基板液处理装置、基板液处理方法以及基板处理装置的制造方法
【专利摘要】本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及基板处理装置。不阻碍在对基板进行液处理时产生的气流而能够良好地对基板进行液处理。在本发明中，具有：基板旋转保持部(1013)，其用于保持基板(1004)并使基板旋转；处理液供给部(1014)，其向由基板旋转保持部保持着的基板的下表面供给处理液，基板旋转保持部具有：底板(1025)，其以与基板隔开间隔地配置在基板的下方；罩体(1026)，其由底板支承，配置于基板的外周外侧；排出口(1043)，其形成于底板和罩体之间，用于将在基板的下方产生的气流排出，底板和罩体之间的支承部分(1037)相对于底板的上表面向外侧突并与罩体连接。
【专利说明】
基板液处理装置、基板液处理方法以及基板处理装置
技术领域
[0001]本发明涉及利用处理液对基板的下表面进行液处理的基板液处理装置、基板液处理方法以及基板处理装置。
【背景技术】
[0002]以往，在制造半导体零部件、平板显示器等的情况下，使用基板液处理装置并利用各种处理液对半导体晶圆、液晶基板等基板实施液处理。
[0003]在基板液处理装置中，存在有在对基板的表面(主面:电路形成面)进行清洁、成膜、蚀刻等处理的同时、对基板的背面也进行清洁等处理的情况。在该情况下，以使基板的背面朝下的状态保持基板，通过向基板的背面(下表面)供给处理液，利用处理液对基板的下表面进行液处理。
[0004]在对该基板的下表面进行液处理的基板液处理装置中，在基板的下方配置圆板状的底板，从底板的中央朝向上方的基板的下表面喷出处理液。在底板的周围设有圆环状的罩体。罩体被在底板的外周部沿着圆周方向隔开间隔地配置的多个支柱支承。在底板和罩体之间沿着底板的外周形成有用于排出处理液的狭缝状的排液口。
[0005]并且，在基板液处理装置中，通过使底板旋转，在一边保持基板一边使基板旋转的同时，朝向旋转的基板的下表面供给处理液，由此对基板的下表面进行液处理，将该液处理后的处理液从排液口排出。
[0006]另外，以往，公知有对半导体晶圆、玻璃基板这样的基板供给预定的处理液来进行清洁处理等基板处理的基板处理装置。
[0007]作为基板处理装置，例如存在如下基板处理装置，该基板处理装置具有:以能够旋转的方式设置并从下方支承基板的支承部；向由支承部支承着的基板的下表面供给处理液的处理液供给部，一边使基板旋转一边利用处理液对基板的下表面进行处理(例如，参照专利文献I)。
[0008]该基板处理装置的支承部具有与基板的周缘下表面接触来支承基板的支承销和在基板的周缘外侧整周地围绕基板的周缘部的围绕构件。围绕构件是承液部，起到为了将使用于基板处理的处理液排出而进行引导的作用。
[0009]现有技术文献
[0010]专利文献
[0011]专利文献1:日本特开2011 — 243627号公报
【发明内容】
[0012]发明要解决的问题
[0013]在上述以往的基板液处理装置中，在利用处理液对基板进行液处理时，在基板的外周外侧，在产生由基板的旋转形成的回旋状气流的同时，产生由处理液向排液口流动形成的液流。
[0014]并且，在上述以往的基板液处理装置中，在底板上用于支承罩体的多个支柱设于基板的外周外侧，因此，在基板的外周外侧气流、液流与支柱发生碰撞。
[0015]若气流与支柱发生碰撞，则气流紊乱而使流速分布变得不均匀。与此相伴，在基板的外周端缘部处基板的温度局部降低(温度分布变得不均匀)。其结果，有可能无法利用处理液对基板的外周端缘部均匀地进行液处理。
[0016]用于解决问题的方案
[0017]因此，在本发明中，基板液处理装置具有:基板旋转保持部，其用于保持基板并使该基板旋转;处理液供给部，其用于向由所述基板旋转保持部保持着的基板供给处理液，所述基板旋转保持部具有:底板，其与所述基板隔开间隔地配置于所述基板的下方;罩体，其利用支承部分支承于所述底板，配置于所述基板的外周外侧;排出口，其形成于所述底板和罩体之间，用于将在所述基板的下方产生的气流排出，所述底板和所述罩体之间的支承部分相对于所述底板的上表面向外侧突出并与所述罩体连接。
[0018]另外，将所述底板和所述罩体之间的支承部分形成于比所述基板的下表面靠下方的位置。
[0019]另外，将所述底板和所述罩体之间的支承部分的上端面形成得与所述底板的上表面平齐。
[0020]另外，所述处理液供给部向所述基板的下表面供给处理液，所述排出口将从所述处理液供给部供给来的处理液排出。
[0021]另外，将所述底板和所述罩体之间的支承部分形成于基板保持体之间，该基板保持体沿着所述基板的外周隔开间隔地设置有多个，用于支承所述基板。
[0022]另外，将所述底板和所述罩体之间的支承部分和所述基板保持体沿着所述基板的外周等间隔地形成。
[0023]另外，具有多个支承构件，该多个支承构件设于所述底板的上表面，用于支承所述基板。
[0024]另外，所述多个支承构件包括由具有导电性的树脂形成的第I支承构件，在所述底板的内部配置有与所述第I支承构件接触的导电性构件，所述基板经由所述第I支承构件和所述导电性构件被电导通。
[0025]另外，所述多个支承构件包括由导电性比所述第I支承构件的导电性低的树脂形成的第2支承构件。
[0026]另外，所述第I支承构件的个数比所述第2支承构件的个数少。
[0027]另外，所述支承构件能够从所述底板的上表面侧装卸。
