用于制备具有通过径向扩张降低的应变的异质结构的方法和装置与流程

技术总结
公开了用于制备具有降低的应变的异质结构的装置和方法。所述异质结构包括半导体结构，所述半导体结构顺应具有与所述结构不同的晶格常数的表面层以形成相对低的缺陷的异质结构。

技术研发人员：R·J·法尔斯特;V·V·沃龙科夫;J·A·皮特尼;P·D·阿尔布雷克特
受保护的技术使用者：太阳能爱迪生半导体有限公司
技术研发日：2013.12.30
技术公布日：2018.08.28