宽带天线及其相关射频装置的制作方法

文档序号:11734558阅读:来源:国知局
宽带天线及其相关射频装置的制作方法

技术特征:
1.一种宽带天线,包含有:一接地元件,电性连接于一地端;一馈入元件,用来馈入一射频信号;一辐射元件,电性连接于该馈入元件,用来辐射该射频信号;至少一超材料(Meta-material)结构,每一超材料结构电性连接于该辐射元件与该接地元件之间,其中每一超材料结构包含有:一等效电容元件,电性连接于该辐射元件;以及一等效电感元件,电性连接于该接地元件;其中所述宽带天线还包含一切换电路,该切换电路包含有:一开关,耦接于该等效电感元件与该接地元件之间,用来根据一切换信号,切换该等效电感元件与该接地元件的连结。2.如权利要求1所述的宽带天线,其中该等效电容元件包含有至少一支臂。3.如权利要求1所述的宽带天线,其中该等效电感元件包含有至少一支臂。4.如权利要求1所述的宽带天线,其中该切换电路还包含有:一电阻,耦接于该切换信号,用来限制该切换信号产生的一电流大小;以及一电感,其一端耦接于该电阻,另一端耦接于该开关与该等效电感元件,用来阻断该等效电感元件中的该射频信号流至该切换信号源的元件。5.如权利要求4所述的宽带天线,其中当该开关连接该等效电感元件与该接地元件时,该宽带天线的中心频率是一第一频率;当该开关分离该等效电感元件与该接地元件时,该宽带天线的该中心频率是一第二频率,其中该第二频率大于该第一频率。6.如权利要求4所述的宽带天线,其中该开关是一PIN(Positive-Intrinsic-Negative)二极管或一双载子接面二极管(BipolarJunctionTransistor,BJT)。7.如权利要求1所述的宽带天线,其中该辐射元件包含有至少一分支以及至少一弯折。8.如权利要求7所述的宽带天线,其中该辐射元件的该分支电性连接于该接地元件,其中该宽带天线是一倒F天线(PlanarInvertedFAntenna,PIFA)。9.如权利要求1所述的宽带天线,其是一单极(Monopole)天线。10.一种射频装置,包含有:一射频信号处理单元,用来产生一射频信号;一宽带天线,耦接于该射频信号处理单元,该宽带天线包含有:一接地元件,电性连接于一地端;一馈入元件,用来馈入该射频信号;一辐射元件,电性连接于该馈入元件,用来辐射该射频信号;至少一超材料(Meta-material)结构,每一超材料结构电性连接于该辐射元件与该接地元件之间,其中每一超材料结构包含有:一等效电容元件,电性连接于该辐射元件;以及一等效电感元件,电性连接于该接地元件;其中射频装置还包含一切换电路,该切换电路包含有:一开关,耦接于该等效电感元件与该接地元件之间,用来根据该射频信号处理单元输出的一切换信号,切换该等效电感元件与该接地元件的连结。11.如权利要求10所述的射频装置,其中该等效电容元件包含有至少一支臂。12.如权利要求10所述的射频装置,其中该等效电感元件包含有至少一支臂。13.如权利要求10所述的射频装置,其中该切换电路还包含有:一电阻,耦接于该切换信号,用来限制该切换信号产生的一电流大小;以及一电感,其一端耦接于该电阻,另一端耦接于该开关与该等效电感元件,用来阻断该等效电感元件中的该射频信号流至该切换信号源的元件。14.如权利要求13所述的射频装置,其中当该开关连接该等效电感元件与该接地元件时,该宽带天线的中心频率是一第一频率;当该开关分离该等效电感元件与该接地元件时,该宽带天线的该中心频率是一第二频率,其中该第二频率大于该第一频率。15.如权利要求13所述的射频装置,其中该开关是一PIN(Positive-Intrinsic-Negative)二极管或一双载子接面二极管(BipolarJunctionTransistor,BJT)。16.如权利要求10所述的射频装置,其中该辐射元件包含有至少一分支以及至少一弯折。17.如权利要求16所述的射频装置,其中该辐射元件的该分支电性连接于该接地元件,其中该宽带天线是一倒F天线(PlanarInvertedFAntenna,PIFA)。18.如权利要求10所述的射频装置,其中该宽带天线是一单极(Monopole)天线。
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