[0028]另外，在所述罩体上形成有从所述罩体向下方延伸的突起部，所述突起部沿着所述基板的外周形成有多个，延伸到比所述基板的上表面低的位置。
[0029]另外，在本发明中，一种基板液处理方法，利用基板旋转保持部保持基板并使该基板旋转，从处理液供给部向所述基板供给处理液而利用处理液对所述基板进行液处理，在进行所述液处理时，利用支承部分预先将底板和罩体连接起来，该底板与设于所述基板旋转保持部的所述基板隔开间隔地配置于所述基板的下方，该罩体配置于所述基板的外周外侧，从形成于所述底板和所述罩体之间的排出口将在所述基板的下方产生的气流排出。
[0030]发明的效果
[0031]在本发明的情况下，能够不妨碍在基板的液处理时在基板的外周外侧产生的气流而良好地对基板进行液处理。
【附图说明】
[0032]图1是表不基板处理系统的俯视图。
[0033]图2是表示基板液处理装置的侧视图。
[0034]图3是基板液处理装置的俯视图。
[0035]图4是基板液处理装置的放大侧视图。
[0036]图5是基板液处理装置的放大俯视图。
[0037]图6是表示实施方式的基板处理系统的概略结构的图。
[0038]图7是表示处理单元的结构的概略剖视图。
[0039]图8A是实施方式的旋转部的立体图。
[0040]图8B是实施方式的旋转部的B向视概略剖视图。
[0041 ]图8C是实施方式的旋转部的俯视图。
[0042 ]图8D是图8C所示的C 一 C ’线概略剖视图。
[0043]图SE是实施方式的旋转部的导电路径的说明图。
[0044]图8F是表示支承销和卡合部之间的配置关系的俯视示意图。
[0045]图SG是表示支承销和卡合部之间的配置关系的立体图。
[0046]附图标记说明
[0047]1001、基板液处理装置；1002、基板处理系统；1004、基板；1013、基板旋转保持部；1014、处理液供给部；1025、底板；1026、罩体；1033、基板保持体；1037、支承部分；1043、排出口； 2001、基板处理系统;2002、输入输出站;2003、处理站;2004、控制装置;2016、处理单元；2061、底板;206 Ib、支承销;2061 f、导电性构件;2070、旋转环;2100、处理液供给部;EX、排出口； W、晶圆。
【具体实施方式】
[0048]以下，参照附图对本发明的基板液处理装置以及基板液处理方法的具体构成进行说明。
[0049]另外，以下，为了方便说明，对于由多个部分构成的构成要素，有时仅对多个部分中的一部分标注附图标记，而对该一部分以外的其他部分省略标注附图标记。
[0050][第I实施方式]
[0051]如图1所示，搭载有本发明的基板液处理装置1001的基板处理系统1002在前端部具有输入输出单元1003。收容有多张(例如25张)基板1004(在此为半导体晶圆)的承载件1005相对于输入输出单元1003输入以及输出，承载件1005沿着左右方向排列载置。
[0052]另外，基板处理系统1002在输入输出单元1003的后部具有输送单元1006。输送单元1006在前侧配置有基板输送装置1007，并在后侧配置有基板交接台1008。在该输送单元1006中，使用基板输送装置1007在载置于输入输出单元1003的任一个承载件1005和基板交接台1008之间输送基板1004。
[0053]而且，基板处理系统1002在输送单元1006的后部具有处理单元1009。处理单元1009在中央配置有沿着前后方向延伸的基板输送装置1010，并且隔着基板输送装置1010而在两侧分别沿着前后方向排列配置有对基板1004的表面(主面:电路形成面)进行液处理的多个(在此为6个)基板液处理装置1011和对基板1004的背面进行液处理的多个(在此为6个)基板液处理装置1001。在该处理单元1009中，使用基板输送装置1010在基板交接台1008和基板液处理装置1001、1011之间输送基板1004，使用各基板液处理装置1001、1011对基板1004进行液处理。另外，对基板1004的表面进行液处理的基板液处理装置1011的具体的构成能够利用公知的装置，因此省略说明。
[0054]对基板1004的背面进行液处理的基板液处理装置1001是本发明的主要部分，以下对具体的构成进行说明。
[0055]如图2以及图3所示，基板液处理装置1001在腔室1012中具有用于在保持着基板1004的状态下使基板1004旋转的基板旋转保持部1013和用于向基板1004的背面(下表面)供给处理液的处理液供给部1014。
[0056]腔室1012在上部形成有用于输入或输出基板1004的开口 1015。另外，腔室1012在内部形成有圆环状的分隔壁1016。在分隔壁1016的外侧连接有排出处理液的排液管道1017，在分隔壁1016的内侧连接有用于排出空气的排气管道1018。
[0057]基板旋转保持部1013在腔室1012的中央部以转动自由的方式设有上下延伸的圆筒状的旋转轴1019。在旋转轴1019上连接有旋转驱动机构1020。该旋转驱动机构1020由控制部1021驱动控制。
[0058]另外，基板旋转保持部1013在旋转轴1019的中空部以升降自由的方式设有沿着上下方向延伸的升降体1022。在升降体1022的上端面，沿着圆周方向隔开等间隔地形成有用于从下方支承基板1004的3个支承体1023。升降体1022与升降驱动机构1024连接。该升降驱动机构1024由控制部1021升降控制。
[0059]而且，基板旋转保持部1013在旋转轴1019的上端部安装有圆板状的底板1025，并且在底板1025安装有圆环状的罩体1026。
