曝光描绘装置及曝光描绘方法
【专利摘要】本发明提供一种能够确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级的曝光描绘装置及曝光描绘方法。所述曝光描绘装置具备：曝光单元，通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案；计数单元，对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数；判定单元，判定曝光单元的曝光处理中利用计数单元计数出的粒子数是否是基于与电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上；及附加单元，在由判定单元判定为是阈值以上的情况下，对被曝光基板附加预先规定的信息。
【专利说明】曝光描绘装置及曝光描绘方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及曝光描绘装置及曝光描绘方法，特别是涉及通过对被曝光基板曝光光束而描绘电路图案的曝光描绘装置、由曝光描绘装置执行的程序及通过对被曝光基板曝光光束而描绘电路图案的曝光描绘方法。
【背景技术】
[0002]以往，在制造半导体装置时，存在在制造装置内悬浮的尘埃附着于晶片这一问题。因此，在日本特开平8 — 5542号公报中提出了在制造中对附着于晶片的尘埃数进行预测的半导体装置的制造装置。该制造装置具备:尘埃计测装置，其对悬浮于真空的处理室的尘埃数进行计测；及数据处理装置，其通过将计测出的尘埃数与处理室中悬浮的尘埃数和该处理室所处理的晶片上附着的尘埃数的相关关系进行对照，而对处理室中所处理的晶片上附着的尘埃数进行预测。利用该结构，用户能够对半导体装置的制造中附着于晶片的尘埃数进行预测，并能够在预测出的尘埃数为基准值以上的情况下中止处理室的处理而进行检查清扫。
[0003]另一方面，通过对被曝光基板曝光光束而描绘电路图案的曝光描绘装置中也同样，在通过使用现有的转印掩膜的方法进行曝光的情况下，若制造中附着于转印掩膜的尘埃附着于被曝光基板，则被曝光基板会以组为单位(作业单位)而成为废品，因此希望在制造现场中能够确认有无尘埃附着。
[0004]与此相对，也存在利用不使用转印掩膜的直接描绘型的方法进行曝光的情况，在该情况下，原理上，没有转印掩膜，因此不会产生由附着于转印掩膜的尘埃引起的以组为单位的废品。然而，制造现场中，存在如下现状:针对曝光处理时的被曝光基板的废品产生率，在使用了转印掩膜的时代培养的对尘埃的捕捉方法即较高地估计出废品的产生率的状态下，进一步增加对与所描绘的图像图案的高清化相伴而使废品产生的尘埃的粒子尺寸形成小尺寸化的不安感，用户对于无法看到的尘埃变得敏感，需要实施必要以上的尘埃对策。
【发明内容】
[0005]发明要解决的课题
[0006]作为曝光描绘装置中的尘埃对策，可以考虑将上述日本特开平8 — 5542号公报所公开的半导体装置的制造装置中的尘埃对策适用于曝光描绘装置。可是，上述日本特开平8 - 5542号公报的尘埃对策中，是在预测出的尘埃数超过规定值的情况下使处理中止的结构，因此对于各晶片，存在无法在制造后对制造中的尘埃数进行确认的问题。
[0007]本发明鉴于上述问题而提出，目的在于提供能够确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级的曝光描绘装置及曝光描绘方法。
[0008]用于解决课题的手段
[0009]为了达到上述目的，本发明的第一方式所涉及的曝光描绘装置具备:曝光单元，通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案；计数单元，对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数；判定单元，判定所述曝光单元的曝光处理中由所述计数单元计数出的粒子数是否是基于与所述电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上；及附加单元，在由所述判定单元判定为是阈值以上的情况下，对所述被曝光基板附加预先规定的信息。
