专利名称：Sram存储器的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制作领域，特别涉及一种SRAM存储器。
背景技术：
静态随机存储器(SRAM)作为挥发性存储器中的一员，具有高速度、低功耗与标准工艺相兼容等优点，广泛应用于PC、个人通信、消费电子产品(智能卡、数码相机、多媒体播放器)等领域。特别是，高速同步SRAM用于诸如工作站等超高速缓存器的应用，超高速缓存为再利用的数据或指令提供高速的存储。在现有的6T(6transistor)结构的SRAM存储器中，用于存储以及读取SRAM存储器的信号的位线组(包括位线和互补位线)通常相互平行的位于同一金属层，这种位线组与相邻位线组之间由于耦合电容的存在常出现信号的串扰问题，导致位线组传输的信号恶化，在通过位线组存储以及读取SRAM存储器的信号时效率和速度降低。一种降低位线组之间耦合电容的方法是相隔一定距离扭曲位线组，参考图1，图I 为现有具有扭曲结构的位线组的结构示意图，所述位线组包括位线BL和互补位线BLB,所述位线组具有直线区20和扭曲区10，位线BL的直线部分101和互补位线BLB的直线部分 103在直线区20相互平行且位于同一金属层，比如第二金属层(M2)，位线BL的直线部分 101在扭曲区10通过位于与其同一层的扭曲线102扭曲到互补位线BLB的直线部分103的延长线上，互补位线BLB的直线部分103在扭曲区10通过与其位于不同金属层(第一或第三金属层)的扭曲线104扭曲到位线BL的直线部分101的延长线上。通过上述扭曲结构虽然可以减小位线组与相邻位线组之间的耦合电容，但是每个位线组本身的位线和互补位线之间的耦合电容并不会降低，还是会出现信号的串扰问题。更多关于SRAM存储器的介绍请参考公开号为US2011/0007556A1的美国专利。
发明内容
本发明解决的问题是提供一种SRAM存储器，减小了位线和互补位线之间的耦合电容。为解决上述问题，本发明实施例提供了一种SRAM存储器，包括基底，位于基底上呈行列排布的多个存储单元；覆盖所述存储单元的第一介质层和位于第一介质层上的第二介质层；相互平行的多个位线组，所述位线组包括位线和互补位线，所述位线组具有多个直线区和连接直线区的扭曲区，其中，所述直线区包括第一直线区和第二直线区，所述直线区的位线与互补位线位于不同介质层，所述直线区的位线与互补位线在基底上的投影相互平行，且所述第一直线区的位线与第二直线区的互补位线的延长线重叠，所述第一直线区的互补位线与第二直线区的位线的延长线重叠；所述扭曲区包括第一扭曲区和第二扭曲区，其中，第一扭曲区将第一直线区的第一介质层上的位线扭曲至第二直线区的第二介质层上，且将第一直线区的第二介质层上的互补位线扭曲至第二直线区的第一介质层上；第二扭曲区将第二直线区的第二介质层上的位线扭曲至第一直线区的第一介质层上，且将第二直线区的第一介质层上的互补位线扭曲至第一直线区的第二介质层上。可选的，所述每个位线组上的相邻扭曲区之间的间距相等。可选的，不同位线组上的扭曲区的数量相等。可选的，不同位线组上的扭曲区的分布位置相同，同一位置的扭曲区之间的连线与位线组的位线和互补位线的延伸方向垂直。可选的，位线组的位线和互补位线的延伸方向与存储单元的行或者列排布方向平行。可选的，每个位线组上的扭曲区的位置与两相邻存储单元之间的间隔区的位置相对应。可选的，每个位线组上的相邻两个扭曲区之间对应的存储单元的数量为16 256 个。可选的，每个位线组的位线和互补位线在扭曲区之外的区域分别与存储单元中对应的晶体管电连接。