专利名称：一种单晶硅太阳能电池扩散偏磷酸片返工方法
技术领域：
本发明涉及太阳能电池片的加工，具体的说本发明是一种单晶硅太阳能电池片扩散偏磷酸片返工方法，即扩散时炉管内因进入水汽产生的偏磷酸滴落在电池片表面的清洗处理方法。
背景技术：
目前，单晶硅太阳能电池对外观的要求比较高。在生产过程中，由于水汽进入扩散管导致偏磷酸滴落在电池表面造成的偏磷酸片很难用常规方法清洗干净。若偏磷酸残留在电池正面，会导致有偏磷酸的部分无法镀膜，严重影响到镀膜的效果；若偏磷酸残留在电池背面，会导致铝浆难以附着，影响到铝背场的印刷，从而使开路电压降低。因此，解决偏磷酸片的清洗问题，可以有效地提高产品合格率。目前，已有的返工技术是使用HF清洗液清洗后再重新制绒。由于重新制绒会减小硅片的厚度，从而影响到成 品的合格率。
发明内容
为了克服上述现有技术的不足，本发明提供了一种单晶硅太阳能电池扩散偏磷酸片返工方法，该方法解决了单晶硅扩散偏磷酸片的返工问题，提高了成品的合格率。本发明所采用的技术方案是
一种单晶硅太阳能电池扩散偏磷酸片返工方法，该方法包含以下步骤
(1)用质量浓度为O.8% — I. 2%的NaOH溶液，在50°C _60°C的温度下清洗单晶硅太阳能电池片上残留的偏磷酸，清洗时间控制在30s以内；
(2)将步骤(I)处理后的电池片在体积浓度为10%-15%的HF清洗液中反应180s—220s，去除电池片表面的氧化层；
(3)将步骤(2)处理后的电池片在体积浓度为10%-15%的HCl清洗液中反应180s—220s，去除电池片表面的金属杂质。步骤(I)中NaOH溶液的质量浓度优选为1%，清洗时间优选控制在20 s_30s。步骤(2)中所述HF清洗液是由HF H2O= 16 120的体积比例配制而成。在HF清洗液中反应优选为200s。步骤(3)中所述HCl清洗液由HCl H2O= 16 120的体积比例配制而成。在HCl清洗液中反应优选为200s。本发明的原理是利用三种化学试剂，分三步去除残留的偏磷酸以及金属离子。第一步，以用低浓度的NaOH溶液在60°C的温度下反应30s为例，去除偏磷酸，其化学反应式是，
权利要求
1.一种单晶硅太阳能电池扩散偏磷酸片返工方法，其特征是，该方法包含以下步骤 (1)用质量浓度为O.8% — I. 2%的NaOH溶液，在50°C _60°C的温度下清洗单晶硅太阳能电池片上残留的偏磷酸，清洗时间控制在30s以内； (2)将步骤(I)处理后的电池片在体积浓度为10%-15%的HF清洗液中反应180s— 220s去除电池片表面的氧化层； (3)将步骤(2)处理后的电池片在体积浓度为10%-15%的HCl清洗液中反应180s—220s，去除电池片表面的金属杂质。
2.根据权利要求I所述的一种单晶硅太阳能电池扩散偏磷酸片返工方法，其特征是，步骤(I)中NaOH溶液的质量浓度为1%，清洗时间控制在20 s-30s。
3.根据权利要求I或2所述的一种单晶硅太阳能电池扩散偏磷酸片返工方法，其特征是，步骤(2)中所述HF清洗液是由HF H2O= 16 120的体积比例配制而成。
4.根据权利要求I或2所述的一种单晶硅太阳能电池扩散偏磷酸片返工方法，其特征在于，步骤(3)中所述HCl清洗液由HCl H20=16 120的体积比例配制而成。
全文摘要
本发明涉及太阳能电池片的加工，具体本发明公开了一种单晶硅太阳能电池片扩散偏磷酸片返工方法，即扩散时炉管内因进入水汽产生的偏磷酸滴落在电池片表面的清洗处理方法，具体步骤包括(1)用质量浓度为0.8%—1.2%NaOH溶液在50℃-60℃的温度下清洗单晶硅太阳能电池片上残留的偏磷酸，清洗时间控制在30s以内；(2)在HF清洗液中反应去除电池片表面的氧化层；(3)在HCl清洗液中反应去除电池片表面的金属杂质。经过该方法处理后的电池片进行重新扩散，刻蚀，二次清洗，镀膜，印刷，烧结后，电池片的转换效率可以达到正常电池片水平，而且外观也与正常电池片无异，达到了返工清洗的目的。
文档编号H01L31/18GK102881771SQ20121037224
公开日2013年1月16日 申请日期2012年9月29日 优先权日2012年9月29日
发明者任哲, 刘文峰, 郭进, 成文, 姬常晓 申请人:湖南红太阳光电科技有限公司