泄露电流收集结构及具有该结构的辐射检测器的制造方法
【专利摘要】一种泄露电流收集结构及具有该结构的辐射检测器。辐射检测器包括半导体材料件。在半导体材料件的表面上，多个连续电极条被构造成具有绝对值顺序增加的电势。场板覆盖一对相邻电极条之间的间隔的至少大部分并通过电绝缘层与所述间隔的大部分隔离。偏压电势联接到所述场板以吸引表面产生电荷载体。
【专利说明】 泄露电流收集结构及具有该结构的辐射检测器
【技术领域】
[0001]本发明整体涉及半导体装置领域。更具体地，本发明涉及在具有处于不同电势的多个电极的半导体辐射检测器中的表面产生泄漏电流的产生和收集。
【背景技术】
[0002]图1示意性示出了一种简化的、部分切去的硅漂移检测器(SDD)，它是用于检测电磁辐射、特别是X射线的半导体辐射检测器的一个例子。半导体材料的主体层101接收和吸收辐射，造成自由电荷载体出现。主体层101的一个表面包括多个同心的P型植入环的配置，其中的环102作为一个例子展示。同心环设置成具有绝对值逐渐增加的电势，这样如果SDD中心的电势只有几伏，最外环可能有如-150V的电势。环的数量在图1中被极度简化，现实的检测器可能有几十个环。
[0003]与主体层的相对表面上的阴极层103—起，同心环在主体层内形成内部电场，其朝向SDD的中心驱动辐射感应的电子。位于或接近中心，有一个阳极用来收集辐射感应的电子。图1的SDD包括集成的场效应晶体管(FET)，其电极显示为植入物104、105和106。最里面的植入环，即最靠近FET的那一个是阳极。从它到FET的门形成连接107。选择性的结构是已知的，其中阳极在SDD的正中心，外部FET例如通过将单独的FET芯片结合到SDD芯片的合适部分联接到阳极。
[0004]带有位于或者靠近SDD芯片中心的阳极和FET的圆形SDD有着固有的缺点，即一些测量的辐射会碰到FET，它会干扰FET的运作并且会对制造FET的结晶材料造成辐射损伤。如图1所示的结构中，FET也会保留一些活性表面区域。作为一个选择，已经提出了所谓的微滴形式检测器，也被称为SD3或SDDD (硅漂移检测器微滴)。图2示意示出微滴形式检测器的表面，再次为了图形清晰度故意扭曲了结构元件的数量和相对大小。植入环的阶梯式增加的电势形成电场，它们是不对称的，因此，其拱形形式在一侧(图2中的左侧)相对较宽，但在另一侧(图2中的右侧)变窄并变尖。最外层的植入环如201所示，用于此目的。
[0005]阳极区通常如202所示，它包括用于结合外部FET的导电贴片(如同图2中的)和/或植入物，它们至少部分构成集成检测和放大元件，例如FET。植入环的非对称形式使阳极区202脱离检测器的活性区域，因此它比图1中的结构更少得暴露给辐射，并且也不会引起检测中的任何死区。
[0006]漂移检测器中可能出现的一个问题是表面产生电荷载体与信号电荷的混合。W.Chen等人的现有技术公开文献:“Large Area Cylindrical Silicon Drift Detector”,IEEE Transactions on Nuclear Science, vol.39, n0.4, pp.619-628,1992 对该问题进行了讨论。Chen建议，检测器芯片的表面上的氧化层中出现的固定正电荷与电极环中的径向取向间隙中的“河”一起可保持表面产生电子靠近表面并朝着检测器的中心引导它们，在此中心处它们通过专门的电极收集。Chen的方案的缺点在于它需要仔细控制电极环中的间隙。这也意味着必须以从设计检测器的其他视角来说可能不是最佳的特定方式选择所谓的“氧化层电荷”的量和分布。
【发明内容】
