专利名称：稳压二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及二极管技术领域，具体涉及一种稳压二极管。
技术背景 传统稳压二极管的阳极区和阴极区组成PN结，PN结相邻的阴极区与阳极区的杂质浓度决定了齐纳二极管的击穿电压。由于阴极区采用的是扩散和注入的方式形成的结面，阴极结容易在靠近底部形成弧面，由于阴极结的弧面AB两处的曲率半径较小，击穿容易发生在AB两处，影响了击穿电压的稳定性。
发明内容针对上述问题，本实用新型的目的是提供一种提高击穿电压稳定性的稳压二极管，本实用新型的稳压二极管能避免在阴极结的弧面处击穿，可以较精确地决定击穿时的稳压值。实现本实用新型的技术方案如下稳压二极管，包括N型衬底以及正极引脚和负极引脚，在N型衬底上表面设有氧化膜，在N型衬底上设有阳极区，阴极区在阳极区之内，还包括在阳极区之内设置的N型注入区，该N型注入区围住阴极区的阴极结弧面处。采用了上述方案，本实用新型利用N型注入区的浓度控制，可以使阴极结的弧面的击穿电压大于阴极结底面的击穿电压，则击穿就转移到阴极结的底面处，可以较为精确地决定击穿电压值，稳压击穿的稳定性也可得到较好的控制。
以下结合附图和具体实施方式
对本实用新型作进一步说明。
图I为本实用新型的结构示意图；图2a至图2d为向本实用新型注入各个离子过程的示意图；附图中，I为N型衬底，2为氧化膜，3为光刻胶掩蔽膜，4为P型离子，5为阳极区，6为N型注入区，7为光刻胶掩蔽膜，8为N型离子，9为阴极区，10为光刻胶掩蔽膜，11为P型离子，12为引出区，13为正极引脚，14为负极引脚。
具体实施方式
参照图1，本实用新型的稳压二极管，包括N型衬底I以及正极引脚13和负极引脚14，在N型衬底上表面设有氧化膜2，在N型衬底上设有阳极区5。阴极区9在阳极区5之内，阴极区的N型杂质为砷或是砷和磷的组合。还包括在阳极区5之内设置的N型注入区6，该N型注入区围住阴极区的阴极结弧面处。该N型注入区6在阴极结三分之二结深处。N型注入区的厚度为0. Ium 0. 15um。N型注入区6中的N型杂质为磷。N型注入区的杂质浓度范围为IX IO16 IX 1018cm_3，N型注入区6的掺杂浓度比阴极区9低，N型注入区6可以降低此处的P型杂质的浓度以提高此处的结击穿电压。N型注入区6的浓度控制到能使阴极结的弧面的击穿电压大于阴极结底面的击穿电压，则击穿就转移到阴极结的底面处，可以较为精确地决定击穿电压值，稳压击穿的稳定性也可得到较好的控制。参照图2a至图2d，本实用新型的稳压二极管采取以下步骤进行制造步骤一(参照图2a):准备N型衬底1，在N型衬底I上形成表面氧化膜2，在光刻胶掩蔽膜3掩蔽下，向N型衬底I注入P型离子4，其注入峰值比阴极结深，同时注入N型杂质，以形成N 型注入区6，N型注入区6的注入峰值深度在阴极结的弧面处，N型注入区的厚度范围为O. Ium O. 15um。步骤二 (参照图2b):利用光刻胶掩蔽膜7，注入N型离子8，在阳极区5中形成阴极区9。步骤三(参照图2c):利用光刻胶掩蔽膜10，注入P型离子11，退火形成阳极区5的引出区12。步骤四(参照图2d):制造绝缘层覆盖N型衬底1，分别做阴极区的布线和阳极区的布线。以上方法通过在阴极结弧面处形成N型注入区，使击穿发生在阴极结底面，可以提高较为精确地决定稳压二极管的击穿电压，提高击穿电压的稳定性。
权利要求1.稳压二极管，包括N型衬底以及正极引脚和负极引脚，在N型衬底上表面设有氧化膜，在N型衬底上设有阳极区，阴极区在阳极区之内，其特征在于还包括在阳极区之内设置的N型注入区，该N型注入区围住阴极区的阴极结弧面处。
2.根据权利要求I所述的稳压二极管，其特征在于所述N型注入区在阴极结三分之二结深处。
3.根据权利要求I所述的稳压二极管，其特征在于所述N型注入区的N型杂质为磷。
4.根据权利要求I所述的稳压二极管，其特征在于所述N型注入区的杂质浓度范围为 IXlO16 IXIO1Wo
5.根据权利要求I所述的稳压二极管，其特征在于所述N型注入区的厚度为O.Ium O.15um。
专利摘要本实用新型涉及一种稳压二极管，包括N型衬底以及正极引脚和负极引脚，在N型衬底上表面设有氧化膜，在N型衬底上设有阳极区，阴极区在阳极区之内，还包括在阳极区之内设置的N型注入区，该N型注入区围住阴极区的阴极结弧面处。本实用新型的稳压二极管能避免在阴极结的弧面处击穿，可以较精确地决定击穿时的稳压值。
文档编号H01L29/861GK202384346SQ20112048843
公开日2012年8月15日 申请日期2011年11月30日 优先权日2011年11月30日
发明者唐晓冬 申请人:常州星海电子有限公司