显示单元、其制造方法以及电子设备的制作方法

显示单元、其制造方法以及电子设备的制作方法
【专利摘要】本发明提供了一种显示单元，其包括：多个第一电极；金属构件，设置在该第一电极周围；绝缘层，具有在多个第一电极的对应一个第一电极上的第一开口和在金属构件上的第二开口；有机发光层，设置在包括第一开口的底部表面但不包括第二开口的底部表面的全部或部分的表面上；分隔壁，设置为至少接触绝缘层，其中分隔壁的形成工艺与绝缘层的形成工艺不同；以及第二电极，设置为与接触区域以及有机发光层中的第一开口的底部表面之上的部分接触，其中接触区域是第二开口的底部表面的一部分。
【专利说明】显示单元、其制造方法以及电子设备

【背景技术】
[0001] 本发明涉及包括用于每个像素的有机发光层的显示单元、制造该显示单元的方法 以及包括这样显示单元的电子设备。
[0002] 近年来，在实现图像显示的显示单元领域中，已经开发了采用电流驱动类型的发 光元件的显示单元，例如，有机电致发光（Electro Luminescence, EL)元件，在电流驱动类 型的发光元件的发光亮度根据流动的电流值变化，并且已经得到商业化推广。与液晶元件 等不同，有机EL元件是自发光元件。因此，在采用有机EL元件的显示单元(有机EL显示单 元）中，光源(背光）是不需要的，并且因此，与需要光源的液晶显示单元相比，可以更容易实 现薄体和高亮度。
[0003] 将有机EL显示单元的EL发光的取出方式包括通过支撑基板取出EL发光的底部 发光式和将EL发光取出到支撑基板相对侧的顶部发光式。在有源矩阵型底部发光式有机 EL显示单元中，妨碍EL发光的诸如薄膜晶体管（TFT)之类的电路设置在有机发光元件下 方，并且因此，不大可能能够保障足够的开口率，并且不大可能改善光利用率。相反，在顶部 发光式有机EL显示单元中，EL发光提取到支撑基板的相对侧，并且因此，开口率不会受到 设置在支撑基板上的电路的影响，并且获得很高的光利用率。
[0004] 在顶部发光式有机EL显示单元中，采用透光导电膜作为光提取侧的电极。在有机 矩阵型显示单元的情况下，在整个像素区域中形成导电膜。因为导电膜的电阻与通常的金 属材料的电阻相比非常高，由此容易产生由电压降导致的显示上的不均衡。因此，例如，如 日本未审查专利申请公开No. 2002-318566 (JP2002-318566A)中所述，具有低电阻的多个 辅助配线设置在整个像素区域中，并且这样的辅助配线电连接到导电膜。


【发明内容】

[0005] 例如，如JP2002-318566A中所述，作为将导电膜电连接到辅助配线的方法，可预 期这样的方法，其中辅助配线的顶表面的一部分设定到接触区域，并且导电膜形成在该接 触区域上。在此情况下，为了保证接触区域和导电膜之间的电连接，必须将有机发光层的形 成区域设置在远离接触区域的位置，使得在形成导电膜的工艺前形成有机发光层的工艺中 不将有机发光层形成在接触区域上。然而，在此情况下，存在的缺点是有机发光层的形成区 域减小了尺寸，并且减小了开口率。
[0006] 为了解决前述缺点，例如，在日本未审查专利申请公开No. 2007-73323 (JP2007-73323A)和 No. 2007-103098 (JP2007-103098A)中，描述了这样的情况，其中通过 完整地形成有机发光层然后去除其一部分而形成接触区域。然而，在此情况下，存在的缺点 是由于有机发光层的去除工艺中的残留物而降低了成品率。
[0007] 希望提供一种显示单元，其中使得可以不采用去除有机发光层的工艺而形成接触 区域，并且使得可以增加开口率，还希望提供一种制造该显示单元的方法以及一种包括这 样显示单元的电子设备。
