专利名称：小型化h型h面功率分配器的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种功分器，具体地说，是涉及一种宽带五端口功分器。
背景技术：
功分器是现代微波通信和军事电子系统中的一种通用原件。波导功分器由于其功率容量高、插入损耗低等特点，应用十分广泛。二路波导功分器既可以单独使用，也可以通过串接构成多路功分网络，用于相控阵雷达、天线阵以及功率合成等领域。已有的二路波导功分器主要包括E-面T型分支，H-面T型分支，波导魔T，H_面波导裂缝电桥等。其中前两种器件由于两个输出端之间隔离度低，任意一个输出端口的失配都会严重影响功率分配的幅度和相位精度。波导魔T的输出端口之间有很好的隔离，而且两个输出端口之间的相位相同，但其四个波导的轴线方向分别指向三个互相垂直的方向，成复杂的三维立体结构，加工难，成本高，而且器件在长宽高三个方面都比较大，不利于器件的小型化。特别是波导魔T不适合作为单元串接构成多路功分网络。H-面波导裂缝电桥的输入输出波导的轴线位于同一平面内，由此可以串接构成所有波导轴线位于同一平面的多路功分网络。这种功分网络可以分为底座和盖板，分别利用传统的数控铣切技术一次性方便地加工，加工精度大大提高，加工成本大大降低。但是，已有的H-面波导裂缝电桥的两个输出端口之间存在固有的90度相位差。在要求同相位输出的情况下，特别是在串接构成多路功分网络时，需要对各级功分器输出端口的相位之间进行宽带补偿。特别是在多路功分网络小型化设计时，相位补偿电路会使器件体积和设计难度大大提高。
实用新型内容本实用新型的目的在于提供一种宽带的五端口等幅等相的H型H面功分器。为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案如下:小型化H型H面功率分配器，包括耦合腔，I个输入端口，输出端口 A、输出端口 B、隔离端口 A和隔离端口 B，耦合腔在水平面上某一方向的尺寸小于或等于该小型化H型H面功率分配器的最高工作频率对应的自由空间波长的一半，输入端口，输出端口 A、输出端口 B、隔离端口 A和隔离端口 B中至少3个端口中心处电场垂直分量大于水平分量。上述水平面是指耦合腔的上底面或平行于耦合腔上底面的水平面；某一方向是指垂直于水平面的方向或垂直于输入端法线方向且平行于水平面的方向。输入端口，输出端口 A、输出端口 B、隔离端口 A和隔离端口 B的法线方向与水平面之间的夹角小于30度，输出端口 A和隔离端口 A在水平面上的投影均在输入端口在水平面上的投影的左侧；输出端口 B和隔离端口 B在水平面上的投影都在输入端口在水平面上的投影的右侧。所述输入端口位于耦合腔的前端面，输出端口 A和输出端口 B位于耦合腔的后端面，前端面和后端面为耦合腔互相对立的两个对立面，输出端口 A、输出端口 B的法线在水平面上的投影与输入端口的法线或输入端口的法线反方向在水平面上的投影之间的夹角小于30度，隔离端口 A和隔离端口 B的法线在水平面上的投影与输入端口的法线或输入端口的法线反方向在水平面上的投影之间的夹角小于30度。所述耦合腔为单连通空腔结构，即该耦合腔内部的任何封闭曲线都可以在该耦合腔内连续收敛到一个点。在所述耦合腔的左右内壁设置有凸起B或凹陷，所述凸起B的凸起方向指向耦合腔内，所述凹陷的开口方向指向耦合腔内。