半导体装置及其制造方法
【专利摘要】一种半导体装置的制造方法，其为半导体芯片和布线电路基板各自的连接部相互电连接而成的半导体装置或多个半导体芯片各自的连接部相互电连接而成的半导体装置的制造方法，其中，所述制造方法具备将所述连接部的至少一部分用含有具有下述式(1)所示基团的化合物的半导体用粘接剂密封的工序。式中，R1表示供电子性基团。
【专利说明】半导体装置及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及使用了半导体用粘接剂的半导体装置的制造方法以及通过该制造方 法得到的半导体装置。
【背景技术】
[0002] 以往，为了将半导体芯片与基板连接，广泛应用了使用金线等金属细线的引线接 合方式。另一方面，为了应对对半导体装置的高功能化、高集成化、高速化等的要求，在半导 体芯片或基板上形成被称为凸块（bump)的导电性突起而将半导体芯片与基板直接连接的 倒装片连接方式（FC连接方式）逐渐得到推广。
[0003] 例如，关于半导体芯片与基板间的连接，在BGA(球栅阵列封装，Ball Grid Array)、CSP(芯片尺寸封装，Chip Size Package)等中盛行使用的COB(板上芯片封装，Chip On Board)型的连接方式也属于FC连接方式。另外，关于FC连接方式，在半导体芯片上形 成连接部（凸块或布线）而将半导体芯片间连接的C0C(叠层芯片封装，Chip On Chip)型 的连接方式也得到广泛应用（例如参照专利文献1)。
[0004] 另外，对于强烈要求进一步小型化、薄型化、高功能化的封装而言，将上述连接方 式层叠/多段化而成的芯片堆叠型封装（chip stack package)、Ρ0Ρ(堆栈式封装，Package On Package)、TSV(娃通孔技术，Through-Silicon Via)等也开始得到广泛普及。这样的层 叠/多段化技术由于将半导体芯片等三维地配置，因此与二维地配置的方法相比更能够使 封装变小。另外，对于提高半导体的性能、减小噪声、削减安装面积、节省电量也是有效的， 因此作为新一代的半导体布线技术备受注目。
[0005] 另外，作为上述连接部（凸块或布线）中使用的主要金属，有焊锡、锡、金、银、铜、 镍等，还可以使用含有其中多种金属的导电材料。连接部中使用的金属由于表面氧化而生 成氧化膜或在表面附着有氧化物等杂质，因此连接部的连接面上有时会产生杂质。当这样 的杂质残留时，半导体芯片与基板间或2个半导体芯片间的连接性/绝缘可靠性降低，有使 采用上述连接方式的益处受损的担忧。
[0006] 另外，作为抑制这些杂质产生的方法，有通过作为0SP(有机保焊膜，Organic Solderbility Preservatives)处理等已知的将连接部用防氧化膜包覆的方法，但该防氧 化膜有时会成为连接工艺中的焊锡润湿性降低、连接性降低等的原因。
[0007] 因此，作为除去上述氧化膜或杂质的方法，提出了使半导体材料中含有助熔剂的 方法（例如参照专利文献2?5)。
[0008] 现有技术文献
[0009] 专利文献
[0010] 专利文献1 :日本特开2008-294382号公报
[0011] 专利文献2 :日本特开2001-223227号公报
[0012] 专利文献3 :日本特开2002-283098号公报
[0013] 专利文献4 :日本特开2005-272547号公报
[0014] 专利文献5 :日本特开2006-169407号公报
【发明内容】
[0015] 发明欲解决的课题
[0016] 通常，从充分确保连接性和/或绝缘可靠性的观点出发，连接部之间的连接使用 金属接合。半导体材料不具有充分的助熔剂活性（金属表面的氧化膜或杂质的除去效果） 时，有可能无法除去金属表面的氧化膜或杂质，无法形成良好的金属-金属接合，从而无法 确保导通。
[0017] 另外，上述半导体装置的制造工艺中，要求连接时间（接合时间，bonding time) 缩短。连接时间（接合时间）的缩短成为可能时，能够使生产率提高。但是，通常若缩短连 接时间，则有可能会降低连接可靠性。
[0018] 本发明的目的在于提供能够在更短时间内更大量地制造可靠性优异的半导体装 置的半导体装置的制造方法以及通过该制造方法得到的半导体装置。
[0019] 用于解决课题的手段
【权利要求】
1. 一种半导体装置的制造方法，其为半导体芯片和布线电路基板各自的连接部相互电 连接而成的半导体装置或多个半导体芯片各自的连接部相互电连接而成的半导体装置的 制造方法，其中， 所述制造方法具备将所述连接部的至少一部分用含有具有下述式（1)所示的基团的 化合物的半导体用粘接剂密封的工序， (1) 式中，R1表示供电子性基团。
2. 根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，所述化合物为具有2个羧基的 化合物。
3. 根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其中，所述化合物为下述式（2) 所示的化合物， m 式中，R1表示供电子性基团、R2表示氢原子或供电子性基团、η表示0?15的整数，多 个存在的R2相互可以相同也可以不同。
4. 根据权利要求1?3中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述化合物为下 述式（3)所示的化合物，
(3， 式中，R1表示供电子性基团、R2表示氢原子或供电子性基团、m表示0?10的整数。
5. 根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中，m为0?5的整数。
6. 根据权利要求4或5所述的半导体装置的制造方法，其中，所述式（3)中的R2为氢 原子。
7. 根据权利要求1?6中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述化合物的熔 点为150°C以下。
8. 权利要求1?7中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述供电子性基团为 碳数为1?10的烷基。
9. 根据权利要求1?8中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体用粘 接剂进一步含有重均分子量为10000以上的高分子成分。
10. 根据权利要求1?9中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述半导体用 粘接剂的形状为膜状。
11. 根据权利要求1?10中任一项所述的半导体装置的制造方法，其中，所述化合物为 甲基琥珀酸、2-甲基戊二酸、2-甲基己二酸、2-甲基庚二酸或2-甲基辛二酸。
12. -种半导体装置，其是通过权利要求1?11中任一项所述的制造方法得到的。
【文档编号】H01L23/31GK104145327SQ201380010584
【公开日】2014年11月12日 申请日期:2013年2月22日 优先权日:2012年2月24日
【发明者】本田一尊, 永井朗, 佐藤慎 申请人:日立化成株式会社