[0010]根据第一方式所涉及的曝光描绘装置，利用曝光单元通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案，并利用计数单元对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数。
[0011]这里，本发明中，利用判定单元，判定所述曝光单元的曝光处理中由所述计数单元计数出的粒子数是否为基于与所述电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上，并在由所述判定单元判定为是阈值以上的情况下，利用附加单元对所述被曝光基板附加预先规定的信息。另外，所谓“曝光处理”，指的是进行将被曝光基板搬入到曝光描绘装置的内部并开始向被曝光面的曝光且完成对该被曝光面的曝光的一系列的处理动作。
[0012]如此，根据第一方式所涉及的曝光描绘装置，在曝光处理中对装置内的微粒的粒子数为阈值以上的被曝光基板附加预先规定的信息，结果能够确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级。
[0013]另外，本发明也可以如第二方式所涉及的发明那样，与所述图案相关的尺寸是所述电路图案中的相邻的图案间的间距宽度的最小值、图案宽度的最小值及焊盘直径的最小值中的至少一个。由此，能够根据在被曝光基板上描绘的电路图案而决定适当的阈值。
[0014]另外，本发明也可以如第三方式所涉及的发明那样，所述计数单元对应所述微粒的每个粒径范围对所述粒子数进行计数，对应每个所述粒径范围来规定所述阈值，所述判定单元对应每个所述粒径范围来判定所述粒子数是否是预先规定的阈值以上，在一个以上的粒径范围的粒子数是对应每个所述粒径范围而规定的阈值以上的情况下判定为是阈值以上。由此，考虑到对应每种微粒而微粒的粒径不同，而能够判定对应每种微粒粒子数是否是阈值以上。
[0015]另外，本发明也可以如第四方式所涉及的发明那样，还具备:取得单元，取得所述被曝光基板的识别信息；及存储单元，将由所述计数单元计数出的粒子数与由所述取得单元取得的所述识别信息建立对应而存储。由此，能够基于被曝光基板的识别信息对曝光处理中存在于装置内的微粒的粒子数进行确认。
[0016]另外，本发明也可以如第五方式所涉及的发明那样，所述判定单元进一步判定由所述计数单元计数出的粒子数属于预先规定的多个分区中的哪一个分区，所述附加单元对所述被曝光基板附加表示由所述判定单元判定出的分区的信息作为所述预先规定的信息。由此，能够更详细地确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级。
[0017]另外，本发明也可以如第六方式所涉及的发明那样，还具备排列单元，将由所述附加单元附加了表示所述分区的信息的被曝光基板对应每个该分区进行排列。由此，能够更简易地确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级。
[0018]另外，本发明也可以如第七方式所涉及的发明那样，还具备曝光控制单元，在由所述判定单元判定为是所述阈值以上的情况下，在该时刻进行的曝光处理完成的时刻停止曝光处理，在该停止后由所述判定单元判定为不是所述阈值以上的情况下，再次开始曝光处理。由此，能够将由于曝光失败而产生被曝光基板的废品的情况防患于未然。
[0019]另外，本发明也可以如第八方式所涉及的发明那样，具备接受单元，接受能够容许的由尘埃引起的废品产生率的输入，基于与所述图案相关的尺寸及由所述接受单元接受到的废品产生率来规定所述阈值。另外，本发明也可以如第九方式所涉及的发明那样，具备接受单元，接受附着于所述被曝光基板的微粒的粒子数相对于悬浮的微粒的粒子数的比例的输入，基于与所述图案相关的尺寸及由所述接受单元接受到的比例来规定所述阈值。由此，能够根据制造环境而决定适当的阈值。