[0060]底板1025在与升降体1022的上端面平齐的水平面上形成有上端面1027。另外，底板1025在外周端缘形成有朝向下方扩径的倾斜状(圆锥状)的外周面1028。该底板1025配置为，在由基板旋转保持部1013保持着基板1004的状态下在基板1004的下方侧与基板1004的下表面隔开间隔。另外，底板1025使上端面1027比基板1004扩大(形成为大径)，在基板1004的外周外侧的下侧形成有圆环状的上端面缘部1029。
[0061 ] 罩体1026在上部形成有圆环状的顶壁1030。顶壁1030覆盖底板1025的上端面缘部1029的上方。在顶壁1030的下表面和底板1025的上端面缘部1029之间，形成有沿着上下方向具有恒定的间隔的水平流路1031(参照图4)。在顶壁1030的内周侧形成有用于输入或输出基板1004的开口 1032。另外，在顶壁1030的内周侧下部，沿着圆周方向隔开等间隔地形成有12个用于保持基板1004的基板保持体1033。基板保持体1033突出到开口 1032的内侧，通过从下侧支承基板1004的下表面的外周端缘部来保持基板1004。罩体1026在利用基板保持体1033保持着基板1004的状态下配置于基板1004的外周外侧。这样，罩体1026的顶壁1030位于比基板1004的下表面高的位置。
[0062]另外，罩体1026在顶壁1030的外周部形成有圆环状的外周壁1034。外周壁1034在其内表面形成有朝向下方扩径的倾斜状(圆锥状)的内周面1035。外周壁1034覆盖底板1025的外周面1028的外侧(上方)。在外周壁1034的内周面1035和底板1025的外周面1028之间形成有沿着上下方向具有间隔的倾斜流路1036(参照图4)。这样，罩体1026的外周壁1034的下端位于比基板1004的下表面低的位置。
[0063]该罩体1026由底板1025支承。以下对底板1025和罩体1026之间的支承部分1037的构造进行说明。
[0064]如图2?图5所示，支承部分1037在俯视时在底板1025的外周端缘部沿着圆周方向隔开等间隔形成有12个。各支承部分1037配置于沿着圆周方向以等间隔形成于罩体1026的12个基板保持体1033之间(优选的是中间)，支承部分1037的圆周方向上的宽度充分小于两个支承部分1037之间的圆周方向上的距离(例如I/8)。
[0065]各支承部分1037在底板1025的外周端缘部(上端面缘部1029)形成有朝向半径方向延伸的支承槽1038，并且在支承槽1038形成有沿着上下方向贯穿的支承孔1039。另外，各支承部分1037在罩体1026的外周壁1034的内侧(内周面1035)形成有朝向半径方向延伸的支承片1040，并且，在支承片1040的顶端部形成有沿着上下方向延伸的支承突起1041。底板1025的支承槽1038和罩体1026的支承片1040成为大致相同的宽度。底板1025的支承孔1039和罩体1026的支承突起1041成为大致相同的直径。各支承部分1037通过将罩体1026的支承片1040以及支承突起1041嵌入底板1025的支承槽1038以及支承孔1039而利用底板1025将罩体1026支承为装卸自由。罩体1026的支承突起1041使用环状的紧固构件1042紧固在底板1025的支承孔1039的下部。在利用底板1025支承着罩体1026的状态下，在底板1025的上端面1027的外周端缘部(上端面缘部1029)和罩体1026的外周壁1034的内周面1035的上端部之间形成有圆弧形狭缝状的排出口 1043。在该排出口 1043处，形成于底板1025和罩体1026之间的水平流路1031和倾斜流路1036连通。
[0066]在底板1025和罩体1026之间的支承部分1037以上端面(支承片1040的上表面)位于比罩体1026的内侧上端面(顶壁1030的下表面)靠下侧的位置的方式形成。由此，在支承部分1037和罩体1026的内侧上端面(顶壁1030的下表面)之间形成有沿着上下方向具有恒定的间隔的间隙1044。该间隙1044与形成于底板1025和罩体1026之间的水平流路1031以及倾斜流路1036连通。如后所述那样从处理液供给部1014供给来的处理液、空气向该间隙1044流动。
[0067]处理液供给部1014在升降体1022的上端面中央形成有喷出口 1045，并且，在升降体1022的中心轴线上形成有沿着上下方向延伸的喷出流路1046。处理液供给机构1047经由喷出流路1046与喷出口 1045连接。处理液供给机构1047由控制部1021进行流量控制。
[0068]控制部1021不仅控制基板液处理装置1001，还控制基板处理系统1002的各部的动作。该控制部1021例如是计算机，具有计算机可读取的存储介质1048。在存储介质1048存储有对可在基板处理系统1002中执行的各种处理进行控制的程序。控制部1021通过读出被存储于存储介质1048的程序并执行，来控制基板处理系统1002的动作。另外，程序是存储于由计算机可读取的存储介质1048的程序，也可以是从其他存储介质安装于控制部1021的存储介质1048的程序。作为由计算机可读取的存储介质1048，例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
[0069]具有基板液处理装置1001的基板处理系统1002如以上说明那样构成，通过利用控制部1021对各部的动作进行控制，对基板1004进行处理。