[0007]根据本发明的一方面，提供了一种半导体辐射检测器，其中表面产生电荷载体能够有效地被收集。根据本发明的另一方面，表面产生电荷载体的收集可通过在制造可靠性和使用可靠性方面都牢靠的简单结构实现。根据本发明的又一方面，提供一种用于能方便地适用于各种形式的半导体辐射检测器的收集表面产生电荷载体的结构方案。
[0008]本发明的有利目的通过这样的结构实现:其中场板用在漂移电极之间的间隔上方，该场板通过与紧挨的周围充分区别开的电势偏压以吸引表面产生电荷载体。例如，场板可通过跳跃连接件从比限定由场板覆盖的间隔的那些电极远离的电极获得其电势。
[0009]根据本发明的辐射检测器的特征在于涉及辐射检测器的独立权利要求中所述的特征。
[0010]这项专利申请中呈现的本发明的示例性实施例不可解释为对所附权利要求的适用性有所限制。该专利申请中的动词“包括”作为一个开放的限制，并不排除也存在没有叙述的特征。从属权利要求中记载的特征可相互自由结合，除非另外明确地说明。
[0011]被认为是本发明的特征的新颖特征特别在附加权利要求中进行了详尽解释。但本发明本身，就其结构及其操作方法，再加上其额外的目的和优点，将从结合附图阅读的具体实施例的以下描述得到最好理解。
【专利附图】
【附图说明】
[0012]图1示出硅漂移检测器；
[0013]图2示出微滴形式硅漂移检测器；
[0014]图3示出表面电流和场板的概念；
[0015]图4示出偏压场板的一种可能；
[0016]图5示出到场板的跳跃连接件；
[0017]图6示出一种方法；
[0018]图7示出具有跳跃连接件的场板；
[0019]图8示出微滴形式漂移检测器中的跳跃连接件；
[0020]图9示出图8的结构的细节；
[0021]图10示出图9的结构的细节；
[0022]图11示出图9的结构的另一细节；
[0023]图12示出微滴形式漂移检测器中的其他类型的跳跃连接件；
[0024]图13示出在桥连接件的上方延伸场板；
[0025]图14示出圆形漂移检测器中的河结构的使用；以及
[0026]图15示出对准河结构的一种替代方式。
【具体实施方式】
[0027]图3是半导体辐射检测器、特别是漂移检测器的一部分的示意截面图。半导体材料的件301包括η型阳极302和多个连续的ρ型漂移电极303、304、305、306和307。在连续的漂移电极之间的每个间隔内，位于和/或靠近半导体材料的件的表面的是其中产生所谓的表面电流、表面相关的泄露电流或者表面产生电荷载体的区域。区域308作为例子示出。表面产生电荷载体的产生是一个必然发生的物理事实，因此不可避免；只是，半导体辐射检测器的设计应当使得表面产生电荷载体尽可能少地干扰辐射感应电荷载体(即所谓的信号电荷)的产生和测量 。
[0028]所谓的场板309邻近连续漂移电极之间的间隔定位，因此通过电绝缘层310与其电隔离。对于每个场板存在连接，通过该连接相应的场板被构造成具有偏压电势。漂移电
极的电势是不同的，因此用于场板的偏压电势BIAS1、BIAS2......也必须彼此不同。场板
的电势还必须与其紧周围的充分不同，从而在每个间隔内有效地实现吸引表面产生电荷载体的目的。由于漂移检测器的基本操作原理要求漂移电极的电势与信号电荷具有相同符号(sign)(以及因此，与表面产生电荷具有相同符号)，场板的电势必须特别小于相邻电极条的绝对值。
