针对通孔的光学临近修正方法
【专利摘要】本发明提供了一种针对通孔的光学临近修正方法，包括：在对通孔执行光学临近修正之前，判断特定通孔分别与其四个侧边处的四个相邻通孔的电位关系，所述电位关系包括同电位关系和非同电位关系；对于所述特定通孔与所述特定通孔侧边处的相邻通孔处于同电位关系，使得特定通孔相应的侧边增加一个同电位补值；对于所述特定通孔与所述特定通孔侧边处的相邻通孔处于非同电位关系，使得特定通孔相应的侧边增加一个非同电位补值；对经过特殊处理的通孔执行光学临近修正。
【专利说明】针对通孔的光学临近修正方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种针对通孔的光学临近修正方法。
【背景技术】
[0002]通孔用于连接上下层金属线，现有光刻工艺条件下，通孔的光刻工艺窗口常常比金属线的光刻工艺窗口小很多。通孔的光刻工艺窗口已经成为影响产品良率的重要因素。OPC (OpticalProximityCorrection,光学临近修正)常规的通孔修正一般是先将所有的通孔进行整体放大，再用OPC模型对整体放大后的通孔进行修正。
[0003]随着集成电路技术节点越来越小，通孔的整体放大尺寸很难控制。首先，通孔的整体放大不足，孤立通孔的光刻工艺窗口会非常小。如果连接上下层金属线只有一个孤立通孔，即该通孔与周围任一通孔都是非同电位关系，一旦该通孔成为盲孔，该通孔处电路会发生断路。其次，通孔的整体放大过大，虽然孤立通孔的光刻工艺窗口会增大，但是密集通孔与周围通孔合并的风险也会增大。如果密集通孔是同电位关系，通孔的合并会影响器件性能；如果密集通孔是非同电位关系，则通孔的合并会导致不同电位通孔处电路发生短路。因此，对通孔的整体放大已经不能反映每一个通孔所处的电位环境，常规的OPC修正方法也已经不能保证每一个通孔的光刻工艺窗口。
【发明内容】
[0004]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述缺陷，提供一种能够最大限度的提高每一个通孔的光刻工艺窗口、进而提高产品良率的针对通孔的光学临近修正方法。
[0005]为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种针对通孔的光学临近修正方法，其特征在于包括:
[0006]在对通孔执行光学临近修正之前，判断特定通孔分别与其四个侧边处的四个相邻通孔的电位关系，所述电位关系包括同电位关系和非同电位关系；
[0007]对于所述特定通孔与所述特定通孔侧边处的相邻通孔处于同电位关系，使得特定通孔相应的侧边增加一个同电位补值；
[0008]对于所述特定通孔与所述特定通孔侧边处的相邻通孔处于非同电位关系，使得特定通孔相应的侧边增加一个非同电位补值；
[0009]对经过特殊处理的通孔执行光学临近修正。
[0010]优选地，当所述特定通孔所连接的上层金属线和下层金属线与所述四个相邻通孔之一所连接的上层金属线和下层金属线均不同时，所述特定通孔与所述四个相邻通孔之一为非同电位关系。
[0011]优选地，当所述特定通孔所连接的上层金属线与所述四个相邻通孔之一所连接的上层金属线相同时，所述特定通孔与所述四个相邻通孔之一为同电位关系。[0012]优选地，当所述特定通孔所连接的下层金属线与所述四个相邻通孔之一所连接的下层金属线相同时，所述特定通孔与所述四个相邻通孔之一为同电位关系。
[0013]优选地，同电位补值大于非同电位补值。
[0014]优选地，同电位补值介于通孔的关键尺寸的0.5%到通孔的关键尺寸的30%之间。
[0015]优选地，非同电位补值介于通孔的关键尺寸的0.5%到通孔的关键尺寸的15%之间。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0017]图1至图4示意性地示出了通孔间的各种同电位关系和非同电位关系。
[0018]图5示意性地示出了根据本发明优选实施例的通孔的每一条边与相邻通孔的电位关系。
[0019]图6示意性地示出了根据本发明优选实施例的通孔的每一条边根据电位关系加相应的补值。
[0020]需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
【具体实施方式】
[0021]为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
[0022]本发明提出结合上下层金属线判断两个通孔间的电位关系，对通孔的每一条侧边根据电位关系增加相应的补值，之后再对加过补值的通孔进行常规的OPC修正。这一方法可以弥补通孔常规的OPC修正中不能反映每一个通孔所处电位环境的不同，在电位环境允许的情况下，最大限度的提高每一个通孔的光刻工艺窗口。
[0023]具体地，在对通孔进行OPC修正时，首先结合上下层金属线判断两个通孔间的电位关系。如果相邻两个通孔是同电位关系，则对通孔满足同电位关系的侧边加一同电位补值；如果相邻两个通孔是非同电位关系，则对通孔满足非同电位关系的侧边加一不同电位补值。之后再对加过补值的通孔进行常规的OPC修正。
