一种显影的方法及装置的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种显影的方法及装置，属于显示领域。所述方法包括：获取第一位置的曝光间距变化量，所述第一位置是第二位置在掩膜板上的投射位置，所述第二位置是基板上的一位置；根据所述曝光间距变化量，确定向所述第二位置喷洒显影液的流量；根据所述流量，向所述第二位置喷洒显影液，所述显影液用于刻蚀位于所述第二位置处的有机材料。所述装置包括：获取模块、确定模块和喷洒模块。本发明能够均一各图形线宽。
【专利说明】
一种显影的方法及装置
技术领域
[0001] 本发明涉及显示领域，特别涉及一种显影的方法及装置。
【背景技术】
[0002] 在显示领域，常常使用显影方法将有机材料刻蚀成所需要的图案。例如，在制作 TFT(Thin Fi Im Transistor，薄膜晶体管)时，常常在基板上沉积有机材料，再对该有机材 料进行曝光，然后使用显影的方法将该曝光的有机材料刻蚀成沟道层、源漏电极等。
[0003] 目前对有机材料进行曝光和显影的过程可以为:首先将掩膜板放置在曝光机掩膜 板支架上，沉积有有机材料的基板位于该掩膜板的下方，从掩膜板的上方向下照射光线，对 位于基板上的有机材料进行曝光。在曝光结束后，在该曝光的有机材料上方均匀地喷洒显 影液，将该曝光的有机材料刻蚀成所需要的图案。
[0004] 在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
[0005] 由于掩膜板放置在曝光机掩膜板支架上，掩膜板会有一定程度的弯曲，导致基板 中间部分的曝光间距（中间部分到掩膜板之间的距离)小于边缘部分，导致曝光后基板中间 部分的图形线宽小于边缘部分，使得基板上的各图形线宽不一致。
【发明内容】
[0006] 为了使基板上的各图形线宽一致，本发明实施例提供了一种显影的方法及装置。 所述技术方案如下：
[0007] 第一方面，提供了一种显影的方法，所述方法包括：
[0008] 获取第一位置的曝光间距变化量，所述第一位置是第二位置在掩膜板上的投射位 置，所述第二位置是基板上的一位置，所述第一位置的曝光间距变化量是所述第一位置的 曝光间距与所述掩膜板边缘的曝光间距之间的差值；
[0009] 根据所述曝光间距变化量，确定向所述第二位置喷洒显影液的流量；
[0010] 根据所述流量，向所述第二位置喷洒显影液，所述显影液用于刻蚀位于所述第二 位置处的有机材料。
[0011] 可选的，所述获取第一位置的曝光间距变化量，包括：
[0012] 计算第一位置与掩膜板中心点之间的第一距离，以计算第一中点到掩膜板边缘的 第二距离，所述第一中点是所述第一位置与所述掩膜板中心点的连线的中点；
[0013] 根据所述第一距离和所述第二距离，计算所述第一位置的曝光间距变化量。
[0014] 可选的，所述根据所述第一距离和所述第二距离，计算所述第一位置的曝光间距 变化量，包括：
[0015] 按如下公式计算所述第一位置的曝光间距变化量Δ h:
[0016] Ah = H · [1-(1/L)n]
[0017] 其中，上述公式中，H为掩膜板中心点的曝光间距变化量，所述掩膜板中心的曝光 间距变化量是所述掩膜板中心点的曝光间距与所述掩膜板边缘的曝光间距之间的差值，1 为第一距离，L为第二距离，η为第一位置的形变指数。
[0018] 可选的，所述根据所述曝光间距变化量，确定向所述第二位置喷洒显影液的流量， 包括：
[0019] 根据所述曝光间距变化量，计算在第二位置处的图形线宽变化量；
[0020] 根据所述图形线宽变化量计算显影液流量变化量，所述显影液流量变化量是在所 述第二位置喷洒显影液流量与在所述基板中心位置喷洒显影液流量之间的差值；
[0021] 根据所述显影液流量变化量和在所述基板中心位置喷洒显影液流量，计算向所述 第二位置喷洒显影液的流量。
[0022] 可选的，所述根据所述曝光间距变化量，计算在第二位置处的图形线宽变化量，包 括：