[0029]图4示出了偏压场板的一种可能。在图4的布置中，构成场板的导电材料延伸到一侧以在场板和间隔内侧上的漂移电极之间形成电连接。所述连接最容易通过在电绝缘层310中设置开口来形成。例如，图4显示了开口 401，通过此开口，形成场板309的金属层实现与漂移电极303接触。由于导电连接，场板具有与间隔内侧上的漂移电极相同的电势，其应当充分吸引表面产生电荷载体以防止它们与信号电荷混合。A.Bischoff等人的现有技术公开文献:^Breakdown protection and long-term stabilization for S1-detectors，，，Nuclear Instruments and Methods in Physics Research A326 (1993), pp.27-37 建议一种所谓的重叠门结构，它的一些特征大体类似图4中所示的结构。
[0030]场板309的电势为-10v，因为它与限定通过场板309覆盖的间隔的一侧的内部漂移电极303直接电流连接。通常，由于漂移电极的电势的绝对值被认为以图4中的4伏的间隔增加，场板的电势在比限定间隔的相邻漂移电极的电势大正O和4伏之间。相对小的电势差可能不足以将所有表面产生电荷载体(这里:电子)朝着场板吸引，因此其中一些会通过向下的路线泄露并成为图4中所示的泄露电流。根据本发明的一种实施方式，场板应当在整个间隔上提供一种显著的电势基础(base)。
[0031]图5示出了所谓的跳跃连接件的原理。辐射检测器包括整体标示为301的半导体材料件。阳极302也以与图3和图4中类似的形式在图5中示出。在半导体材料件的表面(这里是上表面)上具有多个连续的电极条303、304、305、306和307。它们在基本垂直于电极条的纵向的方向上(这里从左到右或者从右到左)的指向上连续，一个接一个地跨过多个电极条。在许多关于漂移检测器的应用中，电极条可以是环形或者是弓形式的，使得外部的电极条至少部分地围绕所有的内部电极条和阳极区域。在这种情况下，电极条从内部到外部是连续的(反之亦然)。电极条303、304、305、306和307可形成为半导体材料件301的适当掺杂的、条形式的区域，和/或它们可在半导体材料件301的表面上包括金属的或者其他的导电涂层。
[0032]电极条303、304、305、306和307被构造成具有绝对值顺序增加的电势。稍后更详细地讨论将多个连续电极条形成为具有这种电势的实际方式。在信号电荷是电子的漂移检测器中，电极条被构造成具有在从内部向外部电极条的方向上增加的负电势。在图5的简化例子中，电极 303、304、305、306 和 307 的电势分别为-10V、-14V、-18V、-22V 和-26V。[0033]一对相邻的电极条在它们之间限定间隔。特别地，我们可考虑成对相邻电极条305、306之间的间隔，其表面区域被显示为501。场板502覆盖所述间隔的大部分并通过电绝缘层与其大部分隔离。电绝缘层在这里是半导体材料件301的表面上的基本连续的电绝缘层310的一部分。我们之所以使用“大部分”来描述的例外将在后面更详细地讨论。
[0034]跳跃连接件503将场板502电联接到连续电极条的比限定间隔的该对相邻电极条305、306的任一个更远离该间隔的电极条。在图5的例子中，跳跃连接件503将场板502电联接到最左边的电极条303。电连接经过显示为504的位置处的电绝缘层310中的开口进行，使得在场板502和电极条303之间存在电流连接。因此，场板502的电势与其通过跳跃连接件503连接的电极条的电势相同，这里为-10v。
[0035]指定的“跳跃连接件”是一名称，在这里用来强调场板502的电势并不来自其间是场板502所覆盖的间隔的相邻电极条的任一个。电势从更远处的电极条“跳跃”。假设跳跃连接件在两个电极条之上，电极条之间的电势的绝对值有规则地增加4伏，则场板502和相邻电极条305和306之间的电势差在8和12伏之间。这是远高于图4的结构的电势差，并且因此在收集区域501内的表面产生电荷载体方面远有效得多。