[0070]于在基板液处理装置1001中利用清洁液等处理液对基板1004的背面进行液处理的情况下，按照存储于存储介质1048的基板液处理程序利用控制部1021如以下说明那样控制基板液处理装置1001等。
[0071]首先，控制部1021使基板1004输入基板液处理装置1001(基板输入工序)。在该基板输入工序中，利用升降驱动机构1024使升降体1022上升，利用基板输送装置1010使基板1004以基板1004的背面朝向下侧的状态从上方载置于升降体1022的支承体1023的上部。之后，利用升降驱动机构1024使升降体1022下降，使基板1004从上方载置于基板保持体1033的上部。由此，基板1004被基板旋转保持部1013(基板保持体1033)以基板1004的背面朝向下侧的状态保持。
[0072]接着，控制部1021利用处理液对基板1004的下表面(背面)进行液处理(基板液处理工序)O在该基板液处理工序中，通过利用旋转驱动机构1020使旋转轴1019以预定转速旋转，使底板1025以及罩体1026旋转。由此，使基板1004与底板1025以及罩体1026—同旋转。之后，利用处理液供给机构1047使预定温度.预定浓度.预定流量的处理液从喷出口 1045朝向基板1004的下表面中央部喷出。喷出到基板1004的下表面中央部的处理液由于基板1004的旋转而沿着基板1004的下表面朝向基板1004的外周外侧流动。由此，利用处理液对基板1004的下表面进行液处理。在经过预定时间后使处理液的喷出以及基板1004的旋转停止。
[0073]接着，控制部1021使基板1004从基板液处理装置1001输出(基板输出工序)。在该基板输出工序中，利用升降驱动机构1024使升降体1022上升，利用支承体1023的上部从下方支承基板1004的下表面，并且使基板1004上升。之后，利用基板输送装置1010使基板1004输出。
[0074]能够如以上说明那样利用基板液处理装置1001对基板1004进行液处理。此时，在基板液处理工序中，由于基板1004的旋转，基板1004的周围的空气(气氛气体)流动，在基板1004的外周外侧产生沿着圆周方向流动的气流(在图4以及图5中以空心箭头表示。)。该气流在水平流路1031中朝向基板1004的圆周方向流动，经由排出口 1043向倾斜流路1036流动。另外，气流从分隔壁1016的内侧向排气管道1018流动。在该气流在水平流路1031中流动时，在底板1025和罩体1026之间的支承部分1037的上方(支承部分1037和罩体1026的内侧上端面(顶壁1030的下表面)之间)形成有间隙1044，因此，能够不使气流与支承部分1037碰撞而流向间隙1044。由此，能够将气流的流速分布保持为均匀的状态，也能够将基板1004的下表面的温度分布保持为均匀的状态。其结果，能够利用处理液均匀地对基板1004的下表面进行液处理。
[0075]另外，在基板液处理工序中，由于处理液的供给以及基板1004的旋转，处理液流动，产生朝向基板1004的外周外侧流动的液流(在图4以及图5中以黑箭头表示。)。该液流在水平流路1031中朝向基板1004的圆周方向流动，经由排出口 1043向倾斜流路1036流动。另外，液流从分隔壁1016的外侧向排液管道1017流动。该液流在水平流路1 31中流动时，在底板1025和罩体1026之间的支承部分1037的上方(支承部分1037和罩体1026的内侧上端面(顶壁1030的下表面)之间)形成有间隙1044，能够防止液流通过与支承部分1037碰撞而产生的处理液的飞散，能够防止由于处理液的飞散而产生的水印的发生、颗粒的残留。其结果，能够利用处理液良好地对基板1004的下表面进行液处理。
[0076]为了利用间隙1044使气流、液流更顺利地流动，期望的是将支承部分1037的上端面(支承片1040的上表面)形成于比基板1004的下表面靠下方的位置，最优选的是将支承部分1037的上端面(支承片1040的上表面)形成得与底板1025的上表面(上端面1027)相同的面上，另外，优选的是使支承部分1037相对于底板1025的上表面(上端面1027)向外侧突出而与罩体1026连接。另外，为了在基板1004的外周外侧使气流、液流均匀地流动，优选的是使支承部分1037沿着基板1004的外周等间隔地形成，最优选的是在沿着基板1004的外周等间隔地设置的基板保持体1033之间形成支承部分1037。
[0077]如以上说明那样，在上述基板液处理装置1001(基板液处理方法)中，在底板1025和罩体1026之间的支承部分1037与罩体1026的内侧上端面之间形成有间隙1044，因此，能够使在基板1004的处理时产生的气流、液流向间隙1044流动，能够防止气流、液流与支承部分1 37碰撞。由此，在上述基板液处理装置1001(基板液处理方法)中，不阻碍在基板1004的处理时在基板1004的外周外侧产生的气流、液流而能够良好地对基板1004进行液处理。另外，在本实施方式中，通过对基板的下表面进行液供给而进行了基板液处理工序，但在对上表面以及下表面或者仅对上表面进行液供给的情况下也能够应用本发明。在仅对基板的上表面进行液供给的情况下，不在基板的下表面产生液流，但与上述实施方式同样地产生气流，由于温度降低也对基板的上表面造成影响。因而，通过设为与上述实施方式同样的结构，能够将下表面的气流的流速分布保持在均匀的状态而缓和对上表面的影响，也能够将基板的上表面的温度分布保持在均匀的状态。
[0078][第2实施方式]