[0023] 按如下公式计算图形线宽变化量Aro:
[0024] ACD = ki · Ah
[0025] 在上述公式中，1^为常量，Ah为所述曝光间距变化量。
[0026] 可选的，所述根据所述图形线宽变化量计算显影液流量变化量，包括：
[0027] 按如下公式计算显影液流量变化量Δ F:
[0028] ACD = k2 · AF
[0029] 在上述公式中，1?为常量，Δ⑶为所述图形线宽变化量。
[0030] 可选的，所述根据所述流量，向所述第二位置喷洒显影液，包括：
[0031] 控制位于所述第二位置正上方的显影液喷嘴按所述流量向所述第二位置处喷洒 显影液。
[0032] 第二方面，提供了一种显影的装置，其特征在于，所述装置包括：
[0033] 获取模块，用于获取第一位置的曝光间距变化量，所述第一位置是第二位置在掩 膜板上的投射位置，所述第二位置是基板上的一位置，所述第一位置的曝光间距变化量是 所述第一位置的曝光间距与所述掩膜板边缘的曝光间距之间的差值；
[0034]确定模块，用于根据所述曝光间距变化量，确定向所述第二位置喷洒显影液的流 量；
[0035]喷洒模块，用于根据所述流量，向所述第二位置喷洒显影液，所述显影液用于刻蚀 位于所述第二位置处的有机材料。
[0036]可选的，所述获取模块包括：
[0037]第一计算单元，用于计算第一位置与掩膜板中心点之间的第一距离，以计算第一 中点到掩膜板边缘的第二距离，所述第一中点是所述第一位置与所述掩膜板中心点的连线 的中点；
[0038]第二计算单元，用于根据所述第一距离和所述第二距离，计算所述第一位置的曝 光间距变化量。
[0039] 可选的，所述第一计算单元，用于按如下公式计算所述第一位置的曝光间距变化 量A h:
[0040] Ah = H · [1-(1/L)n]
[0041] 其中，上述公式中，H为掩膜板中心点的曝光间距变化量，所述掩膜板中心的曝光 间距变化量是所述掩膜板中心点的曝光间距与所述掩膜板边缘的曝光间距之间的差值，1 为第一距离，L为第二距离，η为第一位置的形变指数。
[0042]可选的，所述确定模块包括：
[0043]第三计算单元，用于根据所述曝光间距变化量，计算在第二位置处的图形线宽变 化量；
[0044]第四计算单元，用于根据所述图形线宽变化量计算显影液流量变化量，所述显影 液流量变化量是在所述第二位置喷洒显影液流量与在所述基板中心位置喷洒显影液流量 之间的差值；
[0045]第五计算单元，用于根据所述显影液流量变化量和在所述基板中心位置喷洒显影 液流量，计算向所述第二位置喷洒显影液的流量。
[0046] 可选的，所述第三计算单元，用于按如下公式计算图形线宽变化量Δ CD:
[0047] ACD = ki · Ah
[0048] 在上述公式中，kd常量，Δ h为所述曝光间距变化量。
[0049] 可选的，所述第四计算单元，用于按如下公式计算显影液流量变化量AF:
[0050] Δ CD = k2 · AF
[00511在上述公式中，1?为常量，Δ⑶为所述图形线宽变化量。
[0052] 可选的，所述喷洒模块包括控制单元和至少一个显影喷嘴，所述至少一个显影液 喷嘴位于所述基板的上方；
[0053]所述控制单元，用于控制位于所述第二位置正上方的显影液喷嘴按所述流量向所 述第二位置处喷洒显影液。
[0054] 本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
[0055] 由于获取基板上的任一第二位置在掩膜板上的投射的第一位置处的曝光间距变 化量，基于该曝光间距变化量，确定出向第二位置喷洒显影液的流量，这样保证向图形线宽 较大的第一图形喷洒显影液的总量大于向图形线宽较小的第二图形喷洒显影液的总量，刻 蚀掉第一图形的线宽量大于刻蚀第二图形的线宽量，使两者线宽均一，从而使基板上的各 图形线宽一致。
【附图说明】