[0036]象征性地显示在图5中的跳跃连接件503和电绝缘层310之间空气间隙实际中是不需要的。这里所显示的仅用来强调跳跃连接件503既不构成可覆盖电极环303和304或者304和305之间的间隔的任何场板也不连接到该任何场板。
[0037]这样，图3中所示的场板的偏压可以多种方式实现。例如，可以沿着检测器的边缘或者在它们并不干扰检测功能的一些其他部分形成偏压触点的链，并在每个场板及其相应的偏压触点之间画出连接。但是，由于一系列合适的电势无论如何会存在于电极条中，对适当选择的电极条使用(跳跃)连接具有简单和牢固的优点。
[0038]图6示出根据本发明的实施方式的用于检测电磁辐射的方法。包括半导体材料件的检测器暴露于要检测和测量的辐射。所示的收集辐射感应电荷的步骤包括通过由多个连续电极条中的绝对值顺序增加的电势在半导体材料件内感应的电场朝着半导体材料件中的检测点引导辐射感应电荷载体。收集表面产生电荷的步骤包括收集所述电极条的一对相邻电极条之间的间隔中的表面产生电荷载体。所述收集是通过覆盖至少所述间隔的大部分并与所述间隔的至少大部分电隔离的场板的电势实现的。所述场板的电势的绝对值小于所述电极条的所述对的相邻电极条中的任何一个的电势。
[0039]设置电场的准备步骤包括例如将电极条的第一个和最后一个联接到希望的电势并允许中间电极条通过它们之间的电联接而具有电势。所示的设置偏压电势的准备步骤可包括例如从所述连续电极条的比所述对的相邻电极条的任何一个更远离由场板覆盖的间隔的那个电极条获得到每个场板的电势。
[0040]图7示意示出圆形漂移检测器，其中至少一些电极条是围绕圆形漂移检测器中心处的阳极区域701的环形场电极。并非所有的电极条都必须是漂移电极，靠近中心的可以是与阳极区域相关的一个或多个电极条，靠近边缘可以是用作朝着半导体材料件的边缘可控地减小电势的绝对值的防护环的一个或多个电极条。示意性显示了四个场板702、703、704和705,每个场板覆盖一对相邻电极条之间的间隔的大部分。将场板与其相应间隔隔尚的电绝缘层在图7中被形成透明的，使得电极条可见。在图7中，电极条在其横向方向上被夸张地示出为很窄，因为否则难以察觉相邻电极条之间的间隔。[0041]对于四个场板702、703、704和705中的每个都存在跳跃连接件。跳跃连接件将相应的场板联接到连续电极条的比限定各所述间隔的那些电极条中的任一个都更远离相应间隔的相应电极条。每个跳跃连接件相对于顺序排列的电极条处于相同方向(这里为向内)。
[0042]图7示出了场板为何被称为只覆盖间隔的“大部分”的一个原因，特别是如果所有的场板及其跳跃连接件实施在结构的单层中的话。一个或多个外部场板的跳跃连接件可能需要跨越由内部场板覆盖的间隔。例如，在位置706处，场板703中的间隙使得到场板704的跳跃连接件经过。在图7的示例性实施方式中，每个跳跃连接件到达顺序排列的电极条中的相同数量(这里为I)的中间电极条上。出于几何原因，这也是必须经过除了最外部场板外的每个场板中留下的间隙的最大数量的跳跃连接件。
[0043]如果层结构的接受复杂度水平允许，可以形成也“跳跃”过中间场板而它们之间不需要间隙的跳跃连接件。还可以使用引线结合或者不完全结合到半导体材料件的表面上使用的堆叠层的其他技术来实施跳跃连接件。但是，在许多情况下，更有利的是只使用层并且将不同层的要求数量保持为尽可能少，使得例如所有的场板和跳跃连接件形成在相同的平面层中。
[0044]图8示出了本发明的一种实施方式，其中半导体装置是微滴形式漂移检测器。它包括宽端部801和尖端部802，使得活性区域803定位在宽端部内(或靠近它)，阳极区域904定位在尖端部内(或靠近它)，在所述活性区域外侧。半导体材料件的边缘被显示为805。
