处理液供给方法和处理液供给装置的制造方法

文档序号:10658177阅读:346来源:国知局
处理液供给方法和处理液供给装置的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种处理液供给方法,可读取的计算机存储介质和处理液供给装置,其通过从过滤器除去微小气泡,抑制过滤器的性能下降。该处理液供给方法向晶片上供给作为处理液的稀释剂,其包括:利用脱气机构对稀释剂进行脱气处理而生成脱气稀释剂的脱气处理液生成步骤;将脱气稀释剂贮存在泵(P1)的贮存室(210)内的处理液贮存步骤;使经由稀释剂供给管(200)与贮存室的下游侧连接的过滤器(201)的下游侧相对于泵的贮存室内的压力成为负压,从而使贮存室内的脱气稀释剂通过过滤器的过滤器通液步骤;和停止从泵的贮存室向过滤器供给稀释剂后,将过滤器的下游侧为负压的状态维持规定的时间的负压维持步骤。
【专利说明】
处理液供给方法和处理液供给装置
技术领域
[0001 ]本发明涉及向基板上供给处理液的处理液供给方法、可读取的计算机存储介质和处理液供给装置。
【背景技术】
[0002]在例如半导体器件的制造工艺中的光刻步骤中,依次进行下述处理:例如向作为基板的半导体晶片(以下称为“晶片”。)上供给规定的处理液而形成防反射膜、抗蚀剂膜等涂敷膜的涂敷处理、使抗蚀剂膜以规定的图案曝光的曝光处理、使曝光后的抗蚀剂膜显影的显影处理等,在晶片上形成规定的抗蚀剂图案。
[0003]在上述涂敷处理中,在处理液中可能含有微细的异物(颗粒)。此外,在供给处理液的装置的栗、阀、配管等路径中附着有颗粒时,也同样可能在处理液中混入颗粒。因此,在供给处理液的装置的路径中配置过滤器,利用该过滤器进行颗粒的除去(专利文献I)。
[0004]但是,在处理液内可能含有气泡(气体)ο具体地说,在处理液通过过滤器时,过滤器产生阻力,处理液的压力下降。由此,在处理液中产生气泡,该气泡在过滤器内游离。结果气泡混入过滤器而导致过滤器的有效面积变小,过滤器的性能下降。于是,在专利文献I中公开了利用除气管将留在过滤器内的气泡向过滤器外排出的方案。
[0005]现有技术文献
[0006]专利文献
[0007]专利文献I:日本特开平成7-326570号公报

【发明内容】

[0008]发明想要解决的技术问题
[0009]但是,虽然能够利用除气管将过滤器内的比较大的气泡排出到过滤器外,但难以将微小气泡(micro bubble)排出到过滤器外。
[0010]本发明是鉴于该情况而完成的,其目的在于通过将微小气泡从过滤器除去,抑制过滤器的性能下降。
[0011 ]用于解决技术问题的技术方案
[0012]为了达成上述目的,本发明提供一种向基板上供给处理液的方法,其特征在于,包括:利用脱气机构对上述处理液进行脱气处理而生成脱气处理液的脱气处理液生成步骤;将上述脱气处理液贮存于容器内的处理液贮存步骤;使经由处理液供给管与上述容器的下游侧连接的过滤器的下游侧相对于上述容器内的压力成为负压,从而使上述容器内的上述脱气处理液通过上述过滤器的过滤器通液步骤;和在停止从上述容器向上述过滤器供给上述处理液后,将使上述过滤器的下游侧为负压的状态维持规定的时间的负压维持步骤。
[0013]本发明人发现,通过在处理液通过过滤器时,使过滤器内成为负压,能够促进气泡从处理液分离,容易排出气泡。本发明基于此而提出,在过滤器通液步骤中,通过使过滤器下游侧相对于容器内的压力成为负压,使容器内的处理液通过过滤器,因此能够促进过滤器内的气泡的分离和体积的膨胀。而且,使脱气处理液通过过滤器,因此在该脱气处理液中溶解分离和体积膨胀后的气泡而将气泡从过滤器除去。此外,通过将过滤器的下游侧为负压的状态维持规定的时间,能够进一步促进气泡的除去。由此,根据本发明,通过从过滤器除去微小气泡,能够抑制过滤器的性能下降。
[0014]可以反复进行上述过滤器通液步骤和上述负压维持步骤。
[0015]另一方面的处理液供给方法是向基板上供给处理液的方法,其包括:利用脱气机构对上述处理液进行脱气处理而生成脱气处理液的脱气处理液生成步骤;将上述脱气处理液贮存在容器内的处理液贮存步骤;使经由处理液供给管与上述容器的下游侧连接的过滤器的下游侧相对于上述容器内的压力成为负压,从而使上述容器内的上述脱气处理液通过上述过滤器的过滤器通液步骤;和从上述过滤器的上游侧和下游侧进行减压对处理液进行脱气的双向脱气步骤。
[0016]此时,可以反复进行过滤器通液步骤和过滤器通液步骤。
[0017]在上述脱气处理液生成步骤之前,可以还包括将贮存在上述容器内的处理液向上述容器外排出的处理液排出步骤。
[0018]可以在上述过滤器通液步骤中,通过使与上述处理液供给管中的上述过滤器的下游侧连接的容积可变的贮存室的容积增大,使上述过滤器的下游侧成为负压。
[0019]可以为:上述容器具有容积可变的另一贮存室,在上述过滤器通液步骤中,随着上述脱气处理液从上述容器向上述过滤器移动,使上述另一贮存室的容积减少。
[0020]此外,根据另一方面的本发明提供一种可读取的计算机存储介质,其存储有程序,该程序在以使处理液供给装置执行上述处理液供给方法的方式控制该处理液供给装置的控制部的计算机上动作。
[0021]进而,另一方面的本发明是一种处理液供给装置,其从处理液供给源经由处理液供给管对向基板供给处理液的供给喷嘴供给处理液,该处理液供给装置包括:暂时贮存从上述处理液供给源供给的处理液的、设置于上述处理液供给管中的上述供给喷嘴的上游侧的容器;设置在上述处理液供给管中的上述处理液供给源与上述容器之间,对上述处理液进行脱气处理而生成脱气处理液的脱气机构;设置在上述处理液供给管中的上述容器与上述供给喷嘴之间的过滤器;与从上述处理液供给管中的上述过滤器与上述供给喷嘴之间分支的分支管连接的容积可变的贮存室;和控制部,其调整上述贮存室的容积,使得将上述贮存室的容积扩大,使上述处理液供给管中的上述过滤器的下游侧相对于上述容器内的压力成为负压,从而对上述过滤器供给上述容器内的上述脱气处理液,在停止从上述容器向上述过滤器供给上述处理液后,将上述过滤器的下游侧为负压的状态维持规定的时间。
