隐形的伪部件及其形成方法
【专利摘要】本发明公开了一种对准方法和装置。一种示例性装置包括形成在衬底上的重合标记；以及形成在所述重合标记附近的多个伪部件。所述伪部件具有低于对准检测工具的最小分辨率的尺寸。将所述重合标记与它最近的伪部件分离的最小距离与重合标记形成的半导体制造技术代相关。本发明还公开了隐形的伪部件及其形成方法。
【专利说明】隐形的伪部件及其形成方法
【技术领域】
[0001]本发明总体上涉及半导体器件，并且尤其涉及改进的对准机构及其制造方法。
【背景技术】
[0002]半导体集成电路(IC)产业经历了快速增长。IC材料和设计方面的技术进步已经产生了数代1C，每代IC比前代IC具有更小的部件尺寸和更复杂的电路。这些IC器件通过图案化一系列图案化层和非图案化层来制造，并且位于连续的图案化层上的部件空间上彼此相关。在制造期间，每个图案化层必须与前图案化层以一精确度对准。图案化对准技术通常提供了重合标记作为对准结构以实现连续层之间的对准。
[0003]在晶圆平坦化(例如，抛光工艺)期间，重合标记图案化可容易受晶圆薄膜厚度偏差引起的机械抛光造成的损坏的影响。在抛光工艺需要额外返工(以符合期望的厚度目标)的情况下，对重合标记造成的潜在损坏可能甚至更大。此外，如果重合标记图案由于诸如薄膜均匀控制和机械抛光负载效应的因素是非对称的，则还可能引起相当大的测量误差。
[0004]因而，尽管总体上现有的对准结构满足了它们的预期目的，然而它们不能在所有方面全部满足。
【发明内容】
[0005]为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种装置，包括:
[0006]形成在衬底上的重合标记；以及
[0007]形成在所述重合标记附近的多个伪部件；
[0008]其中:每个所述伪部件的尺寸均小于可被对准检测工具检测到的最小阀值；并且，将所述重合标记与它最近的伪部件分离的最小距离与形成所述重合标记的半导体制造技术代可实现的最小间距相关。
[0009]在可选实施例中，所述伪部件由每个均小于约0.085微米的大量伪元件组成。
[0010]在可选实施例中，所述伪部件以基本对称的方式设置在所述重合标记周围。
[0011]在可选实施例中，每个所述伪部件的尺寸均与它离所述重合标记的距离相关。
[0012]在可选实施例中，随着所述伪部件更接近所述重合标记，所述伪部件的尺寸减小。
[0013]在可选实施例中，所述重合标记包括内框和围绕所述内框的外框；第一子集的所述伪部件被所述内框围绕；第二子集的所述伪部件在所述内框外部但被所述外框围绕；以及，第三子集的所述伪部件在所述外框外部并且围绕所述外框。
[0014]在可选实施例中，所述重合标记包括多个微型元件；并且，至少一些所述伪部件都包括与所述多个微型元件中之一相似的俯视形状。
[0015]在可选实施例中，至少部分所述重合标记具有预定的俯视轮廓；并且，至少一些所述伪部件共同形成与部分所述重合标记的俯视轮廓相似的俯视轮廓。
[0016]在可选实施例中，所述对准检测工具被配置成在对准工艺中光学扫描所述重合标记。
[0017]根据本发明的另一方面，还提供了一种半导体制造中的对准装置，包括:
[0018]设置在衬底上的重合标记，所述重合标记包括多个子部件；以及
[0019]靠近所述重合标记设置的多个伪部件；
[0020]其中:
[0021]所述伪部件具有低于重合标记检测器的分辨率的尺寸，所述重合标记检测器用于检测所述重合标记；
[0022]所述重合标记和所述伪部件之间的最小距离大约等于半导体制造技术节点下可实现的最小间距；
[0023]至少一些所述伪部件具有与所述重合标记的所述子部件相似的俯视形状；以及
[0024]至少一个子集的所述伪部件设定为具有与所述重合标记类似的共同俯视轮廓。
[0025]在可选实施例中，所述最小距离基本等于最精密的间距。
[0026]在可选实施例中，所述伪部件设置成关于重合标记基本对称。
[0027]在可选实施例中，所述伪部件的尺寸为所述伪部件相对于所述重合标记的位置的函数，其基于所述位置而改变。