可选的，所述第一扭曲区包括位于第二介质层中的第一插塞和第二插塞、位于第二介质层上的第一位线弯折线、位于第一介质层上的第一互补位线弯折线，第一直线区的第一介质层上的位线通过第一插塞和第一位线弯折线扭曲至第二直线区的第二介质层上， 第一直线区的第二介质层上的互补位线通过第二插塞和第一互补位线弯折线扭曲至第二直线区的第一介质层上。可选的，所述第二扭曲区包括位于第二介质层中的第三插塞和第四插塞、位于第一介质层上的第二位线弯折线、位于第二介质层上的第二互补位线弯折线，第二直线区的第二介质层上的位线通过第三插塞和第二位线弯折线扭曲至第一直线区的第一介质层上， 第二直线区的第一介质层上的互补位线通过第四插塞和第二互补位线弯折线扭曲至第一直线区的第二介质层上。可选的，所述每个位线组的同一侧还具有电源线，电源线与位线和互补位线相互平行，电源线用于给存储单元中相应的晶体管提供电源。可选的，所述电源线位于第一介质层上。本发明还提供了一种SRAM存储器，包括基底，位于基底上呈行列排布的多个存储单元；覆盖所述存储单元的第一介质层和位于第一介质层上的第二介质层；相互平行的多个位线组，所述位线组包括位线和互补位线，所述位线组具有多个直线区和连接直线区的扭曲区，其中，所述直线区包括第一直线区和第二直线区，所述直线区的位线与互补位线位于不同介质层，所述直线区的位线与互补位线在基底上的投影相互平行，且所述第一直线区的位线与第二直线区的互补位线的延长线重叠，所述第一直线区的互补位线与第二直线区的位线的延长线重叠；所述扭曲区包括第一扭曲区和第二扭曲区，其中，第一扭曲区将第一直线区的第二介质层上的位线扭曲至第二直线区的第一介质层上，且将第一直线区的第一介质层上的互补位线扭曲至第二直线区的第二介质层上；第二扭曲区将第二直线区的第一介质层上的位线扭曲至第一直线区的第二介质层上，且将第二直线区的第二介质层上的互补位线扭曲至第一直线区的第一介质层上。 可选的，所述每个位线组上的相邻扭曲区之间的间距相等。可选的，不同位线组上的扭曲区的数量相等。可选的，不同位线组上的扭曲区的分布位置相同，同一位置的扭曲区之间的连线与位线组的位线和互补位线的延伸方向垂直。可选的，位线组的延伸方向与存储单元的行或者列排布方向平行。可选的，每个位线组上的扭曲区的位置与两相邻存储单元之间的间隔区的位置相对应。可选的，每个位线组的相邻两个扭曲区之间对应的存储单元的数量为16 256 个。可选的，每个位线组的位线和互补位线在扭曲区之外的区域分别与存储单元中对应的晶体管电连接。可选的，所述第一扭曲区包括位于第二介质层中的第一插塞和第二插塞、位于第一介质层上的第一位线弯折线、位于第二介质层上的第一互补位线弯折线，第一直线区的第二介质层上的位线通过第一插塞和第一位线弯折线扭曲至第二直线区的第一介质层上， 且将第一直线区的第一介质层上的互补位线通过第二插塞和第一互补位线弯折线扭曲至第二直线区的第二介质层上。可选的，所述第二扭曲区包括位于第二介质层中的第三插塞和第四插塞、位于第二介质层上的第二位线弯折线、位于第一介质层上的第二互补位线弯折线，第二直线区的第一介质层上的位线通过第三插塞和第二位线弯折线扭曲至第一直线区的第二介质层上， 第二直线区的第二介质层上的互补位线通过第三插塞和第二互补位线弯折线扭曲至第一直线区的第一介质层上。可选的，所述每个位线组的同一侧还具有电源线，电源线与位线和互补位线相互平行，电源线用于给存储单元中相应的晶体管提供电源。可选的，所述电源线位于第一介质层上。