[0020]另一方面，为了达到上述目的，本发明的第十方式所涉及的程序使计算机作为如下单元而发挥功能:计数单元，对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数，所述曝光描绘装置具有通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案的曝光单元；判定单元，判定在所述曝光单元的曝光处理中由所述计数单元计数出的粒子数是否是基于与所述电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上；及描绘单元，在由所述判定单元判定为是阈值以上的情况下，对所述被曝光基板描绘预先规定的信息。
[0021]因此，根据第十方式所涉及的程序，能够使计算机与第一方式所涉及的发明同样地发挥作用，因此与第十方式所涉及的发明同样，能够确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级。
[0022]另一方面，为了达到上述目的，本发明的第十一方式所涉及的曝光描绘方法包括:计数步骤，对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数，所述曝光描绘装置具有通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案的曝光单元；判定步骤，判定在所述曝光单元的曝光处理中由所述计数步骤计数出的粒子数是否是基于与所述电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上；及描绘步骤，在由所述判定步骤判定为是阈值以上的情况下，对所述被曝光基板描绘预先规定的信息。
[0023]因此，根据本发明的第十一方式所涉及的曝光描绘方法，与第一方式所涉及的发明同样地发挥作用，因此与第一方式所涉及的发明同样，能够确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级。
[0024]发明效果
[0025]根据本发明，达到如下效果:能够确认对各被曝光基板的曝光处理时的曝光装置内的尘埃等级。
【专利附图】
【附图说明】
[0026]图1是表示实施方式所涉及的曝光描绘系统的整体结构的结构图。
[0027]图2是表示实施方式所涉及的曝光描绘装置的内部结构的立体图。
[0028]图3是表示实施方式所涉及的曝光描绘装置中的基于尘埃计测装置的空气的吸入位置的图。
[0029]图4是表示实施方式所涉及的曝光描绘装置的尘埃计测装置的结构的概略俯视图。
[0030]图5是表示实施方式所涉及的曝光描绘装置的电气系统的结构的框图。
[0031]图6是表示实施方式所涉及的曝光描绘系统的控制装置的电气系统的结构的框图。
[0032]图7是表示第一实施方式所涉及的曝光处理程序的处理的流程的流程图。
[0033]图8是表示第一实施方式所涉及的曝光描绘装置中在被曝光基板上描绘的图像的一例的局部放大图。
[0034]图9是表示由第一实施方式所涉及的曝光描绘装置形成了标记的被曝光基板的一例的主视图。
[0035]图10是第二实施方式所涉及的曝光处理程序的处理的流程的流程图。
[0036]图11是表示由第二实施方式所涉及的曝光描绘装置形成了标记的被曝光基板的一例的主视图。
[0037]图12是表示第二实施方式所涉及的曝光描绘装置中生成的计测结果信息的一例的示意图。
[0038]图13是表示第三实施方式所涉及的曝光处理程序的处理的流程的流程图。
[0039]图14是表示由第三实施方式所涉及的曝光描绘装置形成了标记的被曝光基板的一例的主视图。
[0040]图15是表示第四实施方式所涉及的排列处理程序的处理的流程的流程图。
【具体实施方式】
[0041]〔第一实施方式〕
[0042]以下，针对第一实施方式所涉及的曝光描绘系统，使用附图详细地进行说明。另夕卜，第一实施方式中，作为曝光描绘系统1，以如下系统为例进行说明，该系统是将印制电路布线基板及平板显示器用玻璃基板等平板基板作为被曝光基板而在被曝光基板的单面或两面进行曝光描绘的系统。