耦合腔上内壁或\和下内壁设置有至少一个耦合体，耦合体为凹槽或金属凸台，耦合体只在其上端或/和下端与耦合腔内壁连接；耦合腔内与输入端相对的耦合腔的内壁上设置有匹配体，匹配体只在上端或/和下端或/和侧面与耦合腔内壁连接；在隔离端口A、隔离端口 B中设置有金属体，该金属体为金属凸起A。所述耦合腔，输入端口，输出端口 A、输出端口 B、隔离端口 A、隔离端口 B、匹配体、凹槽、金属凸台、金属凸起A、凸起B和凹陷相对于输入端的法线方向呈左右镜像对称排布。所述的输入端口、输出端口 A、输出端口 A、隔离端口 A、隔离端口 B为空波导或脊波导、带线或同轴结构。所述输入端口的横截面、隔离端口 A的横截面、隔离端口 B的横截面、输出端口 A的横截面、输出端口 B的横截面均为矩形。所述输入端口的上表面、隔离端口 A的上表面、隔离端口 B的上表面以及输出端口A的上表面、输出端口 B的上表面均与稱合腔的上表面齐平。在同一平面内，隔离端口 A位于输出端口 A和输入端口之间，隔离端口 B位于输出端口 B和输入端口之间，输出端口 A和输出端口 B相邻。进一步的，在位于输出端口 A和输出端口 B之间的耦合腔内壁设置有凸起方向指向耦合腔内的匹配体。本实用新型采用5个端口结合在耦合腔上，作为输出、输入、以及隔离的端口，其中，为了方便加工和生产，同时为了节约其生产后的占用空间的体积，本实用新型中的5个端口均处于同一平面内，同时隔离端口 A位于输出端口 A和输入端口之间，隔离端口 B位于输出端口 B和输入端口之间，输出端口 A和输出端口 B相邻。这样，即在具体实现时，输出端口 A和输出端口 B所在的共同平面与输入端口、隔离端口 A、隔离端口 B所在的共同平面相对，以达到规则排布上述5个端口的目的，简化其加工的过程，同时又能达到预定的设计指标(如等相输出)。所述耦合腔为单连通空腔结构，即该耦合腔内部的任何封闭曲线都可以在该耦合腔内连续收敛到一个点。单连通空腔结构即单连通区域，单连通区域是数学的基本概念之一。设D是平面区域，如果D内任一闭曲线所围的部分都属于D，则称D为平面单连通区域。耦合腔为平面单连通区域构成的一个空腔。所述的输入端口、输出端口 A、输出端口 A、隔离端口 A、隔离端口 B为空波导或脊波导或带线或同轴线。本实用新型以空波导和脊波导为佳。为了展宽该器件的工作带宽，在所述耦合腔的左右内壁设置有凸起B或凹陷，所述凸起B的凸起方向指向耦合腔内，所述凹陷的开口方向指向耦合腔内，所述耦合腔为左右对称形状，凸起B与凹陷相对于耦合腔左右对称排布。所述耦合腔上内壁或\和下内壁设置有至少一个调节耦合用的耦合体，上内壁和下内壁均为耦合腔互相对立的两个对立面；耦合体为凹槽或金属凸台；所述凹槽的开口方向指向I禹合腔内部，所述金属凸台的凸起方向指向I禹合腔内部。 在隔离端口 B、隔离端口 C的上内壁或\和下内壁设置有至少一个调节耦合用的金属凸起A。所述输入端口的横截面、隔离端口 A的横截面、隔离端口 B的横截面、输出端口 A的横截面、输出端口 B的横截面外形均为矩形。输入端口为左右对称形状，所述输入端口的前后向轴线与耦合腔前后向轴线重合；隔离端口 A和隔离端口 B相对于输入端口的前后向轴线左右对称排布,输出端口 A和输出端口 B相对于隔离端口 A的前后向轴线左右对称排布；耦合腔以输入端口的前后向轴线为对称轴呈左右对称结构。所述输入端口的上表面、隔离端口 A的上表面、隔离端口 B的上表面以及输出端口A的上表面、输出端口 B的上表面均与耦合腔的上表面位于同一个平面内。便于分成底座和盖板分别采用普通数控铣床一次性加工完成。特别是在多个功分器串接构成网络时，其加工精度高、装配容易，装配误差小。