与现有技术相比，本发明技术方案具有以下优点通过扭曲区使得每个位线组中位线和互补位线交叉地位于不同的介质层，既减小了位线组之间的耦合电容，又减小每个位线组中位线和互补位线之间的耦合电容；进一步，不同位线组上的扭曲区的分布位置相同，同一位置的扭曲区之间的连线与位线组的位线和互补位线的延伸方向垂直，使得位线组中位于同一介质层上的位线与位线之间的距离、位线与互补位线之间的距离以及不同介质层上的位线与位线之间的距离、 位线与互补位线之间的距离保持恒定，使得不同位线组的位线与位线之间、位线与互补位线之间以及互补位线与互补位线之间的耦合电容保持恒定，不会出现某个区域耦合电容相比于其他区域过大或过小的情况，提高了 SRAM存储器的稳定性；更进一步，所述每个位线组上的相邻扭曲区之间的间距相等，不同位线组上的扭曲区的数量相等，使得扭曲区之外位线和互补位线更好的对应基底上的行列排布的存储单元，从而使存储单元中相应的晶体管可以更简便的连接位线和互补位线，改善了 SRAM存储器的布局，减小了 SRAM存储器各金属连线的布线难度。
图I为现有具有扭曲结构的位线组的结构示意图；图2 图7为本发明实施例SRAM存储器的结构示意图。
具体实施例方式现有的SRAM存储器的位线和互补位线位于同一金属层，当通过位线(互补位线) 写入或读取高电平信号时，由于位线和互补位线之间耦合电容的存在，互补位线(位线)会拉低位线中的电平，使得位线和互补位线之间的电压差变小，从而难以识别位线或互补位线中的信号状态，产生信号之间的串扰。为此发明人提出一种SRAM存储器，将两个相邻扭曲区之间的位线和互补位线设置在不同的介质层(金属层)，增大了位线和互补位线之间的距离，从而减小了位线和互补位线之间的耦合电容。为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式
做详细的说明。在详述本发明实施例时，为便于说明，示意图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明的保护范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。图2为本发明第一实施例SRAM存储器的俯视结构示意图；图3为图2沿切割线 a-b方向的剖面结构示意图；图4为图2沿切割线c-d方向的剖面结构示意图。参考图2，所述SRAM存储器包括基底(图中未示出)，位于基底上呈行列排布的多个存储单元(图中未示出)，每个存储单元中包括若干晶体管，比如4个、6个或8个；覆盖所述存储单元的第一介质层(图中未示出)和位于第一介质层上的第二介质层(图中未示出)；相互平行的多个位线组50，所述位线组包括位线BL和与位线对应的互补位线 BLB，所述位线组具有多个直线区和连接直线区的扭曲区，其中，所述直线区包括第一直线区28和第二直线区29，所述直线区的位线与互补位线位于不同介质层，所述直线区的位线与互补位线在基底上的投影相互平行，且所述第一直线区28的位线与第二直线区29的互补位线的延长线重叠，所述第一直线区28的互补位线与第二直线区29的位线的延长线重叠；所述扭曲区包括第一扭曲区31和第二扭曲区32，其中，第一扭曲区31将第一直线区28的第一介质层上的位线306扭曲至第二直线区29的第二介质层上，且将第一直线区 28的第二介质层上的互补位线310扭曲至第二直线区29的第一介质层上；第二扭曲区32 将第二直线区29的第二介质层上的位线303扭曲至第一直线区28的第一介质层上，且将第二直线区29的第一介质层上的互补位线307扭曲至第一直线区28的第二介质层上；位于每个位线组50的同一侧的电源线Vss，电源线Vss与位线和互补位线相互平行，电源线Vss用于给存储单元中相应的晶体管提供电源。