[0008] 根据本发明的一个实施例，所提供的显示单元包括：多个第一电极；金属构件，设 置在第一电极周围；绝缘层，具有在第一电极的对应一个上的第一开口和在金属构件上的 第二开口；有机发光层，设置在包括第一开口的底部表面的表面但不包括第二开口的全部 或部分底部表面的表面上；分隔壁，设置为至少与第二开口的底部表面的一部分以及绝缘 层中的绝缘层接触，分隔壁形成的工艺与绝缘层的形成工艺不同；以及第二电极，设置为与 接触区域接触且与有机发光层中的第一开口的底部表面之上的一部分接触，接触区域是第 二开口的底部表面的一部分。
[0009] 根据本发明的实施例，提供了一种具有显示单元的电子设备。该显示单元包括：多 个第一电极；金属构件，设置在第一电极周围；绝缘层，具有在第一电极的对应一个上的第 一开口和在金属构件上的第二开口；有机发光层，设置在包括第一开口的底部表面但不包 括第二开口的全部或部分底部表面的表面上；分隔壁设置为至少与第二开口的底部表面的 一部分以及绝缘层中的绝缘层接触，其中分隔壁形成的工艺与绝缘层的形成工艺不同；以 及第二电极，设置为与接触区域接触且与有机发光层中第一开口的底部表面之上的一部分 接触，其中接触区域是第二开口的底部表面的一部分。
[0010] 在根据本发明上述实施例的显示单元和电子设备中，分隔壁设置为至少与金属构 件上第二开口的底部表面的一部分以及绝缘层中的绝缘层接触。因此，例如，通过由气相沉 积法(例如蒸发法）形成有机发光层，使得有机发光层可以形成在包括第一开口的底部表面 的表面上，而接触区域形成在分隔壁之后(被隐藏在后)。
[0011] 根据本发明的一个实施例，提供了制造显示单元的方法，该方法包括：形成绝缘 层，该绝缘层具有在多个第一电极的对应一个上的第一开口和在金属构件上的第二开口， 金属构件设置在第一电极周围；通过气相扩散法形成分隔壁，该分隔壁至少与第二开口的 底部表面的一部分以及绝缘层中的绝缘层接触；通过气相沉积法在包括第一开口的底部表 面但不包括第二开口的底部表面的全部或一部分的表面上形成有机发光层；以及通过气 相沉积法形成第二电极，其中与形成有机发光层所用的气相沉积法相比减小了入射角的偏 斜，该第二电极与接触区域接触且与有机发光层中的第一开口的底部表面之上的一部分接 触，接触区域是第二开口的底部表面的一部分。
[0012] 在根据本发明上述实施例的显示单元制造方法中，通过由气相沉积法形成有机发 光层，使得有机发光层可以形成在包括第一开口的底部表面的表面上，而接触区域形成在 分隔壁之后(被隐藏在后)。
[0013] 根据本发明上述实施例中的显示单元、其制造方法以及电子设备，分隔壁设置为 至少与金属构件上第二开口的底部表面的一部分以及绝缘层中的绝缘层接触。因此，使得 有机发光层设置在包括第一开口的底部表面的表面上，而接触区域形成在分隔壁之后(被 隐藏在后)。因此，使得可以不采用去除有机发光层的工艺而形成接触区域，并且使得可以 提商开口率。
[0014] 应理解，前述的总体描述以及下面的详细描述都是示范性的，并且旨在对所要求 保护的本发明提供进一步说明。

【专利附图】

【附图说明】
[0015] 包含附图以提供对本发明公开的进一步理解，并且结合在该说明书中且构成其一 部分。附图示出了实施例，并且与说明书一起用于说明本发明的原理。
[0016] 图1是示出根据本发明实施例的显示单元示意性构造的示意图。
[0017] 图2是示出每个像素中电路构造示例的示意图。
[0018] 图3是示出排列在行方向上的三个像素的行方向上截面构造示例的示意图。
[0019] 图4是示出一个像素的列方向上及其附近的截面构造示例的示意图。
[0020] 图5是示出图4中辅助配线附近截面构造的放大图。
