光电池，其特征在于，在正面具备权利要求12~18中任一项所述的带防反射膜的基材O`
【文档编号】H01L31/0216GK103515457SQ201310256586
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年6月25日 优先权日:2012年6月26日
【发明者】箱嶋夕子, 松田政幸, 村口良 申请人:日挥触媒化成株式会社