色素吸附装置以及色素吸附方法

文档序号:7036639阅读:265来源:国知局
色素吸附装置以及色素吸附方法
【专利摘要】本发明提供色素吸附装置以及色素吸附方法。在色素吸附装置中,与以往相比能够大幅度缩短色素吸附时间从而提高生产量,且能够高效地使用色素溶液而减少成本。色素吸附装置具备:收纳被处理基板(G)并形成处理空间(T)的腔室(10)、向上述处理空间供给色素溶液(20)的色素溶液供给机构(6、7、8)、以及对上述处理空间内进行减压吸引的减压机构(12、13、14),利用上述减压机构使上述处理空间内的色素溶液被减压干燥,上述色素溶液的溶剂挥发从而使色素吸附于上述半导体多孔质层。
【专利说明】色素吸附装置以及色素吸附方法

【技术领域】
[0001] 本发明涉及色素吸附装置以及色素吸附方法,特别是涉及使规定的色素吸附于在 被处理基板的表面上所形成的半导体多孔质层的色素吸附装置以及色素吸附方法。

【背景技术】
[0002] 作为新一代太阳能电池的一种而存在有色素增感型太阳能电池。该色素增感型太 阳能电池与使用硅材料的太阳能电池的构造相比,由于使用廉价材料而能够以低成本来实 现,另外,在发电性能的高低上也备受关注。
[0003] 图6示出了色素增感型太阳能电池的简要结构。该色素增感型太阳能电池50具 有在基板面上形成有担载例如钌色素(Z907色素等)的氧化钛层(半导体多孔质层)52的 透明电极(负极)基板(ΙΤ0膜玻璃基板等)53、与该透明电极(负极)基板53对置的电极 (正极)基板54、以及被上述基板夹持的电解质层55 (凝胶状的碘溶液等)。
[0004] 在该色素增感型太阳能电池 50中,若从透明电极(负极)基板53侧照射可见光, 则被氧化钛层52担载的色素成为激发状态而释放电子。释放出的色素的电子被注入氧化 钛层52的传导带,通过外部电路57而移动至作为正极的电极基板54侧。
[0005] 移动到电极基板54侧的电子被电解质层55中的离子搬运并返回色素。通过反复 进行这样的过程来获取电能。
[0006] 然而,在该色素增感型太阳能电池 50中为了提高发电性能,只要构成为使氧化钛 层52对色素的吸附量增加从而能够吸收更多的光即可。
[0007] 例如专利文献1所公开的那样,将图7所示的形成有氧化钛层52的透明电极基板 53浸渍于被容器60所收纳的色素溶液61中规定的时间来进行氧化钛层52对色素的吸附。
[0008] 专利文献1 :日本特开2011-210672号公报
[0009] 然而,如图8所示,为了使色素溶液61中的色素 51充分吸附到氧化钛层52的底 部(下部)就必须长时间(例如12?48个小时)浸渍,从而存在生产量降低的问题。 [0010] 另一方面,为了高效地进行量产而必须准备多个容器60并将透明电极基板53浸 渍于这些容器60的色素溶液61中,从而需要大量高价的色素溶液61而使成本增加,并且 存在需要很大占用面积的问题。


【发明内容】

[0011] 本发明是鉴于上述现有技术的问题点而完成的,提供在使规定的色素吸附于在被 处理基板上形成的半导体多孔质层的色素吸附装置中,与以往相比能够大幅度缩短色素吸 附时间从而提高生产量且能够高效地使用色素溶液来减少成本的色素吸附装置以及色素 吸附方法。
[0012] 为了解决上述课题,本发明的色素吸附装置使形成于被处理基板上的半导体多孔 质层吸附规定的色素,所述色素吸附装置的特征在于,具备:收纳上述被处理基板并形成 处理空间的腔室、向上述处理空间供给色素溶液的色素溶液供给机构、以及对上述处理空 间内进行减压吸引的减压机构,利用上述减压机构使上述处理空间内的色素溶液被减压干 燥,上述色素溶液的溶剂挥发从而使色素被吸附于上述半导体多孔质层。
[0013] 另外,优选为上述色素溶液供给机构向上述处理空间供给至少将上述被处理基板 的整体浸渍的量的色素溶液。
[0014] 根据这样的结构,能够使色素溶液中的溶剂高效地挥发,从而使浸透于半导体多 孔质层的色素溶液的色素浓度提高。而且,能够使上述溶剂在短时间内全部挥发,从而使半 导体多孔质层吸附大量的色素。
