专利名称：一种再增加爬电距离的瓷件的制作方法
技术领域：
一种再增加爬电距离的瓷件技术领域[0001]本实用新型涉及电瓷电器，特别是一种瓷件。
背景技术：
[0002]为了增加瓷件的爬电距离，使瓷件使用起来更安全，在瓷件的中间设置有伞，这样的伞是一侧凸出、另一侧凹陷的结构，现有技术中，伞的凹陷结构内部是成弧形延续到瓷件中间的，如图1所示，这样瓷件的爬电距离还不是很多，还不能满足进一步的要求。发明内容[0003]本实用新型的目的就是针对上述缺点，提供一种爬电距离更大、能够满足更高要求的瓷件——一种再增加爬电距离的瓷件。[0004]本实用新型的技术方案是这样实现的一种再增加爬电距离的瓷件，包括瓷件本体，瓷件本体中间设置有伞，这样的伞是一侧凸出、另一侧凹陷的结构，其特征是在所述的凹陷的结构的表面中间设置有凸出圈。[0005]进一步的讲，所述的凸出圈是多圈的。[0006]进一步的讲，所述的凸出圈的截面是半圆形结构。[0007]本实用新型的有益效果是这样的瓷件用在高压电瓷上具有进一步的增加爬电距离、满足更高要求的优点。
[0008]图1为本实用新型现有技术的剖面结构示意图。图2为本实用新型的剖面结构示意图。[0010]其中1、瓷件本体 2、伞3、凹陷的结构 4、凸出圈。
具体实施方式
[0011]
以下结合附图对本实用新型作进一步说明。[0012]如图2所示，一种再增加爬电距离的瓷件，包括瓷件本体I，瓷件本体I中间设置有伞2，这样的伞2是一侧凸出、另一侧凹陷的结构3，其特征是在所述凹陷的结构3的表面中间设置有凸出圈4。[0013]进一步的讲，所述的凸出圈4是多圈的。[0014]进一步的讲，所述的凸出圈4的截面是半圆形结构。
权利要求1.一种再增加爬电距离的瓷件，包括瓷件本体，瓷件本体中间设置有伞，这样的伞是一侧凸出、另一侧凹陷的结构，其特征是在所述的凹陷的结构的表面中间设置有凸出圈。
2.根据权利要求1所述的瓷件，其特征是所述的凸出圈是多圈的。
3.根据权利要求1所述的瓷件，其特征是所述的凸出圈的截面是半圆形结构。
专利摘要本实用新型涉及电瓷电器，是一种再增加爬电距离的瓷件，包括瓷件本体，瓷件本体中间设置有伞，这样的伞是一侧凸出、另一侧凹陷的结构，在所述的凹陷的结构的表面中间设置有凸出圈，所述的凸出圈是多圈的，所述的凸出圈的截面是半圆形结构，这样的瓷件用在高压电瓷上具有进一步的增加爬电距离、满足更高要求的优点。
文档编号H01B17/40GK202839163SQ201220465489
公开日2013年3月27日 申请日期2012年9月13日 优先权日2012年9月13日
发明者张耀甫, 马民, 韩念龙 申请人:河南省德立泰高压电瓷电器有限公司