专利名称：低容值突波保护器的制作方法
技术领域：
低容值突波保护器，属于半导体器件，为低容值突波保护组件。
背景技术：
随着科技日益发展，电子产品朝向轻薄短小方向开发。而现今大多电子产品仍然仰赖直流电源做供应，依旧使用整流滤波方式处理，也就表示电源供应器已不同型态在任何环境下工作，意味着电源供应器件必须拥有越来越高的效率与更值得信赖的可靠度。现今电子产品所处的环境日形复杂，各种外来的破坏如雷击(SURGE)或静电 (ESD)等，以及开关的0N/0FF动作等造成的电磁脉冲经由输配电线路进入电源线路造成干扰甚至毁损电子产品。而PWM(高频脉波宽度调变)在切换整流组件时，也由于开关组件快速切换使电压电流做快速变化，也会造成电磁干扰。因此线路上的抑制保护对于现今的高效率电源供应器件越来越重要。电源供应线路大多由整流线路，回授电路，SNUBBER电路，限流电路，突波吸收器， PWM组件等所组成。当MOSFET组件在OFF时，会因为楞次定律变压器的主线圈电压波型会反转180°，在这过程会产生相当高的突波电压，由于主控组件的最大耐压有限，如果没有保护会使组件烧毁，所以利用SNUBBER电路来抑制突波电压的最大值。如图2所示，现有技术的突波保护器是整流二极管与突波保护器的二极管是与电容相连两个分离元件。这样元件数量多、体积大，且生产过程中良品率低。
实用新型内容本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术存在的问题，设计一种良品率高、 有效减少线路中使用组件数量，并集合整流与保护双重功能于一身的低容值突波保护器。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是该低容值突波保护器包括铜导线、TVS晶粒、GPP晶粒和焊片，在TVS晶粒和GPP晶粒左右两侧分别设置焊片，两外端的焊片与两端的铜导线相连，其特征在于内侧两焊片之间设置铜粒，铜粒直径小于两端的焊片且与两端的焊片焊接在一起。所述的铜粒厚度大于两端的焊片，铜粒的厚度为0. 5mm。本实用新型是将整流二极管与突波保护器的二极管直接相连后并联在电容的两端。即将原先线路中一突波保护器与一整流二极管集成为单一双功能具保护功能组件。当MOSFET组件在OFF时，会因为楞次定律变压器的主线圈电压波型会反转180°， 在这过程会产生相当高的突波电压，克服了现有技术由于主控组件的最大耐压有限，如果没有保护会使组件烧毁，所以利用SNUBBER电路来抑制突波电压的最大值。对于电路上因组件快速开关造成的突波有优异的保护效果。将有效减少线路中使用组件数量，并集合整流与保护双重功能于一身。与现有技术相比，本实用新型低容值突波保护器所具有的有益效果是在制程中增加铜粒垫高两颗晶粒之间的距离，避免两颗晶粒之间因焊锡过多而短路，提高了良品率，良品率由71%提高到92%。集合整流与保护双重功能于一身，节约了焊接材料及成本，使用时节省了焊接空间，有效减少线路中使用组件数量。
图1是本实用新型低容值突波保护器结构示意图；图2是现有技术突波保护器原理示意图；图3是本实用新型低容值突波保护器原理示意图。图1、3是本实用新型低容值突波保护器的最佳实施例。其中1、铜导线 2、焊片 3、TVS晶粒4、铜粒5、GPP晶粒。
具体实施方式
参照图1、3该低容值突波保护器，由铜导线1、焊片2、TVS晶粒3、铜粒4和GPP晶粒5组成， 焊片2分别设置在TVS晶粒3和GPP晶粒5左右两侧，内侧两焊片2之间设置铜粒4，两外端的焊片2与两端的铜导线1相连，铜粒4直径小于两端的焊片2且与两端的焊片2焊接在一起。铜粒4厚度大于两端的焊片2，铜粒4的厚度为0. 5mm。制作过程如下UGPP晶粒5预焊使用特制预焊工具用锡铅合金，焊片2将GPP晶粒5、铜粒4及铜导线1，连接在一起。2、整体焊接使用锡铅合金焊片2将预焊后的GPP晶粒5与TVS晶粒3及铜导线 1连接在一起。3、保护组件TVS晶粒3 以GPP晶粒制程生产晶粒，具有更强耐候性，可承受更高工作温度。4、整流组件GPP晶粒5 以GPP晶粒制程生产晶粒，具有更强耐候性，可承受更高工作温度。5、烘烤高温220 V硅胶固化。6、塑封成型用环氧树脂塑封成型。以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非是对本实用新型作其它形式的限制，任何熟悉本专业的技术人员可能利用上述揭示的技术内容加以变更或改型为等同变化的等效实施例。但是凡是未脱离本实用新型技术方案内容，依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与改型，仍属于本实用新型技术方案的保护范围。
权利要求1.低容值突波保护器，包括铜导线⑴、TVS晶粒(3)、GPP晶粒(5)和焊片O)，在TVS 晶粒(3)和GPP晶粒(5)左右两侧分别设置焊片O)，两外端的焊片(2)与两端的铜导线 ⑴相连，其特征在于内侧两焊片⑵之间设置铜粒，铜粒⑷直径小于两端的焊片 (2)且与两端的焊片( 焊接在一起。
2.根据权利要求1所述的低容值突波保护器，其特征在于所述的铜粒(4)厚度大于两端的焊片O)，铜粒的厚度为0.5mm。
专利摘要低容值突波保护器，属于半导体器件，为低容值突波保护组件。包括铜导线(1)、TVS晶粒(3)、GPP晶粒(5)和焊片(2)，在TVS晶粒(3)和GPP晶粒(5)左右两侧分别设置焊片(2)，两外端的焊片(2)与两端的铜导线(1)相连，其特征在于内侧两焊片(2)之间设置铜粒(4)，铜粒(4)直径小于两端的焊片(2)且与两端的焊片(2)焊接在一起。在制程中增加铜粒垫高两颗晶粒之间的距离，避免两颗晶粒之间因焊锡过多而短路，提高了良品率，良品率由71％提高到92％。集合整流与保护双重功能于一身，节约了焊接材料及成本，使用时节省了焊接空间，有效减少线路中使用组件数量。
文档编号H01L23/488GK202120904SQ201120101878
公开日2012年1月18日 申请日期2011年4月8日 优先权日2011年4月8日
发明者李安 申请人:李安