[0079]在上述的专利文献1:日本特开2011— 243627号公报的基板处理装置中，尽管支承销和围绕构件彼此应该清扫、更换等的条件不同，支承销和围绕构件也一体地形成，因此，装置的维护性还存在进一步改善的余地。
[0080]实施方式的一技术方案的目的在于提供一种提高了装置的维护性的基板处理装置。
[0081]图6是表示本实施方式的基板处理系统的概略结构的图。以下，为了明确位置关系，规定彼此正交的X轴、Y轴以及Z轴，将Z轴正方向设为铅垂朝上方向。
[0082]如图6所示，基板处理系统2001具有输入输出站2002和处理站2003。输入输出站2002和处理站2003邻接地设置。
[0083]输入输出站2002具有承载件载置部2011和输送部2012。多个承载件C可载置于承载件载置部2011，多个承载件C能以水平状态收容多张基板、本实施方式为半导体晶圆(以下称为晶圆W)。
[0084]输送部2012与承载件载置部2011邻接地设置，在输送部2012的内部设置有基板输送装置2013和交接部2014。基板输送装置2013具有用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置2013能够沿着水平方向和铅垂方向移动以及以铅垂轴线为中心进行回转，利用晶圆保持机构在承载件C和交接部2014之间进行晶圆W的输送。
[0085]处理站2003与输送部2012邻接地设置。处理站2003具有输送部2015和多个处理单元2016。多个处理单元2016排列设置于输送部2015的两侧。
[0086]输送部2015在内部具有基板输送装置2017。基板输送装置2017具有用于保持晶圆W的晶圆保持机构。另外，基板输送装置2017能够沿着水平方向和铅垂方向移动以及以铅垂轴线为中心进行回转，利用晶圆保持机构在交接部2014和处理单元2016之间进行晶圆W的输送。
[0087]处理单元2016对利用基板输送装置2017输送的晶圆W进行预定的基板处理。
[0088]另外，基板处理系统2001具有控制装置2004。控制装置2004例如是计算机，具有控制部2018和存储部2019。在存储部2019中存储对在基板处理系统2001中执行的各种处理进行控制的程序。控制部2018通过读出被存储于存储部2019的程序并执行，对基板处理系统2001的动作进行控制。
[0089]另外，该程序是记录在可由计算机读取的存储介质的程序，也可以是从该存储介质安装于控制装置2004的存储部2019的程序。作为可由计算机读取的存储介质，例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(⑶)、磁光盘(MO)、存储卡等。
[0090]在如上述那样构成的基板处理系统2001中，首先，输入输出站2002的基板输送装置2013从载置于承载件载置部2011的承载件C取出晶圆W，将取出来的晶圆W载置于交接部2014。载置于交接部2014的晶圆W被处理站2003的基板输送装置2017从交接部2014取出，输入到处理单元2016。
[0091]在输入到处理单元2016的晶圆W被处理单元2016处理之后，利用基板输送装置2017从处理单元2016输出，被载置于交接部2014。并且，载置于交接部2014的处理完毕的晶圆W利用基板输送装置2013返回到承载件载置部2011的承载件C。
[0092I 接着，参照图7对处理单元2016的概略结构进行说明。图7是表示处理单元2016的结构的概略剖视图。
[0093]如图7所示，处理单元2016具有回收杯2050、旋转板2060、旋转环2070、旋转驱动部2080、基板升降机构2090、处理液供给部2100、顶板2110、升降机构2120和非活性气体供给部2130。
[0094]另外，回收杯2050、旋转板2060以及旋转环2070被收容于省略图示的腔室。在腔室的顶部设有省略图示的FFU(风机过滤单元:Fan Filter Unit) C3FFU用于在腔室内形成下降流。
[0095]旋转板2060具有底板2061以及旋转轴2062。底板2061水平地设置，在中央具有圆形的凹部2061a。在底板2061的上表面，朝向上方突出地设置有多个支承销2061b，多个支承销2061b以使晶圆W从底板2061悬浮的状态从下方支承晶圆W。使用图8A以及之后的附图随后论述支承销2061b的详细情况。
[0096]旋转轴2062以从底板2061朝向下方延伸的方式设置，具有在中心设有通孔2062a的圆筒状的形状。另外，旋转轴2062被轴承环63轴支承为能够旋转。
[0097]旋转环2070配置于被支承于底板2061的晶圆W的外周外侧，以整周地围绕晶圆W的周缘部的方式设置。另外，旋转环2070与底板2061连结，与旋转板2060成为一体而设置为能够旋转。
[0098]另外，旋转环2070作为承液部发挥功能，为了排液，将利用后述的处理液供给部2100向晶圆W的背面侧供给而用于对晶圆W进行处理的处理液导向排液杯2051。
[0099]另外，旋转环2070还起到如下作用:防止向晶圆W的背面侧供给并从旋转的晶圆W向外周侧飞散的处理液反弹而再次返回晶圆W、或者绕到晶圆W的上表面侧。使用图8A以及之后的附图随后论述旋转板2060以及旋转环2070的更具体的结构。
[0100]旋转驱动部2080具有带轮2081、驱动带2082和马达2083。带轮2081配置于旋转轴2062的下方侧的周缘外侧。驱动带2082卷绕于带轮2081。