图2中仅示出了 4个位线组50，包括第一位线组、第二位线组、第三位线组、第四位线组。每个位线组50上具有2个扭曲区，包括第一扭曲区31和第二扭曲区32。在具体的实施例中，所述位线组50的数量大于4，每个位线组50上扭曲区大于2，当每个位线组50 上扭曲区大于2时，位线组50扭曲区和直线区的结构为上述结构的重复，需要说明的是图2 中所示的4个位线组和每个位线组上的2个扭曲区仅作为示例，而不应限制本发明的保护范围。参考图2、图3和图4，所述第一扭曲区31包括位于第二介质层302中的第一插塞305和第二插塞309、位于第二介质层302上的第一位线弯折线304、位于第一介质层301 上的第一互补位线弯折线308，第一直线区28的第一介质层301上的位线301通过第一插塞305和第一位线弯折线304扭曲至第二直线区29的第二介质层302上，第一直线区28 的第二介质层302上的互补位线310通过第二插塞309和第一互补位线弯折线308扭曲至第二直线区29的第一介质层301上。参考图2，所述第二扭曲区32包括位于第二介质层中的第三插塞311和第四插塞312、位于第一介质层上的第二位线弯折线314、位于第二介质层上的第二互补位线弯折线313，第二直线区29的第二介质层上的位线303通过第三插塞311和第二位线弯折线314 扭曲至第一直线区28的第一介质层上，第二直线区29的第一介质层上的互补位线307通过第四插塞312和第二互补位线弯折线扭曲314至第一直线区28的第二介质层上。第一位线弯折线304和第二位线弯折线314与相应介质层上的位线为同一金属层，且第一位线弯折线304和第二位线弯折线为斜直线，以节省扭曲区31占用的位线和互补位线的空间，更有益于SRAM存储器的布局。第一互补位线弯折线308和第二互补位线弯折线313与相应介质层上的互补位线为同一金属层，第一互补位线弯折线308和第二互补位线弯折线为斜直线，以节省扭曲区 31占用的位线和互补位线的空间，更有益于SRAM存储器的布局。通过扭曲区使得每个位线组50中位线和互补位线交叉地位于不同的介质层，既减小了位线组50之间的耦合电容，又减小每个位线组50中位线和互补位线之间的耦合电容。由于扭曲区的存在，每个位线组50中的位线和互补位线在扭曲区之外的区域分别与存储单元中对应的晶体管电连接。位线组50的位线和互补位线的延伸方向与存储单元的行或者列排布方向平行， 所述每个位线组50上的扭曲区的位置与两相邻存储单元之间的间隔区的位置相对应，所述对应是指扭曲区在基底300上的投影位于两相邻存储单元之间的间隔区内，扭曲区位于两相邻存储单元之间的间隔区上方的对应的第一介质层301和第二介质层302中，使得扭曲区不会影响位线和互补位线与存储单元中相应的晶体管的连接，比如位线和互补位线可以通过直接贯穿第一介质层301和/或第二介质层302的插塞与存储单元中相应的晶体管的连接。不同位线组50上的扭曲区的分布位置相同，不同位线组50上的同一位置的扭曲区之间的连线与位线组的位线和互补位线的延伸方向垂直，使位线组50中位于同一介质层上的位线与位线之间的距离、位线与互补位线之间的距离以及不同介质层上的位线与位线之间的距离、位线与互补位线之间的距离保持恒定，使得不同位线组的位线与位线之间、位线与互补位线之间以及互补位线与互补位线之间的耦合电容保持恒定，不会出现某个区域耦合电容相比于其他区域过大或过小的情况，提高了 SRAM存储器的稳定性。所述每个位线组50上的相邻扭曲区之间的间距相等，不同位线组50上的扭曲区的数量相等，使得位线组50上的扭曲区之外的位线和互补位线更好的对应基底300上的行列排布的存储单元，从而使存储单元中相应的晶体管可以更简便的连接位线和互补位线， 改善了 SRAM存储器的布局，减小了 SRAM存储器各金属连线的布线难度。