专利名称：一种腔体滤波器及通信设备的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及通信领域，具体涉及一种腔体滤波器及使用该腔体滤波器的通信设备。
背景技术：
目前，通信系统频谱越来越拥挤，移动通信从GSM900，1900MHz往TD2010 2025MHz, Wimax 3. 5GHz的高频段发展，腔体滤波器的体积也越来越小，基站系统结构更加紧凑和灵活，但是腔体滤波器的温度漂移(下简称温漂)一般来说是随着频段的升高而增加，低频下，滤波器的温漂指标相对较小，到了高频3. 5GHz，腔体滤波器的温漂已经很大。在对现有技术的研究和实践过程中，本实用新型的发明人发现，在现有技术中，传统的易切削钢和黄铜谐振杆已经难以满足射频指标的实现，为了更好的实现高频段滤波器的温漂指标，谐振杆必须采用低线膨胀系数的殷钢材料，然而殷钢材料非常昂贵，难以在民用产品中大量应用。因此，需要采用一种廉价而叉不失功效的材料来替代昂贵的殷钢材料。
实用新型内容为了解决现有技术中滤波器采用殷钢材料成本非常昂贵的问题，本实用新型提供了一种腔体滤波器及使用该腔体滤波器的通信设备。本实用新型实施例解决上述技术问题所采取的技术方案是提供一种腔体滤波器， 所述腔体滤波器包括腔体以及用氮化硅材料制成的谐振杆，所述谐振杆的表面具有金属层，所述谐振杆容于所述腔体内。本实用新型实施例还提供一种通信设备，其包括上述的腔体滤波器，该腔体滤波器设于该通信设备的信号收/发电路部分，用于对信号进行选择。与现有技术相比较，本实用新型实施例提供了一种由氮化硅材料制成的谐振杆的腔体滤波器，其成本低廉、性能良好，有效解决了长期以来困扰射频滤波器的温漂指标问题；并且避免了使用昂贵的殷钢材料，大大节约了成本；加工效率高，可满足大批量生产需求；并且可以进行表面金属化处理；质量稳定、批量一致性好、可靠性高；比重小于传统材料1倍以上，减轻了谐振杆重量。本实用新型实施例提供的通信设备，可有效的提高设备性能指标，降低设备成本。
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是根据本实用新型实施例的包括谐振杆的腔体滤波器的局部结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。实施例一、请参见图1，图1是根据本实用新型第一实施例的包括谐振杆2的腔体滤波器1的局部结构示意图。如图1所示，简单而言，腔体滤波器主要包括腔体1、谐振杆2以及盖板3。当然， 本实施例的腔体滤波器还包括各种其他常规部件或结构，此处，本实施例仅对与本实施例发明点相关部分进行描述，其他的具体部件或结构，可以参考现有的常规实现方式，不构成对本实用新型的限制。在本实施例中，腔体1采用金属材料制造而成，其外形可以是方形柱状腔体、圆形柱状腔体或者多边形柱状腔体。盖板3盖设于腔体1之上。该腔体1与盖板3盖合形成谐振腔4，其中，盖板上还设有调谐螺杆5，用于调谐腔体滤波器的参数。图中仅示意出一个谐振腔，实际中可能有多个谐振腔。谐振杆2的一种安装方式是安装于腔体1的底部，该谐振杆2具有凹陷部，所述谐振杆凹陷部的表面和谐振杆的外表面均具有金属层。同样，谐振杆2的外形可以是方形柱状谐振杆、圆形柱状谐振杆或者多边形柱状谐振杆。谐振杆安装方式还可以是安装在盖板3上，然后容于腔体1内。谐振杆的安装方式不够成对本实用新型的限制。值得注意的是，在本实施例中，谐振杆2采用氮化硅材料制成，且谐振杆的表面具有金属层，所述谐振杆的表面作金属化处理方式可以灵活选择，可以是化学镀、先化学镀后电镀、真空镀、浸渍，所述的金属层可以是银层或者铜层，也可以先镀铜后镀银，这样可以提高银的附着力。可根据腔体滤波器的指标要求选择镀不同的金属层。