[0015] 其结果是,与以往相比能够大幅度缩短色素吸附时间,从而提高生产量。另外,能 够使色素溶液中所含的色素的大部分被吸附于半导体多孔质层,所以与以往相比能够减少 色素溶液的消耗量,从而将成本抑制得较低。而且,能够利用1台色素吸附装置高效地进行 吸附处理,所以能够以较小的占用面积应对量产。
[0016] 另外,优选具备加热机构,该加热机构对供给有上述色素溶液的处理空间进行加 热。
[0017] 另外,优选上述腔室由形成上述处理空间的上部腔室和下部腔室构成,上述加热 机构被分别设置于上述上部腔室和下部腔室。
[0018] 这样,通过具备加热机构,由此能够更高效地使溶剂挥发。
[0019] 另外,优选在上述处理空间的底部设置有载置上述被处理基板的工作台,上述被 处理基板以半导体多孔质层作为上侧而被载置于上述工作台上。
[0020] 而且,优选具备分散板,该分散板上设置有多个贯通孔,且在上述处理空间中被配 置于上述被处理基板的上方,由上述色素溶液供给机构供给的上述色素溶液通过上述分散 板的贯通孔并以淋浴状被供给到上述被处理基板上。
[0021] 通过这样的结构,能够利用半导体多孔质层吸附色素而不使色素浓度偏差。
[0022] 另外,为了解决上述课题,本发明的色素吸附方法在形成于被处理基板上的半导 体多孔质层吸附规定的色素,所述色素吸附方法的特征在于,包含如下步骤:在腔室内收纳 上述被处理基板,并形成封闭的处理空间的步骤;向上述处理空间供给色素溶液的步骤; 以及对上述处理空间内进行减压吸引由此使上述处理空间内的色素溶液被减压干燥,使上 述色素溶液的溶剂挥发从而使色素吸附于上述半导体多孔质层的步骤。
[0023] 另外,优选在向上述处理空间供给色素溶液的步骤中,供给至少将上述被处理基 板的整体浸渍的量的色素溶液。
[0024] 根据这样的方法,能够使色素溶液中的溶剂高效地挥发,从而使浸透于半导体多 孔质层的色素溶液的色素浓度提高。而且,能够使上述溶剂在短时间内全部挥发,从而使半 导体多孔质层吸附大量的色素。
[0025] 其结果是,与以往相比能够大幅度缩短色素吸附时间,从而提高生产量。另外,能 够使色素溶液中所含的色素的大部分被吸附于半导体多孔质层,所以与以往相比能够减少 色素溶液的消耗量,从而将成本抑制得较低。而且,能够利用1台色素吸附装置高效地进行 吸附处理,所以能够以较小的占用面积应对量产。
[0026] 另外,优选执行对上述处理空间内进行减压吸引的步骤、以及对上述处理空间进 行加热的步骤。
[0027] 另外,优选利用设置于上述处理空间的上方侧的加热器和设置于下方侧的加热器 进行加热。
[0028] 通过这样进行加热的步骤,能够使溶剂更高效地挥发。
[0029] 另外,可以反复进行一次或者多次如下步骤:在对上述处理空间内进行减压吸引 由此使上述处理空间内的色素溶液被减压干燥,使上述色素溶液的溶剂挥发从而使色素吸 附于上述半导体多孔质层的步骤之后,将上述处理空间内恢复为大气压的步骤;向上述处 理空间供给至少将上述被处理基板的整体浸渍的量的色素溶液的步骤;以及对上述处理空 间内进行减压吸引由此使上述处理空间内的色素溶液被减压干燥,使上述色素溶液的溶剂 挥发从而使色素吸附于上述半导体多孔质层的步骤。
[0030] 通过这样反复进行色素溶液的减压干燥处理,能够使半导体多孔质层吸附所希望 的量(大量)的色素。
[0031] 根据本发明,能够得到如下的色素吸附装置以及色素吸附方法,在使形成于被处 理基板的半导体多孔质层吸附规定的色素的色素吸附装置中,与以往相比能够大幅度缩短 色素吸附时间从而提高生产量,且能够高效地使用色素溶液而减少成本。

【专利附图】

【附图说明】
[0032] 图1是表示本发明的色素吸附装置的一实施方式的简要结构的剖视图。
[0033] 图2是图1的色素吸附装置的俯视图。
[0034] 图3是表示图1的色素吸附装置的一系列的动作的流程的流程图。