[0045]图8中的局部放大显示了电极条如何被构造成具有不同的电势的例子。每对连续的电极条通过一定长度的窄导电桥连接起来，其中桥806被显示作为例子。每个桥的特定传导性和物理尺寸被选择成使得桥具有希望的电阻，从而电极条有效地构成电阻连接链。电势只需要特定地联接到链中的第一个和最后一个电极，之后他们之间的电阻连接负责将每个中间漂移电极的电势设置为合适值。使得导电桥弓具有与其连接起来的电极条的限制边缘几乎相同的曲率半径允许导电桥被形成为足够长，使得可实现希望的电阻，而不必使导电桥禁止性地窄或者不必沿着导电桥的长度在滴落浓度上产生变化。
[0046]在图8的微滴形式漂移检测器中，除了几个最里面的电极条外的所有电极条是新月形式的而不是环形的。新月形式的电极条可被称为部分围绕微滴形式的漂移检测器的阳极区域。对于新月形式的电极条的所有限制边缘来说，曲率中心不相同，而是一点一点地改变，对于每个外部边缘和外部电极条，在将宽端部和尖端部连接在一起的对称线上朝着宽端部改变。出于此原因，新月形式的电极条的最(very)端部会变得非常窄，如果所有的新月形式的电极条的端部都位于相同的假想线807上或者靠近它的话。因此，每第二个新月形式的电极条是较短的种类，其端部定位在另一假想线808上或靠近假想线808。电极条809是较短种类的电极条的一个例子。
[0047]因此，在图8所示的几何结构中，由在其端部处相邻的两个电极条(例如见电极条810和811)限定的间隔也分支成两个间隔分支812和813，它们之间定位进一步(较短的)电极条809。图9示出了场板901如何也在其上右部分支，与分支间隔902 —致，在图9中，出于图形清晰性的原因只显示了一些新月形式的电极条及仅一个场板及其跳跃连接件。结果，场板的分支覆盖相应的间隔分支。[0048]图8和图9中示出了电极条和场板结构的细节，其相对于将微滴形式的漂移检测器的尖边缘连接到宽边缘的假想线对称。因此，分支之间的中间电极条实际上比“相邻”(因为它们实际上只在其端部处靠近而放在括号中)成对电极条的任一个更短。它们之间的间隔在中间电极条的每个端部处分支成两个间隔分支，所述间隔分支一起围绕中间电极条，保存电极条之间的桥暂时中断所述间隔分支的点。
[0049]图10示出了可用于根据本发明的实施方式所有辐射检测器的有利细节。参考图9，图10是沿着双向箭头A-A的局部横截面，但类似的结构细节可在任何场板的任意位置找至IJ。图10还解释了之前解释场板通过电绝缘层与间隔的“大部分”隔离的原因。即在沿着间隔的长度和相应的场板的至少一个点处具有所谓的收集点是有利的，在该收集点处，通过场板的电势吸引的表面产生电荷被拉出半导体材料。图10中所示的收集点结构包括局部掺杂区域1001，其可以是例如η型掺杂点，如果电极条是ρ型掺杂的话。掺杂区域1001和场板901之间存在电连接。这里已经通过在电绝缘层310中设置开口来形成电连接，使得构成场板901的金属化将延伸经过开口以接触局部掺杂区域1001。
[0050]回头参考图9，在该实施方式中，场板包括在场板的(并且是否则通过场板覆盖的间隔的)纵向上通过间隙彼此分离的两个区段903和904。相应地，跳跃连接件包括两个分支905和906，每个分支从公共点907到达场板的相应区段的端部，具体指的是最靠近所述间隙的端部。图11是沿图9中的双头箭头B-B的部分截面图，如图11中更加详细示出的，公共点907包括到电极条810的电连接1101并定位在它上方。在早前使用的技术中，电极条810是连续电极条中比限定所述间隔的该对相邻的电极条中的任何一个更远离间隔902的电极条。如果电极条和场板结构相对于检测器的中心线对称，并且因此如果场板的另一端部包括类似结构，则场板在其另一端部包括进一步的第三区段，其是区段904的镜像。