[0101]马达2083的输出轴与驱动带2082连结，通过向驱动带2082传递旋转驱动力，借助带轮2081使旋转轴2062旋转。由于该旋转轴2062的旋转，旋转板2060以及旋转环2070—体地旋转。另外，以下，有时将这样一体地旋转的旋转板2 O 6 O以及旋转环2 O 7 O统称为“旋转部”。
[0102]基板升降机构2090以能够在底板2061的凹部2061a以及旋转轴2062的通孔2062a内升降的方式设置，具有升降销板2091以及升降轴2092。升降销板2091在其周缘设有多个、例如5根升降销209 la。
[0103]升降轴2092从升降销板2091向下方延伸。在升降销板2091以及升降轴2092的中心设有处理液供给管2100a。另外，升降轴2092与作动缸机构2092a连接，作动缸机构2092a用于使升降轴2092升降。由此，可使晶圆W升降而进行晶圆W的相对于旋转板2060的装载以及卸载。
[0104]处理液供给部2100具有处理液供给管2100a。如前所述那样，处理液供给管2100a以沿着升降销板2091以及升降轴2092的内部空间延伸的方式设置。
[0105]并且，处理液供给管2100a通过将从处理液配管组2100b的各配管供给过来的处理液引导到晶圆W的背面侧，处理液供给部2100向晶圆W的背面侧供给处理液。另外，处理液供给管2100a与形成于升降销板2091的上表面的处理液供给口 2091B连通。
[0106]回收杯2050具有排液杯2051、排液管2052、排气杯2053以及排气管2054。另外，回收杯2050在上表面设有开口 2055。回收杯2050主要起到对从由旋转板2060以及旋转环2070围成的空间排出的气体以及液体进行回收的作用。
[0107]排液杯2051接收由旋转环2070引导来的处理液。排液管2052与排液杯2051的底部连接，将由排液杯2051接收到的处理液经由省略图示的排液配管组的任一个配管排出。[0?08]排气杯2053以在排液杯2051的外侧或下方与排液杯2051连通的方式设置。在图7中不出了排气杯2053以在排液杯2051的周缘内侧以及下方与排液杯2051连通的方式设置的例子。
[0109]排气管2054与排气杯2053的底部连接，将排气杯2053内的氮气等气体经由省略图示的排气配管组的任一个配管进行排气。
[0110]顶板2110以能够升降且在下降了的状态下封堵被设于回收杯2050的上表面的开口 2055的方式设置。另外，顶板2110以在封堵被设于回收杯2050的上表面的开口 2055时从上方覆盖由支承销2061b支承着的晶圆W的方式设置。
[0111]另外，顶板2110的与由支承销2061b支承着的晶圆W的周缘部相对的周缘部朝向晶圆W而向下方突出地设置，在顶板2110的周缘部与晶圆W的周缘部之间形成有间隙DI。间隙Dl的大小比由支承销2061b支承着的晶圆W的中心部和顶板2110之间的距离小。
[0112]升降机构2120具有臂2121和升降驱动部2122。升降驱动部2122设于回收杯2050的外侧，能够沿着上下方向移动。臂2121以将顶板2110和升降驱动部2122连接起来的方式设置。即、升降机构2120利用升降驱动部2122并借助臂2121使顶板2110升降。
[0113]非活性气体供给部2130具有非活性气体供给管2131以及非活性气体供给源2132。非活性气体供给部2130向晶圆W的上表面侧供给氮气、氩气这样的非活性气体。
[0114]非活性气体供给管2131以在顶板2110以及臂2121的内部延伸的方式设置，一端与用于供给非活性气体的非活性气体供给源2132连结。另外，另一端与形成于顶板2110的中心部的非活性气体供给口 211 Oa连通。
[0115]另外，如图7所示，优选的是，臂2121与顶板2110的上表面的大致中心连接。由此，非活性气体供给口 21 1a形成于顶板2110的下表面的中心部，因此，能够将非活性气体从顶板2110的中心向下方供给，能够使供给到晶圆W的非活性气体的流量沿着周向均匀。
[0116]在本实施方式中，与专利文献I不同，使支承销2061b与旋转环2070独立地形成。由此，旋转环2070无需具有作为在晶圆W上产生的电的导电路径的作用，该材质的选择的范围变宽。
[0117]以下，使用图8A?图SG对本实施方式的旋转部进行说明。首先，图8A是实施方式的旋转部的立体图。另外，图8B是实施方式的旋转部的向视B概略剖视图。另外，图8B是以图8A所示的矩形R2剖切而成的概略剖视图。
[0118]如图8A所示，实施方式的旋转部具有底板2061和旋转环2070。在底板2061的上表面沿着底板2061的周向以大致等间隔设有支承销2061b。
[0119]如已述那样，支承销2061b以使其顶端部朝向上方从底板2061突出的方式设置，以使晶圆W从底板2061悬浮的状态从下方支承晶圆W。
[0120]另外，如图8B所示，旋转环2070在向视B剖视时与专利文献I不同，以隔开有空间PS的方式形成有内壁，还设有与底板2061卡合的卡合部2070a。
[0121]卡合部2070a形成为能够与形成于底板2061的卡合孔卡合的形状，通过使该卡合部2070a嵌合于例如卡合孔，旋转环2070与底板2061—体化。另外，卡合的方式不限于嵌合，也可以利用例如紧固构件从底板2061的背侧紧固。
[0122]接下来，图SC是实施方式的旋转部的俯视图。另外，图8D是图SC所示的C一C’线概略剖视图。