[0043]图1是表示第一实施方式所涉及的曝光描绘系统I的整体结构的结构图。如图1所示，曝光描绘系统I具备:曝光描绘装置2，其对被曝光基板(后述的被曝光基板C)进行曝光并且对装置内的微粒的粒子数进行计测，在该粒子数为阈值以上的情况下在被曝光基板C记录标记(后述的标记M);及控制装置3，其对基于曝光描绘装置2的曝光描绘、标记M的形成进行控制。
[0044]图2是表示第一实施方式所涉及的曝光描绘装置2的内部结构的立体图。另外，以下，将台座10移动的方向规定为Y方向，将在水平面内与该Y方向正交的方向规定为X方向，将在铅垂面内与Y方向正交的方向规定为Z方向，此外将以Z轴为中心沿顺时针方向旋转的旋转方向规定为Θ方向。
[0045]如图2所示，曝光描绘装置2具备用于对被曝光基板C进行固定的平板状的台座
10。在将被曝光基板C载置于台座10的上表面时，吸入被曝光基板C及台座10间的空气，从而将被曝光基板C真空吸附于台座10的上表面。另外，台座10可移动地构成，固定于台座10的被曝光基板C伴随台座10的移动而移动到曝光位置，利用后述的曝光部16照射光束而描绘电路图案等图像。
[0046]台座10支撑于平板状的基台12，该平板状的基台12可移动地设于桌状的基体11的上表面。在基体11的上表面，设有I根或多根(本实施方式中为2根)导轨14。基台12被支撑为能够沿导轨14在Y方向上自如地移动，并利用由电动机等构成的台座驱动部(后述的台座驱动部41)而移动。并且，台座10被支撑在该可移动的基台12的上表面，并与基台12的移动联动而沿导轨14移动。
[0047]在基体11的上表面，以横跨导轨14的方式立起设置门型的门架15，在该门架15，安装有能够对载置在台座10的被曝光基板C的表面进行曝光的曝光部16。曝光部16包含多个(本实施方式中为16个)曝光头16a而构成，固定配置在台座10的移动路径上。在曝光部16分别连接有从后述的光源单元17拉出的光纤18和从后述的图像处理单元19拉出的信号线缆20。
[0048]各曝光头16a具有作为反射型的空间光调制元件的数字微镜器件(DMD)，基于从图像处理单元19输入的图像数据对DMD进行控制，从而对来自光源单元17的光束进行调制。曝光描绘装置2通过将该调制后的光束照射于被曝光基板C而进行曝光。另外，作为空间光调制元件，也可以使用液晶等透过型的空间光调制元件。
[0049]在曝光头16的附近，设有对被曝光基板C照射紫外线束的紫外线光源21。关于紫外线束的照射时间，根据涂敷于被曝光基板C的感光材料而设定各最佳时间。另外，紫外线光源21的设置位置不限于曝光头16a的附近，只要是能够在被曝光基板C的一部分照射紫外线束的位置即可。另外，本实施方式中，虽然将紫外线光源21固定，但是不限于此，也可以利用电动机等根据紫外线束的照射对象位置而移动自如地构成。此外，紫外线光源21也可以以能够向被曝光基板C的背侧的面(与台座10相接的一侧的面)照射紫外线束的方式设于台座10的下方。在该情况下，在台座10设置用于使紫外线束在厚度方向上通过的贯通孔。
[0050]在基体11的上表面，进一步以横跨导轨14的方式设有门架22。在门架22安装有用于对载置于台座10的被曝光基板C上设置的曝光基准用的对准标记进行摄影的的I个或多个(本实施方式中为2个)拍摄部23。摄影部23是内置有I次发光时间极短的闪光灯的CCD相机等。各摄影部23在水平面内沿与台座10的移动方向(Y方向)垂直的方向(X方向)可移动地设置。
[0051]曝光描绘装置2具备将从外部搬入到第一搬运部5的被曝光基板C搬运到台座10的上表面的自动搬运手(以下，称作AC手)24。AC手24形成为平板状，并且在水平方向及铅垂方向上可移动地设置。另外，在AC手24的下表面设有:吸附机构，其具有通过吸引空气而利用真空吸附对被曝光基板C进行吸附保持的吸附部25 ;及按压机构，其具有将被曝光基板C向下方按压的上下移动自如的按压部26。AC手24利用吸附机构对载置于第一搬运部5的未曝光的被曝光基板C进行吸附保持从而向上方抬起，并将抬起后的被曝光基板C载置于台座10的上表面的预先规定的位置。
