专利名称：盒式积层电容器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及电子元器件技术领域，具体说是一种盒式积层电容器的技术。
背景技术：
独石积层电容器，是由多个瓷介 电容叠加并联而成，由于表面贴装技术的迅速发展，其应用增加也日益迅速，但由于它是属陶瓷材料制作，因此生产应用过程中容易损伤，从而产生性能不良，严重时会烧坏电路板，产生明火或碳化焦味。另外还有一种叫金属膜校正电容器，这种电容器其生产设备和制作工艺复杂，投入很大，成本较高，部分性能不太理
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发明内容本实用新型的目的是提供一种盒式积层电容器，在安装过程中能够防止外力损伤，又能防止漏电，有效提高可靠性，减少失效损失，同时也提高电容性能，而且生产设备和制作工艺简单，投入小，成本低。下面通过以下技术方案来实现一种盒式积层电容器，其特征在于所述盒式积层电容器包括阻燃外壳、独石积层片式电容器和引线，独石积层片式电容器与引线电路连接，独石积层片式电容器通过环氧树脂灌封在阻燃外壳内。所述阻燃外壳为方形盒体式阻燃外壳。本实用新型盒式积层电容器与现有金属膜校正电容器技术相比具有以下优点。采用本实用新型的技术方案，在安装过程中，可防止外力对电容器本体机械应力产生的伤害而至使电路失效，同时也能较好地取代常规金属膜校正电容器。通过实验可以得知，本实用新型所述盒式积层电容器整体性能较金属膜校正电容器稳定。
图I为本实用新型盒式积层电容器之独石积层片式电容器及引线连接结构示意图；图2为本实用新型盒式积层电容器结构示意图；图3为本实用新型盒式积层电容器之盒体式阻燃外壳立体图；图4为本实用新型盒式积层电容器之盒体式阻燃外壳主视图；图5为本实用新型盒式积层电容器与金属膜校正电容器对比实验之85度容量变化率曲线图；图6为本实用新型盒式积层电容器与金属膜校正电容器对比实验之125度容量变化率曲线图；图7为本实用新型盒式积层电容器与金属膜校正电容器破坏电压对比图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型盒式积层电容器作进一步详细描述。如图1-4，本实用新型盒式积层电容器，又名BOX积层电容器，包括盒体式阻燃外壳I、独石积层片式电容器2和引线3，独石积层片式电容器2与引线3电路连接，独石积层片式电容器2通过环氧树脂灌封在阻燃外壳I内。其中阻燃外壳I为方形盒体式阻燃外壳。在制作时首先用独石积层电容器为核心，用环氧树脂灌封在盒体式阻燃外壳内。本实用新 型所述盒式积层电容器一方面能更好地防止外力损伤，又能防止电容器漏电严重烧坏时产生的碳化明火及焦味，提高可靠性，减少失效损失，同时也提高了电容的性能，使其性能可大量取代常规金属膜校正电容器。其中盒式积层电容器又名BOX积层电容器。下面是金属膜校正电容器与积层电容器即本实用新型所述盒式积层电容器的容量变化对比实验实验目的是查看盒式积层电容与金属膜校正电容器在不同温度段绝缘阻值的变化；实验条件检测仪器TH2683型绝缘电阻测试仪，MCU-80L恒温恒湿箱；实验温度段+25°C-+85°C -+125°C,实验方式直接取温度稳定后2分钟的检测值。
+25 0C
一序号I I 2345
金属膜校JH电容绝 s qin,.Q9
缘电阻(GQ)8-510U9’212
盒式积层电容绝缘 _ 1K 17 , "…、 15 Ib 15 Ib I I 电阻(GQ)______
+85°C
~ 序号I I I 2 j 3 I 4 I 5
金属膜校正电容绝T1 ~~To^^~ ~TT~
缘电阻(⑶)4.14.34.53.63.2
盒式积层电容绝缘I~"TT"
电阻(GD)__Il
+125。。
一序号I I I 2 I 3 I 4 I 5
金属膜校正电容绝
缘电阻(MQ )__36__26__35__22__38
盒式积层绝缘电阻 (MQ)_I 32 丨 27 丨 26 丨 24 I 29金属膜校正电容IR值与盒式积层电容IR值在25度+85度+125度绝缘电阻变化相近，两者可以通用。一、25。。
_序号I I2345_
I属膜校正电容容值 I 98. 4 102.3101 I 99. 2100.权利要求1.一种盒式积层电容器，其特征在于所述盒式积层电容器包括阻燃外壳、独石积层片式电容器和引线，独石积层片式电容器与引线电路连接，独石积层片式电容器通过环氧树脂灌封在阻燃外壳内。
2.根据权利要求I所述的盒式积层电容器，其特征在于所述阻燃外壳为方形盒体式阻燃外壳。
专利摘要本实用新型公开了一种盒式积层电容器，其特征在于所述盒式积层电容器包括阻燃外壳、独石积层片式电容器和引线，独石积层片式电容器与引线电路连接，独石积层片式电容器通过环氧树脂灌封在阻燃外壳内，所述阻燃外壳为方形盒体式阻燃外壳。采用本实用新型的技术方案，在安装过程中，可防止外力对电容器本体机械应力产生的伤害而至使电路失效，同时也能较好地取代常规校正电容器，通过实验可以得知，本实用新型所述积层电容整体性能较校正电容要稳定。
文档编号H01G4/30GK202796448SQ201220217679
公开日2013年3月13日 申请日期2012年5月15日 优先权日2012年5月15日
发明者史建旭 申请人:祥泰电子(深圳)有限公司