具体实现时，本实用新型设计的小型化H型H面功率分配器，包括耦合腔，与耦合腔连通的输入端口、隔离端口 A、隔离端口 B与输出端口 A、输出端口 B ;所述输入端口位于耦合腔的前端面，输出端口 A、输出端口 B位于耦合腔的后端面，前端面和后端面均为耦合腔互相对立的两个对立面，隔离端口 B和隔离端口 C分别位于输入端口的两侧。在所述耦合腔的左右内壁设置有凸起B或凹陷，所述凸起B的凸起方向指向耦合腔内，所述凹陷的开口方向指向耦合腔内。所述耦合腔的左右内壁设置有凸起B或凹陷相对于耦合腔左右对称排布。所述耦合腔的后端面设置有一个调节阻抗匹配用的阻抗匹配体，匹配体的形状可以是任意的形状，一般的匹配体在耦合腔上端面的投影形状为三角形或矩形。所述隔离端口 B和隔离端口 C设置有至少一个调节耦合用的偶合体，耦合体为金属凸起A,金属凸起凸起方向指向隔离端口的内部。为了方便加工生产，优先将所述输入端口的横截面、隔离端口 A的横截面、隔离端口 B的横截面、输出端口 A的横截面、输出端口 B的横截面设计为矩形。输入端口、隔离端口 A、隔离端口 B、输出端口 A、输出端口 B上均设置有过渡段。该小型化H型H面功率分配器相对于输入端口的前后向轴线为左右对称结构。前后向轴线为前端面指向后端面的轴线。为了方便设计计算，耦合腔以矩形体结构为佳，输入端口的横截面、隔离端口 A的横截面、隔离端口 B的横截面、输出端口 A的横截面、输出端口 B的横截面均以矩形为佳。对于给定的设计指标，包括反射系数，隔离度，总插入损耗等，为了获得更宽的工作带宽，耦合腔的宽度沿输入端口的前后向轴线可以按照一定规律变化，所述耦合腔的左右内壁设置有凸起B或凹陷，所述凸起B的凸起方向指向耦合腔6内，所述凹陷的开口方向指向I禹合腔6内。所述耦合腔的左右内壁设置有凸起B或凹陷相对于耦合腔进行对称排布。这样设置可获得更宽的工作带宽。为了进一步展宽该小型化H型H面功率分配器的工作带宽，耦合腔内部设置有一个或多个凹槽，而且所有的凹槽以输入端口的前后向轴线成左右对称分布。[0036]为了进一步展宽该小型化H型H面功率分配器的工作带宽，耦合腔内部还可以设置一个或多个金属凸台，而且所有的金属凸台以输入端口的法线成左右对称分布。为了改善该小型化H型H面功率分配器的各端口的匹配，输入端口、隔离端口 AJS离端口 B与输出端口 A、输出端口 B上均设置有过渡段。过渡段的宽度为变化的、也可以为宽度固定不变的。为了便于采用普通的铣切加工，所有结构，包括耦合腔以及所述输入输出端口的上表面位于同一个平面内，即所述输入端口的上表面、隔离端口 A的上表面、隔离端口 B的上表面以及隔输出端口 A的上表面、输出端口 B的上表面均与耦合腔的上表面齐平。本实用新型可以采用非对称结构，也可以采用对称结构。采用对称结构时构成的等幅等相功分器的最大特点是两个输出端之间的理论相位差和幅度差为零，远远小于普遍采用的H-面波导裂缝电桥的相位差，即输出端口 A、输出端口 B之间的相位差远远小于普遍采用的H-面波导裂缝电桥的相位差。不对称结构时理论相位差可以比H-面波导裂缝电桥的90度相位差小，使相位补偿容易、带宽更宽。两输出端口的隔离度远远优于普遍采用的T型结、Y型结功分器。由于H-面波导裂缝电桥的两个输出端口与输入端之间位置上的明显差异，其两个输出端的相位差在整个工作频带内都在90度左右。在波导功分器中，我们常常需要功分器的两个输出端之间相位差在整个工作频带内小于一定值，比如3度或5度。为了满足这个等相位要求，最常用的方法是在H-面波导裂缝电桥的两个输出端连接波导相位补偿电路。