[0123]如图8C所示，支承销2061b例如由树脂形成，设有第I支承销2061ba和第2支承销2061bb这两种。其中，在对第I支承销2061ba和第2支承销2061bb进行了比较的情况下，第I支承销206 Iba由导电性比第2支承销206 Ibb的导电性高的原材料形成。
[0124]另外，第2支承销2061bb由对化学试剂的抗性比第I支承销2061ba的原材料对化学试剂的抗性高的原材料形成。另外，第2支承销2061bb也可以基于重视耐久性等理由而由不具有导电性的原材料形成。
[0125]如在图8C中由虚线的封闭曲线围着的部分所示，第I支承销2061ba设有例如3个，这些第I支承销2061ba沿着周向以大致等间隔、即大致120度的间隔配置于底板2061的周缘。
[0126]另外，第2支承销2061bb在第I支承销2061ba和第I支承销2061ba之间沿着周向以大致等间隔例如各3个地设于底板2061的周缘。因而，作为支承销2061b，以大致30度的间隔配置有共12个。
[0127]如图8D所示，支承销2061b(在此是第I支承销2061ba)以例如朝向上方笔直地延伸的方式形成。
[0128]另外，此时，优选的是相对于顶端部的宽度a将本体部的宽度b确保相当量。通过确保该宽度b，在安装支承销2061b时，为了能够利用例如工具等保持顶端部并拧入支承销2061b，能够容易施加所需的转矩。
[0129]返回到图8D的说明。另外，支承销2061b在底部具有紧固部2061e，通过将支承销2061b从底板2061的上表面侧插入被形成于底板2061的紧固孔2061c，支承销2061b被紧固于底板2061。
[0130]另外，支承销2061b如上所述那样仅通过从底板2061的上表面侧插入就能够安装，因此，能够在例如不拆卸旋转环2070这样的其他构件的情况下也容易地进行支承销2061b的单独的更换等。
[0131]S卩、由于处理液的影响，第I支承销2061ba的使用期限先于第2支承销2061bb的使用期限届满，能够容易地仅更换第I支承销2061ba。
[0132]另外，如图8D所示，在底板2061和旋转环2070之间形成有排出口EX。排出口 EX是用于将在前述的晶圆W的下方产生的气流、对晶圆W进行了处理后的处理液排出的流路。另外，在旋转环2070，在旋转环2070的内周附近且在与晶圆W外周相对应的位置形成有从旋转环2070向下方延伸的突起部2070b。突起部2070b沿着晶圆W外周形成有多个，延伸到比晶圆W的上表面低的位置。由此，防止晶圆W移动到预先确定的范围之外，防止晶圆W从支承销2061b落下。若突起部2070b形成于支承销2061b的上方，则能够使晶圆W更稳定地移动，能够防止晶圆W从支承销2061b落下。其原因在于，支承销2061b上的晶圆W的高度是即使晶圆W具有翘曲等也确定了的高度，因此，即使晶圆W具有翘曲，也不会钻入突起部2070b的下方，能够可靠地使晶圆W停止沿着水平方向移动。突起部2070b的横向宽度(水平方向的长度)形成得比支承销2061 b的横向宽度(水平方向的长度)短。由此，能够防止阻碍基板上的液体的流动以及气流的流动。出于防止阻碍基板上的液体的流动以及气流的流动的理由，也更好是突起部2070b的向下方延伸的长度设为直到比支承销2061b高的位置为止的长度。
[0133]接下来，图SE是本实施方式的旋转部的导电路径的说明图。如图SE中的箭头所示，在本实施方式中，在晶圆W载置于旋转部的情况下，在晶圆W上产生的电被从作为导电性原材料的第I支承销2061ba向底板2061的内部导电。
[0134]在底板2061的内部设有导电性构件2061f，该导电性构件2061f与第I支承销206 Iba接触。由此，来自第I支承销206 Iba的电被向导电性构件2061 f导电。
[0135]导电性构件2061f延伸到旋转轴2062附近，被导到导电性构件2061f的电被向旋转轴2062导电。
[0136]S卩、在本实施方式中，形成从第I支承销2061ba经由导电性构件2061f的导电路径，晶圆W被除电。换言之，在本实施方式中，在晶圆W载置于旋转部的情况下，晶圆W经由第I支承销2061ba和导电性构件2061f被电导通。
[0137]接下来，图8F是表示支承销2061b和卡合部2070a之间的配置关系的俯视示意图。另外，在图8F中，支承销2061b的配置位置用“X”表示，标注有附图标记P。另外，图SG是表示支承销2061b和卡合部2070a之间的配置关系的立体图。
[0138]如图8F所示，将底板2061和旋转环2070连结起来而使底板2061和旋转环2070—体化的前述的卡合部2070a沿着旋转环2070的周向以大致等间隔设有例如6个。另外，卡合部2070a以分别位于支承销2061b的配置位置P相互之间的方式配置。
[0139]具体而言，如图8G所示，卡合部2070a以位于例如导电性较高的第I支承销2061ba和导电性较低(没有导电性)的第2支承销2061bb之间的大致中央的方式配置。
[0140]通过这样在支承销2061b之间配置卡合部2070a，能够将支承销2061b和卡合部2070a之间的配置关系设为在俯视时具有对称性。因而，能够使处理液以及前述的气流沿着底板2061的表面大致均匀扩展而流动。
[0141]另外，卡合部2070a使底板2061和旋转环2070—体化，因此，不会使处理液以及气流紊乱。
[0142]S卩、能够在不产生紊乱的情况下对晶圆W的背面侧大致均匀地进行处理，有助于提尚晶圆W的处理结果的品质。