[0056] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使 用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于 本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他 的附图。
[0057] 图1-1是本发明实施例提供的曝光机结标示意图；
[0058] 图1-2是本发明实施例提供的掩膜板结构示意图；
[0059]图2是本发明实施例提供的一种显影的方法流程图；
[0060]图3-1是本发明实施例提供的另一种显影的方法流程图；
[0061]图3-2是本发明实施例提供的一种掩膜板俯视图；
[0062]图3-3是本发明实施例提供的一种显影装置俯视图；
[0063]图3-4是本发明实施例提供的一种显影装置结构示意图；
[0064]图4是本发明实施例提供的一种显影的装置结构框图。
【具体实施方式】
[0065]为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方 式作进一步地详细描述。
[0066]目前在显示领域里，需要对沉积有有机材料的基板进行曝光显影处理。在进行处 理时，首先将掩膜板放置在曝光机掩膜板支架上，将沉积有有机材料的基板放置于该掩膜 板的下方，然后从掩膜板的上方向下照射光线，对位于基板上的有机材料进行曝光，使基板 上的有机材料形成图形。
[0067]其中，参见图1-1和1-2,掩膜板4放置在曝光机掩膜板支架5上，沉积有有机材料3 的基板2放置在曝光机机台1上，掩膜板4会有一定程度的弯曲，导致基板中间部分的曝光间 距小于边缘部分的曝光间距(也可以说成是掩膜板中间部分的曝光间距小于边缘部分的曝 光间距），曝光间距是基板2到掩膜板4之间的距离。例如，参见图1-2,基板边缘部分的曝光 间距Gl大小于基板2中心部分的瀑光间距G2。其中，曝光间距越小，形成的图形线宽就越小， 曝光间距越大形成的图形线宽就越大，这样导致位于基板中间部分的图形线宽小于位于基 板边缘部分的图形线宽。例如，参见图1-1，位于基板边缘部分的图形线宽CD2大于位于基板 中间部分的图形线宽CD1。所以经过曝光后，基板上的各图形线宽不均一，利用此基板制作 出的显示面板的显示效果较差。
[0068]在进行完曝光处理后，需要向基板喷洒显影液，刻蚀掉曝光形成的图形附近的有 机材料，以刻蚀出曝光形成的图形。其中，需要说明的是：显影液除了能够刻蚀掉图形附近 的有机材料，还能够刻蚀图形的宽度。因此，在对基板显影的过程中，通过控制向基板不同 位置喷洒显影液的流量，使向图形线宽较宽的部位喷洒显影液的总量大于向图形线宽较小 的部位喷洒显影液的总量，这样对于图形线宽较宽的图形，该图形就有部分宽度被显影液 刻蚀掉，从而使得两种图形的线宽相等。该显影处理的具体过程可以通过如下任一种实施 例来实现。
[0069]参见图2，本发明实施例提供了显影的方法，包括：
[0070]步骤201:获取第一位置的曝光间距变化量，第一位置是第二位置在掩膜板上的投 射位置，第二位置是基板上的一位置。
[0071] 其中，第一位置的曝光间距变化量是第一位置的曝光间距与掩膜板边缘的曝光间 距之间的差值。
[0072] 步骤202:根据该曝光间距变化量，确定向第二位置喷洒显影液的流量。
[0073]步骤203:根据该流量，向第二位置喷洒显影液，该显影液用于刻蚀位于第二位置 处的有机材料。
[0074]在本发明实施例中，由于获取基板上的任一第二位置在掩膜板上的投射的第一位 置处的曝光间距变化量，基于该曝光间距变化量，确定出向第二位置喷洒显影液的流量，这 样保证向图形线宽较大的第一图形喷洒显影液的总量大于向图形线宽较小的第二图形喷 洒显影液的总量，刻蚀掉第一图形的线宽量大于刻蚀第二图形的线宽量，使两者线宽均一。 [0075]本发明实施例提供了一种显影的方法，该方法对经过曝光处理的基板上有机材料 进行显影。参见图3-1，该方法包括：
