Td-lte陶瓷天线的制作方法

文档序号:7119648阅读:174来源:国知局
专利名称:Td-lte陶瓷天线的制作方法
技术领域
本实用新型涉及一种使用在手机中用于收 发信号的TD-LTE陶瓷天线。
背景技术
TD-LTE 即 Time Division Long Term Evolution (分时长期演进),是由阿尔卡特-朗讯、诺基亚西门子通信、大唐电信、华为技术、中兴通讯、中国移动等业者,所共同开发的第四代(4G)移动通信技术与标准。现有技术中的TD-LTE陶瓷天线体积过大,不适合安装空间狭小的场合使用,尤其是应用在手机上,要求陶瓷天线的体积越小越好,以满足手机的体积减小,或者是给其它零件的安装提供更多空间。
发明内容发明目的本实用新型的目的在于针对现有技术的不足,提供一种体积小,结构紧凑,收发信号稳定,适合应用在手机中的TD-LTE陶瓷天线。为了实现上述发明目的,本实用新型所采用的技术方案为一种TD-LTE陶瓷天线,包括矩形六面体的陶瓷基体,所述的矩形六面体的陶瓷基体尺寸为18mmX5mmX2. 9mm,上表面尺寸为18mmX 5mm,在所述陶瓷基体的上表面中央处覆盖有“S”形导电层,所述的“S”形导电层的两端沿着上表面、正面、下表面和后侧面双向螺旋环绕,均匀布置,在下表面形成中心对称分布的两组导电层带,每一组为五条,“S”形导电层的中间部分分别沿正面和后侧面延伸至下表面的两侧楞形成倒梯形的导电层。下表面形成中心对称布置的两组导电层带,从中间向两侧延伸的第四条导电层带为馈电端,第五条导电层带为接地端。本实用新型与现有技术相比,其有益效果是本实用新型在矩形六面体的陶瓷基体的下表面形成中心对称布置的两组导电层带,从中间向两侧延伸的第四条导电层带为馈电端,第五条导电层带为接地端,使得该结构的陶瓷天线的放射频率更能符合手机等产品的要求,信号收发稳定,且本实用新型的陶瓷天线体积小,机构紧凑,适合对陶瓷天线体积要求较高的场合使用。

图I为本实用新型结构示意图;图2为TD-LTE陶瓷天线六面展开的导电层结构示意图。
具体实施方式
以下结合附图,通过一个最佳实施例,对本实用新型技术方案进行详细说明,但是本实用新型的保护范围不局限于所述实施例。如图I和2所示,一种TD-LTE陶瓷天线,包括矩形六面体的陶瓷基体,所述的矩形六面体的陶瓷基体尺寸为18mmX5mmX2. 9mm,上表面尺寸为18mmX 5mm,在所述陶瓷基体的上表面I中央处覆盖有“S”形导电层11,所述的“S”形导电层的两端沿着上表面I、正面 2、下表面4和后侧面3双向螺旋环绕,均匀布置,在下表面形成中心对称分布的两组导电层带,每一组为五条,从中间向两侧延伸的第四条导电层带为馈电端,第五条导电层带为接地端,“S”形导电层的中间部分分别沿正面和后侧面延伸至下表面的两侧楞形成倒梯形的导电层。
权利要求1.一种TD-LTE陶瓷天线,包括矩形六面体的陶瓷基体,其特征在于所述的矩形六面体的陶瓷基体尺寸为18mmX5mmX2. 9mm,上表面尺寸为18mmX 5mm,在所述陶瓷基体的上表面(I)中央处覆盖有“S”形导电层(11),所述的“S”形导电层的两端沿着上表面(I)、正面(2)、下表面(4)和后侧面(3)双向螺旋环绕,均匀布置,在下表面形成中心对称分布的两组导电层带,每一组为五条,“S”形导电层的中间部分分别沿正面和后侧面延伸至下表面的两侧楞形成倒梯形的导电层。
专利摘要本实用新型公开了一种TD-LTE陶瓷天线。该陶瓷天线包括矩形六面体的陶瓷基材,所述的矩形六面体的陶瓷基材尺寸为18mm×5mm×2.9mm,上表面尺寸为18mm×5mm,在所述陶瓷基材的上表面(1)中央处覆盖有“S”形导电层(11),所述的“S”形导电层的两端沿着上表面、正面、下表面和后侧面(3)双向螺旋环绕,均匀布置,在下表面形成中心对称分布的两组导电层带,每一组为五条,“S”形导电层的中间部分分别沿正面和后侧面延伸至下表面的两侧楞形成倒梯形的导电层。本实用新型的TD-LTE陶瓷天线,放射频率更能符合手机等产品的要求,信号收发稳定,体积小,机构紧凑,适合对陶瓷天线体积要求较高的场合使用。
文档编号H01Q1/38GK202662779SQ20122024863
公开日2013年1月9日 申请日期2012年5月29日 优先权日2012年5月29日
发明者李德威 申请人:霖昶(扬州)材料科技有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1