[0035] 图4是表示与图3的流程对应的色素吸附装置的动作状态的剖视图。
[0036] 图5是表示图3的动作流程的变形例的流程图。
[0037] 图6是表示色素增感型太阳能电池的简要结构的剖视图。
[0038] 图7是用于说明使色素吸附于氧化钛层的工序的剖视图。
[0039] 图8是表示色素溶液中的色素吸附到氧化钛层的下部的状态的图7的局部放大 图。

【具体实施方式】
[0040] 以下,根据附图对本发明的实施方式进行说明。图1是表示本发明的色素吸附装 置的一实施方式的简要结构的剖视图。图2是图1的色素吸附装置的俯视图。
[0041] 该色素吸附装置1是在色素增感型太阳能电池的制造工序中使用,用于使钌色素 (例如Z907色素)吸附于在透明电极基板(例如FT0膜玻璃基板)的基板面上形成的作为 半导体多孔质层的例如氧化钛层(厚度尺寸为20?30 μ m)的装置。
[0042] 色素吸附装置1具备能够收纳方形的透明电极基板G(被处理基板)的腔室10。 另外,在上述透明电极基板G的表面成膜有作为半导体多孔质层的氧化钛层2。
[0043] 上述腔室10由能够载置上述透明电极基板G的下部腔室10A、和能够相对于下部 腔室10A升降移动的上部腔室10B构成。上述上部腔室10B通过升降驱动部3进行升降移 动,由此使腔室开闭。另外,如图2所示,下部腔室10A和上部腔室10B都与透明电极基板 G的形状相似而形成为俯视下的方形。
[0044] 如图1所示,上述下部腔室10A形成为厚板状,并且在其中央设置有载置透明电极 基板G的工作台4。
[0045] 另外,上述上部腔室10B由顶板部10B1和从其周边朝下方延伸的规定高度的周壁 部10B2构成,由此形成为在下方具有开口的浅底的容器状。在与上述下部腔室10A接触的 周壁部10B2的下端设置有密封部件5,使上部腔室10B相对于下部腔室10A关闭由此形成 封闭的处理空间T。
[0046] 另外,在上部腔室10B的顶板部10B1插通有溶液注入管6,该溶液注入管6用于向 因腔室10关闭而形成的处理空间T注入色素溶液20。在该实施方式中,如图2所示,2根 溶液注入管6在上部腔室10B的上下表面呈对角的角落附近沿上下插通。
[0047] 上述溶液注入管6经由电动阀7连接于色素溶液供给单元8,在电动阀7打开的状 态下,从色素溶液供给单元8供给规定温度的色素溶液20。另外,在顶板部10B1,且在溶液 注入管6的周围设置有密封部件9来维持处理空间T内的封闭度。
[0048] 另外,优选在溶液注入管6的前端(下端)6a设置孔板阀(未图示),由此使色素 溶液20的排出势头衰减从而能够防止飞沫的产生等。另外,溶液注入管6、电动阀7以及色 素溶液供给单元8构成溶液供给机构。
[0049] 另外,在处理空间T内,在溶液注入管6的下方整面地设置有分散板11,在该分散 板11上形成有多个贯通孔11a。该分散板11使从其上方的溶液注入管6供给的色素溶液 20在整个板面扩散,并且使色素溶液20经由上述多个贯通孔11a流向下方,由此向工作台 4上的透明电极基板G以淋浴状的方式供给色素溶液20。这样是为了向透明电极基板G的 上表面以大致均衡的时机供给色素溶液20,防止被氧化钛层2所吸附的色素量(在基板面 上)的偏差。
[0050] 另外,色素溶液20例如是将钌色素(Z907色素等)溶解于规定的溶剂(乙醇等) 中而得到的,从色素溶液供给单元8供给至少如图所示那样完全浸渍透明电极基板G的规 定量。
[0051] 另外,在上部腔室10B的顶板部10B1插通有用于调整处理空间T内的气压的气体 配管12。该实施方式中,如图2所示,2根气体配管12在上部腔室10B的上下表面呈对角 的角落附近,且在没有设置上述溶液注入管6 -侧的角落附近沿上下插通。
[0052] 上述气体配管12经由3方向阀的电动阀13,与作为吸引机构的真空泵14和供给 吹扫气体(非活性气体)的吹扫气体供给部21连接。在顶板部10B1且在气体配管12的 周围设置有密封部件15,来维持处理空间T内的封闭度。另外,气体配管12的前端配置于 分散板11的下方。