[0051]图8和图9的比较显示两分支的V形形式的跳跃连接件的特殊意义。在图9单独显示的跳跃连接件的两个分支905和906的中间中留下的空间中，存在到外部场板的进一步的两分支跳跃连接件，从而形成一系列嵌套的V。图12中显示了形成跳跃连接件的一种替代方式。容易看到，图8和图9中显示的这种V形跳跃连接件具有这样的优点，即允许场板还延伸到新月形式的电极条之间的间隔的每个端部。
[0052]图13示出了场板如何在用作两个连续电极条之间的电阻连接的导电桥上方经过的一个例子。图13显示了导电桥806和它连接的两个电极条的最靠近边缘的轮廓。阴影区域示出了覆盖所述两个电极条之间的间隔的场板。在图中还示出了场板可简单地正好在导电桥806上方或者在其至少一部分上方延伸。
[0053]图14示出了本发明的实施方式如何与漂移检测器中的所谓河结构结合使用。“河”是连续漂移电极中的径向取向的不连续序列。它允许表面产生电荷载体从电极条之间的外部间隔朝着漂移检测器的内部区域流动，而所谓的槽阳极可用来将它们拉出半导体材料。
[0054]在图14所示的实施方式中，电极条、间隔和场板的结构遵循之前关于图7描述的原理，但至少多个电极条包含不连续部。特别是，所示的实施方式在每个电极条中包括六个不连续部，其围绕中心定位的阳极区域以60度间隔规则地对准，使得形成六个径向取向的“河”。可以在局部放大中看到一个“河”，它的一部分是不连续部1401、1402和1403。槽阳极1404示意性地示出为相对小的点形式的η导电型植入物。每个槽阳极通过ρ导电型偏压植入物(这里:最里面的电极环的区段)环绕，以保持信号电荷不损失到槽阳极。场板材料的管线1405从河顶部上的场板的基本圆形形状向内延伸，目的在于引导在下一个内部场板下方的河中流动的表面泄露电流。没有管线1405的话，表面泄露电流从河逸出并与信号电流混合的风险将更高。
[0055]图15示出对准不连续部的替代方式。它们不需要在径向上构成直的无阻碍的线性路径，而是它们可以在不同电极条中处于不同角位置，例如使得每个不连续部与相应的跳跃连接件对准。不论漂移检测器的形式(例如圆形或者微滴)如何，河结构的使用可与根据本发明的实施方式的场板和跳跃连接件的使用结合。
[0056]将河结构与根据本发明一种实施方式的场板和跳跃连接件结合使用将产生显著的优点。如果在没有场板或者在具有图4所示种类的较简单场板的情况下使用河结构，表面产生电荷载体的收集效率可能不会令人满意。而且，可能要求在制造过程中，造成电绝缘层具有相对高的正电荷(所谓的氧化层电荷；绝缘层通常是氧化层)，以确保表面产生电荷载体保持靠近河中的表面。可控地产生希望密度的正氧化层电荷是困难的，其他考量也不利于将电绝缘层形成为非常正性。
[0057]场板和跳跃连接件确保收集表面产生电荷载体的效率不依赖于氧化层电荷的密度。因此收集表面产生电荷载体的效率也不取决于制造过程中的过程参数变化，并且氧化层电荷的优化可形成为用于其他有用的观点。
[0058]上面解释的示例性实施方式不被解释为限制所附权利要求的应用性，在不脱离由权利要求限定的保护范围的情况下，所示形式和结构的变型和修改是可行的。例如，跳跃连接件越过的中间电极条的数量不需要是恒定的，而是甚至相同辐射检测器中的不同跳跃连接件可越过不同数量的中间电极条。电极条可被构造成还通过其他方式而不是将电极条链接起来的导电桥采用其合适电势，例如可以对每个电极条使用专门的电压连接。
【权利要求】
