专利名称：高压大功率手机充电芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及集成电路制造工艺领域，尤其涉及一种高压大功率手机充电芯片。
背景技术：
大功率半导体充电芯片主要用于手机充电电路的电流控制，目前，国内的手机充电芯片的耐压一般在7V左右，国外的充电器的充电电压可达10V，所以国内手机充电芯片出口到国外会被大批量烧毁，此外，国内手机芯片的充电效率不高，一般在70%左右，浪费大量能源。手机充电的耐压，由芯片的P区和N区的PN结决定，请参考图1，图1是现有技术中芯片的结构示意图，从图1可以看出，芯片是在一块半导体基片上制作两个相距很近的 PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区1，两侧部分是发射区3和集电区2，排列方式有PNP和NPN两种，从三个区引出相应的电极，分别为基极b、发射极e和集电极c。所述集电极c为从所述芯片的集电区2引出，所述基极b为从所述芯片的基区1引出，所述发射极e为从所述芯片的发射区3引出，该芯片主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例(信号从基极b输入，从集电极c输出，发射极e接地)，当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC 会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。若要得到高压充电芯片，衬底浓度则需减小，否则PN结就有被击穿的危险。衬底浓度减小，则电阻率增加，根据公式P=I2R可知， 在功率P不变的情况下(芯片面积不变，则功率不变)，电阻R增加会导致芯片的通流能力降低，而根据公式P=V*I得知，电压V的增加，也会导致电流I的减少，因此，现有技术中，很难得到大功率手机充电控制芯片。
发明内容本实用新型提出一种高压大功率手机充电芯片，以解决现有技术中存在的手机芯片在较高充电电压下易被烧坏的问题。为了实现上述目的，本实用新型提供了一种高压大功率手机充电芯片，包括集电极、基极和发射极，所述集电极为从所述芯片的集电区引出，所述基极为从所述芯片的基区引出，所述发射极为从所述芯片的发射区引出，所述集电区为一长方形区域，所述发射区环绕所述集电区的任意三边。可选的，所述集电区的扩散深度范围为10微米至15微米。可选的，所述集电极的材料为锗、硅、碳、锗硅、硅碳或锗硅碳。可选的，所述基区的扩散深度范围为10微米至15微米。可选的，所述基极的材料为锗、硅、碳、锗硅、硅碳或锗硅碳。可选的，所述发射区的扩散深度范围为10微米至15微米。
3[0011]可选的，所述发射极的材料为锗、硅、碳、锗硅、硅碳或锗硅碳。由于采用了上述技术方案，与现有技术相比，本实用新型具有以下优点本实用新型高压大功率手机充电芯片在不改变芯片面积的前提下，增加了有源区的接触面积，从而提高了电流的通道能力；在电压增加的情况下，依靠增加有源区的面积而增大电流，不但提高了芯片的耐压，也增大了芯片的功率。
图1为现有技术中手机充电芯片的结构示意图。图2为本实用新型高压大功率手机充电芯片的结构示意图。
具体实施方式
本实用新型提供了一种高压大功率手机充电芯片，包括集电极、基极和发射极，所述集电极为从所述芯片的集电区引出，所述基极为从所述芯片的基区引出，所述发射极为从所述芯片的发射区引出，所述集电区为一长方形区域，所述发射区环绕所述集电区的任
-‘^X O下面，请结合图2对本实用新型做详细阐述。图2为本实用新型高压大功率手机充电芯片的结构示意图，从图2可以看出，该手机充电芯片上设置有集电区12、基区11和发射区13，选择合适的衬底浓度形成基区11，在基区11上进行扩散，形成集电区12和发射区13，所述集电区12为一长方形区域，所述发射区13环绕所述集电区12的任意三边，图2中所述发射区13环绕所述集电区12的一条长边和两条短边，另一实施例，所述发射区13也可环绕所述集电区12的一条短边和两条长边， 在此不再赘言，所述发射区13环绕所述集电区12的任意三边，从而增加了有源区的接触面积，提高了电流的通道能力。所述集电区的扩散深度范围为10微米至15微米，优选的，所述集电区的扩散深度为13微米，所述集电极的材料为锗、硅、碳、锗硅、硅碳或锗硅碳；所述基区的扩散深度范围为10微米至15微米，优选的，所述基区的扩散深度为13微米，所述基极的材料为锗、硅、碳、锗硅、硅碳或锗硅碳；所述发射区的扩散深度范围为10微米至15微米，优选的，所述发射区的扩散深度为13微米，所述发射极的材料为锗、硅、碳、锗硅、硅碳或锗硅碳。在不改变芯片面积的前提下，增加了有源区的接触面积，从而提高了电流的通道能力；在电压增加的情况下，依靠增加有源区的面积而增大电流，不但提高了芯片的耐压， 也增大了芯片的功率。虽然本实用新型己以较佳实施例披露如上，但本实用新型并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本实用新型的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本实用新型的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。
权利要求1.一种高压大功率手机充电芯片，包括集电极、基极和发射极，所述集电极为从所述芯片的集电区引出，所述基极为从所述芯片的基区引出，所述发射极为从所述芯片的发射区引出，其特征在于所述集电区为一长方形区域，所述发射区环绕所述集电区的任意三边。
2.根据权利要求1所述的高压大功率手机充电芯片，其特征在于所述集电区的扩散深度范围为10微米至15微米。
3.根据权利要求1所述的高压大功率手机充电芯片，其特征在于所述集电极的材料为锗、硅、碳、锗硅、硅碳或锗硅碳。
4.根据权利要求1所述的高压大功率手机充电芯片，其特征在于所述基区的扩散深度范围为10微米至15微米。
5.根据权利要求1所述的高压大功率手机充电芯片，其特征在于所述基极的材料为锗、硅、碳、锗硅、硅碳或锗硅碳。
6.根据权利要求1所述的高压大功率手机充电芯片，其特征在于所述发射区的扩散深度范围为10微米至15微米。
7.根据权利要求1所述的高压大功率手机充电芯片，其特征在于所述发射极的材料为锗、硅、碳、锗硅、硅碳或锗硅碳。
专利摘要本实用新型提供一种高压大功率手机充电芯片，包括集电极、基极和发射极，集电极为从芯片的集电区引出，基极为从所述芯片的基区引出，发射极为从所述芯片的发射区引出，集电区为一长方形区域，发射区环绕所述集电区的任意三边。本实用新型高压大功率手机充电芯片在不改变芯片面积的前提下，增加了有源区的接触面积，提高了电流的通道能力，从而同时提高了手机的充电电流和充电电压。
文档编号H01L29/08GK201985099SQ201120063488
公开日2011年9月21日 申请日期2011年3月11日 优先权日2011年3月11日
发明者孙志斌, 杨利君, 欧新华 申请人:上海芯导电子科技有限公司