[0053] 由此,若腔室10关闭,并在电动阀13朝真空泵14侧打开的状态下驱动真空泵14, 则处理空间T内被减压吸引,从而处理空间T内成为减压干燥处理状态。另外,若在处理空 间T内被减压后,并在电动阀13朝吹扫气体供给部21侧打开的状态下驱动吹扫气体供给 部21,则经由气体配管12向处理空间T内供给吹扫气体,使处理空间T内恢复为大气压。
[0054] 另外,由气体配管12、电动阀13以及真空泵14构成减压机构。另外,由气体配管 12、电动阀13以及吹扫气体供给部21构成吹扫气体供给机构。
[0055] 并且,在下部腔室10A内设置有加热器16,通过使规定的电流流动而使该加热器 16发热,在上部腔室10B的顶板部10B1同样设置有加热器17。构成为利用加热器驱动部 18向上述加热器16、17供给规定的电流并使它们发热,来将处理空间T内加热到规定温度。 另外,由加热器16、17以及加热器驱动部18构成加热机构。
[0056] 另外,上述升降驱动部3、色素溶液供给单元8、真空泵14、加热器驱动部18、吹扫 气体供给部21、电动阀7、13构成为分别根据来自由计算机构成的控制部19的命令而动作。
[0057] 接着,使用图3、图4对利用这样构成的色素吸附装置1进行的氧化钛层2吸附色 素的吸附工序进行说明。
[0058] 另外,图3是表示色素吸附装置1的一系列的动作的流程的流程图,图4是表示与 图3的流程对应的色素吸附装置1的动作状态的剖视图。
[0059] 首先,如图4(a)所示,在腔室10打开的状态下,将透明电极基板G(例如FT0膜玻 璃基板)载置到工作台4上(图3的步骤S1)。另外,使作为半导体多孔质层的氧化钛层2 预先成膜于透明电极基板G的上表面(FT0膜的上表面)。
[0060] 接着,通过控制部19的控制,升降驱动部3使上部腔室10B下降,相对于下部腔室 10A而关闭上部腔室10B,如图4 (b)所示,在腔室10内部形成处理空间T (图3的步骤S2)。
[0061] 若形成封闭的处理空间T,则通过控制部19的控制将溶液注入管6上的电动阀7 打开,如图4(b)所示,将从色素溶液供给单元8供给的规定温度、规定浓度的色素溶液20 从溶液注入管6供给到分散板11上。
[0062] 而且,色素溶液20在分散板11的整个面扩散,并且通过多个贯通孔11a以淋浴状 被供给到透明电极基板G上(图3的步骤S3)。这样,向透明电极基板G的上表面大致均衡 地供给色素溶液20,从而防止被氧化钛层2吸附的色素量在基板面上的偏差。
[0063] 被供给到透明电极基板G上的色素溶液20 -直浸透到在基板上成膜的氧化钛层 2的微粒子间。
[0064] 而且,被供给至处理空间T内的色素溶液20的存积量逐渐增加,如图4(c)所示达 到浸渍透明电极基板G的整体的量(例如,在处理空间T内深度为5_左右)而停止供给 (关闭电动阀7)。
[0065] 另外,利用控制部19使气体配管12的电动阀13朝真空泵14侧打开,并且驱动真 空泵14,处理空间T内开始进行减压吸引(图3的步骤S4)。由此,处理空间T内被减压到 规定气压,开始进行使色素溶液20的溶剂挥发的减压干燥处理。另外,挥发的溶剂被吸引 至气体配管12而排气。
[0066] 另外,通过控制部19的控制,从加热器驱动部18向加热器16、17供给规定的电 流,将腔室10内的处理空间T加热到规定温度(图3的步骤S5)。通过该加热处理,再加 上上述减压干燥处理,使色素溶液20的溶剂的挥发加速,从而更高效地进行上述溶剂的挥 发。
[0067] 若色素溶液20的溶剂的挥发这样进行下去,则处理空间T内的色素溶液20逐渐 减少,浸透于氧化钛层2的色素溶液20的色素浓度提高。
[0068] 而且,在色素溶液20的溶剂全部挥发之前,浸透于氧化钛层2的色素溶液20的色 素浓度变得非常高,溶剂全部挥发而使大量色素吸附于氧化钛层2。