[0028]在可选实施例中，所述重合标记包括设置在第二框内的第一框；以及所述伪部件设置在所述第一框内、所述第一框和所述第二框之间以及所述第二框外部。
[0029]根据本发明的又一方面，还提供了一种制造半导体器件的方法，包括:
[0030]在衬底上形成重合标记并且在所述重合标记附近形成多个伪部件；
[0031]其中:所述伪部件每个的尺寸都低于对准检测工具的分辨率，所述对准检测工具被配置成在对准工艺中光学扫描所述重合标记；以及，将所述重合标记与它最近的伪部件分离的最小距离与所述重合标记形成的半导体制造技术代的最小间距相关。
[0032]在可选实施例中，所述伪部件由每个都小于约0.085微米的多个元件组成。
[0033]在可选实施例中，所述伪部件以基本对称的方式设置在所述重合标记周围。
[0034]在可选实施例中，每个伪部件的尺寸都与它离所述重合标记的距离相关。
[0035]在可选实施例中，所述重合标记包括多个微型元件；以及，至少一些所述伪部件每个都具有与所述多个微型元件之一相似的俯视形状。
[0036]在可选实施例中，所述方法中，至少部分所述重合标记具有预定的俯视轮廓；并且，至少一些所述伪部件共同形成与部分所述重合标记的俯视轮廓相似的俯视轮廓。
【专利附图】
【附图说明】
[0037]当结合附图进行阅读时，根据下面详细的描述可以更好地理解本发明。应该强调的是，根据工业中的标准实践，各种部件没有被按比例绘制，并且仅用于说明目的。实际上，为了清楚的讨论，各种部件的尺寸可以被任意增加或减少。
[0038]图1是重合标记的俯视图的简化示意图。
[0039]图2是根据本发明各方面的重合标记的俯视图的简化示意图。
[0040]图3是根据本发明各方面的重合标记的可选实施例的俯视图的简化示意图。
[0041]图4A-图4D是根据本发明各方面的部分晶圆的截面侧视图的简化示意图。
[0042]图5是根据本发明各方面的用于制造集成电路的方法流程图。
【具体实施方式】
[0043]可以理解下面的公开文本提供了许多不同的实施方式，或者实例用于实现发明的不同部件。下面描述了部件和布置的具体实例以简化本公开文本。当然，这些仅是实例并且不旨在限制本发明。另外，本公开文本在各种实例中可重复标号和/或字母。而且，说明书中第一部件在第二部件上方或者第一部件在第二部件上面形成可包括第一和第二部件直接接触形成的实施方式，并且也包括附加部件可在第一和第二部件之间形成的实施方式，使得第一和第二部件可不直接接触。
[0044]图1是包括重合标记40的部分晶圆30的部分示意俯视图。晶圆30还可称为衬底。重合标记40包括框形元件40A。重合标记40还包括可设置在框形元件40A下方的多个字母数字40B。多个伪部件50围绕重合标记(围绕框形元件40A以及字母数字40B)分散。提供这些伪部件以减轻抛光工艺(例如，化学机械抛光(CMP)工艺)中的负载效应。更详细地，如果环绕重合标记40的晶圆30的区域没有任何其他半导体图案或者部件，那么抛光工艺不以均匀或者一致的方式磨去材料。因而，晶圆30可在进行抛光工艺之后显示厚度变化，厚度变化可不利地影响重合标记40的功能。伪部件50在此形成以提高围绕重合标记40的图案密度的均匀性，从而缓解与凹陷效应相关的不利影响。
[0045]然而，为了最小化对光学重合测量的干扰，传统上图案空白区60保留在晶圆30的在重合标记40附近的部分中。换句话说，在框形元件40A和它最近的伪结构50之间保持最小距离70，并且对于字母数字40B和它最近的伪部件50也是一样的。这样，边界80A和边界80B有效构形成在重合标记的框形元件40A和字母数字40B周围。
[0046]然而，由于这种图案空白区60 (重合标记40和边界80A-80B画出的)没有任何伪部件，它可仍然导致微负载效应。例如，由于微负载效应，重合标记40可能遭受非对称边界或者构形，这可导致测量中图像模糊。这些问题随着器件尺寸的继续缩减甚至更加明显。