该补偿电路存在工作带宽窄和增大功分器体积的问题。特别是在采用多级H-面波导裂缝电桥构成多路功分网络时，上述问题更加严重。采用的T型结、Y型结功分器两输出端口的几乎没有隔离，从而会导致量输出端口之间相互影响。本实用新型的功分器，输出端口 A、输出端口 B相对于输入端口对称性好，保证了输出端口 A、输出端口 B的功率和相位完全相同。又由于隔离端口 A和隔离端口 B的存在，从而保证了两输出端口的隔离度非常高。因此，本实用新型提供的小型化H型H面功率分配器的输出端口 A、输出端口 B相位可以做到完全相同，输出端口 A、输出端口 B之间具有20dB以的良好隔离，可以作为单个功分器使用，特别是可以串接构成多路功分网络使用。器件在性能、工作带宽和体积方面具有明显优势。本实用新型的工作原理可以在对称型矩形耦合腔和矩形输入输出波导的情况下简述如下。横截面为矩形的输入端口在通过H面耦合的矩形体结构的耦合腔中主要激励起两个波导工作模式，即TElO模式和TE30模式。该两个模式的波都将沿输入波导轴线方向传播。由于该两个模式的波导波长不同，在I禹合腔的另一端，输出端口 A和输出端口 B从率禹合腔中耦合出来的功率是分别从两个工作模式TElO模式和TE30模式的波中耦合出来的功率的和。通过选取耦合腔的宽度和长度，以及输入端口、隔离端口 B、隔离端口 C以及输出端口 A、输出端口 B的尺寸和位置，可以使输出端口 A和输出端口 B处反射很小。这时，基本上所有能量都从输出端口 A和输出端口 B耦合输出。由于输入端口激励的两个工作模式TElO模式和TE30在隔离端口 A、隔离端口 B处自然满足反相相消，从隔离端口 A、隔离端口B耦合出来的功率都很小，从而使隔离端口 A、隔离端口 B作为隔离端使用。为了进一步拓宽器件的工作带宽，耦合腔的形状，特别是宽度沿输入端口的前后向轴线可以适当变化，还可以在耦合腔内增加凹槽或金属凸起(金属柱)。各输入输出端都可以增加一级或多级匹配段。耦合腔和输入端口、隔离端口 A、隔离端口 B以及输出端口 A、输出端口 B的形状为其它变形时，该小型化H型H面功率分配器的工作原理也可以根据以上内容加以阐述和理解。本实用新型的两个输出端口的输出功率和相位在比较宽的工作频带内相同，可以用作幅相一致性优良的波导功分器，特别适合串接构成多路功分网络。本实用新型还具有结构简单、体积小，加工难度低的特点。本实用新型可以广泛用于天线阵、相控阵雷达和功率合成、导弹制导、通信等军事及民用领域。
图1为本实用新型的俯视图。图2为实施实例I的俯视图。图3为实施实例I的计算结果曲线。图4为实施实例2的俯视图。附图中标号对应名称:1_输入端口 ；2-隔离端口 A ；4-隔离端口 B，3_输出端口A，5-输出端口 B，6-耦合腔，7-匹配体，8-金属凸起A，10-过渡段，91-凸起B，92-凹陷，11-金属凸台，12-金属凹槽。图中丨箭头表示前方向，丨箭头表示后方向，一箭头表示左方向，一箭头表示右方向。前后向轴线指由前方向指向后方向的轴直线。
具体实施方式