[0022]可以为:上述容器具有容积可变的另一贮存室,上述控制部进行控制,使得在使上述贮存室的容积扩大、向上述过滤器供给上述容器内的上述脱气处理液时,随着上述脱气处理液从上述容器向上述过滤器移动,使上述另一贮存室的容积缩小。
[0023]根据另一方面的本发明,提供一种处理液供给装置,其从处理液供给源经由处理液供给管对向基板供给处理液的供给喷嘴供给处理液,该处理液供给装置包括:暂时贮存从上述处理液供给源供给的处理液的、设置于上述处理液供给管中的上述供给喷嘴的上游侧的容器;设置在上述处理液供给管中的上述处理液供给源与上述容器之间,对上述处理液进行脱气处理而生成脱气处理液的脱气机构;设置在上述处理液供给管中的上述容器与上述供给喷嘴之间的过滤器;与从上述处理液供给管中的上述过滤器与上述供给喷嘴之间分支的分支管连接的容积可变的两个贮存室;和控制部,其调整上述两个贮存室的容积,使得将上述贮存室中的一个贮存室的容积扩大,使上述处理液供给管中的上述过滤器的下游侧相对于上述容器内的压力成为负压,从而对上述过滤器供给上述容器内的上述脱气处理液,在停止从上述容器向上述过滤器供给上述处理液后,使上述过滤器的上游侧和下游侧减压而对处理液进行脱气。
[0024]可以在上述容器连接有将在该容器内贮存的处理液或脱气处理液排出的排出管。
[0025]发明效果
[0026]根据本发明,通过从过滤器除去微小气泡,能够抑制过滤器的性能下降。
【附图说明】
[0027]图1是表示本实施方式的基板处理系统的结构的概要的平面图。
[0028]图2是表示本实施方式的基板处理系统的结构的概要的正面图。
[0029]图3是表示本实施方式的基板处理系统的结构的概要的背面图。
[0030]图4是表示抗蚀剂涂敷装置的结构的概要的纵截面图。
[0031]图5是表示稀释剂供给装置的结构的概要的配管系统图。
[0032]图6是表示栗的结构的概要的纵截面的说明图。
[0033]图7是表示栗的结构的概要的纵截面的说明图。
[0034]图8是表示过滤器的结构的概要的纵截面的说明图。
[0035]图9是表示用于说明稀释剂供给装置的结构的概要的配管系统,实施脱气处理液生成步骤和处理液贮存步骤的状态的说明图。
[0036]图10是表示用于说明稀释剂供给装置的结构的概要的配管系统,实施处理液排出步骤的状态的说明图。
[0037]图11是表示用于说明稀释剂供给装置的结构的概要的配管系统,将从稀释剂分离出的气体从通流管排出的状态的说明图。
[0038]图12是表示用于说明稀释剂供给装置的结构的概要的配管系统,从排液管排出稀释剂的状态的说明图。
[0039]图13是表示用于说明稀释剂供给装置的结构的概要的配管系统,实施过滤器通液步骤的状态的说明图。
[0040]图14是表示用于说明稀释剂供给装置的结构的概要的配管系统,将稀释剂供给到晶片上的状态的说明图。
[0041]图15是表示显示稀释剂供给装置的结构的概要的配管系统,表示实施双向脱气步骤的状态的说明图。
[0042]图16是表示仅实施负压维持步骤时、在负压维持步骤后实施双向脱气步骤时的过滤器的上下游侧的配管内的各压力的经时变化的图表。
[0043]图17是表示显示稀释剂供给装置的结构的概要的配管系统,表示从栗将气泡、稀释剂排出到系统外的状态的说明图。
[0044]附图标记说明
[0045]I基板处理系统
[0046]30显影处理装置
[0047]31下部防反射膜形成装置
[0048]32抗蚀剂涂敷装置
[0049]33上部防反射膜形成装置
[0050]40热处理装置[0051 ]41粘附装置
[0052]42周边曝光装置
[0053]151稀释剂供给喷嘴
[0054]170稀释剂供给装置
[0055]201过滤器
[0056]500控制部
[0057]P1、P2栗
[0058]W晶片。
【具体实施方式】
[0059]以下,说明本发明的实施方式。图1是表示具有本实施方式的处理液供给装置的基板处理系统I的结构的概要的说明图。图2和图3分别是示意性地表示基板处理系统I的内部结构的概要的正面图和背面图。另外,在本说明书和附图中,对于实质上具相同功能结构的要素标注相同的附图标记而省略重复说明。
[0060]基板处理系统I如图1所示具有将下述部件一体连接而得到的结构:用于将收纳多个晶片W的盒C送入送出的盒工作台10;具有对晶片W施加规定处理的多个各种处理装置的处理工作台11;和在与邻接于处理工作台11的曝光装置12之间进行晶片W的交接的交接工作台13。
[0061]在盒工作台10设置有盒载置台20。在盒载置台20设置有多个盒载置板21,该盒载置板21在将盒C相对于基板处理系统I的外部送入送出时,载置盒C。
[0062]如图1所示,在盒工作台10设置有在沿X方向延伸的输送路22上可移动的晶片输送装置23。晶片输送装置23在上下方向上和绕铅垂轴(Θ方向)均可移动,能够在各盒载置板21上的盒C与后述的处理工作台11的第三区块G3的交接装置之间输送晶片W。
[0063]在处理工作台11设置有具有各种装置的多个例如4个区块Gl、G2、G3、G4。例如在处理工作台11的正面侧(图1的X方向负方向侧)设置有第一区块G1,在处理工作台11的背面侧(图1的X方向正方向侧)设置有第二区块G2。此外,在处理工作台11的盒工作台10侧(图1的Y方向负方向侧)设置有第三区块G3,在处理工作台11的交接工作台13侧(图1的Y方向正方向侧)设置有第四区块G4。
[0064]例如,图2所示的多个液体处理装置、例如对晶片W进行显影处理的显影处理装置30、在晶片W的抗蚀剂膜的下层形成防反射膜(以下称为“下部防反射膜”)的下部防反射膜形成装置31、在晶片W涂敷抗蚀剂液而形成抗蚀剂膜的抗蚀剂涂敷装置32、在晶片W的抗蚀剂膜的上层形成防反射膜(以下称为“上部防反射膜”)的上部防反射膜形成装置33,从下方起依次配置于第一区块Gl。
[0065]例如显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33分别在水平方向上排列3个而配置。另外,这些显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33的数量和配置能够任意选择。