[0021] 图6是示出像素区域中像素电极、辅助配线、分隔壁和接触区域的布置示例的示 意图。
[0022] 图7是示出像素区域中有机发光层、分隔壁和接触区域的布置示例的示意图。
[0023] 图8A是示出分隔壁平面形状示例的示意图。
[0024] 图8B是示出分隔壁平面形状示例的示意图。
[0025] 图8C是示出分隔壁平面形状示例的示意图。
[0026] 图8D是示出分隔壁平面形状示例的示意图。
[0027] 图8E是示出分隔壁平面形状示例的示意图。
[0028] 图8F是示出分隔壁平面形状示例的示意图。
[0029] 图9是示出制造显示单元的一系列工艺示例的截面图。
[0030] 图10是示出图9的工艺后的工艺示例的截面图。
[0031] 图11是示出图10的工艺后的工艺示例的截面图。
[0032] 图12是示出根据比较示例的显示面板的像素区域中像素电极、辅助配线和接触 区域的布置示例的示意图。
[0033] 图13是示出根据比较示例的显示面板的像素区域中有机发光层和接触区域的布 置示例的示意图。
[0034] 图14是示出一个像素的列方向上及其附近的截面构造的第一变型的示意图。
[0035] 图15是示出制造包括图14的截面构造的显示单元的一系列工艺示例的截面图。
[0036] 图16是示出图15工艺后的工艺示例的截面图。
[0037] 图17是示出图16工艺后的工艺示例的截面图。
[0038] 图18是示出图15工艺后的另一个工艺示例的截面图。
[0039] 图19是示出图18工艺后的工艺示例的截面图。
[0040] 图20是示出一个像素的列方向上及其附近的截面构造的第二变型的示意图。
[0041] 图21是示出一个像素的列方向上及其附近的截面构造的第三变型的示意图。
[0042] 图22A是示出制造包括图21的截面构造的显示单元的一系列工艺的示例的截面 图。
[0043] 图22B是示出图22A的工艺后的工艺示例的截面图。
[0044] 图23A是示出制造包括图21的截面构造的显示单元的一系列工艺的另一个示例 的截面图。
[0045] 图23B是示出图23A的工艺后的工艺的示例的截面图。
[0046] 图23C是示出图23B的工艺后的工艺的示例的截面图。
[0047] 图23D是示出图23C的工艺后的工艺的示例的截面图。
[0048] 图24是示出一个像素的列方向上及其附近的截面构造的第四变型的示意图。
[0049] 图25是示出一个像素在列方向上及其附近的截面构造的第五变型的示意图。
[0050] 图26是示出一个像素在列方向上及其附近的截面构造的第六变型的示意图。
[0051] 图27是示出一个像素在列方向上及其附近的截面构造的第七修改的示意图。
[0052] 图28是示出行方向上排列的三个像素在行方向上的截面构造的第一变型的示意 图。
[0053] 图29是示出行方向上排列的三个像素在行方向上的截面构造的第二变型的示意 图。
[0054] 图30是示出根据前述实施例和修改的任何一个的显示单元的应用示例1的外观 的透视图。
[0055] 图31A是示出应用示例2的从前侧看的外观的透视图。
[0056] 图31B是示出应用示例2的从后侧看的外观的透视图。
[0057] 图32是示出应用示例3的外观的透视图。
[0058] 图33是示出应用示例4的外观的透视图。
[0059] 图34A是应用示例5在打开状态下的正面视图，图34B是其侧视图，图34C是应用 示例5在闭合状态下的正面视图，图34D是其左视图，图34E是其右视图，图34F是其俯视 图，而图34G是其仰视图。

【具体实施方式】
[0060] 下面将参考附图详细说明本发明的实施例。说明将以下列顺序给出。
[0061] 1.实施例(显示单元）