作为该实施例的一种变型，谐振杆2可以设置为其他形状的圆柱体比如实心圆柱体，此时，谐振杆只有外表面， 只需镀外表面即可。为了降低成本并解决温漂问题，本实用新型实施例采用氮化硅来制造谐振杆2。氮化硅分子式为Si3N4，它是一种超硬物质，耐磨损，为原子晶体；且有很强的抗冷热冲击性能，在空气中加热到1000°C以上，急剧冷却再急剧加热也不会碎裂。氮化硅具有非常低的线膨胀系数(Coefficient of Linear Thermal Expansion，CLTE，线性热膨胀系数，简称线膨胀系数)，在室温到100°C范围内，其CLTE等于2. 75ppm(part per million，百万分率)。 lppm/°C表示当环境温度在某个参考点(通常是25°C)每变化1°C，输出电压偏离其标称值的百万分之一，氮化硅的密度为3. 44kg/m3。一种通信设备，包含上述所述的包括氮化硅谐振杆的腔体滤波器，所述腔体滤波器设于所述通信设备的信号收/发电路部分，用于对信号进行选择。本实用新型实施例中，包括氮化硅谐振杆的腔体滤波器以及包括此种腔体滤波器的通信设备有以下优点由于氮化硅的线膨胀系数低，此种材料制成的谐振杆受环境温度影响而导致的物理尺寸的变化很小，故对滤波器电性能指标影响相对于黄铜和易切削刚材料也很小，因此可满足当前高频滤波器的温漂要求；材料成本和加工成本远低于殷钢材料， 加工效率高，可满足大批量生产需求；且氮化硅材料制成的谐振杆可以做表面金属化处理； 质量稳定、批量一致性好、可靠性高；比重小于传统材料1倍以上，减轻了谐振杆的重量。 本文中应用了具体个例对本实用新型的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本实用新型的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本实用新型的思想，在具体实施方式
及应用范围上均会有改变之处，综上所述， 本说明书内容不应理解为对本实用新型的限制。
权利要求1.一种腔体滤波器，其特征在于，所述腔体滤波器包括腔体以及用氮化硅材料制成的谐振杆，所述谐振杆的表面具有金属层，所述谐振杆容置于所述腔体内。
2.根据权利要求1所述的腔体滤波器，其特征在于，所述谐振杆安装在腔体内底部。
3.根据权利要求1所述的腔体滤波器，其特征在于，所述腔体滤波器还包括盖设于所述腔体上的盖板，所述谐振杆安装在盖板上。
4.根据权利要求1所述的腔体滤波器，其特征在于，所述谐振杆呈圆形柱状、方形柱状或多边形柱状。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的腔体滤波器，其特征在于，所述金属层材料为银或者铜。
6.根据权利要求1-4任意一项所述的腔体滤波器，其特征在于，所述金属层材料为两种，从氮化硅谐振杆表面层起依次为铜、银。
7.一种通信设备，其特征在于，其包括根据权利要求1至7任意一项所述的腔体滤波器，所述腔体滤波器设于所述通信设备的信号收/发电路部分，用于对信号进行选择。
专利摘要本实用新型实施例公开了一种腔体滤波器，所述腔体滤波器包括腔体以及用氮化硅材料制成的谐振杆，所述谐振杆的表面具有金属层，所述谐振杆容于所述腔体内。氮化硅材质的谐振杆相较于传统的殷钢材质的谐振杆而言，其成本低廉、温漂指标良好，且生产效率高。此外，本实用新型实施例还公开了一种使用该腔体滤波器的通信设备，该腔体滤波器设于通信设备的信号收发电路部分，采用氮化硅材质的谐振杆可有效降低设备成本。
文档编号H01P1/207GK202004127SQ201120133078
公开日2011年10月5日 申请日期2011年4月29日 优先权日2011年4月29日
发明者蔡方明 申请人:深圳市大富科技股份有限公司