一种平面型二极管的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种平面型二极管，包括阴极引线，所述阴极引线与金属片连接，所述金属片上方设置有N型区，所述N型区中设置有P型区，所述N型区与P型区之间设置有PN结，所述P型区上方设置有二氧化硅衬底，所述二氧化硅衬底中设置有金属连接结构，所述金属连接结构下端与P型区上表面欧姆接触，所述金属连接结构上端设置有阳极引线。本发明结构简单、易封装、制造成本低廉，所承载的整流电流、反响电压较大，不易被击穿。
【专利说明】一种平面型二极管
【技术领域】
[0001] 本发明涉及一种半导体器件，尤其涉及一种平面型二极管。
【背景技术】
[0002] 二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子 二极管现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在 所有的电子电路中，都要用到半导体二极管，它在许多的电路中起着重要的作用，它是诞生 最早的半导体器件之一，其应用也非常广泛。
[0003] 目前，二极管制造技术已经相当成熟，但仍然存在结构复杂、成本高、封装难、容易 被击穿等问题。
【发明内容】
[0004] 本发明所要解决的技术问题是提供一种结构简单、易封装、制造成本低廉，所承载 的整流电流、反响电压较大，不易被击穿的平面型二极管。
[0005] 本发明解决上述技术问题的技术方案如下：一种平面型二极管，包括阴极引线，所 述阴极引线与金属片连接，所述金属片上方设置有N型区，所述N型区中设置有P型区，所 述N型区与P型区之间设置有PN结，所述P型区上方设置有二氧化硅衬底，所述二氧化硅 衬底中设置有金属连接结构，所述金属连接结构下端与P型区上表面欧姆接触，所述金属 连接结构上端设置有阳极引线。
[0006] 所述N型区，扩散P型杂质，构成P型区，并利用二氧化硅表面氧化膜的屏蔽作用， 在N型区上选择性地扩散一部分而形成的PN结，由于PN结的表面被二氧化硅氧化膜覆盖， 有利于-极管稳定性和使用寿命长的提商。
[0007] 在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
[0008] 进一步，所述金属片为铜金属片，所述铜金属片电阻率低、导电性强，用于PN结整 流电流的收集与传输。
[0009] 进一步，所述阳极引线、阴极引线为镀铜金属，所述镀铜金属硬度大，有利于引线 的的支撑，同时镀铜引线电阻率低，有助于降低对整流电流的干扰。
[0010] 进一步，所述金属连接结构为铝金属，所述铝金属可塑性较好，易于二极管的封装 与封闭，所述铝金属导电性好，有利于各结构之间的导通。
[0011] 本发明的有益效果是：结构简单、易封装、制造成本低廉，所承载的整流电流、反响 电压较大，不易被击穿。
【专利附图】
【附图说明】
[0012] 图1为本发明一种平面型二极管结构示意图；
[0013] 附图中，各标号所代表的部件列表如下：1、阴极引线，2、金属片，3、N型区，4、PN 结，5、P型区，6、二氧化硅衬底，7、金属连接结构，8、阳极引线。
【具体实施方式】
[0014] 以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并 非用于限定本发明的范围。
[0015] 如图1所示，一种平面型二极管，包括阴极引线1，所述阴极引线1与金属片2连 接，所述金属片2上方设置有N型区3,所述N型区3中设置有P型区5,所述N型区3与P 型区5之间设置有PN结4,所述P型区5上方设置有二氧化硅衬底6,所述二氧化硅衬底6 中设置有金属连接结构7,所述金属连接结构7下端与P型区5上表面欧姆接触，所述金属 连接结构7上端设置有阳极引线8。
[0016] 所述N型区3,扩散P型杂质，构成P型区5,并利用二氧化硅6表面氧化膜的屏蔽 作用，在N型区3上选择性地扩散一部分而形成的PN结4,由于PN结4的表面被二氧化硅 6氧化膜覆盖，有利于二极管稳定性和使用寿命长的提高。
[0017] 所述金属片2为铜金属片，所述铜金属片电阻率低、导电性强，用于PN结整流电流 的收集与传输；所述阳极引线8、阴极引线1为镀铜金属，所述镀铜金属硬度大，有利于引线 的的支撑，同时镀铜引线电阻率低，有助于降低对整流电流的干扰；所述金属连接结构7为 铝金属，所述铝金属可塑性较好，易于二极管的封装与封闭，所述铝金属导电性好，有利于 各结构之间的导通。
[0018] 以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和 原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1. 本发明涉及一种平面型二极管，其特征在于，包括阴极引线，所述阴极引线与金属片 连接，所述金属片上方设置有N型区，所述N型区中设置有P型区，所述N型区与P型区之 间设置有PN结，所述P型区上方设置有二氧化硅衬底，所述二氧化硅衬底中设置有金属连 接结构，所述金属连接结构下端与P型区上表面欧姆接触，所述金属连接结构上端设置有 阳极引线。
2. 根据权利要求1所述一种平面型二极管，其特征在于，所述金属片为铜金属片。
3. 根据权利要求1所述一种平面型二极管，其特征在于，所述阳极引线、阴极引线为镀 铜金属。
4. 根据权利要求1所述一种平面型二极管，其特征在于，所述金属连接结构为铝金属。
【文档编号】H01L29/06GK104218071SQ201410521503
【公开日】2014年12月17日 申请日期:2014年9月30日 优先权日:2014年9月30日
【发明者】夏洪贵 申请人:夏洪贵