[0062] 2.变型(显示单元）
[0063] 3.应用不例（电子设备）
[0064] 1.实施例
[0065] 构造
[0066] 图1示出了根据本发明实施例的显示单元1的示意性构造。例如，显示单元1可包 括显示面板10和连接到显示面板10的柔性印刷电路板（FPC) 20 (在下文称为"FPC20")。
[0067] 例如，显示面板10可构造为根据从外部输入的图像信号Vsigl至VsigN和同步信 号TP显示图像。显示面板10例如可具有其中在矩阵图案中形成多个像素11的像素区域 12、信号线驱动电路13和扫描线驱动电路14。例如，显示面板10可构造为当各像素11由 信号线驱动电路13和扫描线驱动电路14主动驱动时根据图像信号Vsigl至VsigN显示图 像。
[0068] 显示面板10具有在行方向上延伸的多个写入线WSL和在列方向上延伸的多个信 号线DTL。像素11设置为对应于信号线DTL和写入线WSL之间的交叉点。各信号线DTL连 接到信号线驱动电路13的输出端。各写入线WSL连接到扫描线驱动电路14的输出端。
[0069] 信号线驱动电路13可构造为通过FPC20从外部输入给各像素 11提供用于一个 水平线的作为信号电压的模拟图像信号Vsigl至VsigN。具体而言，信号线驱动电路13可 构造为例如通过信号线DTL为各个像素11提供用于一个水平线的模拟图像信号Vsigl至 VsigN，各个像素11构成由扫描线驱动电路14选择的一个水平线。
[0070] 扫描线驱动电路14例如可构造为根据通过FPC20从外部输入的同步信号TP选择 所要驱动的像素11。具体而言，扫描线驱动电路14例如构造为通过扫描线WSL向像素11 的像素电路施加选择脉冲(稍后描述）而从设置成矩阵图案的多个像素11当中选择一行像 素11作为所需驱动的像素。在所需驱动的像素11中，根据从信号线驱动电路13提供的信 号电压显示一个水平线。如上所描述，扫描线驱动电路14例如构造为以分时方式顺序扫描 每一个水平线，并且在整个像素区域12上执行显示。
[0071] 图2示出了像素11中电路构造的示例。像素11的每一个例如可具有像素电路15 和有机EL元件16。有机EL元件16例如可具有其中顺序层叠阳极电极、有机发光层和阴极 电极的构造。像素电路15例如可由驱动晶体管Trl、写入晶体管Tr2和保持电容器Cs构 成，并且具有2TrlC电路构造。写入晶体管Tr2构造为控制向驱动晶体管Trl的栅极施加 信号电压。具体而言，写入晶体管Tr2构造为取样信号线DTL的电压，并且将结果写入在驱 动晶体管Trl的栅极上。驱动晶体管Trl构造为驱动有机EL元件16,并且串联连接到有机 EL元件16。驱动晶体管Trl构造为根据写入晶体管Tr2写入电压的大小通过有机EL元件 16控制电流流动。保持电容器Cs构造为在驱动晶体管Trl的栅极和源极之间保持预定的 电压。应注意，像素电路15可具有通过向前述2TrlC电路增加各种电容器和/或晶体管而 获得的电路构造，或者可具有与前述2TrlC电路构造不同的电路构造。
[0072] 驱动晶体管Trl和写入晶体管Tr2的每一个例如可由η-沟道M0S-型薄膜晶体管 (TFT)形成。应注意，TFT的类型没有特别限制，并且例如可为倒置交错结构(所谓的底栅型） 或交错结构(顶栅型)。此外，驱动晶体管Trl和写入晶体管Tr2的每一个例如可由p-沟道 M0S-型TFT形成。
[0073] 写入晶体管Tr2的栅极连接到扫描线WSL。写入晶体管Tr2的源极和漏极之一连 接到信号线DTL，并且其另一个连接到驱动晶体管Trl的栅极。驱动晶体管Trl的源极和漏 极之一连接到电源线Vcc，并且其另一个连接到有机EL元件16的阳极。保持电容器Cs的 一端连接到驱动晶体管Trl的栅极，并且保持电容器Cs的另一端连接到驱动晶体管Trl的 源极和漏极在有机EL元件16侧的端子。