[0066]该显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、抗蚀剂涂敷装置32、上部防反射膜形成装置33等液体处理装置中,进行例如在晶片W上涂敷规定的处理液的旋转涂敷。在旋转涂敷中,例如从涂敷喷嘴向晶片W上喷出处理液,并且使晶片W旋转,使处理液在晶片W的表面扩散。另外,在后面叙述这些液体处理装置的结构。
[0067]如图3所示,例如在第二区块G2中,进行晶片W的加热或冷却等的热处理的热处理装置40、用于提高抗蚀剂液与晶片W的固着性的粘附装置41、对晶片W的外周部进行曝光的周边曝光装置42在上下方向和水平方向上排列设置。该热处理装置40、粘附装置41、周边曝光装置42的数量和配置均能够任意选择。
[0068]例如,多个交接装置50、51、52、53、54、55、56从下方起依次设置在第三区块63中。此外,多个交接装置60、61、62从下方起依次设置在第四区块G4中。
[0069]如图1所示,在被第一区块Gl?第四区块G4包围的区域中,形成有晶片输送区域D。在晶片输送区域D具有例如在Y方向、X方向、Θ方向和上下方向可移动的输送臂,晶片输送装置70配置有多个。晶片输送装置70能够在晶片输送区域D内移动,向周围的第一区块G1、第二区块G2、第三区块G3和第四区块G4内的规定装置输送晶片W。
[0070]此外,在晶片输送区域D中设置有在第三区块G3与第四区块G4之间直线地输送晶片W的往复输送装置80。
[0071]往复输送装置80例如在图3的Y方向上可直线移动。往复输送装置80能够以支承晶片W的状态在Y方向上移动,在第三区块G3的交接装置52与第四区块G4的交接装置62之间输送晶片W。
[0072]如图1所示,在第三区块G3的X方向正方向侧的附近设置有晶片输送装置100。晶片输送装置100具有例如在X方向、θ方向和上下方向上可移动的输送臂。晶片输送装置100能够以支承晶片W的状态上下移动,向第三区块G3内的各交接装置输送晶片W。
[0073]在交接工作台13设置有与晶片输送装置110进行交接的交接装置111。晶片输送装置110具有例如在Y方向、Θ方向和上下方向上可移动的输送臂。晶片输送装置110能够例如在输送臂支承晶片W,在与第四区块G4内的各交接装置、交接装置111和曝光装置12之间输送晶片W。
[0074]接着说明上述液体处理装置的结构。另外,在本实施方式中,作为液体处理装置的一例,说明抗蚀剂涂敷装置32的结构。抗蚀剂涂敷装置32如图4所示具有能够使内部密闭的处理容器130。在处理容器130的侧面形成有晶片W的送入送出口(未图示)。
[0075]在处理容器130内设置有保持晶片W使其旋转的作为基板保持部的旋转卡盘140。旋转卡盘140能够利用例如电动机等的卡盘驱动部141以规定速度旋转。此外,在卡盘驱动部141设置有例如气缸等升降驱动机构,旋转卡盘140可自由升降。
[0076]在旋转卡盘140的周围,设置有接受从晶片W飞散或落下的液体并回收的杯形部142。在杯形部142的下表面连接有将回收到的液体排出的排出管143,和对杯形部142内的气体进行排气的排气管144。
[0077]此外,在处理容器130内设置有供给抗蚀剂液的抗蚀剂液供给喷嘴150和供给作为处理液的稀释剂的稀释剂供给喷嘴151。抗蚀剂液供给喷嘴150和稀释剂供给喷嘴151分别由臂152和臂153支承。各臂152、153利用未图示的驱动机构沿图4的Y方向可自由移动。由此,抗蚀剂液供给喷嘴150在设置于杯形部142的外侧的待机部160与晶片W的上方之间可自由移动。同样,稀释剂供给喷嘴151在设置于杯形部142的外侧的待机部161与晶片W的上方之间也可自由移动。
[0078]各臂152、153利用驱动机构(未图示)可自由升降,能够调节抗蚀剂液供给喷嘴150和稀释剂供给喷嘴151的高度。
[0079]在抗蚀剂液供给喷嘴150连接有向该抗蚀剂液供给喷嘴150供给抗蚀剂液的抗蚀剂液供给装置170。此外,在稀释剂供给喷嘴151连接有向该稀释剂供给喷嘴151供给稀释剂的作为处理液供给装置的稀释剂供给装置171。
[0080]接着说明该稀释剂供给装置171的结构。图5是表示稀释剂供给装置171的结构的概要的配管系统图。
[0081]稀释剂供给装置171包括:经由作为处理液供给管的稀释剂供给管200向稀释剂供给喷嘴151供给作为处理液的稀释剂的栗P1、P2;和设置在稀释剂供给管200中的栗P1、P2的下游侧且位于稀释剂供给喷嘴151的上游侧、即设置于栗P1、P2与稀释剂供给喷嘴151之间的、用于除去在稀释剂中混入的异物和气泡的过滤器201。另外,以下将稀释剂供给管200的栗P1、P2侧称为上游侧,将稀释剂供给喷嘴151侧称为下游侧。
[0082]栗P1、P2对稀释剂供给喷嘴151压送稀释剂,并且也作为将从后述的稀释剂供给源263供给的稀释剂暂时贮存的容器起作用,包括:容积可变的贮存室210;和与贮存室210邻接,对其内部进行例如氮气等的供气排气从而改变贮存室210的容积的压力室211。另外,在后面详细叙述该栗Pl、P2和过滤器201的详细结构。
[0083]稀释剂供给管200在过滤器201的上游侧分支,与各栗Pl、P2的贮存室210连接。在稀释剂供给管200的分支点的上游侧设置有切换阀220、221。通过开闭切换阀220、221,能够操作稀释剂供给管200与贮存室210的连接状态。
[0084]在各栗Pl、P2的压力室211分别连接有供气排气管222。在供气排气管222分别连接有对压力室211供给作为加压用的气体的例如氮气的供气管223和对压力室211内进行排气的排气管224。
[0085]与各栗Pl、P2的压力室211连接的供气排气管222中,例如压力室211侧的相反侧的端部合流,在该合流后的供气排气管222连接有I个排气管224。在排气管224的供气排气管222侧的相反侧的端部连接有抽气部225。在抽气部225经由驱动空气管227连接有驱动该抽气部225的驱动空气源226。