[0052]AC手24在将被曝光基板C载置于台座10时，利用按压机构将被曝光基板C向台座10按压并且将基于吸附部25的吸附解除，从而将被曝光基板C真空吸附在台座10，将被曝光基板C吸附固定在台座10。另外，AC手24利用吸附机构对载置于台座10的上表面的曝光结束的被曝光基板C进彳丁吸附保持从而向上方抬起，在对抬起后的被曝光基板C进打吸附保持的状态下移动到第二搬运部6之后，通过将基于吸附机构的吸附解除，从而使被曝光基板C向第二搬运部6移动。被搬运到第二搬运部6的被曝光基板C被排出到曝光描绘装置2的外部。
[0053]这里，曝光描绘装置2具备对装置内的微粒的粒子数进行计测的多个(本实施方式中为3个)尘埃计测装置4。尘埃计测装置4是吸入周围的空气并对吸入的空气中包含的微粒的粒子数进行计测的所谓的粒子计数器。
[0054]图3是表示第一实施方式所涉及的曝光描绘装置2中的基于尘埃计测装置4的空气的吸入位置的图。如图3所示，在曝光描绘装置2的装置内部，空气沿台座移动方向(Y方向)中的、从进行曝光的位置朝向载置被曝光基板C的位置的方向流动，将内部的空气在载置被曝光基板C的位置处排出到外部。
[0055]曝光描绘装置2中，为了对装置内部的微粒的粒子数更加准确地进行计测，在气流的下游侧的预定位置(本实施方式中，第一搬运部5和台座10之间的位置、比台座10的载置位置靠气流的下游侧的位置、及台座10和第二搬运部6之间的位置)，分别在尘埃计测装置4配置有吸入空气的管4a。另外，管4a的空气的入口设置于与台座10的上表面大致相同高度(Z方向上的大致相同位置)。通过这种结构，能够利用尘埃计测装置4对台座10的上表面附近(即被曝光基板C的附近)的微粒的粒子数进行计测。
[0056]图4是表示第一实施方式所涉及的曝光描绘装置2的尘埃计测装置4的结构的概略俯视图。如图4所示，尘埃计测装置4具备:吸入窗30，其将外部的空气(曝光描绘装置2的装置内部的空气)K经由管4a而吸入到装置内部；及排出窗31，其将吸入的空气K排出到装置外部(曝光描绘装置2的装置内部)。在曝光描绘装置2的装置内部沿台座移动方向流动的空气K经由吸入窗30而流入到尘埃计测装置4的装置内部后，经由排出窗31流出到尘埃计测装置4的装置外部。
[0057]另外，在尘埃计测装置4设有:产生激光L的激光发生装置32 ;将所产生的激光L以横穿流入的空气K的路径的方式出射的出射窗33 ;及所出射的激光L通过空气K的路径后而入射的入射窗34。在激光L通过空气K的路径时，若空气K的内部包含微粒，则激光L中的与微粒P发生碰撞的一部分散射。在尘埃计测装置4，设有将该散射后的激光L聚光的聚光透镜35及对由聚光透镜35聚光后的激光L进行检测的检测装置36。尘埃计测装置4基于由检测装置36检测出的检测值对微粒进行检测而对各微粒的粒径进行测定，从而对应每种粒径对检测出的微粒的个数进行计数。尘埃计测装置4对控制装置3发送表示检测出的微粒的粒子数的信号。
[0058]图5是表示第一实施方式所涉及的曝光描绘装置2的电气系统的结构的框图。如图5所示，在曝光描绘装置2设有分别与装置各部电连接的系统控制部40，该系统控制部40对各部分集中地进行控制。系统控制部40对AC手24进行控制而进行被曝光基板C向台座10的搬入动作及从台座10的排出动作。另外，系统控制部40对台座驱动部41进行控制而进行台座10的移动，并经由后述的移动控制部43使摄影部23移动而进行被曝光基板C的对准标记的摄影并对曝光位置进行调整，并且对光源单元17及图像处理单元19进行控制，使曝光头16a进行曝光处理。如上述那样，所谓“曝光处理”，指的是将被曝光基板C搬入到曝光描绘装置2的内部而开始向被曝光面的曝光并完成对该被曝光面的曝光的一系列的处理动作。系统控制部40在从控制装置3接收到用于指示曝光开始的信号的时机，开始对被曝光基板C的曝光处理，并且在接收到用于指示曝光停止的信号的时机，在此时进行的对被曝光基板C的曝光处理完成的时刻，停止曝光处理。
[0059]此外，系统控制部40在预先规定的时机从尘埃计测装置4取得每种粒径的微粒的粒子数。该时机可以是在被曝光基板C的曝光开始前、曝光中和曝光完成后的时机，也可以是每次经过预先规定的时间的时机。
[0060]另外，曝光描绘装置2具有操作装置42。操作装置42具有利用系统控制部40的控制显示信息的显示部和利用用户操作输入信息的输入部。该输入部例如在输入被曝光基板C的最小图案宽度等时由用户进行操作。