所述电源线Vss位于第一介质层301上。每个位线组50上的两相邻扭曲区之间对应的存储单元的数量为16 256个，所述对应的存储单元的数量为相邻两个扭曲区在基底300上的两投影之间的存储单元的数量。图5为本发明第二实施例SRAM存储器的俯视结构示意图；图6为图5沿切割线 a-b方向的剖面结构示意图；图7为图5沿切割线c-d方向的剖面结构示意图。参考图5，所述SRAM存储器包括基底(图中未示出)，位于基底上呈行列排布的多个存储单元(图中未示出)，每个存储单元中包括若干晶体管，比如4个、6个或8个；覆盖所述存储单元的第一介质层(图中未示出)和位于第一介质层上的第二介质层(图中未示出)；相互平行的多个位线组50，所述位线组50包括位线BL和与位线BL对应的互补位线BLB，所述位线组具有多个直线区和连接直线区的扭曲区，其中，所述直线区包括第一直线区28和第二直线区29，所述直线区的位线与互补位线位于不同介质层，所述直线区的位线与互补位线在基底上的投影相互平行，且所述第一直线区28的位线与第二直线区29的互补位线的延长线重叠，所述第一直线区28的互补位线与第二直线区29的位线的延长线重叠；所述扭曲区包括第一扭曲区31和第二扭曲区32，其中，第一扭曲区31将第一直线区28的第二介质层上的位线306扭曲至第二直线区29的第一介质层上，且将第一直线区 28的第一介质层上的互补位线310扭曲至第二直线区29的第二介质层上；第二扭曲区32 将第二直线区29的第一介质层上的位线303扭曲至第一直线区28的第二介质层上，且将第二直线区29的第二介质层上的互补位线307扭曲至第一直线区28的第一介质层上；位于每个位线组50的同一侧的电源线Vss，电源线Vss与位线和互补位线相互平行，电源线Vss用于给存储单元中相应的晶体管提供电源。图5中仅示出了 4个位线组50，包括第一位线组、第二位线组、第三位线组、第四位线组。每个位线组50上具有2个扭曲区，包括第一扭曲区31和第二扭曲区32。在具体的实施例中，所述位线组50的数量大于4，每个位线组50上扭曲区大于2，当每个位线组50 上扭曲区大于2时，位线组50扭曲区和直线区的结构为上述结构的重复，需要说明的是图5 中所示的4个位线组和每个位线组上的2个扭曲区仅作为示例，而不应限制本发明的保护范围。参考图5、图6和图7，所述第一扭曲区31包括位于第二介质层302中的第一插塞305和第二插塞309、位于第一介质层301上的第一位线弯折线304、位于第二介质层302 上的第一互补位线弯折线308，第一直线区28的第二介质层302上的位线306通过第一插塞305和第一位线弯折线304扭曲至第二直线区29的第一介质层301上，且将第一直线区 28的第一介质层301上的互补位线310通过第二插塞309和第一互补位线弯折线308扭曲至第二直线区29的第二介质层302上。参考图5，所述第二扭曲区32包括位于第二介质层中的第三插塞311和第四插塞312、位于第二介质层上的第二位线弯折线314、位于第一介质层上的第二互补位线弯折线313，第二直线区29的第一介质层上的位线303通过第三插塞311和第二位线弯折线314 扭曲至第一直线区28的第二介质层上，第二直线区29的第二介质层上的互补位线307通过第三插塞312和第二互补位线弯折线313扭曲至第一直线区28的第一介质层上。第一位线弯折线304和第二位线弯折线314与相应层的位线为同一金属层，且第一位线弯折线304和第二位线弯折线为斜直线，以节省扭曲区31占用的位线和互补位线的空间，更有益于SRAM存储器的布局。