[0086]在驱动空气管227并联设置有调节在该驱动空气管227流动的驱动空气的流量的调节器228a、228b。在各调节器228a、228b的下游侧设置有切换阀229a、229b。调节器228a、228b分别设定为不同的流量,通过对切换阀229a、229b进行开闭操作,能够调整供给至抽气部225的驱动空气的流量。由此,能够调整由抽气部225产生的真空压。此外,在供气排气管222中的比与排气管224的合流点靠栗Pl侧设置有切换阀230,在靠栗P2侧设置有切换阀231,通过对该切换阀230、231进行开闭操作,能够选择对栗Pl或栗P2中的哪个压力室211进行排气。
[0087]供气管223与供气排气管222中的切换阀230与栗Pl之间和切换阀231与P2之间分别各在2个部位连接。即,本实施方式中如图5所示,设置有共计4个供气管223。而且,连接于切换阀230与栗Pl之间的供气管223和连接于切换阀231与栗P2之间的供气管223中,供气排气管222侧的相反侧的端部分别合流,在该合流后的各供气管223分别连接有用于供给加压用的气体的气体供给管232。
[0088]在各气体供给管232分别设置有调整在该气体供给管232流动的加压用气体的流量的调节器233、234。各调节器233、234分别设定为不同的流量。各气体供给管232在比调节器233、234靠上游侧的位置合流,在合流后的气体供给管232连接有对该气体供给管232供给加压用气体的气体供给源235。此外,各供气管223中的比与气体供给管232的连接点靠供气排气管222侧的位置,分别设置有切换阀240、241、242、243。由此,通过操作各切换阀240、241、242、243,能够调整经由供气管223向各供气排气管222供给的加压用气体的流量。
[0089]在稀释剂供给管200的过滤器201与稀释剂供给喷嘴151之间,设置有测定通过过滤器201的稀释剂的流量的流量测定机构250。循环配管251从流量测定机构250与稀释剂供给喷嘴151之间分支而设置。循环配管251的与稀释剂供给管200侧相反一侧的端部分支而与栗Pl的贮存室210和栗P2的贮存室210分别连接。在与循环配管251的分支点相比靠栗Pl侧设置有切换阀252,在靠栗P2侧设置有切换阀253。此外,在稀释剂供给管200中的与循环配管251的分支点的下游侧设置有供给切换阀260,在循环配管251中的与稀释剂供给管200的分支点的下游侧且在切换阀252、253的上游侧,设置有循环切换阀261。由此,通过在使供给切换阀260为关闭状态、使循环切换阀261为打开状态的基础上,例如使栗Pl侧的切换阀252为关闭状态,使栗P2侧的切换阀253为打开状态,能够从栗Pl喷出稀释剂,使该稀释剂在栗P2的贮存室210中循环。
[0090]此外,在循环配管251中的循环切换阀261与切换阀252、253之间连接有补充配管262。在补充配管262中的与循环配管251相反一侧的端部,连接有对各栗P1、P2供给稀释剂的稀释剂供给源263。由此,能够从稀释剂供给源263经由补充配管262和循环配管251对各栗Pl、P2供给稀释剂。在补充配管262设置有控制自稀释剂供给源263的稀释剂的供给的补充阀264。
[0091]例如,将循环配管251内的稀释剂向系统外排出的排液管265从循环配管251和补充配管262的合流点与循环切换阀261之间分支而设置。在排液管265设置有排液阀266。此夕卜,在比排液管265与循环配管251的合流点靠栗P1、P2侧的位置,设置有排液切换阀267。因此,通过使排液切换阀267为关闭状态,使排液阀266为打开状态,能够将循环配管251内的稀释剂向系统外排出。此外,在循环配管251和排液管265的分支点与循环切换阀261之间,设置有用于防止稀释剂的逆流的单向阀268。
[0092 ]接着,说明栗P1、P2的结构。另外,栗P1、P2的结构在本实施方式中是相同的,因此以下对栗Pl进行说明,省略栗P2的说明。
[0093]如图6所示,栗Pl包括:有底且上部开口的大致圆筒形状的箱体300;配置在箱体300的上端部的盖体301;配置在箱体300内,经由支承板302与盖体301的下表面气密连接的波纹管303;和与波纹管303的下端部气密连接的活塞板304。
[0094]波纹管303以沿箱体300的高度方向可伸缩的方式配置。活塞板304具有与箱体300的侧壁300a的内侧面抵接的大致圆盘形状,与盖体301和箱体300的底板300b平行地配置。此外,活塞板304以在与侧壁300a的内侧面之间保持气密性的状态,沿侧壁300a的延伸方向(图6的上下方向)可自由滑动。由该被盖体301、波纹管303和活塞板304包围的空间形成贮存室210。同样地,由被活塞板304、侧壁300a和底板300b包围的空间形成压力室211。
[0095]在盖体301形成有贯通该盖体301的排出口310、作为脱气机构的脱气喷嘴311和排液口 312。在排出口 310连接稀释剂供给管200,在脱气喷嘴311连接循环配管251。在箱体300的底板300b形成有贯通该底板300b的连接口 313。在连接口 313连接供气排气管222。由此,通过经由供气排气管222对压力室211从气体供给源235供给加压用气体,例如像图7所示那样,能够对压力室211内加压,将活塞板304向盖体301的方向上推。由此贮存室210的容积减少,能够将贮存室210内的流体(在本实施方式中是稀释剂)从排出口 310压送出去。相反地,利用抽气部225经由供气排气管222对压力室211内进行排气,由此能够使活塞板304向底板300b的方向退回。由此,能够使贮存室210的容积增大,换言之,能够使贮存室210内成为负压,经由脱气喷嘴311向贮存室210内引入稀释剂。
[0096]此外,在盖体301的排液口312连接有将贮存室210内的稀释剂排出到系统外的排出管314。如图5所示,在排出管314设置有排出阀315。由此,通过例如使切换阀220和切换阀252为关闭状态,使排出阀315为打开状态而对压力室211内加压,能够将贮存室210内的稀释剂排出到系统外。
