专利名称：低导通压降可控硅芯片的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种半导体芯片，特别涉及一种低导通压降可控硅芯片。
背景技术：
应用传统钛镍银金属化工艺制作的可控硅芯片是由硅片、钛层、镍层、银层构成。 由于金属钛与硅的接触电阻较大，导通压降较高，使其正常工作条件下发热量较高，影响产品的可靠性和使用寿命。
发明内容本实用新型要解决的技术问题是提供一种导通压降小、发热量低、可靠性好、使用寿命长的低导通压降可控硅芯片。本实用新型涉及的低导通压降可控硅芯片，包括硅片，依次设在硅片背面的钛层、 镍层、银层，其特殊之处是在硅片背面位于硅片和钛层之间设有高纯铝层，所述的高纯铝层的厚度为1 1.5 μ m。本实用新型的优点是通过在在硅片和钛层之间设有高纯铝层，使芯片背面呈铝、 钛、镍、银四层金属复合结构，钛、镍作为缓冲层能够降低应力，铝硅合金化工艺控制容易， 能够形成良好的欧姆接触，使接触电阻小，从而减小导通压降，进而降低通态功耗，使可控硅芯片发热量低，可靠性好，使用寿命长。
图1是芯片剖面结构示意图；图中硅片1、高纯铝层2、钛层3、镍层4、银层5。
具体实施方式
如图所示，在硅片1的背面蒸镀一层1 1. 5 μ m厚的高纯铝层2，高纯铝层的厚度为1 1. 5 μ m ；在高纯铝层2上依次蒸镀钛层3、镍层4、银层5。
权利要求1. 一种低导通压降可控硅芯片，包括硅片，依次设在硅片背面的钛层、镍层、银层，其特征是在硅片背面位于硅片和钛层之间设有高纯铝层，所述的高纯铝层的厚度为1 L 5 μ m0
专利摘要本实用新型公开了一种低导通压降可控硅芯片，包括硅片，依次设在硅片背面的钛层、镍层、银层，其特殊之处是在硅片背面位于硅片和钛层之间设有高纯铝层，所述的高纯铝层的厚度为1～1.5μm。优点是通过在硅片背面设高纯铝层，使芯片背面呈铝、钛、镍、银四层金属复合结构，钛、镍作为缓冲层能够降低应力，能够形成良好的欧姆接触，减小接触电阻，从而减小导通压降，进而降低通态功耗，使可控硅芯片发热量低，可靠性好，使用寿命长。
文档编号H01L29/74GK202009002SQ20112011555
公开日2011年10月12日 申请日期2011年4月19日 优先权日2011年4月19日
发明者刘鑫, 刘铁铭, 娄达, 孙国伟, 王立伟, 赵秀丽 申请人:锦州辽晶电子科技有限公司