第一互补位线弯折线308和第二互补位线弯折线313与相应层的互补位线为同一金属层，第一互补位线弯折线308和第二互补位线弯折线为斜直线，以节省扭曲区31占用的位线和互补位线的空间，更有益于SRAM存储器的布局。通过扭曲区使得每个位线组50中位线和互补位线交叉的位于不同的介质层，既减小了位线组50之间的耦合电容，又减小每个位线组50中位线和互补位线之间的耦合电容。由于扭曲区的存在，每个位线组50中的位线和互补位线在扭曲区之外的区域分别与存储单元中对应的晶体管电连接。位线组50的位线和互补位线的延伸方向与存储单元的行或者列排布方向平行， 所述每个位线组50上的扭曲区的位置与两相邻存储单元之间的间隔区的位置相对应，所述对应是指扭曲区在基底300上的投影位于两相邻存储单元之间的间隔区内，扭曲区位于两相邻存储单元之间的间隔区上方的对应的第一介质层301和第二介质层302中，使得扭曲区不会影响位线和互补位线与存储单元中相应的晶体管的连接，比如位线和互补位线可以通过直接贯穿第一介质层301和/或第二介质层302的插塞与存储单元中相应的晶体管的连接。不同位线组50上的扭曲区的分布位置相同，不同位线组50上的同一位置的扭曲区之间的连线与位线组的位线和互补位线的延伸方向垂直，使位线组50中位于同一介质层上的位线与位线之间的距离、位线与互补位线之间的距离以及不同介质层上的位线与位线之间的距离、位线与互补位线之间的距离保持恒定，使得不同位线组的位线与位线之间、 位线与互补位线之间以及互补位线与互补位线之间的耦合电容保持恒定，不会出现某个区域耦合电容相比于其他区域过大或过小的情况，提高了 SRAM存储器的稳定性。所述每个位线组50上的相邻扭曲区之间的间距相等，不同位线组50上的扭曲区的数量相等，使得位线组50上的扭曲区之外的位线和互补位线更好的对应基底300上的行列排布的存储单元，从而使存储单元中相应的晶体管可以更简便的连接位线和互补位线， 改善了 SRAM存储器的布局，减小了 SRAM存储器各金属连线的布线难度。所述电源线Vss位于第一介质层301上。每个位线组50上的相邻两个扭曲区之间对应的存储单元的数量为16 256个， 所述对应的存储单元的数量为相邻两个扭曲区在基底300上的两投影之间的存储单元的数量。综上，本发明实施例提供的SRAM存储器，通过扭曲区使得每个位线组中位线和互补位线交叉的位于不同的介质层，既减小了位线组之间的耦合电容，又减小每个位线组中位线和互补位线之间的耦合电容；进一步，不同位线组上的扭曲区的分布位置相同，同一位置的扭曲区之间的连线与位线组的位线和互补位线的延伸方向垂直，使得位线组中位于同一介质层上的位线与位线之间的距离、位线与互补位线之间的距离以及不同介质层上的位线与位线之间的距离、 位线与互补位线之间的距离保持恒定，使得不同位线组的位线与位线之间、位线与互补位线之间以及互补位线与互补位线之间的耦合电容保持恒定，不会出现某个区域耦合电容相比于其他区域过大或过小的情况，提高了 SRAM存储器的稳定性；更进一步，所述每个位线组上的相邻扭曲区之间的间距相等，不同位线组上的扭曲区的数量相等，使得扭曲区之外位线和互补位线更好的对应基底上的行列排布的存储单元，从而使存储单元中相应的晶体管可以更简便的连接位线和互补位线，改善了 SRAM存储器的布局，减小了 SRAM存储器各金属连线的布线难度。本发明虽然已以较佳实施例公开如上，但其并不是用来限定本发明，任何本领域技术人员在不脱离本发明的精神和范围内，都可以利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案做出可能的变动和修改，因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