[0047]为了处理与微负载效应相关联的这些问题，本发明涉及围绕重合标记置放伪结构，该伪结构对用于扫描或者检测重合标记的光学仪器“不可见”。下面结合图2-图5更详细说明本发明的各方面。应该理解的是，为了清楚起见已简化图2-图5以更好理解本发明的发明构思。可增加或者去除附加的部件，并且下面所述的一些部件可被本发明的附加实施方式替代或者淘汰。
[0048]图2是包括重合标记140的部分晶圆130的部分俯视图示意图。重合标记140形成在晶圆130的衬底上方，所述衬底可以为半导体衬底，例如，硅衬底。可选地，所述衬底可包括另一种元素半导体(例如，锗);包括碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化钢的化合物半导体；包括 SiGe、GaAsP、AlInAs、AlGaAs、GaInAs、GaInP 和 / 或 GaInAsP 的合金半导体；或者它们的组合。在其他实施方式中，所述衬底可包括绝缘体上半导体(SOI)结构。在另一些实施方式中，所述衬底可包括掺杂的外延层，梯度半导体层，和/或覆盖另一不同类型的半导体层的半导体层，例如，硅锗层上的硅层。
[0049]在示出的实施方式中，重合标记140包括框中框(BIB)图案，其中成对同心对准部件形成在集成电路器件的连续层上。更详细地，重合标记140包括外框部件140A和内框部件140B (为了简便起见，重合标记的字母数字部分在下面的阐述中被省略掉)。外框部件140A和内框部件140B每个可由多个微型部件组成。为了提供这些微型部件的示例性实施例，外框部件140A的截面的“放大的”俯视图在图2的右侧示出。在图2示出的实例中，夕卜框部件140A的微型部件看起来似乎在俯视图中具有微型矩形或者方形。尽管由于简化的原因而不具体示出，然而虽然内框部件140B的微型部件可与外框部件140A形状不同或者尺寸不同，但是内框部件140B也可以是同样的。
[0050]外框部件140A可形成在衬底上方的第一材料层中，并且内框部件140B可形成在第一材料层上方的第二材料层中。换句话说，内框部件140B比外框部件140A位于更高层(在截面图中)中。在图2的俯视图中，然而，示出内框部件140B被外框部件140A环绕或者包围。
[0051]应当理解，尽管在图2的实施方式中重合标记140显示为框，然而在其他实施方式中它可设计成包括框以外的形状，包括三角形、矩形、圆形、T形、L形、脉冲形、十字形、八角形、其他合适的形状或者它们的组合。
[0052]为了确保第一材料层和第二材料层之间的合适对准，可使用图案识别技术。作为图案识别技术的一部分，外框部件140A通过本领域已知的合适的发生器暴露到辐射下。所述辐射包括可见的、不可见的、荧光的和/或极化(可包括单模或者多模)辐射。例如，发生器可包括产生各种不可见电磁波(包括X射线、紫外线(UV)和/或深紫外线(DUV)波)的不可见电磁波发生器。可进一步考虑辐射可具有单波长或者多波长。
[0053]然后，通过检测器检测到来自外框部件140A的反射光束，所述检测器可包括波长色散光谱仪、能量色散光谱仪和/或其他检测器。当反射光束被检测器检测到时，外框部件140A的位置可被识别。结果，在第二材料层中形成的内框部件140B可被适当地定位，其中，第二材料层接着形成在第一材料层(外框部件140A在其中形成)上方。内框部件140B设置为越靠近外框部件140A的中间，第一和第二材料层之间对准越好。
[0054]如上结合图1所描述的，在传统器件中“图案空白区” 一没有伪结构的区域，保留在重合标记140周围。然而，这种“图案空白区”会导致微负载效应并且可导致图像模糊。因此，根据本发明的各方面，多个伪部件150A、150B、150C、150D (此后可共同称为伪结构150)形成在重合标记140周围和附近，甚至在传统器件中视为“图案空白区”的区域中。