[0076]步骤301:计算第一位置与掩膜板中心点的第一距离，以及计算第一中点到掩膜板 边缘的第二距离。
[0077]其中，第一位置是基板上的第二位置在掩膜板上的投射位置，第二位置是基板上 的任一位置。第一中点是第一位置与掩膜板中心点的连线的中点。
[0078]本步骤可以为:根据第一位置的坐标和掩膜板中心点的坐标计算出第一距离，根 据第一位置的坐标和掩板中心点的坐标计算出第一中点的坐标;根据第一中点的坐标确定 离第一中点垂直距离最近的掩膜板边缘，如果该掩膜板边缘与y轴平行，则根据该第一中点 的X轴坐标和该掩膜板边缘的X轴坐标计算第二距离，如果该掩膜板边缘与X轴平行，则根据 该第一中点的y轴坐标和该掩膜板边缘的y轴坐标计算出第二距离。
[0079] 其中，该X轴和y轴都是掩膜板的坐标系中的坐标轴，该坐标系可以以掩膜板中心 点为坐标原点，X轴与掩膜板中的两个掩膜板边缘平行，y轴与掩膜板的另外两个掩膜板边 缘平行。
[0080] 例如，参见图1-1和3-2所示的掩膜板俯视图，该掩膜板包括1、2、3、4四个掩膜板边 缘。第一位置A是基板上的第二位置B在掩膜板上的投射位置，第一位置A的坐标为( Xa，ya); 掩膜板中心点C的坐标为（^ , I枏抿笛一份詈A的坐标(xa，ya)和掩膜板中心点C的坐标 (xc，y。），计算出第一距I
根据第一位置A的坐标(xa，ya)和掩膜板 中心点C的坐标(X。，y。），计算出第一中点D的坐标为(Xd，yd)。
[0081 ]其 4
[0082 ]再根据第一中点D的坐标(Xd，yd)确定离第一中点最近的掩膜板边缘1，计算出第二 距离L= I xi-xd I，其中，Xi为掩膜板边缘1的X轴坐标。
[0083]步骤302:根据第一距离和第二距离，计算第一位置的曝光间距变化量。
[0084]该曝光光间距变化量为第一位置的曝光间距和掩膜板边缘的曝光间距之间的差 值，基板边缘的曝光间距之间的差值(也可以描述成第一位置在基板上对应的第二位置的 曝光间距和基板边缘的曝光间距之间的差值）。
[0085]本步骤可以为:按如下公式(1)计算第一位置的曝光间距变化量Δ h:
[0086] Ah = H · [1-(1/L)n]……(1)；
[0087]其中，在上述公式（1)中，H为掩膜板中心点的曝光间距变化量，掩膜板中心点的曝 光间距变化量是掩膜板中心点的曝光间距与掩膜板边缘的曝光间距之间的差值，1为第一 距离，L为第二距离，η为第一位置的形变指数。
[0088]其中，掩膜板中心点的曝光间距变化量是事先测量得到的，以及第一位置的形变 指数也是事先测量得到的。掩膜板中的第一位置的形变指数用于表示掩膜板在第一位置处 的弯曲情况，是由掩膜板尺寸及曝光机板搭载机构共同决定的，可事先模拟计算出。
[0089]步骤303:根据第一位置的曝光间距变化量，计算在第二位置处的图形线宽变化 量。
[0090] 具体地，按如下公式(2)计算图形线宽变化量Aro:
[0091] ACD = ki · Ah……(2)；
[0092]在上述公式(2)中，1^为常量，Ah为第一位置的曝光间距变化量。Iu的取值为大于0 且小于1，其具体取值与光刻胶的特性决定。
[0093]步骤304:根据第二位置的图形线宽变化量计算显影液流量变化量。
[0094] 其中，该显影液流量变化量是在第二位置喷洒显影液流量与在基板中心位置喷洒 显影液流量之间的差值。
[0095] 本步骤可以为:按如下公式(3)计算显影液流量变化量Δ F:
[0096] ACD = k2 · AF……(3)；
[0097]在上述公式(3)中，k2为常量，k2的取值为大于0且小于1，其具体取值与光刻胶的特 性决定。
[0098] 步骤305:根据第二位置的显影液流量变化量和在基板中心位置喷洒显影液流量， 计算向第二位置喷洒显影液的流量。
[0099]在基板中心位置喷洒显影液流量可以为预设值。在对基板上的有机材料进行显影 之前，先设置向基板中心位置喷洒显影液流量。本步骤可以为:将第二位置的显影液流量变 化量和在基板中心位置喷洒显影液流量相加，得到向第二位置喷洒显影液的流量。