实施实例I如图2所示，小型化H型H面功率分配器，包括耦合腔6，I个输入端口 1，输出端口 A3、输出端口 B5、隔离端口 A2和隔离端口 B4，耦合腔6在水平面上某一方向的尺寸小于或等于该小型化H型H面功率分配器的最高工作频率对应的自由空间波长的一半，输入端口 1，输出端口 A3、输出端口 B5、隔离端口 A2和隔离端口 B4中至少3个端口中心处电场垂直分量大于水平分量。各个端口的设置情况如下:第一种情况:输入端口 I，输出端口 A3、输出端口 B5、隔离端口 A2和隔离端口 B4的发线方向与水平面之间的夹角小于30度，输出端口 A3、输出端口 B5在水平面上的投影分别在输入端口 I在水平面上的投影的左边和右边；或者隔离端口 A2和隔离端口 B4在水平面上的投影分别在输入端口I在水平面上的投影的左边和右边。第二种情况:所述输入端口 I位于耦合腔6的前端面，输出端口 A3和输出端口 B5位于耦合腔6的后端面，前端面和后端面为耦合腔6互相对立的两个对立面，输出端口 A3、输出端口 B5的法线在水平面上的投影与输入端口 I的法线或输入端口 I的法线反方向在水平面上的投影之间的夹角小于30度，隔离端口 A2和隔离端口 B4的法线在水平面上的投影与输入端口 I的法线或输入端口 I的法线反方向在水平面上的投影之间的夹角小于30度。特别的是，本实用新型的耦合腔内部不存在其他装置和空间，即所述耦合腔6为单连通空腔结构，即该耦合腔6内部的任何封闭曲线都可以在该耦合腔6内连续收敛到一个点。在所述耦合腔6的左右内壁设置有凸起B91或凹陷92，所述凸起B91的凸起方向指向耦合腔6内，所述凹陷92的开口方向指向耦合腔6内。耦合腔6上内壁或\和下内壁设置有至少一个耦合体，耦合体为凹槽12或金属凸台11，耦合体只在其上端或/和下端与耦合腔内壁连接；耦合腔6内相对于输入端I的耦合腔6的内壁上设置有匹配体7，匹配体7只在上端或/和下端或/和侧面与耦合腔内壁连接；在隔离端口 A2、隔离端口 B4中设置有金属体，该金属体为金属凸起A8。所述耦合腔6，输入端口 1，输出端口 A3、输出端口 B5、隔离端口 A2、隔离端口 B4、匹配体7、凹槽12、金属凸台11、金属凸起A8、凸起B91和凹陷92相对于输入端的法线方向呈左右镜像对称排布。所述的输入端口 1、输出端口 A3、输出端口A3、隔离端口 A2、隔离端口 B4为空波导或脊波导、带线或同轴线。所述输入端口 I的横截面、隔离端口 A2的横截面、隔离端口 B4的横截面、输出端口 A3的横截面、输出端口 B5的横截面均为矩形。所述输入端口 I的上表面、隔离端口 A2的上表面、隔离端口 B4的上表面以及输出端口 A3的上表面、输出端口 B5的上表面均与I禹合腔6的上表面齐平。如图1-3所示。具体的将本实用新型设置的一个小型化H型H面功率分配器，包括耦合腔6，与耦合腔6连通的输入端口 1、隔离端口 A2、隔离端口 B4与输出端口 A3、输出端口 B5，所述输入端口 I位于耦合腔6的前端面，输出端口 A3、输出端口 B5位于耦合腔6的后端面，前端面和后端面均为耦合腔6互相对立的两个对立面，隔离端口 A2和隔离端口B4分别位于输入端口 I的两侧，输出端口 A3、输出端口 B5分别位于耦合腔6轴线的两侧。输入端口 1、隔离端口 A2、隔离端口 B4与输出端口 A3、输出端口 B5上均设置有过渡段10。该小型化H型H面功率分配器相对于输入端口 I的前后向轴线为左右对称结构。耦合腔6的基本形状为矩形体结构，输入端口 I的横截面、隔离端口 A2的横截面、隔离端口 B4的横截面、输出端口 A3的横截面、输出端口 A3、的横截面输出端口 B5的横截面均为矩形。耦合腔6的宽度沿输入端I的轴线共有2次变化。即在所述耦合腔左右内壁设置有凸起B91，其凸起方向指向耦合腔的内部，所述耦合腔6左右内壁的凸起B91相对于稱合腔6的前后向轴线对称排布。