基于新聚合物及应用于图像显影技术的显影液的制作方法

文档序号:9910051阅读:526来源:国知局
基于新聚合物及应用于图像显影技术的显影液的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显影液技术领域,尤其涉及基于新聚合物及应用于图像显影技术的显影液。
【背景技术】
[0002]市场上销售的显影液多是浓缩型液体,使用时需要按比例稀释,显影液的浓度多以显影液的稀释比来表示。在其他条件不变的前提下,显影速度与显影液浓度成正比关系,即显影液浓度越大,显影速度越快。当温度22°C,显影时间为60秒时。以3级干净为准的曝光量,H)型显影液浓度以1:6为最佳。当显影液浓度过大时,往往因显影速度过快而使显影操作不易控制;特别是它对图文基础的腐蚀性增强,容易造成网点缩小、残损、亮调小网点丢失及减薄涂层,从而造成耐印力下降等弊病;同时空白部位的氧化膜和封孔层也会受到腐蚀和破坏,版面出现发白现象,使印版的亲水性和耐磨性变差。显影液浓度大,还易有结晶析出。当显影液的浓度偏低时,碱性弱,显影速度慢,易出现显影不净、版面起脏、暗调小白点糊死等现象。

【发明内容】

[0003]本发明的目的在于克服现有技术的不足,而提供一种基于新聚合物及应用于图像显影技术的显影液,可大大提高精细线路的显影能力和防腐蚀能力。
[0004]为实现上述目的,本发明采用如下技术方案。
[0005]基于新聚合物及应用于图像显影技术的显影液,该显影液用于与硅铝酸盐聚合物进行显影,该它由含量为以下重量百分数的组分组成:
NaOH2.2-2.5%;
Na2CO330-34%;
二甲基吡咯烷酮 0.13?0.15%;
二甲基亚砜0.11?0.14%;
苯并三氮唑0.11?0.14%;
水余量。
[0006]优选的,所述基于新聚合物及应用于图像显影技术的显影液,它由含量为以下重量百分数的组分组成:
NaOH2.3%;
Na2CO333%;
二甲基吡咯烷酮 0.14%;
二甲基亚砜0.12%;
苯并三氮唑0.12%;
水余量。
[0007]本发明有益效果为:本发明所述一种基于新聚合物及应用于图像显影技术的显影液,可大大提尚精细线路的显影能力和防腐蚀能力。
【具体实施方式】
[0008]下面结合实施方式对本发明作进一步的说明。
[0009]为了进一步说明和验证本发明提出的技术方案的效果,提供以下几种【具体实施方式】做对比。
[0010]【具体实施方式】一:
所述基于新聚合物及应用于图像显影技术的显影液,它由含量为以下重量百分数的组分组成:
NaOH2.3%;
Na2CO333%;
二甲基吡咯烷酮 0.14%;
二甲基亚砜0.12%;
苯并三氮唑0.12%;
水余量。
[0011]以上组分的重量百分数之和为100%。
[0012]【具体实施方式】二:
NaOH2.4%;
Na2CO334%;
二甲基吡咯烷酮 0.15%;
二甲基亚砜0.13%;
苯并三氮唑0.13%;;
水余量。
[0013]以上组分的重量百分数之和为100%。
[0014]【具体实施方式】三:
NaOH2.2%;
Na2CO332%;
二甲基吡咯烷酮 0.13%;
二甲基亚砜0.14%;
苯并三氮唑0.14%;
以上组分的重量百分数之和为100%。
[0015]以上三种实施方式,二甲基吡咯烷酮和二甲基亚砜用于提高提高精细线路的显影能力,苯并三氮唑用于防止铜面氧化,防腐蚀能力。
[0016]以上所述仅是本发明的较佳实施方式,故凡依本发明专利申请范围所述的构造、特征及原理所做的等效变化或修饰,均包括于本发明专利申请范围内。
【主权项】
1.基于新聚合物及应用于图像显影技术的显影液,其特征在于:该显影液用于与硅铝酸盐聚合物进行显影,该它由含量为以下重量百分数的组分组成: NaOH2.2-2.5%; Na2CO330-34%; 二甲基吡咯烷酮 0.13?0.15%; 二甲基亚砜0.11?0.14%; 苯并三氮唑0.11?0.14%;水余量。2.根据权利要求1所述的基于新聚合物及应用于图像显影技术的显影液,其特征在于,它由含量为以下重量百分数的组分组成: NaOH2.3%; Na2CO333%; 二甲基吡咯烷酮 0.14%; 二甲基亚砜0.12%; 苯并三氮唑0.12%;水余量。
【专利摘要】本发明涉及显影液技术领域,尤其涉及基于新聚合物及应用于图像显影技术的显影液,它由含量为以下重量百分数的组分组成:NaOH?2.2~2.5%;Na2CO3?30~34%;二甲基吡咯烷酮?0.13~0.15%;二甲基亚砜?0.11~0.14%;苯并三氮唑?0.11~0.14%;水?余量;可大大提高精细线路的显影能力和防腐蚀能力。
【IPC分类】G03F7/32
【公开号】CN105676599
【申请号】CN201610208562
【发明人】李再强, 肖红星, 孙宝林, 邹毅芳, 欧胜
【申请人】东莞市广华化工有限公司
【公开日】2016年6月15日
【申请日】2016年4月6日
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