磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器的制造方法
【专利摘要】本发明公开一种磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其结构是由铁芯、磁条、钢板和绕组组成，铁芯芯柱截面由不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯交错排列组成，通过不饱和区域铁芯吸收饱和区域铁芯的磁条、漏磁通形成白屏蔽并附着一层绝缘线、控制器，铁芯外套装绕组和二极管，绕组是由L1一L6组成，其中L1和L5线头并接，L2和L3线头串联接，L5和L7线尾并接，L1、L2的中间接点接可控硅4的阳极形成整流电路，L3、L4的中间接点接可控硅的阳极形成整流电路，L2的尾端、L6的首端、L3的首端、L5的尾端并接续流二极管的负极，可控硅的阴极与续流三极管的正极并接相连。本发明的有益效果是：工艺简单，能够大幅度减少铁芯硅钢片的用量。
【专利说明】 磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种可控电抗器，具体是磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，属于电网和输变电设备节能控制领域。
【背景技术】
[0002]随着超高压大电网的形成和城市电网中电缆线路剧增，电网中的无功功率变化和电压波动等问题日益突出，实施无功功率动态平衡和电压波动的动态抑制、加强电网谐波治理、抑制超高压输电长线路末端电压升高和减少线路单相接地时的潜供电流、消除发电机白励磁等措施，对电网的安全经济运行、促进电网节能，具有重要意义。随着电网中冲击性负荷逐渐增多，电力电子技术和装置在电网中的广泛应用，动态无功补偿和滤波装置对可控电抗器的安全可靠性等技术经济指标，提出了更高的要求。
[0003]调匝式可控电抗器是通过断路器或接触器投切抽头，改变匝数实现电抗可调，这种调节简单易行但达不到连续可调。调气隙式可控电抗器是通过精密机械传动方式，连续改变磁路中气隙的长度，实现电抗的连续可调，存在着响应速度慢、噪声大、易发生机械失灵等问题。晶闸管控制电抗器式可控电抗器是通过控制晶闸管的导通角和导通时间，以控制流过电抗器电流的大小和相位，实现了对电抗器容量的连续快速可调，在冶金行业应用广泛:由于单只晶闸管耐压水平较低，该类型可控电抗器应用到6kV以上电网中，需要用很多只晶闸管串联，在多只晶闸管同步触发和均压、控制维护等方面难度大，可靠性有待提高；该装置占地面积大，晶闸管发热量大需要辅助冷却设备，自身产生的谐波量大需要配备专用滤波设备，成本高价格昂贵。高短路阻抗变压器式可控电抗器是将变压器和电抗器设计为一体，将变压器的短路阻抗设计为100%，再在变压器的低压侧接入晶闸管进行调节，实现对感性无功功率的连续或有级控制:该类型可控电抗器可满足高电压、大容量、连续可调的要求，存在着变压器漏磁面积非常大造成效率低、结构和制造工艺复杂、成本高等不足，应用较少。
【发明内容】
[0004]本发明的目的是克服现有技术存在的不足，提供一种结构可靠、损耗小、噪声低、铁芯截面充分利用、制造成本低的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器。
[0005]为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案是:磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，是由铁芯、磁条、钢板和绕组组成，铁芯芯柱截面由不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯交错排列组成，通过不饱和区域铁芯吸收饱和区域铁芯的磁条、漏磁通形成白屏蔽并附着一层绝缘线、控制器，铁芯外套装绕组和二极管，绕组是由L1-L6组成，其中LI和L5线头并接，L2和L3线头串联接，L5和L7线尾并接，L1、L2的中间接点接可控硅4的阳极形成整流电路，L3、L4的中间接点接可控硅的阳极形成整流电路，L2的尾端、L6的首端、L3的首端、L5的尾端并接续流二极管的负极，可控硅的阴极与续流三极管的正极并接相连。
[0006]绕组还可以是由4个独立的绕组L1-L3组成，其中L2的两端并接可控硅组成整流电路和开关，两只可控硅的阴极阳极相互并接L2首端，可控硅和电磁线的阴极阳极相互并接的另一端与绕组L2的末端接外接电源，L3的两端接一滤波保护回路，铁芯芯柱的主磁通经过上下铁轭闭合形成磁回路。
[0007]本发明的有益效果是:工艺简单，能够大幅度减少铁芯硅钢片的用量。
【具体实施方式】
[0008]磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，是由铁芯、磁条、钢板和绕组组成，铁芯芯柱截面由不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯交错排列组成，通过不饱和区域铁芯吸收饱和区域铁芯的磁条、漏磁通形成白屏蔽并附着一层绝缘线、控制器，铁芯外套装绕组和二极管，绕组是由L1-L6组成，其中LI和L5线头并接，L2和L3线头串联接，L5和L7线尾并接，L1、L2的中间接点接可控硅4的阳极形成整流电路，L3、L4的中间接点接可控硅的阳极形成整流电路，L2的尾端、L6的首端、L3的首端、L5的尾端并接续流二极管的负极，可控硅的阴极与续流三极管的正极并接相连。
[0009]绕组还可以是由4个独立的绕组L1-L3组成，其中L2的两端并接可控硅组成整流电路和开关，两只可控硅的阴极阳极相互并接L2首端，可控硅和电磁线的阴极阳极相互并接的另一端与绕组L2的末端接外接电源，L3的两端接一滤波保护回路，铁芯芯柱的主磁通经过上下铁轭闭合形成磁回路。
【权利要求】
1.磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其是由铁芯、磁条、钢板和绕组组成，铁芯芯柱截面由不饱和区域铁芯和饱和区域铁芯交错排列组成，通过不饱和区域铁芯吸收饱和区域铁芯的磁条、漏磁通形成白屏蔽并附着一层绝缘线、控制器，铁芯外套装绕组和二极管，绕组是由L1-L6组成，其中LI和L5线头并接，L2和L3线头串联接，L5和L7线尾并接，L1、L2的中间接点接可控硅4的阳极形成整流电路，L3、L4的中间接点接可控硅的阳极形成整流电路，L2的尾端、L6的首端、L3的首端、L5的尾端并接续流二极管的负极，可控硅的阴极与续流三极管的正极并接相连。
2.根据权利要求1所述的磁路并联漏磁自屏蔽式可控电抗器，其特征在于:所述绕组还可以是由4个独立的绕组L1-L3组成，其中L2的两端并接可控硅组成整流电路和开关，两只可控硅的阴极阳极相互并接L2首端，可控硅和电磁线的阴极阳极相互并接的另一端与绕组L2的末端接外接电源，L3的两端接一滤波保护回路，铁芯芯柱的主磁通经过上下铁轭闭合形成磁回路。
【文档编号】H01F27/28GK104347249SQ201310327078
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2013年7月31日 优先权日:2013年7月31日
【发明者】张宗有, 王光辉, 金鑫 申请人:青岛菲特电器科技有限公司