[0061]此外，曝光描绘装置2具备移动控制部43。移动控制部43基于系统控制部40的指示，以被曝光基板C的对准标记在台座10移动时通过多个摄影部23中的任一个或各个摄影区域的中央的方式，对摄影部23的移动驱动进行控制。
[0062]图6是表示第一实施方式所涉及的曝光描绘系统I的控制装置3的电气系统的结构的框图。如图6所示，曝光描绘系统I具备:对曝光描绘系统I中的曝光处理进行控制的控制部50 ;具有对基于控制部50的曝光处理所需的曝光处理程序、各种数据进行存储的ROM及HDD等的存储部51 ;基于控制部50的控制对数据进行显示的显示器等显示部52 ;通过用户操作而输入数据的键盘等输入部53 ;及基于控制部50的控制而进行对曝光描绘装置2的数据的收发的通信接口 54。
[0063]这里，本实施方式所涉及的曝光描绘装置2具备如下功能:在被曝光基板C的曝光处理中对装置内的微粒的粒子数进行计测，在计测出的粒子数是阈值以上的情况下，对曝光中的被曝光基板C记录与粒子数相关的信息。
[0064]以往的曝光描绘装置中，作为尘埃对策，不对装置内的微粒的粒子数进行计测，因此制造现场中，用户在不知道尘埃附着于被曝光基板C的情况下对被曝光基板C进行曝光，结果存在可能生产废品那样的用户的潜在性不安。
[0065]因此，本实施方式所涉及的曝光描绘装置2中，在曝光处理中始终对装置内的微粒的粒子数进行计测，在计测出的粒子数是阈值以上的情况下，将表示其内容的预先规定的标记(例如图9所示的标记M)描绘在被曝光基板C。由此，用户能够针对曝光结束的被曝光基板C，对应每个基板确认曝光处理时的尘埃等级(计测出的粒子数是否为阈值以上等)，从而能够消除用户不安。
[0066]另外，在成为检查对象的曝光结束的被曝光基板C上形成有标记M的情况下，检查担当者对该被曝光基板C的曝光处理时的尘埃等级较高(即计测出的粒子数较大)这一情况进行识别，能够提高对检查的意识等级，结果能够抑制检查不良。此外，对于视觉确认较为困难的尘埃，用户能够对尘埃等级和被曝光基板C的废品产生率的相关关系进行把握，从而能够将尘埃对策抑制到所需最小限度的对策，因此与生产工序作业的效率化紧密相关。
[0067]接下来，对第一实施方式所涉及的曝光描绘系统I的作用进行说明。
[0068]图7是表示第一实施方式所涉及的曝光处理程序的处理的流程的流程图，该程序被预先存储在作为控制装置3的存储部51所具备的记录介质的ROM的预定区域。
[0069]控制装置3的控制部50在预先规定的时机(本实施方式中，使对预先规定的多个被曝光基板C连续地进行曝光的处理开始的时机)，执行该曝光处理程序。
[0070]首先，步骤SlOl中，控制部50根据在被曝光基板C上曝光的图像(本实施方式中为电路图案)的图像信息而算出最小图案尺寸。可认为:在被曝光基板C上曝光的电路图案越清晰化，则作为是否能够容许附着于被曝光基板C这一情况的阈值的微粒的粒径(以下，也称作容许尘埃尺寸)越小尺寸化。
[0071]图8是表示在第一实施方式所涉及的曝光描绘装置2中在被曝光基板C描绘的图像的一例的局部放大图。如图8所示，本实施方式所涉及的图案尺寸是作为所描绘的各图案的宽度的图案宽度、作为相邻的图案间的距离或相邻的图案和焊盘间的距离的间距宽度、及各图案的焊盘直径这三种。另外，本实施方式所涉及的最小图案尺寸是图案宽度的最小值、间距宽度的最小值、及焊盘直径的最小值中的最小值。或者也可以将间距宽度的最小值作为最小图案尺寸。
[0072]接下来，步骤S103中，控制部50针对存在于曝光描绘装置2内部的各粒径的微粒，生成对应每种粒径表示作为是否能够容许微粒存在的阈值的粒子数的表格。该表格在后述的步骤S109中对阈值进行规定时使用。
[0073]在生成表格时，控制部50首先算出单位体积内所包含的微粒的粒子数即尘埃浓度。根据JIS B9920，利用下述的(I)式对尘埃浓度进行定义。另外，(I)式中的右边第二項的0.1是常数(单位是μ m)。
[0074][数学式I]
【权利要求】