[0100] 步骤306:根据第二位置喷洒显影液的流量，向第二位置喷洒显影液，该显影液用 于刻蚀位于第二位置处的有机材料。
[0101 ]其中，参见图3_3和3_4,在对基板上的有机材料进彳丁显影时，可以在基板的上方架 设显影装置，该显影装置包括至少一个显影液喷嘴9。该显影装置还可以包括搭载模块8，至 少一个喷嘴9安装在该塔载模块8上。
[0102]本步骤可以为：根据第二位置喷洒显影液的流量，控制位于第二位置上方的显影 液喷嘴向第二位置喷洒显影液。
[0103] 其中，该显影装置还包括感应器7，该感应器7安装在该搭载模块8上，搭载模块8内 有一显影坐标系，在该显影坐标系中该至少一个显影液喷嘴中的每个显影液喷嘴都有对应 的位置。通过该感应器7可以感应到基板的基板坐标系与该显影坐标系之间转换关系，根据 该转换关系，确定第二位置正上方的显影液喷嘴。
[0104] 在本发明实施例中，由于获取基板上的任一第二位置在掩膜板上的投射的第一位 置处的曝光间距变化量，基于该曝光间距变化量，确定出向第二位置喷洒显影液的流量，这 样保证向图形线宽较大的图形喷洒显影液的总量大于向图形线宽较小的图形喷洒显影液 的总量，使线宽较大的图形的宽度多刻蚀一些，从而进一步使各图形线宽达到均一的目的。
[0105] 参见图4,本发明实施例提供了一种显影的装置400,所述装置400包括：
[0106]获取模块401，用于获取第一位置的曝光间距变化量，所述第一位置是第二位置在 掩膜板上的投射位置，所述第二位置是基板上的一位置，所述第一位置的曝光间距变化量 是所述第一位置的曝光间距与所述掩膜板边缘的曝光间距之间的差值；
[0107] 确定模块402,用于根据所述曝光间距变化量，确定向所述第二位置喷洒显影液的 流量；
[0108] 喷洒模块403,用于根据所述流量，向所述第二位置喷洒显影液，所述显影液用于 刻蚀位于所述第二位置处的有机材料。
[0109] 可选的，所述获取模块401包括：
[0110] 第一计算单元，用于计算第一位置与掩膜板中心点之间的第一距离，以计算第一 中点到掩膜板边缘的第二距离，所述第一中点是所述第一位置与所述掩膜板中心点的连线 的中点；
[0111] 第二计算单元，用于根据所述第一距离和所述第二距离，计算所述第一位置的曝 光间距变化量。
[0112] 可选的，所述第一计算单元，用于按如下公式计算所述第一位置的曝光间距变化 量A h:
[0113] Ah = H · [1-(1/L)n]
[0114] 其中，上述公式中，H为掩膜板中心点的曝光间距变化量，所述掩膜板中心点的曝 光间距变化量是所述掩膜板中心点的曝光间距与所述掩膜板边缘的曝光间距之间的差值， 1为第一距离，L为第二距离，η为第一位置的形变指数。
[0115] 可选的，所述确定模块402包括：
[0116]第三计算单元，用于根据所述曝光间距变化量，计算在第二位置处的图形线宽变 化量；
[0117]第四计算单元，用于根据所述图形线宽变化量计算显影液流量变化量，所述显影 液流量变化量是在所述第二位置喷洒显影液流量与在所述基板中心位置喷洒显影液流量 之间的差值；
[0118]第五计算单元，用于根据所述显影液流量变化量和在所述基板中心位置喷洒显影 液流量，计算向所述第二位置喷洒显影液的流量。
[0119] 可选的，所述第三计算单元，用于按如下公式计算图形线宽变化量Δ CD:
[0120] ACD = ki · Ah
[0121] 在上述公式中，1^为常量，Ah为所述曝光间距变化量。
[0122] 可选的，所述第四计算单元，用于按如下公式计算显影液流量变化量AF:
[0123] ACD = k2 · AF
[0124] 在上述公式中，1?为常量，Δ⑶为所述图形线宽变化量。
[0125] 可选的，所述喷洒模块403包括控制单元和至少一个显影喷嘴，所述至少一个显影 液喷嘴位于所述基板的上方；
