专利名称：一种aao多孔纳米膜高容量电容的制作方法
技术领域：
本实用新型属于电子领域的电子元件，特别涉及ー种AAO多孔纳米膜高容量电容。
背景技术：
电容是“储存电荷的容器”，在电子制作中经常需要用到各种各样的电容，它们在电路中分别起着不同的作用。电容的品种繁多，分为容量固定的电容与容量可变的电容，不同的电容储存电荷的能力也不相同。在电子线路中，电容用来通过交流而阻隔直流，也用来存储和释放电荷以充当滤波器，平滑输出脉动信号。小容量的电容，通常在高频电路中使用，如收音机、发射机和振荡器中。大容量的电容往往是作滤波和存储电荷用。一般IuF以上的电容均为电解电容，而I μ F以下的电容多为瓷片电容，除此之外，还有其他的电容，比如独石电容、涤纶电容、小容量的云母电容等。在所有类型的电容中，由于电解电容有个 铝壳，里面充满了电解质，并引出两个电扱，作为正、负极，与其它电容不同，它们在电路中的极性不能接错，而其他电容则没有极性。电容的充电即电容极板间建立起电压，积蓄起电能；电容的放电即电容储存的电荷向电路释放的过程。电容的基本作用就是充电与放电，但由这种基本充放电作用所延伸出来的许多电路现象，使得电容有着种种不同的用途，例如在电动马达中，我们用它来产生相移；在照相闪光灯中，用它来产生高能量的瞬间放电等等。很多电子产品中，电容都是必不可少的电子元器件，它在电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流稱合等。随着电子科技领域的发展，高能量密度的小体积大容量电容的价值和重要性越来越高，而电容的的容量在介电常数一定的情况下，与有效电极的面积成正比，同时与正负电极的间距即电介质的厚度成反比的。因此，提高电容的能量密度，减小正负电极的间距，降低电介质的厚度是急需解决的问题。
发明内容为解决上述问题，本实用新型公开了ー种AAO多孔纳米膜高容量电容，通过降低电介质的厚度，提高了电容的能量密度，同时还降低了大容量电容的生产成本，提高了企业的效益。本实用新型公开的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容，包括壳体、电介质、正电极、负电极、正极引脚和负极引脚，所述阳极氧化铝多孔纳米膜的层状结构的电介质包括底部的阻隔层和纳米多孔层，所述的阻隔层与正电极贴合。本实用新型公开的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容，通过以阳极氧化铝多孔纳米膜为电介质，实现了对电解电容的电介质厚度的控制，提高了电解电容的能量密度，提高了电容的容量，同时还便于生产，降低了电容的生产成本，提高了企业的效益和市场竞争力。本实用新型公开的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容的一种改进，所述的纳米多孔层的纳米孔中沉积有纳米导线。本改进通过在纳米多孔层中沉积纳米导线，实现了以阳极氧化铝多孔纳米膜的阻隔层为电介质，进一歩地降低了电容中电介质的厚度，提高了电容的能量密度，降低了电容的体积，进而降低了对产品体积和安装空间的要求，降低了电容及其应用广品的体积和生广成本，提闻了电容以及相关广品生广厂商的生广成本，提闻了市场竞争力。本实用新型公开的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容的一种改进，所述的纳米多孔层的外表面上镀有金镀层或者银镀层的镀层。本改进通过在纳米多孔层的外表面镀金镀层或者银镀层，有利于提高纳米多孔层中沉积形成的纳米导线与负电极连接的紧密程度，有效地提高了电容的有效电极面积，避免产品连接缺陷而导致的产品的缺陷，提高了电容生产的合格率，降低了企业的生产成本，提高了企业的生产效益。本实用新型公开的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容的一种改进，所述的阻隔层的厚度为10-30nm。本改进通过设置阻隔层的厚度，有利于保证电容批次产品质量的稳定性， 提高了产品的质量，降低了次品率，降低了企业的生产成本，提高了企业的效益。本实用新型公开的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容的又一种改进，所述的纳米多孔层的纳米孔的直径为40nm-2 μ m。本改进通过采用大直径的纳米孔，有利于提高了电容的有效电极面积，提高了电容的能量密度，减小了电容以及相关产品的体积，降低了电容及相关产品的体积和生产成本，提高了企业的效益和市场竞争力。本实用新型更快的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容，通过采用阳极氧化铝多孔纳米膜为电介质，并在模板的纳米孔中沉积纳米导线、采用大孔的纳米模板和在纳米多孔层外表面镀金镀层和银镀层等的手段充分地降低了电容的电介质的厚度，从而有效地提高了电容的能量密度，减小了电容及相关产品的体积，降低了电容及相关产品的体积和生产成本，提高了生产企业的效益和市场竞争力。
图I、本实用新型的结构示意图；图2、本实用新型的电介质的断面图；附图标记列表1、壳体，2、正电极，3、负电扱，4、正极引脚，5、负极引脚，6、阻隔层，
7、纳米导线，8、镀层。
具体实施方式
以下结合附图和具体实施方式
，进ー步阐明本实用新型，应理解下述具体实施方式