该小型化H型H面功率分配器的所有结构的上表面位于同一个平面内，即所述输入端口 I的上表面、隔离端口 A2的上表面、隔离端口 B4的上表面以及输出端口 A3的上表面、输出端口 B5的上表面均与耦合腔6的上表面位于同一个平面内。如图3所示，其中图3中的Sll表示输入端口 I的反射系数，S21表示输入端口 I至隔离端口 A2的传输系数，S21表示输入端口 I至隔离端口 B4的传输系数，S31表示为输入端口 I至输出端口 A3的传输系数，S51表示为输入端口 I至输出端口 B5的传输系数，S53表示输出端口 B5和输出端口 A3的隔离系数。根据实施实例I的结构计算得到的该小型化H型H面功率分配器的S参数从中可以看出，在6.57到IOGHz的工作带宽内，输入端口 I的反射系数优于14dB，输出端口 A3和输出端口 B5之间的隔离度均高于13dB。隔离端口 A2和隔离端口 B4的传输系数均低于13dB,而输出端口 A3的S参数高于-3.6dB。考虑到该功分器为左右对称结构，其它端口的S参数容易得到。因此，该实施实例提供了一只覆盖波导全带宽的，插损低于0.6dB，隔离好于13dB的等幅同相波导功分器。其性能均优于传统的功分器。实施实例2如图4.与实施实例I的区别在于，位于输出端口 3和输出端口 4之间的耦合腔6的内壁上设置有匹配体7。该匹配体7在上端、下端和侧面均与耦合腔内壁相连。且耦合腔左右内壁进行了 5次渐变，即在耦合腔6的左右内壁设置有多个凸起91。上述仅为举例。实际生产中，耦合腔6的侧面既可以为一根或多根直线段，也可以为光滑曲线，构成俯视方向的矩形、梯形或其他更复杂的图型。各输入输出端口既可以为简单的矩形波导，也可以轴线弯曲的各种形状的其他形状。本实用新型还具有结构简单、体积小，加工难度低的特点。特别是多只该功分器串接构成大规模网络(10路 1000路)时，主要结构可以分为对成型和非对称性，采用对称结构时构成的等幅等相功分器的最大特点是两个输出端之间的理论相位差和幅度差为零，远远小于普遍采用的H-面波导裂缝电桥的相位差，即输出端口 A、输出端口 B之间的相位差远远小于普遍采用的H-面波导裂缝电桥的相位差。不对称结构时理论相位差可以比H-面波导裂缝电桥的90度相位差小，使相位补偿容易、带宽更宽。基于上述结构即可实现本实用新型。
权利要求1.小型化H型H面功率分配器，其特征在于，包括耦合腔(6)，输入端口(1)，输出端口A (3)、输出端口 B (5)、隔离端口 A (2)和隔离端口 B (4)，耦合腔(6)在水平面上某一方向的尺寸小于或等于该小型化H型H面功率分配器的最高工作频率对应的自由空间波长的一半，输入端口(1)，输出端口 A (3)、输出端口 B (5)、隔离端口 A (2)和隔离端口 B (4)中至少3个端口中心处电场垂直分量大于水平分量。
2.根据权利要求1所述的小型化H型H面功率分配器，其特征在于，输入端口(I )，输出端口 A (3)、输出端口 B (5)、隔离端口 A (2)和隔离端口 B (4)的法线方向与水平面之间的夹角小于30度，输出端口 A (3)和隔离端口 A (2)在水平面上的投影均在输入端口(I)在水平面上的投影的左侧；输出端口 B (5)和隔离端口 B (4)在水平面上的投影都在输入端口(I)在水平面上的投影的右侧。