[0126] 所述控制单元，用于控制位于所述第二位置正上方的显影液喷嘴按所述流量向所 述第二位置处喷洒显影液。
[0127] 在本发明实施例中，由于获取基板上的任一第二位置在掩膜板上的投射的第一位 置处的曝光间距变化量，基于该曝光间距变化量，确定出向第二位置喷洒显影液的流量，这 样保证向图形线宽较大的图形喷洒显影液的总量大于向图形线宽较小的图形喷洒显影液 的总量，使线宽较大的图形的宽度多刻蚀一些，从而进一步使各图形线宽达到均一的目的。
[0128] 需要说明的是：上述实施例提供的显影的装置在显影时，仅以上述各功能模块的 划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成， 即将装置的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。另外， 上述实施例提供的显影的装置与显影的方法实施例属于同一构思，其具体实现过程详见方 法实施例，这里不再赘述。
[0129] 上述本发明实施例序号仅仅为了描述，不代表实施例的优劣。
[0130] 本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件 来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读 存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。
[0131]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和 原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【主权项】
1. 一种显影的方法，其特征在于，所述方法包括： 获取第一位置的曝光间距变化量，所述第一位置是第二位置在掩膜板上的投射位置， 所述第二位置是基板上的一位置，所述第一位置的曝光间距变化量是所述第一位置的曝光 间距与所述掩膜板边缘的曝光间距之间的差值； 根据所述曝光间距变化量，确定向所述第二位置喷洒显影液的流量； 根据所述流量，向所述第二位置喷洒显影液，所述显影液用于刻蚀位于所述第二位置 处的有机材料。2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取第一位置的曝光间距变化量，包括： 计算第一位置与掩膜板中心点之间的第一距离，以计算第一中点到掩膜板边缘的第二 距离，所述第一中点是所述第一位置与所述掩膜板中心点的连线的中点； 根据所述第一距离和所述第二距离，计算所述第一位置的曝光间距变化量。3. 如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一距离和所述第二距离，计 算所述第一位置的曝光间距变化量，包括： 按如下公式计算所述第一位置的曝光间距变化量Δ h: Ah = H · [1-(1/L)n] 其中，上述公式中，Η为掩膜板中心点的曝光间距变化量，所述掩膜板中心点的曝光间 距变化量是所述掩膜板中心点的曝光间距与所述掩膜板边缘的曝光间距之间的差值，1为 第一距离，L为第二距离，η为第一位置的形变指数。4. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述曝光间距变化量，确定向所述 第二位置喷洒显影液的流量，包括： 根据所述曝光间距变化量，计算在第二位置处的图形线宽变化量； 根据所述图形线宽变化量计算显影液流量变化量，所述显影液流量变化量是在所述第 二位置喷洒显影液流量与在所述基板中心位置喷洒显影液流量之间的差值； 根据所述显影液流量变化量和在所述基板中心位置喷洒显影液流量，计算向所述第二 位置喷洒显影液的流量。5. 如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述曝光间距变化量，计算在第二 位置处的图形线宽变化量，包括： 按如下公式计算图形线宽变化量△ CD: Λ CD = ki · Ah 在上述公式中，1^为常量，Ah为所述曝光间距变化量。