权利要求
1.一种SRAM存储器，其特征在于，包括基底，位于基底上呈行列排布的多个存储单元；覆盖所述存储单元的第一介质层和位于第一介质层上的第二介质层；相互平行的多个位线组，所述位线组包括位线和互补位线，所述位线组具有多个直线区和连接直线区的扭曲区，其中，所述直线区包括第一直线区和第二直线区，所述直线区的位线与互补位线位于不同介质层，所述直线区的位线与互补位线在基底上的投影相互平行，且所述第一直线区的位线与第二直线区的互补位线的延长线重叠，所述第一直线区的互补位线与第二直线区的位线的延长线重叠；所述扭曲区包括第一扭曲区和第二扭曲区，其中，第一扭曲区将第一直线区的第一介质层上的位线扭曲至第二直线区的第二介质层上，且将第一直线区的第二介质层上的互补位线扭曲至第二直线区的第一介质层上；第二扭曲区将第二直线区的第二介质层上的位线扭曲至第一直线区的第一介质层上，且将第二直线区的第一介质层上的互补位线扭曲至第一直线区的第二介质层上。
2.如权利要求I所述的SRAM存储器，其特征在于，所述每个位线组上的相邻扭曲区之间的间距相等。
3.如权利要求2所述的SRAM存储器，其特征在于，不同位线组上的扭曲区的数量相等。
4.如权利要求3所述的SRAM存储器，其特征在于，不同位线组上的扭曲区的分布位置相同，同一位置的扭曲区之间的连线与位线组的位线和互补位线的延伸方向垂直。
5.如权利要求I所述的SRAM存储器，其特征在于，位线组的位线和互补位线的延伸方向与存储单元的行或者列排布方向平行。
6.如权利要求5所述的SRAM存储器，其特征在于，每个位线组上的扭曲区的位置与两相邻存储单元之间的间隔区的位置相对应。
7.如权利要求5所述的SRAM存储器，其特征在于，每个位线组上的相邻两个扭曲区之间对应的存储单元的数量为16 256个。
8.如权利要求5所述的SRAM存储器，其特征在于，每个位线组的位线和互补位线在扭曲区之外的区域分别与存储单元中对应的晶体管电连接。
9.如权利要求I所述的SRAM存储器，其特征在于，所述第一扭曲区包括位于第二介质层中的第一插塞和第二插塞、位于第二介质层上的第一位线弯折线、位于第一介质层上的第一互补位线弯折线，第一直线区的第一介质层上的位线通过第一插塞和第一位线弯折线扭曲至第二直线区的第二介质层上，第一直线区的第二介质层上的互补位线通过第二插塞和第一互补位线弯折线扭曲至第二直线区的第一介质层上。
10.如权利要求I所述的SRAM存储器，其特征在于，所述第二扭曲区包括位于第二介质层中的第三插塞和第四插塞、位于第一介质层上的第二位线弯折线、位于第二介质层上的第二互补位线弯折线，第二直线区的第二介质层上的位线通过第三插塞和第二位线弯折线扭曲至第一直线区的第一介质层上，第二直线区的第一介质层上的互补位线通过第四插塞和第二互补位线弯折线扭曲至第一直线区的第二介质层上。
11.如权利要求I所述的SRAM存储器，其特征在于，所述每个位线组的同一侧还具有电源线，电源线与位线和互补位线相互平行，电源线用于给存储单元中相应的晶体管提供电源。
12.如权利要求11所述的SRAM存储器，其特征在于，所述电源线位于第一介质层上。