[0097]脱气喷嘴311以贮存室210侧的流路面积比循环配管251侧的流路面积小的方式构成。由此,当例如从稀释剂供给源263供给稀释剂,从脱气喷嘴311的循环配管251侧向贮存室210侧流动稀释剂时,随着向贮存室210侧去,该稀释剂的流速增大。由此,在脱气喷嘴311内稀释剂的静压下降,溶解存在于稀释剂的气体被脱气。由此,由脱气喷嘴311进行了脱气处理的处理液即脱气稀释剂和从该脱气稀释剂分离出的气体被导入贮存室210内。另外,脱气喷嘴311的配置并不限定于本实施方式的内容,只要能够向贮存室210内供给脱气处理后的稀释剂,则也可以在盖体301之外设置。具体地说,例如也可以在循环配管251中的比与补充配管262的合流点靠栗Pl侧的位置另外单独设置。
[0098]在活塞板304的外周部内置有磁体320。此外,在箱体300的侧壁300a的外侧以与磁体320相对的方式,在图6的从上到下的方向上依次设置有检测磁体320的磁场的传感器321、322。传感器321例如设置在与波纹管303收缩至极限时的活塞板304的位置(上止点)对应的高度。由此,能够由传感器321检测出不能够从栗Pl喷出稀释剂的情况。换言之,能够检测到栗Pl内(贮存室210)为空的情况。传感器322设置在与活塞板304的大致下止点对应的高度,能够检测贮存室210内的容积增大至大致最大的情况。换言之,能够检测稀释剂填充于栗Pl内(贮存室210)的情况。
[0099]接着说明过滤器201的结构。如图8所示,过滤器201包括:有底且上部开口的大致圆筒形状的箱体330;设置在箱体330内,对异物和气泡进行过滤、补充的过滤部件331;收纳过滤部件331的过滤部件收纳部材332;和保持过滤部件收纳部材332的保持部材333。在箱体330的上部形成有:将从栗Pl、P2供给的稀释剂导入到箱体330的内部的导入口 330a;将由过滤部件331过滤后的稀释剂向箱体330的外部排出的排出口 330b;和将没有被过滤部件331过滤的稀释剂直接向箱体330的外部排出的排液口 330c。
[0100]过滤部件331具有大致圆筒形状,例如由尼龙、聚乙烯等构成。过滤部件收纳部材332构成为覆盖过滤部件331的内侧面和外表面。在过滤部件收纳部材332中的与过滤部件331的内侧面和外侧面对应的部位形成有多个贯通孔332a。
[0101 ]保持部材333构成为在保持过滤部件收纳部材332的状态下,将过滤部件收纳部材332的贯通孔332a的至少一部分堵塞。此外,保持部材333配置在使得过滤部件331与箱体330大致同轴的位置。
[0102]此外,在保持部材333的外表面、过滤部件收纳部材332与箱体330之间,形成有规定的间隙,作为使从导入口 330a导入的稀释剂流通的流通路334起作用。
[0103]在导入口 330a和排出口 330b连接稀释剂供给管200,从导入口 330a导入且通过了过滤部件331的稀释剂,从排出口 330b排出。此外,如图5所示,在排液口 330c连接有通流管340,通过例如使供给切换阀260和循环切换阀261为关闭状态,从栗Pl或栗P2压送稀释剂,能够将箱体330内的稀释剂、气体从排液口 330c向通流管340排出。在通流管340设置有通流阀 341。
[0104]另外,作为其它液体处理装置的显影处理装置30、下部防反射膜形成装置31、上部防反射膜形成装置33的结构,除了喷嘴的形状、个数、从喷嘴供给的液体不同之外,与上述抗蚀剂涂敷装置32的结构同样,因此省略说明。
[0105]在以上的基板处理系统I中,如图1所示设置有控制部500。控制部500例如是计算机,具有程序存储部(未图示)。在程序存储部中存储有控制基板处理系统I中的晶片W的处理的程序。此外,在程序存储部中也存储有用于控制上述各种处理装置、输送装置等的驱动系统的动作,实现基板处理系统I的后述基板处理的程序。另外,上述程序例如存储于计算机可读取的硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等计算机可读取的存储介质H中,也可以从该存储介质安装于控制部500。
[0106]另外,在稀释剂供给装置171中设置的各阀,除了特别说明之外,使用电磁阀、空气动作阀等能够通过远程操作自动开闭的阀。而且,各阀、传感器321、322等全部与控制部500电连接,由控制部500进行状态监视和操作。
[0107]本实施方式的基板处理系统I按照上述方式构成。接着,对使用该基板处理系统I进行的晶片处理进行说明。
[0108]首先,收纳有多个晶片W的盒C被搬入基板处理系统I的盒工作台10,利用晶片输送装置23,盒C内的各晶片W依次被输送至处理工作台11的交接装置53。
[0109]接着,晶片W被输送至第二区块G2的热处理装置40而进行温度调节处理。之后,晶片W由晶片输送装置70输送至例如第一区块Gl的下部防反射膜形成装置31,在晶片W上形成下部防反射膜。之后,晶片W被输送至第二区块G2的热处理装置40而进行加热处理、温度调
-K-
T O
[0110]接着,晶片W被输送至粘附装置41进行粘附处理。之后晶片W被输送至第一区块Gl的抗蚀剂涂敷装置32,在晶片W上形成抗蚀剂膜。
[0111]此处,对抗蚀剂涂敷装置32中的抗蚀剂涂敷处理进行详细叙述。在抗蚀剂的涂敷处理时,预先生成脱气稀释剂。在脱气稀释剂生成时,例如像图9所示那样,使切换阀220、221、253、排液切换阀267、排出阀315为关闭状态,并且使补充阀264和切换阀252为打开状态,从稀释剂供给源263例如向栗Pl内供给稀释剂。由此,利用脱气喷嘴311将稀释剂脱气处理,生成作为脱气处理液的脱气稀释剂(脱气处理液生成步骤),并且脱气稀释剂被贮存在栗Pl的贮存室210内(处理液贮存步骤)。此外,在从稀释剂供给源263供给稀释剂时,通过使切换阀230为打开状态,使切换阀231为关闭状态,例如使用调节器228a的系统驱动抽气部225,能够使压力室211为负压,将活塞板304压下。另外,在图9和之后的图14中,将关闭状态涂黑,将流通稀释剂、气体等流体的管以粗线表示,对于其它阀的开闭状态省略说明。