[0069] 经过规定时间,或通过浮动式液位传感器等残留液检测机构(未图示)确认图 4(d)所示的色素溶液20的溶剂全部挥发的情况(图3的步骤S6),利用控制部19使电磁 阀13朝吹扫气体供给部21侧打开。然后,从吹扫气体供给部21经由气体配管12向处理 空间T内供给吹扫气体(非活性气体),使处理空间T内缓慢恢复为大气压(图3的步骤 S7)。
[0070] 这里,根据所使用的色素溶液20的色素浓度,在透明电极基板G上的氧化钛层2 对色素的吸附量是作为目标的规定的吸附量的情况下(图3的步骤S8),停止从加热器驱动 部18向加热器16、17供给电流。
[0071] 另外,利用升降驱动部17使上部腔室10B上升移动,将腔室10完全打开(图3的 步骤S9)。然后,将载置于工作台4上的透明电极基板G搬出,透明电极基板G上的氧化钛 层2对色素的吸附处理结束(图3的步骤S10)。
[0072] 另外,在上述步骤S8中,根据所使用的色素溶液20的色素浓度,在透明电极基板G 上的氧化钛层2对色素的吸附量没有达到作为目标的规定的吸附量的情况下,再次返回步 骤S3的处理,向处理空间T内供给规定量的色素溶液20。
[0073] 而且,重复步骤S3?S8的处理直到步骤S8中的色素的吸附量达到规定量为止。
[0074] 如上所述,根据本发明的色素吸附装置的一实施方式,在腔室10的处理空间T内 进行如下处理:使成膜有氧化钛层2的透明电极基板G浸渍于色素溶液20,并且对处理空 间T内减压以及加热。
[0075] 由此,能够使色素溶液20中的溶剂有效地挥发,从而提高浸透于氧化钛层2的色 素溶液20的色素浓度。而且,能够使上述溶剂在短时间内全部挥发,从而使氧化钛层2吸 附大量的色素。
[0076] 其结果是,与以往相比能够大幅度缩短色素吸附时间,提高生产量。另外,能够使 色素溶液20中所含的色素的大部分被氧化钛层2吸附,所以与以往相比能够减少色素溶液 20的消耗量,从而将成本抑制得较低。而且,能够利用1台色素吸附装置1高效地进行吸附 处理,所以能够以较小的占用面积应对量产。
[0077] 另外,上述实施方式中,对进行减压干燥处理直到收纳于处理空间T内的色素溶 液20的溶剂全部挥发为止的情况予以了说明,但也可以设置将处理空间T内的色素溶液20 排出的机构(未图示),当色素溶液20的残留液量达到规定量时则进行排水。
[0078] 另外,上述实施方式中,如图2所示构成为,在上部腔室10B的(呈对角的)角部 设置2根溶液注入管6,在其它(呈对角的)角部设置2根气体配管12。然而,对于本发明 的色素吸附装置而言,溶液注入管6、气体配管12的配设位置以及根数没有限定。
[0079] 另外,在腔室10中分别地设置了溶液注入管6和气体配管12,但为了不同时进行 色素溶液20的注入、减压吸引(或供给吹扫气体),也可以使上述全部的管共用,通过阀来 切换各功能(注入溶液、吸引、供给气体)。
[0080] 另外,上述实施方式中,将形成于透明电极基板G的氧化钛层2作为上侧载置于工 作台4上,在处理空间T内将基板整体浸渍于色素溶液20的。
[0081] 然而,本发明并不局限于该方式,也可以构成为将形成于透明电极基板G的氧化 钛层2作为下侧而保持于处理空间T内,将基板下表面的氧化钛层2浸渍于色素溶液20。
[0082] 另外,上述实施方式中,如图3的流程所示,在步骤S4开始减压,但并不局限于此, 如图5的流程所示,也可以在关闭腔室10的工序(图5的步骤S2)之后、注入色素溶液20的 工序(图5的步骤S3)之前,进行开始处理空间T内的减压吸引的工序(图5的步骤S11)。
[0083] 附图标记的说明
