一种半导体激光器的制造方法
【专利摘要】本发明涉及一种半导体激光器，包括基板，所述基板上方设置有阴极，所述阴极两端分别设置有绝缘体，所述绝缘体上设置有栅极，所述栅极之间，阴极上方中心设置有发射极，所述发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥，所述发射极上方设置有磷光层，所述磷光层上方设置有玻璃板，所述玻璃板、基板、侧板构成封闭结构。本发明结构简单、制造成本低廉、发射率高、亮度均匀。
【专利说明】一种半导体激光器
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体激光器。
【背景技术】
[0002]场发射电极理论最早是在1928年由R.H.Eowler与L.ff.Nordheim共同提出，不过真正以半导体制程技术研发出场发射电极元件，开启运用场发射电子做为显示器技术，则是在1968年由C.A.Spindt提出，随后吸引后续的研究者投入研发。
[0003]目前，半导体激光器取代传统阴极发射管成为必然趋势，但是半导体激光器仍然面临诸多问题，例如结构复杂、封装困难、制造成本高、发射率低、亮度不均匀等问题。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是提供一种结构简单、制造成本低廉、发射率高、亮度均勻的半导体激光器。
[0005]本发明解决上述技术问题的技术方案如下:一种半导体激光器，包括基板，所述基板上方设置有阴极，所述阴极两端分别设置有绝缘体，所述绝缘体上设置有栅极，所述栅极之间，阴极上方中心设置有发射极，所述发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥，所述发射极上方设置有磷光层，所述磷光层上方设置有玻璃板，所述玻璃板、基板、侧板构成封闭结构。
[0006]外部给半导体激光器施加高压，促使激光器内部栅极与发射极之间形成高压电场，所述高压电场激发电子发射尖锥产生高能电子束，所述高能电子束打在磷光层上，所述磷光层电子、空穴发生高速碰撞产生突光效应。
[0007]在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
[0008]进一步，所述半导体激光器内部处于高真空状态，防止半导体激光器在高压环境中产生电离。
[0009]进一步，所述电子发射尖锥为两个或以上，所述多个电子发射尖锥有助于缩短半导体激光器内激发时间，提高发射率。
[0010]进一步，所述侧板为金属材质，有利于高压电场的形成与保护，并且金属材质有利于半导体激光器的散热。
[0011]本发明的有益效果是:结构简单、制造成本低廉、发射率高、亮度均匀。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1为本发明一种半导体激光器装置结构示意图；
[0013]附图中，各标号所代表的部件列表如下:1、玻璃板，2、磷光层，3、栅极，4、绝缘体，5、电子发射尖锥，6、发射极，7、基板，8、阴极，9、侧板。
【具体实施方式】
[0014]以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
[0015]如图1所示，一种半导体激光器，包括基板7，所述基板7上方设置有阴极8，所述阴极8两端分别设置有绝缘体4，所述绝缘体4上设置有栅极3，所述栅极3之间，阴极8上方中心设置有发射极6，所述发射极6与栅极3之间分别设置有电子发射尖锥5，所述发射极6上方设置有磷光层2，所述磷光层2上方设置有玻璃板I，所述玻璃板1、基板7、侧板9构成封闭结构。
[0016]外部给半导体激光器施加高压，促使激光器内部栅极3与发射极6之间形成高压电场，所述高压电场激发电子发射尖锥5产生高能电子束，所述高能电子束打在磷光层2上，所述磷光层2电子、空穴发生高速碰撞产生突光效应。
[0017]所述半导体激光器内部处于高真空状态，防止半导体激光器在高压环境中产生电离；所述电子发射尖锥5为两个或以上，所述多个电子发射尖锥5有助于缩短半导体激光器内激发时间，提高发射率；所述侧板9为金属材质，有利于高压电场的形成与保护，并且金属材质有利于半导体激光器的散热。
[0018]以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种半导体激光器，其特征在于，包括基板，所述基板上方设置有阴极，所述阴极两端分别设置有绝缘体，所述绝缘体上设置有栅极，所述栅极之间，阴极上方中心设置有发射极，所述发射极与栅极之间分别设置有电子发射尖锥，所述发射极上方设置有磷光层，所述磷光层上方设置有玻璃板，所述玻璃板、基板、侧板构成封闭结构。
2.根据权利要求1所述一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器内部处于闻真空状态。
3.根据权利要求1所述一种半导体激光器，其特征在于，所述电子发射尖锥为两个或以上。
4.根据权利要求1所述一种半导体激光器，其特征在于，所述侧板为金属材质。
【文档编号】H01S5/04GK104362508SQ201410521502
【公开日】2015年2月18日 申请日期:2014年9月30日 优先权日:2014年9月30日
【发明者】聂成 申请人:聂成