[0112]另外,在栗Pl的贮存室210内残留有稀释剂的情况下,在进行脱气处理液生成步骤之前,例如像图1O所示,使栗Pl的系统的排出阀315为打开状态,使用例如调节器233的系统从气体供给源235供给加压用气体,对栗Pl的压力室211内加压,从而将贮存室210内的稀释剂从排出管314排出(处理液排出步骤)。
[0113]接着,如图11所示,停止抽气部225并且将补充阀264和切换阀252切换为关闭状态,之后使切换阀220为打开状态。于是,使用例如调节器233的系统从气体供给源235供给加压用气体,对栗PI的压力室211内加压。此时,使供给切换阀260和循环切换阀261为关闭状态,使设置于过滤器201的通流阀341为打开状态,从栗Pl将贮存室210内的稀释剂向稀释剂供给管200压送。由此,与贮存室210内的稀释剂一起,利用脱气喷嘴311从稀释剂分离后的气体从通流管340排出,稀释剂供给管200的过滤器201的上游侧被脱气稀释剂充满。另夕卜,此时,以供给到过滤器201的脱气稀释剂的流量为大致60mL/min左右的方式设定调节器233。
[0114]接着,以60mL/min进行规定时间的脱气稀释剂的供给后,由调节器234的系统进行加压用气体向栗Pl的压力室211的供给,例如使供给到过滤器201的脱气稀释剂的流量增加至大致75mL/min左右。如果对过滤器201内的过滤部件331从一开始就供给比较大流量的脱气稀释剂,则存在脱气稀释剂不浸透过滤部件331的整体,而在过滤部件331内存在大小气泡的可能性,但通过像这样先以小流量供给脱气稀释剂,能够使脱气稀释剂逐渐浸透过滤部件331,向过滤器201的外部高效地排出气泡。
[0115]接着,如图12所示,使通流阀341为关闭状态,使循环切换阀261和排液阀266为打开状态,从栗Pl压送脱气稀释剂,由此从排液阀266排出脱气稀释剂。由此,循环配管251内被通过过滤器201后的脱气稀释剂清扫,成为洁净的状态。
[0116]接着,在图13所示,使排液阀266为关闭状态,使排液切换阀267和栗P2的切换阀253为打开状态。并且,使用调节器228b的系统驱动抽气部225,由此使压力室211为负压。另夕卜,在调节器228b的系统中流动的驱动空气的流量大于在调节器228a的系统中流动的驱动空气的流量。即,压力室211内的压力比使用调节器228a的系统时低。通过该抽气部225的驱动,栗P2的活塞板304退向下方,栗P2的贮存室210内相对于栗Pl的贮存室210成为负压。由此,在稀释剂供给管200和循环配管251内成为负压(比大气压低的压力)的状态下,栗Pl内的脱气稀释剂经由过滤器201进入栗P2内(过滤器通液步骤)。由此,例如过滤器201内也成为负压,因此由栗Pl进行的脱气稀释剂的供给时没有完全被除去的过滤器201内的气泡的体积膨胀,容易从过滤器201内排出。另外,仅是通过抽气部225的驱动使栗P2的压力室211成为负压,不能够将栗Pl的活塞板304上抬的情况下,通过适当地对栗Pl的压力室211内供给加压用气体而减少贮存室210的容积,辅助活塞板304的上抬。此时,以栗Pl的贮存室210内的压力不会高于栗P2的贮存室210内的压力的方式,换言之,例如由调节器233的系统进行加压用气体向栗Pl的压力室211的供给,将稀释剂供给管200、循环配管251内维持为比大气压低的负压的状态。
[0117]之后,将稀释剂供给管200和循环配管251内维持为负压的状态,停止由栗P2进行的向过滤器201的通液,将该状态保持一定时间(负压维持步骤)。由此,进一步促进过滤器201内的气泡的膨胀,从过滤器201的气泡的排出变得容易。此外,气泡溶解在脱气稀释剂中,从过滤器201内的气泡的除去也得到促进。另外,维持负压而停止向过滤器201的通液,能够通过例如将栗PI的下游侧的切换阀220从打开状态向关闭状态操作而实现。
[0118]在维持负压一定时间后,再次使切换阀220为打开状态,从栗Pl的贮存室210向栗P2的贮存室210引入脱气稀释剂。即,再次进行过滤器通液步骤。由此,对过滤器201供给新的脱气稀释剂,因此在负压维持步骤中,即使成为例如气泡对于过滤器201内的脱气稀释剂溶解至饱和状态的状态,也能够由新供给的脱气稀释剂再次进行气泡的除去。再次进行负压维持步骤,进行进一步的气泡的除去。通过进行规定次数的该过滤器通液步骤和负压维持步骤,过滤器201内的气泡基本上完全被除去。
[0119]之后,例如脱气稀释剂在栗P2的贮存室210中贮存规定量时,如图14所示,循环切换阀261切换为关闭状态,供给切换阀260切换为打开状态。而且,停止抽气部225的驱动,并且使用调节器234的系统向栗P2的压力室211供给加压用气体。由此,栗P2内的脱气稀释剂从稀释剂供给喷嘴151供给到晶片W上,晶片W被预湿。接着,从抗蚀剂液供给喷嘴150向晶片W上供给抗蚀剂液,在晶片W上形成抗蚀剂膜。
[0120]当在晶片W形成了抗蚀剂膜时,接着晶片W被输送至第一区块Gl的上部防反射膜形成装置33,在晶片W上形成上部防反射膜。之后,晶片W被输送至第二区块G2的热处理装置40,进行加热处理。之后,晶片W被输送至周边曝光装置42,进行周边曝光处理。
[0121]接着,晶片W由晶片输送装置100输送至交接装置52,由往复输送装置80输送至第四区块G4的交接装置62。之后,晶片W由交接工作台13的晶片输送装置110输送至曝光装置12,以规定的图案进行曝光处理。
[0122]接着,晶片w由晶片输送装置70输送至热处理装置40,进行曝光后烘焙处理。由此,利用抗蚀剂膜的曝光部产生的酸使抗蚀剂进行去保护基反应。之后晶片W由晶片输送装置70输送至显影处理装置30,进行显影处理。
[0123]在显影处理结束后,晶片W被输送至热处理装置40,进行后烘焙处理。接着,晶片W由热处理装置40调整温度。之后,晶片W经由晶片输送装置70、晶片输送装置23输送至规定的盒载置板21的盒C,完成一系列的光刻步骤。