1.一种福射检测器,包括: 半导体材料件； 在所述半导体材料件的表面上，多个连续电极条能够具有绝对值顺序增加的电势；和场板，其覆盖一对相邻电极条之间的间隔的至少大部分并通过电绝缘层与所述间隔的至少大部分隔离； 其中，所述场板能够具有绝对值比所述对的相邻电极条的任何一个的电势小的偏压电势。
2.根据权利要求1所述的辐射检测器，包括跳跃连接件，其将所述场板电联接到所述连续电极条的比所述对的相邻电极条的任何一个都远离所述间隔的电极条。
3.根据权利要求2所述的辐射检测器，包括: 多个连续的场板，每个都覆盖多个连续对的相邻电极条中的一对之间的间隔的大部分；和 用于所述多个连续场板的每一个的跳跃连接件，每个跳跃连接件将相应的场板联接到所述连续电极条中的比限定相应间隔的那些电极条中的任何一个远离该间隔的相应电极条; 其中，每个所述跳跃连接件相对于所述电极条的顺序在相同方向。
4.根据权利要求3所述的辐射检测器，其中，每个所述跳跃连接件到达所述电极条的顺序中的相同数量的中间电极条上方。
5.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中: 所述间隔分支成至少两个间隔分支，其间定位有另一个所述电极条； 所述场板与所述分支间隔相符地分支，使得所述场板的分支覆盖相应的间隔分支。
6.根据权利要求5所述的辐射检测器，其中，所述电极条是新月形式的，并且所述另一个所述电极条比所述对的相邻电极条短，使得所述间隔在所述另一个所述电极条的每个端部处分支成两个间隔分支。
7.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中: 所述间隔的至少一个点包括局部掺杂区域；并且 在所述掺杂区域和所述场板之间存在电连接。
8.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中: 所述场板包括在所述场板的纵向上通过间隙彼此分离的两个区段， 所述场板包括两个偏压电势连接分支，每个分支从公共点到达所述场板中最靠近所述间隙的相应区段；并且 所述公共点包括到所述连续电极条中的比所述对的相邻电极条的任何一个远离所述间隔的那个电极条的电连接并定位在该电连接上方。
9.根据权利要求8所述的辐射检测器，其中: 在所述两个分支的中间留下的空间中，存在进一步的两分支偏压电势连接，从而形成一系列嵌套的V。
10.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中: 所述辐射检测器是微滴形式的漂移检测器， 所述电极条的至少一些是部分围绕所述微滴形式的漂移检测器的阳极区域的新月形式的场电极。
11.根据权利要求1所述的辐射检测器，其中: 所述辐射检测器是圆形漂移检测器， 所述电极条的至少一些是围绕所述圆形漂移检测器的阳极区域的环形场电极。
12.—种用于检测电磁福射的方法,包括: 通过由多个连续电极条中的绝对值顺序增加的电势在半导体材料件内感应的电场朝着半导体材料件中的检测点引导辐射感应的电荷载体；和 通过覆盖所述间隔的至少大部分并与所述间隔的至少大部分电隔离的场板的电势收集所述电极条的一对相邻电极条之间的间隔中的表面产生电荷载体； 其中，所述场板的所述电势的绝对值小于所述对的相邻电极条中的任何一个的电势。
13.根据权利要求12所述的方法，包括: 从所述连续的电极条中的比所述电极条的所述对的相邻电极条远离由场板覆盖的间隔的电极条获得到每个场 板的电势。
【文档编号】H01L31/0224GK103515468SQ201310222544
【公开日】2014年1月15日 申请日期:2013年6月5日 优先权日:2012年6月20日
【发明者】P·科斯塔莫 申请人:牛津仪器分析公司