[0055]例如，一个子集的伪部件150A形成为围绕重合标记的外框部件140A。伪部件150A包括多个微型伪元件。该伪部件150A子集中的一部分的“放大的”俯视图在图2的右边示出，这更详细地示出了这些微型伪元件的布置和结构。这些微型伪元件足够小以便它们对上述(用于扫描重合标记140)的对准检测工具显示为不可见。换句话说，微型伪元件的尺寸在对准检测工具可检测到的分辨率或者最小的阀值之下，这意味着它们不可能被对准检测工具识别。在一些实施方式中，微型伪元件的尺寸在任何方向小于0.085微米。也可以说，所述微型伪元件每个都具有小于大约0.085微米X0.085微米的面积。
[0056]例如，对准检测工具的分辨率可以为150纳米(nm)。因此，微型部件的尺寸小于10nm以避免被对准检测工具检测到。因而，尽管它们紧邻重合标记140，这些“亚分辨率”微型伪元件对重合标记测量不会造成干扰，干扰是在传统器件中重合标记附近不应用伪部件的主要原因。微型伪元件还会导致上面讨论的微负载效应，由于它们的存在提高了重合标记附近图案密度的均匀性。
[0057]在所述实施方式中，微型伪元件配置成每个都具有与重合标记140的微型部件基本类似的形状(在俯视图中)。换句话说，由于重合标记140的微型部件基本具有矩形形状，伪部件150A的微型伪元件也基本具有矩形形状。通过具有类似的形状，可改进光刻性能，并且可进一步最小化微负载效应。
[0058]另外，伪部件150A配置成共同设定为具有与重合标记140类似的俯视轮廓。在所述的实施方式中，外框部件140A和内框部件140B每个都具有框状轮廓俯视图。这样，伪部件150A也共同具有框状轮廓俯视图。通过共同具有这些类似的俯视轮廓，可进一步最小化微负载效应，并且重合标记图案图像对比可更清晰和一致。
[0059]伪部件150还包括设置在外框部件140A和内框部件140B之间的一个子集的伪部件150B。伪部件150B环绕内框部件140B，但也被重合标记的外框部件140A环绕。伪部件150B还包括多个微型伪元件，每个微型伪元件也足够小以避免被上述准检测工具检测到。因此，伪部件150B的这些“亚分辨率”伪元件也能够减小微负载效应。而且，微型伪元件还配置成与重合标记140的微型部件具有类似的俯视形状(即，矩形形状)，并且它们也共同设定为具有与重合标记140类似的俯视轮廓(即，框状轮廓)。
[0060]伪部件150还包括在重合标记的内框部件140B内的一个子集的伪部件150C。伪部件150C还包括多个微型伪元件，每个微型伪元件也足够小以避免被上述对准检测工具检测到。因此，伪部件150C的这些“亚分辨率”伪元件还能够减小微负载效应。而且，微型伪元件也配置成与重合标记140的微型部件具有类似的俯视形状(即，矩形形状)，并且它们也与重合标记140共同设定类似的俯视轮廓(即，框状轮廓)。
[0061]伪部件150还包括设置在内框部件140B内部并且也在伪部件150C内的一组伪部件150D。伪部件150D还包括多个微型伪元件，每个微型元件也足够小以避免被上述对准检测工具检测。因此，伪部件150D的这些“亚分辨率”伪元件还能够减小微负载效应。而且，微型伪元件也配置成与重合标记140的微型部件具有类似的俯视形状(即，矩形形状)，并且它们也共同设定为具有与重合标记140类似的俯视轮廓(即，框状轮廓)。
[0062]应当理解，尽管伪部件150A-150D都包括足够小以对对准检测工具显示为不可见的微型伪元件，这些微型伪元件的尺寸不需一致。例如，在所述实施方式中，伪部件150A的伪元件的尺寸 > 伪部件150B的伪元件的尺寸 > 伪部件150C的伪元件的尺寸 > 伪部件150D的伪元件的尺寸。这些中的最小伪元件可具有与光刻工艺的关键尺寸(⑶)大约一样的尺寸。可选的尺寸结构也是可能的。换句话说，伪元件的尺寸可以为其位置的函数(或者取决于它的位置)，尤其为相对于重合标记140的位置。例如，随着微型伪元件更接近重合标记140，微型伪元件的尺寸可减小。这种类型的结构有助于减小上述的微负载效应。