[0124]根据以上的实施方式,通过使过滤器201的下游侧的栗P2的贮存室210相对于栗Pl的贮存室210内的压力成为负压,使栗Pl内的脱气稀释剂通过过滤器201,因此能够促进过滤器201内的气泡的分离和体积的膨胀。因为使脱气稀释剂通过过滤器201,所以在该脱气稀释剂中溶解分离和体积膨胀后的气泡,气泡被从过滤器201除去。此外,通过将使过滤器201的下游侧为负压的状态维持规定的时间,能够进一步促进气泡的除去。由此,通过将微小气泡从过滤器201除去,能够抑制过滤器201的性能下降。
[0125]此外,通过反复进行利用负压的向过滤器201的通液(过滤器通液步骤)和负压的维持(过滤器通液步骤),能够更可靠地除去过滤器201内的气泡。
[0126]进一步,通过从过滤器201高效地除去气泡,例如在通过过滤器201的维护而更换过滤部件331后等,能够导致地使用稀释剂供给装置171,并且能够减少用于过滤器201修复的药液的使用量。
[0127]另外,本
【发明人】发现,通过像本发明这样使脱气稀释剂为负压而使脱气稀释剂通过过滤器201,反复进行过滤器通液步骤和过滤器通液步骤,与对过滤器加压而通液时比较,能够将稀释剂内的气泡大致减少90 %低减。
[0128]在以上的实施方式中,举例说明了从栗Pl向栗P2流通脱气稀释剂的情况,但脱气稀释剂的流通方向并不限定于本实施方式的内容,也可以从栗P2向栗Pl流通脱气稀释剂。此时,与上述实施方式相比使各切换阀等的操作在栗Pl和栗P2中相反即可。
[0129]此外,在以上的实施方式中,在反复进行过滤器通液步骤和过滤器通液步骤后,从栗P2对稀释剂供给喷嘴151供给脱气稀释剂,但在进一步反复进行过滤器通液步骤和过滤器通液步骤时,可以在栗P2的贮存室210中贮存规定量的脱气稀释剂后,更具体地说,例如由传感器321检测出栗Pl的贮存室210内的脱气稀释剂为空后,通过利用抽气部225对栗Pl的压力室211排气,并且使用调节器233的系统对栗P2的压力室加压,形成从栗P2向栗Pl的脱气稀释剂的流动。像这样使用循环配管251在栗Pl与栗P2之间能够自由地使脱气稀释剂循环,因此根据需要,能够反复进行所需次数的过滤器通液步骤和过滤器通液步骤。
[0130]另外,在以上的实施方式中,举例说明了使用2台栗P1、P2的情况,但栗并非必须设置2台,只要是具有例如能够自如地切换正压和负压的2个以上的独立机构的栗,也可以仅设置I台栗。
[0131]但是,
【发明人】进一步实验发现,仅是上述负压维持步骤,根据配管的长度等,在成为所需的减压度例如_45kPa程度之前需要相当程度例如约90秒的时间。公知的是,半导体器件的制造中吞吐量的缩短是极为重要的事项。于是为了高效地减压,在更短的时间达到规定的负压,提出下述处理方案。
[0132]图15表示此时的各种阀、稀释剂的液流。即,使排液阀266为关闭状态,使排液切换阀267和栗P2的切换阀253为打开状态。由此,在栗P2的系统中,形成连结稀释剂供给管200、循环配管251、贮存室210的管路。另一方面,在栗Pl的系统中,使切换阀220为打开状态,使切换阀252、排出阀315为关闭状态,由此形成连结稀释剂供给管200和栗Pl的贮存室210的管路。
[0133]关于气体供给源235系统,使各切换阀240、241、242、243均为关闭状态。另一方面,关于抽气部225系统,使切换阀230、231为打开状态,使切换阀229a为关闭状态,使切换阀229b为打开状态。
[0134]在该状态下驱动抽气部225。由此,栗Pl、P2的各活塞板304均退至下方,栗Pl、P2的各压力室211均为相同的负压,栗P1、P2的各贮存室210也为相同的负压。由此,稀释剂供给管200和循环配管251内也成为负压,如果将过滤器201视作压力阻力,则以过滤器201为界,稀释剂供给管200内的稀释剂在上游侧流入栗Pl的贮存室210侧,在下游侧流入栗P2的贮存室210侧。但是,如上所述栗Pl、P2的各贮存室210均为相同的负压,因此稀释剂供给管200和循环配管251内的稀释剂不流动。
[0135]通过像这样从过滤器201的上游侧、下游侧这两方减压而使其成为负压,进行稀释剂供给管200和循环配管251内的稀释剂从所谓的双向的脱气(双向脱气步骤)。由此,脱气本身得到促进。此时,从双向成为负压,因此相比于上述负压维持步骤,即在将稀释剂供给管200和循环配管251内维持为负压的状态下停止利用栗P2的向过滤器201的通液,将该状态保持一定时间的情况,能够使得成为规定的负压的时间变短。
[0136]图16表示关于该点实际进行实验的结果,图16的图表表示实施上述负压维持步骤时以及实施双向脱气步骤时的、过滤器201的上游侧和下游侧的配管内的压力各自的经时变化,在该图表中,a表示以80kPa实施负压维持步骤时的过滤器201的上游侧的压力变化,b表示以80kPa实施负压维持步骤时的过滤器201的下游侧的压力变化,c表示以80kPa实施20秒的负压维持步骤之后以SOkPa实施双向脱气步骤时的过滤器201的上游侧的压力变化,d表示以80kPa实施20秒的负压维持步骤之后以80kPa实施双向脱气步骤时的过滤器201的下游侧的压力变化。
[0137]根据该结果可知,在实施负压维持步骤时,达到_45kPa需要约45秒,但在实施双向脱气步骤时,能够在从开始起的0.5秒实施-80kPa。由此,与仅进行负压维持步骤的情况相比,时间大幅变短,而且能够实现更高的减压度。由此,能够使稀释剂供给管200和循环配管251内的稀释剂中的气泡在短时间内显现更多的气泡。
[0138]作为实际处理,需要由上述过滤器通液步骤除去过滤器201的气泡,因此可以组合进行上述双向脱气步骤和过滤器通液步骤。此时,作为处理顺序,可以先实施任一个处理,但在最初使稀释剂在过滤器201中流通即先实施过滤器通液步骤,之后实施双向脱气步骤更好。
[0139]当然可以一并实施上述负压维持步骤,但也可以代替负压维持步骤,实施双向脱气步骤。此外也可以反复实施过滤器通液步骤和双向脱气步骤。由此能够除去更多的气泡。