6. 如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述图形线宽变化量计算显影液流 量变化量，包括： 按如下公式计算显影液流量变化量A F: Λ CD = k2 · A F 在上述公式中，1?为常量，△ CD为所述图形线宽变化量。7. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述流量，向所述第二位置喷洒显 影液，包括： 控制位于所述第二位置正上方的显影液喷嘴按所述流量向所述第二位置处喷洒显影 液。8. -种显影的装置，其特征在于，所述装置包括： 获取模块，用于获取第一位置的曝光间距变化量，所述第一位置是第二位置在掩膜板 上的投射位置，所述第二位置是基板上的一位置，所述第一位置的曝光间距变化量是所述 第一位置的曝光间距与所述掩膜板边缘的曝光间距之间的差值； 确定模块，用于根据所述曝光间距变化量，确定向所述第二位置喷洒显影液的流量； 喷洒模块，用于根据所述流量，向所述第二位置喷洒显影液，所述显影液用于刻蚀位于 所述第二位置处的有机材料。9. 如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述获取模块包括： 第一计算单元，用于计算第一位置与掩膜板中心点之间的第一距离，以计算第一中点 到掩膜板边缘的第二距离，所述第一中点是所述第一位置与所述掩膜板中心点的连线的中 占 . 第二计算单元，用于根据所述第一距离和所述第二距离，计算所述第一位置的曝光间 距变化量。10. 如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述第一计算单元，用于按如下公式计算所 述第一位置的曝光间距变化量A h: Ah = H · [1-(1/L)n] 其中，上述公式中，Η为掩膜板中心点的曝光间距变化量，所述掩膜板中心点的曝光间 距变化量是所述掩膜板中心的曝光间距与所述掩膜板边缘的曝光间距之间的差值，1为第 一距离，L为第二距离，η为第一位置的形变指数。11. 如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述确定模块包括： 第三计算单元，用于根据所述曝光间距变化量，计算在第二位置处的图形线宽变化量； 第四计算单元，用于根据所述图形线宽变化量计算显影液流量变化量，所述显影液流 量变化量是在所述第二位置喷洒显影液流量与在所述基板中心位置喷洒显影液流量之间 的差值； 第五计算单元，用于根据所述显影液流量变化量和在所述基板中心位置喷洒显影液流 量，计算向所述第二位置喷洒显影液的流量。12. 如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述第三计算单元，用于按如下公式计算 图形线宽变化量A CD: Δ CD = ki · Δ h 在上述公式中，1^为常量，Ah为所述曝光间距变化量。13. 如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述第四计算单元，用于按如下公式计算 显影液流量变化量A F: Δ CD = k2 · Δ F 在上述公式中，1?为常量，△ CD为所述图形线宽变化量。14. 如权利要求8所述的装置，其特征在于，所述喷洒模块包括控制单元和至少一个显 影喷嘴，所述至少一个显影液喷嘴位于所述基板的上方； 所述控制单元，用于控制位于所述第二位置正上方的显影液喷嘴按所述流量向所述第 二位置处喷洒显影液。
【文档编号】G03F7/30GK105842999SQ201610390340
【公开日】2016年8月10日
【申请日】2016年6月2日
【发明人】查长军, 黎敏, 吴洪江
【申请人】京东方科技集团股份有限公司, 重庆京东方光电科技有限公司