[0024]下面参考附图来描述本发明的优选实施例
[0025]在对通孔进行OPC修正时，首先在calibre软件中结合上下层金属线判断两个通孔间的电位关系。图1至图4示意性地示出了通孔间的各种同电位关系和非同电位关系。如图所示，第一通孔30和第二通孔31连接下层金属线10和上层金属线20。
[0026]如果第一通孔30和第二通孔31与同一个下层金属线10和同一个上层金属线20相连，如图1所示，那么这两个通孔是第一同电位关系。如果第一通孔30和第二通孔31与同一个下层金属线10和两个上层金属线20相连，如图2所示，那么这两个通孔是第二同电位关系。如果第一通孔30和第二通孔31与两个下层金属线10和同一个上层金属线20相连，如图3所示，那么这两个通孔是第三同电位关系。如果第一通孔30和第二通孔31与两个下层金属线10和两个上层金属线20相连，如图4所示，那么这两个通孔是非同电位关系O
[0027]然后由两个通孔之间的电位关系可以确定每一个通孔的每一条侧边与相邻通孔的电位关系。如图5所示，第一通孔30与第一侧边el处的相邻的第二通孔31满足同第一电位关系，第一通孔30与第二侧边e2处的相邻的第三通孔32满足第二同电位关系，第一通孔30与第三侧边e3处的相邻的第四通孔33满足第三同电位关系，第一通孔30与第四侧边e4处的相邻的第五通孔34满足非同电位关系。
[0028]确定每一个通孔与其每一条侧边处的相邻通孔的电位关系之后，对通孔满足同电位关系的侧边增加一同电位补值bl (同电位补值bl与通孔的关键尺寸有关，通常同电位补值bl介于通孔的关键尺寸*0.5%到通孔的关键尺寸*30%之间)，对通孔满足非同电位关系的侧边增加一非同电位补值b2 (非同电位补值b2与通孔的关键尺寸有关，通常非同电位补值b2介于通孔的关键尺寸*0.5%到通孔的关键尺寸*15%之间)。
[0029]—般,如上述不例所不，同电位补值bl大于非同电位补值b2。
[0030]如图6所示，以第一通孔30为例，第一通孔30的el侧边、e2侧边和e3侧边分别加一同电位补值bl，第一通孔30的e4侧边加一非同电位补值b2。并且，优选地，其它所有通孔也会按照通孔30相同的方法对通孔的每一条侧边根据电位关系加相应的补值。
[0031]其中，通孔的侧边增加补值的含义指的是，使得通孔的该侧边向外移动一个补值的量，以使得通孔的尺寸扩大。
[0032]最后再对加过补值的通孔进行常规的OPC修正。
[0033]本发明提出结合上下层金属线判断两个通孔间的电位关系，对通孔的每一条侧边根据电位关系增加相应的补值，之后再对加过补值的通孔进行常规的OPC修正。这一方法可以弥补通孔常规的OPC修正中不能反映每一个通孔所处电位环境的不同，在电位环境允许的情况下，最大限度的提闻每一个通孔的光刻工艺窗口，进而提闻广品良率。
[0034]此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
[0035]可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【权利要求】
1.一种针对通孔的光学临近修正方法，其特征在于包括: 在对通孔执行光学临近修正之前，判断特定通孔分别与其四个侧边处的四个相邻通孔的电位关系，所述电位关系包括同电位关系和非同电位关系； 对于所述特定通孔与所述特定通孔侧边处的相邻通孔处于同电位关系，使得特定通孔相应的侧边增加一个同电位补值； 对于所述特定通孔与所述特定通孔侧边处的相邻通孔处于非同电位关系，使得特定通孔相应的侧边增加一个非同电位补值； 对经过特殊处理的通孔执行光学临近修正。
2.根据权利要求1所述的针对通孔的光学临近修正方法，其特征在于，当所述特定通孔所连接的上层金属线和下层金属线与所述四个相邻通孔之一所连接的上层金属线和下层金属线均不同时，所述特定通孔与所述四个相邻通孔之一为非同电位关系。
3.根据权利要求1或2所述的针对通孔的光学临近修正方法，其特征在于，当所述特定通孔所连接的上层金属线与所述四个相邻通孔之一所连接的上层金属线相同时，所述特定通孔与所述四个相邻通孔之一为同电位关系。
4.根据权利要求1或2所述的针对通孔的光学临近修正方法，其特征在于，当所述特定通孔所连接的下层金属线与所述四个相邻通孔之一所连接的下层金属线相同时，所述特定通孔与所述四个相邻通孔之一为同电位关系。
5.根据权利要求1或2所述的针对通孔的光学临近修正方法，其特征在于，同电位补值大于非同电位补值。
6.根据权利要求1或2所述的针对通孔的光学临近修正方法，其特征在于，同电位补值介于通孔的关键尺寸的0.5%到通孔的关键尺寸的30%之间。
7.根据权利要求1或2所述的针对通孔的光学临近修正方法，其特征在于，非同电位补值介于通孔的关键尺寸的0.5%到通孔的关键尺寸的15%之间。
【文档编号】H01L21/768GK103869599SQ201410110058
【公开日】2014年6月18日 申请日期:2014年3月24日 优先权日:2014年3月24日
【发明者】王丹, 于世瑞, 张瑜, 毛智彪 申请人:上海华力微电子有限公司