[0143]如以上说明那样，在本实施方式中，在底板2061的上表面设有相对于旋转环2070独立的多个支承销2061b。由此，不拆卸包含旋转环2070在内的其他构件，就能够容易地进行更换等，与多个支承销2061b同旋转环2070—体地形成的情况相比较，能够容易地进行维护。
[0144]另外，即使更换支承销2061b，也不需要更换旋转环2070，因此，也能够抑制维护的成本。另外，旋转环2070自身也能够相对于支承销2061b独立地进行维护。这样，采用本实施方式，能够提高基板处理系统2001的维护性。
[0145]并且，使支承销2061b的局部具有导电性，利用该支承销2061b的局部形成了导电路径。由此，能够防止晶圆W带电。另外，无需使旋转环2070具有导电路径的作用，因此，能够增加旋转环2070的原材料的选择范围。
[0146]另外，在上述的实施方式中，列举了分别设置有12个支承销2061b、6个卡合部2070a的情况的例子，当然它们的个数并没有限定。
[0147]另外，在上述的实施方式中，12个支承销2061b中的3个是第I支承销2061ba，但对第I支承销2061ba的个数、比率等并没有限定。第I支承销2061ba的个数能够根据晶圆W是否被恰当地除电而适当地调整。
[0148]另外，通过使认为更换次数相对较多的第I支承销2061ba的个数少于第2支承销2061 bb的个数，能够减少旋转部整体中的支承销2061 b的更换次数。
[0149]如上所述，采用实施方式的一技术方案能够提高装置的维护性。
[0150]进一步的效果、变形例能够由本领域技术人员容易地导出。因此，本发明的更大范围的技术方案并不限定于如以上那样表述且记述的特定的详细以及代表性的实施方式。因而，在不脱离由所附的权利要求书及其等同物所定义的总结性的发明的概念的精神或范围的情况下，能够进行各种各样的变更。
【主权项】
1.一种基板液处理装置，其特征在于， 该基板液处理装置具有: 基板旋转保持部，其用于保持基板并使该基板旋转； 处理液供给部，其用于向由所述基板旋转保持部保持着的基板供给处理液， 所述基板旋转保持部具有: 底板，其与所述基板隔开间隔地配置于所述基板的下方； 罩体，其利用支承部分支承于所述底板，配置于所述基板的外周外侧； 排出口，其形成于所述底板和罩体之间，用于将在所述基板的下方产生的气流排出，所述底板和所述罩体之间的支承部分相对于所述底板的上表面向外侧突出并与所述罩体连接。2.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其特征在于， 将所述底板和所述罩体之间的支承部分形成于比所述基板的下表面靠下方的位置。3.根据权利要求1或2所述的基板液处理装置，其特征在于， 所述底板和所述罩体之间的支承部分的上端面形成得与所述底板的上表面平齐。4.根据权利要求1?3中任一项所述的基板液处理装置，其特征在于， 所述处理液供给部向所述基板的下表面供给处理液，所述排出口将从所述处理液供给部供给来的处理液排出。5.根据权利要求1?4中任一项所述的基板液处理装置，其特征在于， 所述底板和所述罩体之间的支承部分形成于基板保持体之间，该基板保持体沿着所述基板的外周隔开间隔地设置有多个，用于支承所述基板。6.根据权利要求5所述的基板液处理装置，其特征在于， 将所述底板与所述罩体之间的支承部分和所述基板保持体沿着所述基板的外周等间隔地形成。7.一种基板处理装置，其特征在于， 该基板处理装置具有权利要求1所述的基板液处理装置， 该基板处理装置具有多个支承构件，该多个支承构件设于所述底板的上表面，用于支承所述基板。8.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于， 所述多个支承构件包括由具有导电性的树脂形成的第I支承构件， 在所述底板的内部配置有与所述第I支承构件接触的导电性构件， 所述基板经由所述第I支承构件和所述导电性构件被电导通。9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于， 所述多个支承构件包括由导电性比所述第I支承构件的导电性低的树脂形成的第2支承构件。10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于， 所述第I支承构件的个数比所述第2支承构件的个数少。11.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于， 所述支承构件能够从所述底板的上表面侧装卸。12.根据权利要求7所述的基板处理装置，其特征在于， 在所述罩体上形成有从所述罩体向下方延伸的突起部， 所述突起部沿着所述基板的外周形成有多个，延伸到比所述基板的上表面低的位置。13.一种基板液处理方法，其特征在于， 利用基板旋转保持部保持基板并使该基板旋转，从处理液供给部向所述基板供给处理液而利用处理液对所述基板进行液处理，在进行所述液处理时，利用支承部分预先将底板和罩体连接起来，该底板与设于所述基板旋转保持部的所述基板隔开间隔地配置于所述基板的下方，该罩体配置于所述基板的外周外侧，从形成于所述底板和所述罩体之间的排出口将在所述基板的下方产生的气流排出。
【文档编号】H01L21/67GK105845603SQ201610069114
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年2月1日
【发明人】张健, 天野嘉文, 冈本英郎, 冈本英一郎, 伊藤优树
【申请人】东京毅力科创株式会社