专利名称：具高压驱动的发光二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型关于一种发光二极管，特别是指一种不但能够提供均勻亮度，且可避免过电流造成损坏的具高压驱动的发光二极管。
背景技术：
发光二极管(Light Emitting Diode, LED)因为其省电、耐用及体积小等优点，已逐渐取代传统照明光源如白炽灯、荧光灯，且，发光二极管借冷性发光的方式，相较于传统加热发光方式，更可使得使用寿命增长，因此，发光二极管被公认为21世纪照明市场的主
导广品。早期发光二极管应用于照明用途通常需要透过整流器，将交流电转换为直流电， 提供光源稳定发光，然而，因为整流器的体积大，安装及携带上皆不便。业者为解决上述问题，以两颗发光二极管反向并联，借N型区与P型区交界处形成PN接面，在PN接面以顺向偏压及逆向偏压的交替作动，使得该两颗发光二极管达到轮流发光的目的。更有业者，为避免发光二极管产生过电流而造成损坏，借具有双向特性的n-p-n型或p-n-p齐纳二极管，与发光二极管并联来吸收驱动时可能产生的过电压，以确保过电压所产生的过电流不会直接对发光二极管造成损坏。然而，上述现有以交流驱动发光二极管，皆是借发光二极管两两一组并联组接，然而，每颗发光二极管制作过程不均，因此每一颗发光二极管的发光效能皆会有些许误差，因此，经由并联组接的方式，每颗误差不断累积，将造成亮度不均现象，且使用寿命降低。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种具高压驱动的发光二极管，该发光二极管能够提供均勻亮度，且可避免过电流造成损坏，其以提高其使用寿命。本实用新型的另一目的在于提供一种体积小且结构精减的发光二极管，该发光二极管可有效的精减组件，缩小体积，达到小型化设计及有效降低制造与销售成本的效果。为实现上述目的，本实用新型提供一种具高压驱动的发光二极管，组配于具有驱动电路及电源供应器的基板上，该发光二极管包括相互串接并与该驱动电路及电源供应器分别相连通的至少一组第一发光组件及第二发光组件，以及串接组接于第一、第二发光组件之间的定电压组件，该定电压组件采用大于或等于MV的齐纳二极管，借以使该串接的第一、第二发光组件能够在该定电压组件的逆向崩溃时电压保持不变，即维持在驱动的电压值，而可以使发出的亮度均勻并免于被过高电压破坏。其中该第一、第二发光组件为具有N型半导体与P型半导体，及PN过渡层的发光
二极管。其中该定电压组件的齐纳二极管采双向的n-p-n型或p-n-p型，或是单向的n-p-n 型或p-n-p型。其中该定电压组件采用96V双向作动的齐纳二极管，对一组极向反置串联一起且顺向电压为3. 3V的发光二极管，达到低压驱动效果。其中该定电压组件采用48V单向作动的齐纳二极管，对二组极向反置串联一起且顺向电压为MV的发光二极管，达到高压驱动效果。其中该定电压组件采用24V单向作动的齐纳二极管，对二组极向反置串联一起且顺向电压为48V的发光二极管，达到高压驱动效果。其中该齐纳二极管借固晶胶与第一、第二发光二极管串接一体。本实用新型的有益效果该发光二极管能够提供均勻亮度，且可避免过电流造成损坏，其以崩溃电压值为24V或48V或96V的齐纳二极管作为定电压组件，串接组装于两颗发光二极管之间，利用齐纳二极管逆向崩溃时电压保持不变的特性，当电压超过该齐纳二极管的崩溃电压值时，该齐纳二极管崩溃使该串接的两颗发光二极管维持在驱动的电压值，免于被过高流造成损坏，以提高其使用寿命，同时该发光二极管借串接具有较高崩溃电压值的齐纳二极管，取代现有以数个组并联组接交替作动的发光二极管，而可有效的精减组件，缩小体积，达到小型化设计及有效降低制造与销售成本的效果。为了能更进一步了解本实用新型的特征以及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本实用新型加以限制。
以下结合附图，通过对本实用新型的具体实施方式
详细描述，将使本实用新型的技术方案及其它有益效果显而易见。附图中，
图1为本实用新型具高压驱动的发光二极管以电压值96V串接组立的实施例图。图2为本实用新型具高压驱动的发光二极管以电压值48V串接组立实施例图。图3为本实用新型具高压驱动的发光二极管以电压值24V串接组立的实施例图。图4为配合本实用新型具高压驱动的发光二极管的驱动电路图。
具体实施方式