[0074] 例如，如图2所示，显示面板10可进一步具有连接到有机EL元件16的阴极的接 地线GND。接地线GND电连接到具有接地电位的外部电路。接地线GND例如可为形成在整 个像素区域12上的片状电极。接地线GND可为条状电极，形成为对应于像素行或像素列的 条状。
[0075] 像素11的每一个对应于构成显示面板10上的屏幕的最小单元点。显示面板10 是彩色显示面板，并且像素11可对应于发射例如红光、绿光和蓝光的单色光的子像素。像 素11可对应于发射诸如红光、绿光、蓝光和白光的单色光的子像素；或者可对应于发射诸 如红光、绿光、蓝光和黄光的单色光的子像素。下面，在像素11的每一个对应于发射红、绿 或蓝单色光的子像素的情况下描述像素11。
[0076] 图3示出了在行方向上排列的三个像素 11的行方向上的截面构造的示例。在该 实施例中，作为彩色显示器的像素(彩色像素)由具有不同发光颜色的三个像素11构成。彩 色像素中包括的三个像素11是发射红光的像素11R、发射绿光的像素11G和发射蓝光的像 素11B。在每个彩色像素中，三个像素11在行方向上直线排列，并且例如可在图中从左至右 的方向上按像素11R、像素11G和像素11B的顺序排列。此外，各个彩色像素设置成矩阵图 案，并且在列方向上彼此相邻的两个像素11发射相同颜色的光。就是说，像素区域12中的 像素设置是所谓的条纹设置。
[0077] 显示面板10例如可具有多个位于其中形成像素电路15的电路基板21上的有机 EL元件16。有机EL元件16具有其中有机发光层24夹设在像素电极22和透明电极25之 间的结构。就是说，像素电极22和透明电极25提供在像素区域12中。像素电极22对应 于本发明一个实施例中〃第一电极〃的具体示例。透明电极25对应于本发明一个实施例 中〃第二电极〃的具体示例。像素电极22相对于有机发光层24形成在电路基板21侧，并 且例如可用作有机EL元件16的阳极电极。为每个像素11独立地提供每一个像素电极22。 多个像素电极22在显示面板10内的一个平面中设置成矩阵图案。像素电极22由金属材 料制造，并且也用作反射镜以反射从透明电极25侧的有机发光层24发射的光。
[0078] 相反，透明电极25相对于有机发光层24形成在与电路基板21侧相对的一侧，并 且例如可用作有机EL元件16的阴极电极。透明电极25是形成在整个像素区域12上的片 状电极。透明电极25可为条状电极，该条状电极形成为对应于像素行或像素列的条状。透 明电极25例如可对应于前述的接地线GND。透明电极25用作各像素11中的公用电极。
[0079] 透明电极25是通过其透射可见光的电极，并且由透光导电材料制成。透光导电材 料的不例可包括包含Mg、Ag、Al、Cu和Au中的一种或多种的金属及其合金。透光导电材料 可为其中包含Ca和Li的一种或二种的前述金属的任何一种中或前述合金的任何一种中的 材料。在包含Ca和Li的一种或二种的前述金属的任何一种中或前述合金的任何一种中的 情况下，改善了导电材料的透光性(透明性)。例如，透光导电材料可由包含Ca和Li的一种 或二种、Mg以及Ag的任何金属和合金。在透明电极25由前述金属的任何一种或前述合金 的任何一种制成的情况下，透明电极25可通过气相沉积法(例如蒸发法)形成。透光导电材 料例如可由ΙΤΟ、ΙΖ0等制成。在透明电极25由ΙΤ0或ΙΖ0制成的情况下，透明电极25可 通过气相沉积法(例如溅射法）形成。
