技术总结
一种MIM电容的形成方法和半导体器件的形成方法。半导体器件的形成方法包括：提供基底；在基底上形成包括第一金属互连层和第二金属互连层的第一层间介质层；在第一层间介质层、第一金属互连层和第二金属互连层上形成包括第一金属插塞和第二金属插塞的第二层间介质层；在第二层间介质层、第一金属插塞和第二金属插塞上形成第一导电材料层；在第一金属互连层上方的第一导电材料层上形成电容介电层；在电容介电层和第一导电材料层上形成第二导电材料层；对位于第一金属互连层和第二金属互连层之间第一层间介质层上方的第二导电材料层和第一导电材料层进行刻蚀，至暴露出第二层间介质层。本发明所形成半导体器件的电学性能好。
技术研发人员：黎坡
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201310261434
技术研发日：2013.06.26
技术公布日：2017.02.22