[0063]在一些实施例(例如，所述实施例)中，伪部件150还以基本对称的方式设置在重合标记140的周围。以伪部件150A的子集为例，设置在重合标记140的左侧上的它的微型伪元件的数量与设置在重合标记140的右侧上的它的微型伪元件的数量大致相同。对于设置在重合标记140的左侧和右侧上的微型伪元件间距也大致相同。另外，设置在重合标记140的上侧上的微型伪元件的数量与设置在重合标记140的下侧上的微型伪元件的数量大致相同。对于设置在重合标记140上侧和下侧的微型伪元件间距也大约相同。伪部件150的对称结构还有助于减轻微负载相关的效应。
[0064]应该理解，虽然伪部件150可设置为非常接近重合标记140，最小距离170仍然将重合标记140和它的最近的伪部件分离开。这种最小距离可以为形成重合标记140的半导体制造技术代或者节点的函数(或与技术代或者节点相关)。例如，在所述实施方式中，重合标记140和最近的伪部件之间的最小距离170基本等于半导体技术代下可实现的最小间距。
[0065]还应当理解，伪部件150可配置成为矩形或者方形(如图2中所示的那些)，或者线性/空间形。这可取决于伪部件150形成在其中的层的主要图案类型。如果主要图案在伪部件150形成的层中为接触孔，伪部件150采用矩形或者方形。然而，如果主要图案例如为多晶硅栅极线，那么伪部件150也可采用线形/空间形。
[0066]这在图3中示出，图3是重合标记140的另一种实施方式的简化示意俯视图。在这种实施方式中，重合标记的外框部件140A形成在多晶硅层中并且从而具有线状微型部件。另一方面，重合标记的内框部件140B形成在接触孔层中并且从而具有矩形或者方形微型部件。伪部件150还形成在多晶硅层(B卩，与外框部件140相同的层)中。因此，伪部件150还具有基本上线状的微型元件的，类似于外框部件140A的微型部件。同样地，伪部件150和重合标记140之间的相似形状缓解了微负载效应。
[0067]图4A-图4D是一部分晶圆200的一系列简化不意性部分截面侧视图,这有助于说明上述伪部件提供的改进。为了一致和清楚的原因，图2-图4中相同的部件标号相同。
[0068]参照图4A，该部分晶圆200包括可设置在衬底上方的材料层210。在一些实施例中，材料层210为介电层并且可包括氧化物材料。材料层220设置在材料层210上方。在一些实施例中，材料层220为另一介电层并且可包括氮化物材料。当然，在不同的实施例中，其他合适的材料可用于材料层210-220。
[0069]通过光刻工艺，开口或者沟槽被蚀刻进材料层220和210。然后进行沉积工艺以用导电材料(例如，诸如铜之类的金属)填充这些开口。在这点上，重合标记140和亚分辨率伪部件150形成。重合标记140包括填充足够大以被对准检测工具检测到的开口的材料230，反之伪部件150包括填充足够小以对对准检测工具显示为不可见的开口。
[0070]参照图4B，对该部分晶圆200进行第一抛光工艺。在一些实施例中，第一抛光工艺可包括化学机械抛光(CMP)工艺。材料层220被用作抛光停止层，因此第一抛光工艺停止在材料层220。
[0071]参照图4C，进行沉积工艺以在材料层220上方以及保留在开口(即，重合标记140和伪部件150)中的部分导电材料230上方形成导电材料250。在一些实施例中，导电材料250包括金属，例如，氮化钽。
[0072]参照图4D，对晶圆200进行第二抛光工艺。在一些实施例中，第二抛光工艺可包括化学机械抛光(CMP)工艺。对于第二抛光工艺没有抛光停止层。
[0073]可以看出，在进行第二抛光工艺之后，抛光的导电材料250具有相对平坦的表面260。换句话说，后抛光构形变化相对于该部分晶圆200是最小的并且是相对均匀的。这很大程度上是由于伪部件150的部署，这提高了部分晶圆200的图案密度均匀性，并且同时还由于它们的(即，伪部件)亚分辨率尺寸，对重合标记200的检测不会造成干扰。
[0074]图5是用于制造集成电路器件的方法400的流程图。所述方法400包括步骤410，在晶圆上形成重合标记。在一些实施例中，重合标记包括框中框布置。例如，重合标记包括内框和环绕内框的外框。
