专利名称：一种低损伤高钝化的太阳能电池的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及ー种低损伤高钝化的太阳能电池。
背景技术：
目前普通晶体硅电池正面主要采用氮化硅做减反反射层以及氮化硅中所含氢做钝化，由于氢在高温下容易以气体态溢出，所以并不能很好起到钝化效果，从而使氮化硅钝化效果较差。在用PECVD沉积氮化硅过程中由于固定硅烷以及氨气流量造成生成的氮化硅折射率単一，不利于降低电池片的反射率
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术的不足，提供一种低损伤高钝化的太阳能电池，提闻减反射效果，提闻电池效率。本实用新型解决其技术问题所采用的技术方案是一种低损伤高钝化的太阳能电池，其特征在于具有太阳能电池硅片，所述的太阳能电池硅片正面具有厚度为5 20nm的SiO2薄膜层，所述的SiO2薄膜层正面具有厚度为30 50nm折射率为2. 3 2. 7的第一氮化硅薄膜层，所述的第一氮化硅薄膜层正面具有厚度为35 50nm折射率为I. 8 2. O的
第二氮化娃薄膜层。进ー步地，所述的第二氮化硅薄膜层、第一氮化硅薄膜层制作时所需的硅烷及氨气流量比例不同。本实用新型的有益效果是不同折射率的氮化硅有利于降低在较宽波长范围内的反射率，增加晶体硅对光的吸收，提高电池效率。不同折射率的氮化硅薄膜可以在同一步骤操作完成，有利于节省成本，适用于大規模生产。本实用新型提高了电池片的钝化效果，减弱了 PECVD对晶体硅表面损伤，降低对太阳波长的反射，提高对光的吸收率，从而提高电池效率。
以下结合附图
对本实用新型进ー步说明。图I是本实用新型的结构示意图；其中1.太阳能电池硅片，2. SiO2薄膜层，3.第一氮化硅薄膜层，4.第二氮化硅薄膜层。
具体实施方式
现在结合附图对本实用新型作进ー步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成。如图I所示，一种低损伤高钝化的太阳能电池，具有太阳能电池硅片1，太阳能电池硅片I正面具有厚度为5 20nm的SiO2薄膜层2，SiO2薄膜层2正面具有厚度为30 50nm折射率为2. 3 2. 7的第一氮化硅薄膜层3，第一氮化硅薄膜层3正面具有厚度为35 50nm折射率为I. 8 2. O的第二氮化娃薄膜层4。第二氮化娃薄膜层4、第一氮化娃薄膜层3制作时所需的硅烷及氨气流量比例不同。本实用新型的低损伤高钝化的太阳能电池的制作方法为在扩散以及后清洗后的太阳能电池硅片I正面采用热氧化或者CVD等方法生成ー层厚度为5 20nm的SiO2膜层2，在SiO2薄膜层2上面采用PECVD沉积ー层厚度为30 50nm折射率为2. 3 2. 7第一氮化硅薄膜层3，然后通过改变硅烷以及氨气流量比例生成ー层厚度为35 50nm折射率为I. 8 2. O的第二氮化硅薄膜层4。通过改变硅烷以及氨气流量比例，促使薄膜反射曲线有两个以及多个反射低点，从而促使太阳能电池硅片I在较宽波长内有较低的反射率。本实用新型中SiO2薄膜层2的作用(I)提高太阳能电池硅片I中晶体硅表面晶格完整性，减少晶体硅表面缺陷态密度，提高钝化效果； (2)减少用PECVD沉积氣化娃中闻能量尚子对晶体娃表面损伤,有利于保护晶体娃表面的破坏。第一氮化硅薄膜层3与第二氮化硅薄膜层4形成的双层氮化硅结构的作用(I)不同折射率氮化硅薄膜层有利于降低在较宽波长范围内的反射率，增加晶体硅对光的吸收，提高电池效率。(2)不同折射率的氮化硅薄膜层可以在同一步骤操作完成，有利于节省成本，适用于大规模生产。本实用新型中SiO2薄膜层2钝化性能最強，并制备较为简単，能快速生成，能保证晶体硅晶格结构完整性，提高钝化效果。晶体硅上面有SiO2薄膜层2的保护能避免PECVD制备氣化娃时对晶体娃的损伤，减少晶体娃表面缺陷密度，从而有利于提闻电池效率。本实用新型中不同折射率的氮化硅有利于降低在较宽波长范围内的反射率，増加晶体硅对光的吸收，提高电池效率。不同折射率的氮化硅薄膜可以在同一步骤操作完成，有利于节省成本，适用于大規模生产。本发明提高了电池片的钝化效果，减弱了 PECVD对晶体娃表面损伤，降低对太阳波长的反射，提闻对光的吸收率，从而提闻电池效率。以上述依据本实用新型的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项实用新型技术思想的范围内，进行多祥的变更以及修改。本项实用新型的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
权利要求1.一种低损伤高钝化的太阳能电池，其特征在于具有太阳能电池硅片(1)，所述的太阳能电池硅片(I)正面具有厚度为5 20nm的SiO2薄膜层(2)，所述的SiO2薄膜层(2)正 面具有厚度为30 50nm折射率为2. 3 2. 7的第一氮化硅薄膜层(3)，所述的第一氮化硅薄膜层(3)正面具有厚度为35 50nm折射率为I. 8 2. O的第二氮化硅薄膜层(4)。
专利摘要本实用新型涉及一种低损伤高钝化的太阳能电池，具有太阳能电池硅片，所述的太阳能电池硅片正面具有厚度为5～20nm的SiO2薄膜层，所述的SiO2薄膜层正面具有厚度为30～50nm折射率为2.3～2.7的第一氮化硅薄膜层，所述的第一氮化硅薄膜层正面具有厚度为35～50nm折射率为1.8～2.0的第二氮化硅薄膜层。本实用新型提高了电池片的钝化效果，减弱了PECVD对晶体硅表面损伤，降低对太阳波长的反射，提高对光的吸收率，从而提高电池效率。
文档编号H01L31/0216GK202616239SQ20122006752
公开日2012年12月19日 申请日期2012年2月28日 优先权日2012年2月28日
发明者张勇 申请人:常州天合光能有限公司