专利名称：提高莹光粉激光效率的led封装结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及LED封装技术，尤其涉及一种提高莹光粉激光效率的LED封装结构。
背景技术：
传统的白光LED为采用GaN蓝光芯片在封装时用掺杂有莹光粉的胶体包裹起来， 通电发蓝光后激发莹光粉后转化为白光的方式发射出来。原有的封装工艺由于莹光粉胶体比较厚，不利于光的散发，影响出光效率。
实用新型内容本实用新型针对现有技术的上述缺陷，提供一种提高莹光粉激光效率的LED封装结构，以提高LED的出光率。为了解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的一种提高莹光粉激光效率的LED封装结构，包括蓝宝石衬底、N-GaN层、LED发光层、P-GaN层、透明导电层，所述蓝宝石衬底设于底部，N-GaN层设于蓝宝石衬底上，LED发光层设于N-GaN层与P-GaN层之间，透明导电层设于P-GaN层上端，所述P-GaN层上表面或下表面均勻涂抹有一层莹光粉硅胶，莹光粉硅胶的厚度为15-20um。优选地，于覆盖N-GaN层、LED发光层、P-GaN层和透明导电层的空间四周及顶部涂抹有一层莹光粉硅胶，莹光粉硅胶的厚度为15-20um。从以上技术方案可以看出，本实用新型将莹光粉硅胶直接涂到芯片端，让LED蓝光直接透过莹光粉的激发以白光的方式发射出来，厚度薄且均勻性比传统的封装要好，可将发光效率提升20%以上。
附图为本实用新型结构示意图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式
对本实用新型作进一步详细的说明。参见附图所示，本实用新型提高莹光粉激光效率的LED封装结构，包括蓝宝石衬底8、N-GaN层7、LED发光层5、P-GaN层4、透明导电层3，所述蓝宝石衬底8设于底部，N-GaN 层7设于蓝宝石衬底8上，LED发光层5设于N-GaN层7与P-GaN层4之间，透明导电层3 设于P-GaN层4上端，所述P-GaN层4上表面或下表面均勻涂抹有一层莹光粉硅胶，莹光粉硅胶的厚度为15-20um。其中，N-GaN层7与N压焊点6固定连接，P-GaN层4与P压焊点 2固定连接。作为本实用新型的优选实施方式，于覆盖N-GaN层、LED发光层、P-GaN层和透明导电层的空间四周及顶部涂抹有一层莹光粉硅胶1，莹光粉硅胶的厚度为15-20um。[0012] 上述之具体实施例是用来详细说明本实用新型之目的、特征及功效，对于熟悉此类技艺之人士而言，根据上述说明，可能对该具体实施例作部分变更及修改，其本质未脱离出本实用新型之精神范畴者，皆应包含在本案的申请专利范围中，宜先陈明。
权利要求1.一种提高莹光粉激光效率的LED封装结构，包括蓝宝石衬底、N-GaN层、LED发光层、 P-GaN层、透明导电层，所述蓝宝石衬底设于底部，N-GaN层设于蓝宝石衬底上，LED发光层设于N-GaN层与P-GaN层之间，透明导电层设于P-GaN层上端，其特征在于，所述P-GaN层上表面或下表面均勻涂抹有一层莹光粉硅胶，莹光粉硅胶的厚度为15-20um。
2.根据权利要求1所述的一种提高莹光粉激光效率的LED封装结构，其特征在于，于覆盖N-GaN层、LED发光层、P-GaN层和透明导电层的空间四周及顶部涂抹有一层莹光粉硅胶，莹光粉硅胶的厚度为15-20um。
专利摘要本实用新型涉及一种提高莹光粉激光效率的LED封装结构，包括蓝宝石衬底、N-GaN层、LED发光层、P-GaN层、透明导电层，所述蓝宝石衬底设于底部，N-GaN层设于蓝宝石衬底上，LED发光层设于N-GaN层与P-GaN层之间，透明导电层设于P-GaN层上端，所述P-GaN层上表面或下表面均匀涂抹有一层莹光粉硅胶，莹光粉硅胶的厚度为15-20um。本实用新型将莹光粉硅胶直接涂到芯片端，让LED蓝光直接透过莹光粉的激发以白光的方式发射出来，厚度薄且均匀性比传统的封装要好，可将发光效率提升20%以上。
文档编号H01L33/50GK202009037SQ201120078838
公开日2011年10月12日 申请日期2011年3月23日 优先权日2011年3月23日
发明者张坤, 黎新彩 申请人:东莞市翌唐新晨光电科技有限公司