[0075]方法400包括步骤420，在重合标记附近形成多个伪部件。然而，应当理解，伪部件可与重合标记同时形成，并且步骤410和420不必顺序实施。换句话说，步骤410和420可同时进行(或者为同一步骤的部分)。每个伪部件足够小以通过对准检测工具为明显不可检测。对准检测工具可以是配置成用于光学扫描对准工艺中的重合标记的仪器。重合标记与它最近的伪部件相隔的最小距离是形成重合标记的半导体制造技术代的函数或者与其相关。在一些实施例中，最小距离基本等于在半导体制造技术代下可实现的最小间距。
[0076]在一些实施例中，伪部件以基本对称的方式围绕重合标记设置。在一些实施例中，每个伪部件的尺寸是它与重合标记的距离的函数(或者与该距离相关)。在一些实施例中，随着伪部件更接近重合标记，伪部件的尺寸减小。在一些实施例中，第一子集的伪部件被内框围绕，第二子集的伪部件在内框外面但是被外框围绕，第三子集的伪部件在外框外面并且围绕外框。在一些实施例中，重合标记包括多个微型元件，并且至少一些伪部件每个都具有与微型元件之一相似的俯视形状。在一些实施例中，至少部分重合标记具有预定义的俯视轮廓，并且至少一些伪部件共同形成与部分重合标记的俯视轮廓类似的俯视轮廓。
[0077]上述实例的许多变形在本发明的考虑范围内。例如，如上所述，为了清楚起见以更好理解本发明的
【发明内容】
，公开的实例已经简化。为亚分辨率伪结构考虑尺寸、间距、形状、图案的数量或者图案的面积的任何组合。在一些实例中，一个伪部件可分成多个伪部件。在一些实例中，重合标记(例如，外框)分成多材料部件以形成重合标记。本文所描述的例子的任何组合在考虑范围内。
[0078]本发明的一个方面涉及一种装置，所述装置包括形成在衬底上的重合标记，以及形成在所述重合标记附近的多个伪部件；其中:每个所述伪部件的尺寸均小于可被对准检测工具检测到的最小阀值；并且将所述重合标记与它最近的伪部件分离的最小距离与形成所述重合标记的半导体制造技术代可实现的最小间距相关。
[0079]在一些实施例中，所述伪部件由每个小于约0.085微米的大量伪元件组成。
[0080]在一些实施例中，所述伪部件以基本对称的方式设置在重合标记周围。
[0081]在一些实施例中，每个伪部件的尺寸与它离所述重合标记的距离相关。
[0082]在一些实施例中，随着所述伪部件更接近所述重合标记，所述伪部件的尺寸减小。
[0083]在一些实施例中，所述重合标记包括内框和围绕所述内框的外框；第一子集的伪部件被所述内框围绕；第二子集的伪部件在所述内框外部但是被所述外框围绕；并且所述第三子集的伪部件在所述外框外部并且围绕所述外框。
[0084]在一些实施例中，所述重合标记包括多个微型元件；并且至少一些所述伪部件每个都具有与所述微型元件的一个相似的俯视形状。
[0085]在一些实施例中，至少部分所述重合标记具有预定的俯视轮廓；并且至少一些所述伪部件共同形成与部分所述重合标记的所述俯视轮廓相似的俯视轮廓。
[0086]在一些实施例中，所述对准检测工具配置成在对准工艺中光学扫描所述重合标记。
[0087]本发明的另一方面涉及一种半导体制造中的对准装置，包括:设置在衬底上的重合标记，所述重合标记包括多个子部件；以及靠近所述重合标记设置的多个伪部件；其中:所述伪部件具有低于用于检测重合标记的重合标记检测器的分辨率的尺寸；所述重合标记和所述伪部件之间的最小距离大约等于半导体制造技术节点下可实现的最小间距；并且至少一些所述伪部件具有与所述重合标记的所述子部件类似的俯视形状；并且至少一个子集的伪部件设定为具有与所述重合标记类似的共同俯视轮廓。
[0088]在一些实施例中，所述最小距离基本等于最精密的间距。
[0089]在一些实施例中，所述伪部件设置成基本对称地在所述重合标记周围。
[0090]在一些实施例中，所述伪部件的尺寸为所述伪部件相对于所述重合标记的位置的函数，因而该伪部件的尺寸基于所述位置而改变。
[0091 ] 在一些实施例中，所述重合标记包括设置在第二框内的第一框；并且所述伪部件设置在所述第一框内、所述第一框和所述第二框之间以及在所述第二框外部。