为更进一步阐述本实用新型所采取的技术手段及其效果，以下结合本实用新型的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图1，为本实用新型具高压驱动的发光二极管的示意图，如图所示，本实用新型具高压驱动的发光二极管1包括第一发光组件2及第二发光组件3，以及定电压组件4，其中该第一发光组件2及第二发光组件3为分别具有N型半导体与P型半导体，及PN 过渡层的发光二极管(Light Emitting Diode, LED)，以极向反置串联一起，其顺向电压为 3. 3V，具连接端V1，V2与基板(未图标)上的驱动电路及电源供应器连通。该定电压组件4 可采用大于或等于MV的齐纳二极管(Zener Diode)，本实施例采用96V的双向(n-p-n型或p-n-p型)齐纳二极管，如此可以不考虑正负电压的连结关系，减少电路设计上的困难， 而能够达到低压驱动效果。另，如图2为本实用新型第二实施例，该第一发光组件2及第二发光组件3采用二组极向反置串联而顺向电压为24V配置，并与48V的齐纳二极管(S卩，定电压组件4)串接，如此可以达到高压驱动效果。再，如图3为本实用新型第三实施例，该第一发光组件2及第二发光组件3采用二组极向反置串联而顺向电压为48V配置，并与24V的齐纳二极管(即，定电压组件4)串接，如此同样可以达到高压驱动效果。本实用新型组接时，该定电压组件4可借固晶胶(未图示)与第一、第二发光二极管2，3串接组装为一体。本实用新型具高压驱动的发光二极管1使用上组配于具有驱动电路及电源供应器的基板(未图示)上，借该定电压组件4的崩溃电压值高于该串接的第一、 第二发光组件2，3的顺向电压，借以使该串接的第一、第二发光组件2，3能够在该定电压组件4的逆向崩溃使驱动的电压保持不变，即维持在驱动的电压值，而可以确保发出的亮度均勻并免于被过高流造成损坏。请进一步参阅图4，是配合本实用新型具高压驱动的发光二极管1的驱动电路图， 如图所示，该驱动电路为具有缓启动功能的电路，应用于本实用新型配合该定电压组件4 为24V或48V或96V的齐纳二极管的崩溃电压值(第一至三图参照)，当有过电压产生时， 透过该定电压组件4的逆向电压崩溃的缓冲保护，而使得流经第一、第二发光组件2，3的电流稳定在一定范围内，而可以提供稳定的电压令发出的亮度均勻，亦即，当电源启动到第一、第二发光组件2，3开始导通时，该定电压组件4立即进入定电流操作模式，此时第一、第二发光组件2，3的驱动电压提升到接近电源输出电压，借该定电压组件4 (齐纳二极管)崩溃使该串接的第一、第二发光组件2，3 (发光二极管)维持在驱动的电压值，免于被过高流造成损坏，以提高其使用寿命。以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本实用新型的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本实用新型权利要求的保护范围。
权利要求1.一种具高压驱动的发光二极管，其特征在于，组配于具有驱动电路及电源供应器的基板上，该发光二极管包括相互串接并与该驱动电路及电源供应器分别相连通的至少一组第一发光组件及第二发光组件，以及串接组接于第一、第二发光组件之间的定电压组件， 该定电压组件采用大于或等于MV的齐纳二极管，借以使该串接的第一、第二发光组件能够在该定电压组件的逆向崩溃时电压保持不变，即维持在驱动的电压值，而使发出的亮度均勻并免于被过高电压破坏。
2.如权利要求1所述的具高压驱动的发光二极管，其特征在于，该第一、第二发光组件为具有N型半导体与P型半导体，及PN过渡层的发光二极管。
3.如权利要求2所述的具高压驱动的发光二极管，其特征在于，该定电压组件的齐纳二极管采双向的n-p-n型或p-n-p型，或是单向的n-p-n型或p-n-p型。
4.如权利要求3所述的具高压驱动的发光二极管，其特征在于，该定电压组件采用96V 双向作动的齐纳二极管，使得一组极向反置串联在一起的且顺向电压为3. 3V的发光二极管达到低压驱动效果。
5.如权利要求3所述的具高压驱动的发光二极管，其特征在于，该定电压组件采用48V 单向作动的齐纳二极管，使得二组极向反置串联在一起的且顺向电压为MV的发光二极管达到高压驱动效果。
6.如权利要求3所述的具高压驱动的发光二极管，其特征在于，该定电压组件采用24V 单向作动的齐纳二极管，使得二组极向反置串联在一起的且顺向电压为48V的发光二极管达到高压驱动效果。
7.如权利要求1所述的具高压驱动的发光二极管，其特征在于，该齐纳二极管借固晶胶与第一、第二发光二极管串接一体。
专利摘要本实用新型提供一种具高压驱动的发光二极管，组配于具有驱动电路及电源供应器的基板上，该发光二极管包括相互串接的至少一组第一发光组件及第二发光组件，以及串接组接于该第一、第二发光组件之间的定电压组件，该定电压组件采崩溃电压值为24V或48V或96V的齐纳二极管，借以使该第一、第二发光组件能够在该定电压组件的逆向崩溃时保持电压不变，以维持在驱动的电压值，使发出的亮度均匀并免于被过电流造成损坏，而能够提高使用寿命。
文档编号H01L25/16GK202339918SQ20112030629
公开日2012年7月18日 申请日期2011年8月22日 优先权日2011年8月22日
发明者周义才 申请人:周义才