1.一种曝光描绘装置，具备: 曝光单元，通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案； 计数单元，对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数； 判定单元，判定所述曝光单元的曝光处理中由所述计数单元计数出的粒子数是否是基于与所述电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上；及 附加单元，在由所述判定单元判定为是阈值以上的情况下，对所述被曝光基板附加预先规定的信息。
2.根据权利要求1所述的曝光描绘装置，其中， 与所述图案相关的尺寸是所述电路图案中的相邻的图案间的间距宽度的最小值、图案宽度的最小值及焊盘直径的最小值中的至少一个。
3.根据权利要求1所述的曝光描绘装置，其中， 所述计数单元对应所述微粒的每个粒径范围对所述粒子数进行计数， 对应每个所述粒径范围来规定所述阈值， 所述判定单元对应每个所述粒径范围来判定所述粒子数是否是预先规定的阈值以上，在一个以上的粒径范围的粒子数是对应每个所述粒径范围而规定的阈值以上的情况下判定为是阈值以上。
4.根据权利要求1所述的曝光描绘装置，其中， 还具备曝光控制单元，在由所述判定单元判定为是所述阈值以上的情况下，在该时刻进行的曝光处理完成的时刻停止曝光处理，在该停止后由所述判定单元判定为不是所述阈值以上的情况下，再次开始曝光处理。
5.根据权利要求1所述的曝光描绘装置，其中， 具备接受单元，接受能够容许的由尘埃引起的废品产生率的输入， 基于与所述图案相关的尺寸及由所述接受单元接受到的废品产生率来规定所述阈值。
6.根据权利要求1所述的曝光描绘装置，其中， 具备接受单元，接受附着于所述被曝光基板的微粒的粒子数相对于悬浮的微粒的粒子数的比例的输入， 基于与所述图案相关的尺寸及由所述接受单元接受到的比例来规定所述阈值。
7.根据权利要求1?6中任一项所述的曝光描绘装置，其中，还具备: 取得单元，取得所述被曝光基板的识别信息 '及 存储单元，将由所述计数单元计数出的粒子数与由所述取得单元取得的所述识别信息建立对应而存储。
8.根据权利要求1?6中任一项所述的曝光描绘装置，其中， 所述判定单元进一步判定由所述计数单元计数出的粒子数属于预先规定的多个分区中的哪一个分区， 所述附加单元对所述被曝光基板附加表示由所述判定单元判定出的分区的信息作为所述预先规定的信息。
9.根据权利要求8所述的曝光描绘装置，其中， 还具备排列单元，将由所述附加单元附加了表示所述分区的信息的被曝光基板对应每个该分区进行排列。
10.一种计算机可读存储介质，存储程序，该程序使计算机执行以下处理: 由计数单元对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数，所述曝光描绘装置具有通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案的曝光单元； 由判定单元判定在所述曝光单元的曝光处理中由所述计数单元计数出的粒子数是否是基于与所述电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上； 在由所述判定单元判定为是阈值以上的情况下，由附加单元对所述被曝光基板附加预先规定的信息。
11.一种曝光描绘方法，包括: 计数步骤，对曝光描绘装置内的微粒的粒子数进行计数，所述曝光描绘装置具有通过对被曝光基板进行曝光而描绘电路图案的曝光单元； 判定步骤，判定在所述曝光单元的曝光处理中由所述计数步骤计数出的粒子数是否是基于与所述电路图案的图案相关的尺寸而规定的阈值以上；及 附加步骤，在由所述判定步骤判定为是阈值以上的情况下，对所述被曝光基板附加预先规定的信息。
【文档编号】H01L21/027GK104205291SQ201380010638
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2013年1月24日 优先权日:2012年2月24日
【发明者】桥口昭浩, 菊池浩明, 吉川武志 申请人:株式会社阿迪泰克工程