[0092]本发明的一个方面包括一种制造半导体器件的方法。所述方法包括:在衬底上形成重合标记并且在所述重合标记附近形成多个伪部件；其中:所述伪部件每个的尺寸都低于对准检测工具的分辨率，其中，对准检测工具配置成在对准工艺中光学扫描所述重合标记；并且将所述重合标记与它最近的伪部件分离的最小距离与所述重合标记形成的半导体制造技术代的最小间距相关。
[0093]在一些实施例中，所述伪部件由每个都小于约0.085微米的多个元件组成。
[0094]在一些实施例中，所述伪部件以基本对称的方式设置在所述重合标记周围。
[0095]在一些实施例中，每个伪部件的尺寸与它与所述重合标记的距离相关。
[0096]在一些实施例中，所述重合标记包括多个微型元件；并且至少一些所述伪部件每个都具有与所述微型元件之一相似的俯视形状。
[0097]在一些实施例中，至少部分所述重合标记具有预定的俯视轮廓；并且至少一些所述伪部件共同形成与部分所述重合标记的俯视轮廓相似的俯视轮廓。
[0098]上面论述了若干实施例的部件，使得本领域普通技术人员可以更好地理解本发明的方面。关于一些实施例的以上所示和所述的部件可结合关于其他实施例的以上所示和所述的部件。本领域普通技术人员应该理解，它们可以很容易地使用本发明作为基础来设计或更改其他用于达到与这里所介绍实施例相同的目的和/或实现相同优点的工艺和结构。因此，所有这些更改旨在包括在本发明的范围内。本领域普通技术人员也应该意识到，这种等效构造并不背离本发明的精神和范围，并且在不背离本发明的精神和范围的情况下，可以进行多种变化、替换以及改变。
【权利要求】
1.一种装置，包括: 形成在衬底上的重合标记；以及 形成在所述重合标记附近的多个伪部件； 其中: 每个所述伪部件的尺寸均小于可被对准检测工具检测到的最小阀值；并且将所述重合标记与它最近的伪部件分离的最小距离与形成所述重合标记的半导体制造技术代可实现的最小间距相关。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述伪部件由每个均小于约0.085微米的大量伪元件组成。
3.根据权利要求1所述的装置，其中，所述伪部件以基本对称的方式设置在所述重合标记周围。
4.一种半导体制造中的对准装置，包括: 设置在衬底上的重合标记，所述重合标记包括多个子部件；以及 靠近所述重合标记设置的多个伪部件； 其中: 所述伪部件具有低于重合标记检测器的分辨率的尺寸，所述重合标记检测器用于检测所述重合标记； 所述重合标记和所述伪部件之间的最小距离大约等于半导体制造技术节点下可实现的最小间距； 至少一些所述伪部件具有与所述重合标记的所述子部件相似的俯视形状；以及 至少一个子集的所述伪部件设定为具有与所述重合标记类似的共同俯视轮廓。
5.根据权利要求4所述的对准装置，其中，所述最小距离基本等于最精密的间距。
6.根据权利要求4所述的对准装置，其中，所述伪部件设置成关于重合标记基本对称。
7.根据权利要求4所述的对准装置，其中，所述伪部件的尺寸为所述伪部件相对于所述重合标记的位置的函数，其基于所述位置而改变。
8.根据权利要求4所述的对准装置，其中: 所述重合标记包括设置在第二框内的第一框；以及 所述伪部件设置在所述第一框内、所述第一框和所述第二框之间以及所述第二框外部。
9.一种制造半导体器件的方法，包括: 在衬底上形成重合标记并且在所述重合标记附近形成多个伪部件； 其中: 所述伪部件每个的尺寸都低于对准检测工具的分辨率，所述对准检测工具被配置成在对准工艺中光学扫描所述重合标记；以及 将所述重合标记与它最近的伪部件分离的最小距离与所述重合标记形成的半导体制造技术代的最小间距相关。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述伪部件由每个都小于约0.085微米的多个元件组成。
【文档编号】H01L21/02GK104051430SQ201310300949
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2013年7月17日 优先权日:2013年3月12日
【发明者】黄伟杰 申请人:台湾积体电路制造股份有限公司