13.—种SRAM存储器，其特征在于，包括基底，位于基底上呈行列排布的多个存储单元；覆盖所述存储单元的第一介质层和位于第一介质层上的第二介质层；相互平行的多个位线组，所述位线组包括位线和互补位线，所述位线组具有多个直线区和连接直线区的扭曲区，其中，所述直线区包括第一直线区和第二直线区，所述直线区的位线与互补位线位于不同介质层，所述直线区的位线与互补位线在基底上的投影相互平行，且所述第一直线区的位线与第二直线区的互补位线的延长线重叠，所述第一直线区的互补位线与第二直线区的位线的延长线重叠；所述扭曲区包括第一扭曲区和第二扭曲区，其中，第一扭曲区将第一直线区的第二介质层上的位线扭曲至第二直线区的第一介质层上，且将第一直线区的第一介质层上的互补位线扭曲至第二直线区的第二介质层上；第二扭曲区将第二直线区的第一介质层上的位线扭曲至第一直线区的第二介质层上，且将第二直线区的第二介质层上的互补位线扭曲至第一直线区的第一介质层上。
14.如权利要求13所述的SRAM存储器，其特征在于，所述每个位线组上的相邻扭曲区之间的间距相等。
15.如权利要求14所述的SRAM存储器，其特征在于，不同位线组上的扭曲区的数量相等。
16.如权利要求15所述的SRAM存储器，其特征在于，不同位线组上的扭曲区的分布位置相同，同一位置的扭曲区之间的连线与位线组的位线和互补位线的延伸方向垂直。
17.如权利要求13所述的SRAM存储器，其特征在于，位线组的延伸方向与存储单元的行或者列排布方向平行。
18.如权利要求17所述的SRAM存储器，其特征在于，每个位线组上的扭曲区的位置与两相邻存储单元之间的间隔区的位置相对应。
19.如权利要求17所述的SRAM存储器，其特征在于，每个位线组的相邻两个扭曲区之间对应的存储单元的数量为16 256个。
20.如权利要求17所述的SRAM存储器，其特征在于，每个位线组的位线和互补位线在扭曲区之外的区域分别与存储单元中对应的晶体管电连接。
21.如权利要求13所述的SRAM存储器，其特征在于，所述第一扭曲区包括位于第二介质层中的第一插塞和第二插塞、位于第一介质层上的第一位线弯折线、位于第二介质层上的第一互补位线弯折线，第一直线区的第二介质层上的位线通过第一插塞和第一位线弯折线扭曲至第二直线区的第一介质层上，且将第一直线区的第一介质层上的互补位线通过第二插塞和第一互补位线弯折线扭曲至第二直线区的第二介质层上。
22.如权利要求13所述的SRAM存储器，其特征在于，所述第二扭曲区包括位于第二介质层中的第三插塞和第四插塞、位于第二介质层上的第二位线弯折线、位于第一介质层上的第二互补位线弯折线，第二直线区的第一介质层上的位线通过第三插塞和第二位线弯折线扭曲至第一直线区的第二介质层上，第二直线区的第二介质层上的互补位线通过第三插塞和第二互补位线弯折线扭曲至第一直线区的第一介质层上。
23.如权利要求13所述的SRAM存储器，其特征在于，所述每个位线组的同一侧还具有电源线，电源线与位线和互补位线相互平行，电源线用于给存储单元中相应的晶体管提供电源。
24.如权利要求23所述的SRAM存储器，其特征在于，所述电源线位于第一介质层上。
全文摘要
一种SRAM存储器，包括基底，位于基底上呈行列排布的多个存储单元；覆盖所述存储单元的第一介质层和位于第一介质层上的第二介质层；相互平行的多个位线组，所述位线组包括位线和互补位线，所述位线组具有多个直线区和连接直线区的扭曲区，其中，所述直线区包括第一直线区和第二直线区，所述直线区的位线与互补位线位于不同介质层，所述直线区的位线与互补位线在基底上的投影相互平行，且所述第一直线区的位线与第二直线区的互补位线的延长线重叠，所述第一直线区的互补位线与第二直线区的位线的延长线重叠。本发明实施例提供的SRAM存储器减小了位线和互补位线之间的耦合电容。
文档编号H01L23/522GK102610589SQ20121008516
公开日2012年7月25日 申请日期2012年3月27日 优先权日2012年3月27日
发明者胡剑 申请人:上海宏力半导体制造有限公司