[0084] 1…色素吸附装置;2…氧化钛层;3…升降驱动部;4…工作台;5…密封部件;6… 溶液注入管(色素溶液供给机构);7…电动阀(色素溶液供给机构);8…色素溶液供给单 元(色素溶液供给机构);9…密封部件;10…腔室;10A…下部腔室;10B…上部腔室;11··· 分散板;12…气体配管(减压机构、吹扫气体供给机构);13…电动阀(减压机构、吹扫气体 供给机构);14…真空泵(减压机构);15…密封部件;16…加热器(加热机构);17…加热 器(加热机构);18···加热器驱动部(加热机构);19···控制部;21···吹扫气体供给部(吹 扫气体供给机构);G…透明电极基板(被处理基板);T…处理空间。
【权利要求】
1. 一种色素吸附装置,其使形成于被处理基板上的半导体多孔质层吸附规定的色素, 所述色素吸附装置的特征在于, 具备:收纳所述被处理基板并形成处理空间的腔室、向所述处理空间供给色素溶液的 色素溶液供给机构、以及对所述处理空间内进行减压吸引的减压机构, 利用所述减压机构使所述处理空间内的色素溶液被减压干燥,所述色素溶液的溶剂挥 发从而使色素被吸附于所述半导体多孔质层。
2. 根据权利要求1所述的色素吸附装置,其特征在于, 所述色素溶液供给机构向所述处理空间供给至少将所述被处理基板的整体浸渍的量 的色素溶液。
3. 根据权利要求1所述的色素吸附装置,其特征在于, 还具备加热机构,该加热机构对供给有所述色素溶液的处理空间进行加热。
4. 根据权利要求3所述的色素吸附装置,其特征在于, 所述腔室由形成所述处理空间的上部腔室和下部腔室构成,所述加热机构被分别设置 于所述上部腔室和下部腔室。
5. 根据权利要求1?4中任一项所述的色素吸附装置,其特征在于, 在所述处理空间的底部设置有载置所述被处理基板的工作台,所述被处理基板以半导 体多孔质层作为上侧而被载置于所述工作台上。
6. 根据权利要求1?5中任一项所述的色素吸附装置,其特征在于, 还具备分散板,该分散板上设置有多个贯通孔,且在所述处理空间中被配置于所述被 处理基板的上方, 由所述色素溶液供给机构供给的所述色素溶液通过所述分散板的贯通孔并以淋浴状 被供给到所述被处理基板上。
7. 根据权利要求1?6中任一项所述的色素吸附装置,其特征在于, 还具备吹扫气体供给机构,该吹扫气体供给机构向被所述减压机构减压的所述处理空 间内供给吹扫气体。
8. -种色素吸附方法,在形成于被处理基板上的半导体多孔质层吸附规定的色素,所 述色素吸附方法的特征在于, 包含以下步骤: 在腔室内收纳所述被处理基板,并形成封闭的处理空间的步骤; 向所述处理空间供给色素溶液的步骤;以及 对所述处理空间内进行减压吸引由此使所述处理空间内的色素溶液减压干燥,使所述 色素溶液的溶剂挥发从而使色素吸附于所述半导体多孔质层的步骤。
9. 根据权利要求8所述的色素吸附方法,其特征在于, 在向所述处理空间供给色素溶液的步骤中, 供给至少将所述被处理基板的整体浸渍的量的色素溶液。
10. 根据权利要求8或9所述的色素吸附方法,其特征在于, 执行对所述处理空间内进行减压吸引的步骤、以及 执行对所述处理空间进行加热的步骤。
11. 根据权利要求10所述的色素吸附方法,其特征在于, 在对所述处理空间进行加热的步骤中, 利用设置于所述处理空间的上方侧的加热器和设置于下方侧的加热器进行加热。
12.根据权利要求8?11中任一项所述的色素吸附方法,其特征在于, 反复进行一次或者多次以下步骤: 在对所述处理空间内进行减压吸引由此使所述处理空间内的色素溶液减压干燥,使所 述色素溶液的溶剂挥发从而使色素吸附于所述半导体多孔质层的步骤之后,将所述处理空 间内恢复为大气压的步骤; 向所述处理空间供给至少将所述被处理基板的整体浸渍的量的色素溶液的步骤;以及 对所述处理空间内进行减压吸引由此使所述处理空间内的色素溶液减压干燥,使所述 色素溶液的溶剂挥发从而使色素吸附于所述半导体多孔质层的步骤。
【文档编号】H01L31/04GK104106178SQ201380008090
【公开日】2014年10月15日 申请日期:2013年2月7日 优先权日:2012年2月7日
【发明者】寺田尚司 申请人:东京毅力科创株式会社
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