[0140]另外,在实施双向脱气步骤时,使栗P1、P2的各贮存室210均为相同的负压,最优选的是稀释剂不流动,但是如果稀释剂流入栗Pl的贮存室210,则后面的排出非常麻烦,因此在难以成为相同的负压时、或需要耗费时间时,考虑到稀释剂流入Pl的贮存室210中的风险,可以成为栗P2的贮存室210侧的负压稍高(减压度大)的状态。
[0141]考虑到该情况,为了使栗P1、P2的各贮存室210为相等的负压,实际上先实施上述过滤器通液步骤,暂且仅使栗P2的贮存室210侧为负压状态,之后使栗Pl系统的切换阀230逐渐成为打开状态,此外,从事先在上述过滤器201流通稀释剂的观点,也是优选的。
[0142]另外,像这样,实施过滤器通液步骤和双向脱气步骤,达到期望的气泡除去之后,如图17所示,使排出阀315为打开状态,将混合有在栗P2的贮存室210中留存的气泡的稀释剂向系统外排出即可。
[0143]在以上的实施方式中,举例说明了处理液为稀释剂的情况,但处理液合钐何种液体并不限定于本实施方式的内容,作为处理液例如可以使用抗蚀剂液、显影液。
[0144]以上,参照【附图说明】了本发明的优选实施方式,但本发明并不限定于该例子。本领域的技术人员在权利要求的范围中记载的技术思想的范畴内,能够想到各种变更例或修改例,这些也属于本发明的技术范围。本发明并限于该例而能够采用各种方式。本发明也能够应用于基板为晶片以外的FPD(平板显示器)、光掩模用的掩模板(Mask reticle)等其基板的情况。
[0145]工业上的可利用性
[0146]本发明对于在基板上涂敷处理液时是有用的。
【主权项】
1.一种向基板上供给处理液的处理液供给方法,其特征在于,包括: 利用脱气机构对所述处理液进行脱气处理而生成脱气处理液的脱气处理液生成步骤; 将所述脱气处理液贮存在容器内的处理液贮存步骤; 使经由处理液供给管与 所述容器的下游侧连接的过滤器的下游侧相对于所述容器内的压力成为负压,从而使所述容器内的所述脱气处理液通过所述过滤器的过滤器步骤;和 在停止从所述容器向所述过滤器供给所述处理液后,将所述过滤器的下游侧为负压的状态维持规定的时间的负压维持步骤。2.如权利要求1所述的处理液供给方法,其特征在于: 反复进行所述过滤器通液步骤和所述负压维持步骤。3.—种向基板上供给处理液的处理液供给方法,其特征在于,包括: 利用脱气机构对所述处理液进行脱气处理而生成脱气处理液的脱气处理液生成步骤; 将所述脱气处理液贮存在容器内的处理液贮存步骤; 使经由处理液供给管与所述容器的下游侧连接的过滤器的下游侧相对于所述容器内的压力成为负压,从而使所述容器内的所述脱气处理液通过所述过滤器的过滤器通液步骤;和 从所述过滤器的上游侧和下游侧进行减压来对处理液进行脱气的双向脱气步骤。4.如权利要求3所述的处理液供给方法,其特征在于: 反复进行所述过滤器通液步骤和所述双向脱气步骤。5.如权利要求1?4中任一项所述的处理液供给方法,其特征在于: 在所述脱气处理液生成步骤之前,还包括将贮存在所述容器内的处理液向所述容器外排出的处理液排出步骤。6.如权利要求1?5中任一项所述的处理液供给方法,其特征在于: 在所述过滤器通液步骤中,通过使所述处理液供给管上的与所述过滤器的下游侧连接的容积可变的贮存室的容积增大,使所述过滤器的下游侧成为负压。7.如权利要求6所述的处理液供给方法,其特征在于: 所述容器具有容积可变的另一贮存室, 在所述过滤器通液步骤中,随着所述脱气处理液从所述容器向所述过滤器移动,使所述另一It存室的容积减少。8.—种处理液供给装置,其从处理液供给源经由处理液供给管对向基板供给处理液的供给喷嘴供给处理液,所述处理液供给装置的特征在于,包括: 暂时贮存从所述处理液供给源供给的处理液的、设置于所述处理液供给管上的所述供给喷嘴的上游侧的容器; 设置在所述处理液供给管上的所述处理液供给源与所述容器之间,对所述处理液进行脱气处理而生成脱气处理液的脱气机构; 设置在所述处理液供给管上的所述容器与所述供给喷嘴之间的过滤器; 与从所述处理液供给管上的所述过滤器与所述供给喷嘴之间分支的分支管连接的容积可变的贮存室;和 控制部,其调整所述贮存室的容积,使得将所述贮存室的容积扩大,使所述处理液供给管上的所述过滤器的下游侧相对于所述容器内的压力成为负压,从而对所述过滤器供给所述容器内的所述脱气处理液,在停止从所述容器向所述过滤器供给所述处理液后,将所述过滤器的下游侧为负压的状态维持规定的时间。9.如权利要求8所述的处理液供给装置,其特征在于: 所述容器具有容积可变的另一贮存室, 所述控制部进行控制,使得在使所述贮存室的容积扩大、向所述过滤器供给所述容器内的所述脱气处理液时,随着所述脱气处理液从所述容器向所述过滤器移动,使所述另一贮存室的容积缩小。10.—种处理液供给装置,其从处理液供给源经由处理液供给管对向基板供给处理液的供给喷嘴供给处理液,所述处理液供给装置的特征在于,包括: 暂时贮存从所述处理液供给源供给的处理液的、设置于所述处理液供给管上的所述供给喷嘴的上游侧的容器; 设置在所述处理液供给管上的所述处理液供给源与所述容器之间,对所述处理液进行脱气处理而生成脱气处理液的脱气机构; 设置在所述处理液供给管上的所述容器与所述供给喷嘴之间的过滤器; 与从所述处理液供给管上的所述过滤器与所述供给喷嘴之间分支的分支管连接的容积可变的两个贮存室;和 控制部,其调整所述两个贮存室的容积,使得将所述贮存室中的一个贮存室的容积扩大,使所述处理液供给管上的所述过滤器的下游侧相对于所述容器内的压力成为负压,从而对所述过滤器供给所述容器内的所述脱气处理液,在停止从所述容器向所述过滤器供给所述处理液后,从所述过滤器的上游侧和下游侧进行减压来对处理液进行脱气。11.如权利要求8?10中任一项所述的处理液供给装置,其特征在于: 在所述容器连接有将在该容器内贮存的处理液或脱气处理液排出的排出管。
【文档编号】B05C11/10GK106024579SQ201610195709
【公开日】2016年10月12日
【申请日】2016年3月31日
【发明人】志手英男, 木村彦, 木村一彦, 汤本知行
【申请人】东京毅力科创株式会社
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