仅用于说明本实用新型而不用于限制本实用新型的范围。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。如图I和图2所示，本实用新型公开的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容，包括壳体
I、电介质、正电极2、负电极3、正极引脚4和负极引脚5，所述阳极氧化铝多孔纳米膜的层状结构的电介质包括底部的阻隔层6和纳米多孔层，所述的阻隔层6与正电极2贴合。本实用新型公开的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容，通过以阳极氧化铝多孔纳米膜为电介质，实现了对电解电容的电介质厚度的控制，提高了电解电容的能量密度，提高了电容的容量，同时还便于生产，降低了电容的生产成本，提高了企业的效益和市场竞争力。作为ー种优选，所述的纳米多孔层的纳米孔中沉积有纳米导线7。纳米导线7为金属导线或者导电高分子导线等，例如聚酰亚胺纳米线、铝纳米线、金纳米线等，甚至可以为碳纳米管。本实用新型公开的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容，通过在纳米多孔层中沉积纳米导线，实现了以阳极氧化铝多孔纳米膜的阻隔层为电介质，进ー步地降低了电容中电介质的厚度，提高了电容的能量密度，降低了电容的体积，进而降低了对产品体积和安装空间的要求，降低了电容及其应用产品的体积和生产成本，提高了电容以及相关产品生产厂商的生产成本，提高了市场竞争力。作为ー种优选，所述的纳米多孔层的外表面上镀有金镀层或者银镀层的镀层8。本 实用新型公开的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容，通过在纳米多孔层的外表面镀金镀层或者银镀层，有利于提高纳米多孔层中沉积形成的纳米导线与负电极连接的紧密程度，有效地提高了电容的有效电极面积，避免产品连接缺陷而导致的产品的缺陷，提高了电容生产的合格率，降低了企业的生产成本，提高了企业的生产效益。作为ー种优选，所述的阻隔层6的厚度为10_30nm。本实用新型公开的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容，通过设置阻隔层的厚度，有利于保证电容批次产品质量的稳定性，堤高了产品的质量，降低了次品率，降低了企业的生产成本，提高了企业的效益。作为ー种优选，所述的纳米多孔层的纳米孔的直径为40nm_2 μ m。本实用新型公开的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容，通过采用大直径的纳米孔，有利于提高了电容的有效电极面积，提高了电容的能量密度，减小了电容以及相关产品的体积，降低了电容及相关产品的体积和生产成本，提高了企业的效益和市场竞争力。本实用新型公开的AAO多孔纳米膜采用恒电流法或者恒电压法，以抛光铝为电极电解磷酸电解液或者硫酸电解液或者草酸电解液电解制得。本实用新型更快的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容，通过采用阳极氧化铝多孔纳米膜为电介质，并在模板的纳米孔中沉积纳米导线、采用大孔的纳米模板和在纳米多孔层外表面镀金镀层和银镀层等的手段充分地降低了电容的电介质的厚度，从而有效地提高了电容的能量密度，减小了电容及相关产品的体积，降低了电容及相关产品的体积和生产成本，提高了生产企业的效益和市场竞争力。本实用新型方案所公开的技术手段不仅限于上述技术手段所公开的技术手段，还包括由以上技术特征任意组合所组成的技术方案。以上所述是本实用新型的具体实施方式
，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本实用新型的保护范围。
权利要求1.ー种AAO多孔纳米膜高容量电容，包括壳体、电介质、正电极、负电极、正极引脚和负极引脚，其特征在干所述阳极氧化铝多孔纳米膜的层状结构的电介质包括底部的阻隔层和纳米多孔层，所述的阻隔层与正电极贴合。
2.根据权利要求I所述的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容，其特征在于所述的纳米多孔层的纳米孔中沉积有纳米导线。
3.根据权利要求2所述的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容，其特征在于所述的纳米多孔层的外表面上镀有金镀层或者银镀层的镀层。
4.根据权利要求I所述的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容，其特征在于所述的阻隔 层的厚度为10-30nm。
5.根据权利要求4所述的ー种AAO多孔纳米膜高容量电容，其特征在于所述的纳米多孔层的纳米孔的直径为40nm-2 μ m。
专利摘要本实用新型公开了一种AAO多孔纳米膜高容量电容，包括壳体、电介质、正电极、负电极、正极引脚和负极引脚，所述阳极氧化铝多孔纳米膜的层状结构的电介质包括底部的阻隔层和纳米多孔层，所述的阻隔层与正电极贴合。本实用新型提高了电容的容量，减小了大容量电容的体积，降低了大容量电容的生产成本，提高了企业的效益。
文档编号H01G9/07GK202650847SQ201220275990
公开日2013年1月2日 申请日期2012年6月13日 优先权日2012年6月13日
发明者王艳丽, 谭德新 申请人:安徽理工大学