3.根据权利要求2所述的小型化H型H面功率分配器，其特征在于，所述输入端口(I)位于耦合腔(6)的前端面，输出端口 A (3)和输出端口 B (5)位于耦合腔(6)的后端面，前端面和后端面为耦合腔(6)互相对立的两个对立面，输出端口 A (3)、输出端口 B (5)的法线在水平面上的投影与输入端口(I)的法线或输入端口(I)的法线的反方向在水平面上的投影之间的夹角小于30度，隔离端口 A (2)和隔离端口 B (4)的法线在水平面上的投影与输入端口(I)的法线或输入端口(I)的法线反方向在水平面上的投影之间的夹角小于30度。
4.根据权利要求2所述的小型化H型H面功率分配器，其特征在于，所述耦合腔(6)为单连通空腔结构，即该耦合腔(6)内部的任何封闭曲线都可以在该耦合腔(6)内连续收敛到一个点。
5.根据权利要求2所述的小型化H型H面功率分配器，其特征在于，在所述耦合腔(6)的左右内壁设置有凸起B (91)或凹陷(92)，所述凸起B (91)的凸起方向指向耦合腔(6)内，所述凹陷(92)的开口方向指向耦合腔(6)内。
6.根据权利要求5所述的小型化H型H面功率分配器，其特征在于，耦合腔(6)上内壁或\和下内壁设置有至少 一个耦合体，耦合体为凹槽(12)或金属凸台(11)，耦合体只在其上端或/和下端与耦合腔￠)内壁连接；耦合腔(6)内与输入端(I)的相对的耦合腔(6)的内壁上设置有匹配体(7)，匹配体(7)只在上端或/和下端或/和侧面与耦合腔￠)内壁连接；在隔离端口 A (2)、隔离端口 B (4)中设置有金属体，该金属体为金属凸起A (S)0
7.根据权利要求6所述的小型化H型H面功率分配器，其特征在于，所述耦合腔(6)，输入端口(1)，输出端口 A (3)、输出端口 B (5)、隔离端口 A (2)、隔离端口 B (4)、匹配体(7)、凹槽(12)、金属凸台(11)、金属凸起A (8)、凸起B (91)和凹陷(92)相对于输入端的法线方向呈左右镜像对称排布。
8.根据权利要求1-6中任意一项所述的小型化H型H面功率分配器，其特征在于，所述的输入端口(I)、输出端口 A (3)、输出端口 A (3)、隔离端口 A (2)、隔离端口 B (4)为空波导或脊波导或带线或同轴结构。
9.根据权利要求1-6中任意一项所述的小型化H型H面功率分配器，其特征在于，所述输入端口(I)的横截面、隔离端口 A (2)的横截面、隔离端口 B (4)的横截面、输出端口 A(3)的横截面、输出端口 B (5)的横截面均为矩形。
10.根据权利要求1-6中任意一项所述的小型化H型H面功率分配器，其特征在于，所述输入端口(I)的上表面、隔离端口 A (2)的上表面、隔离端口 B (4)的上表面以及输出端口A (3)的上表面、输出端口 B (5)的上表面均与耦合腔(6)的上表面齐平。
专利摘要本实用新型公开了一种小型化H型H面功率分配器，包括耦合腔，还包括与耦合腔连通的输入端口、隔离端口B、隔离端口C与输出端口A、输出端口B；所述输入端口位于耦合腔的前端面，输出端口A、输出端口B位于耦合腔的后端面，前端面和后端面均为耦合腔互相对立的两个对立面，隔离端口B和隔离端口C分别位于输入端口的两侧，输出端口A、输出端口B分别位于耦合腔轴线的两侧。本实用新型可以实现覆盖波导全带宽的等幅等相的功分器。多只该功分器串接构成大规模网络时，主要结构可以分为对成型和非对称性，采用对称结构时构成的等幅等相功分器的最大特点是两个输出端之间的理论相位差和幅度差为零，远远小于普遍采用的H-面波导裂缝电桥的相位差。
文档编号H01P5/16GK203071209SQ20132005504
公开日2013年7月17日 申请日期2013年1月31日 优先权日2013年1月31日
发明者丁金义, 王清源, 谭宜成 申请人:成都赛纳赛德科技有限公司