[0080] 有机发光层24例如从像素电极22侧开始可顺序具有改善空穴注入效率的空穴注 入层、改善将空穴传输到发光层的效率的空穴传输层、由于电子-空穴再结合产生光的发 光层、以及改善将电子传输到发光层的效率的电子传输层。有机射光层24发射白光。前述 发光层例如可具有层叠结构，从像素电极22侧开始依次包括发射红光的发光层、发射绿光 的发光层、以及发射蓝光的发光层。空穴注入层、空穴传输层、发光层和电子传输层例如可 由日本未审查专利申请公开No. 2012-209095中描述的材料制成。有机发光层24可通过气 相沉积法(例如蒸发法）形成。
[0081] 例如，如图3所示，显示面板10可具有在相邻有机EL元件16之间的间隙中的绝 缘层23。绝缘层23隔离并彼此绝缘相邻的像素电极22,并且是像素限定膜以精确地形成 发光区域的所希望形状。绝缘层23形成在与像素电极22相同的表面上，并且埋设在像素 电极22周围。绝缘层23的顶部表面设置为高于像素电极22的顶部表面。绝缘层23在与 像素电极22的顶部表面相对的位置处具有限定发光区域形状的开口（像素开口 23A)。像素 开口 23A对应于本发明一个实施例中的〃第一开口 〃的具体示例。有机发光层24至少形 成在像素开口 23A内，并且与像素电极22的顶表面当中的像素开口 23A的底部表面上暴露 的部分接触。透明电极25也至少形成在像素开口 23A内，并且与有机发光层24的顶部表 面当中的像素开口 23A之上的部分接触。绝缘层23由能透射可见光的树脂材料制成，并且 例如可由聚酰亚胺制成。
[0082] 显不面板10例如可具有与电路基板21位置相对的对置基板29,其间具有预定的 间隙。对置基板29构造为保护像素电路15、有机EL元件16等，并且例如可由玻璃基板或 透光树脂基板制成。显不面板10例如可具有在对置基板29的后表面（电路基板21侧的表 面）上的滤色器27和黑矩阵28。
[0083] 滤色器27设置在与像素电极22相对的位置，并且至少设置在像素11内。滤色器 27构造为以所希望的波长带选择性地透射从有机发光层24发出的光。在滤色器27中，例 如，使选择性透射的光的波长带对于像素11R、像素11G和像素11B的每一个均不同。例如， 滤色器27可具有在像素11R中选择性透射红光的红色滤光片27R、在像素11G中选择性透 射绿光的绿色滤光片27G、以及在像素11B中选择性透射蓝光的蓝色滤光片27B。
[0084] 黑矩阵28设置在不与像素电极22相对的位置(就是说，在像素11周围），并且例 如可设置在与滤色器27相同的平面中。黑矩阵28构造为阻挡从像素区域12中的像素11 周围泄漏的光，并且例如可包含吸收从有机发光层24发出的光的材料。
[0085] 显示面板10例如可具有在电路基板21和对置基板29之间间隙中的绝缘层26。 绝缘层26形成为埋设在电路基板21和对置基板29之间的间隙中。绝缘层26例如可设置 在透明电极25和滤色器27之间以及透明电极25和黑矩阵28之间，并且可与透明电极25、 滤色器27和黑矩阵28接触。绝缘层26由能透射可见光的树脂材料制成，并且例如可由聚 酰亚胺制成。
[0086] 图4示出了一个像素11在列方向上及其附近的截面构造的示例。图5示出了图4 中辅助配线30 (稍后描述）附近的放大截面构造。图6示出了像素区域12中像素电极22 (22R、22G和22B)、辅助配线30、分隔壁31 (稍后描述）和接触区域30A (稍后描述）的布置 示例。应注意，图3的截面图对应于沿着图6的线A-A剖取的截面。图4和图5的截面对 应于沿着图6的线B-B剖取的截面。图7示出了像素区域12中有机发光层24、分隔壁31 和接触区域30A的布置示例。
[0087] 显示面板10例如可具有在像素11 (或像素电极22)周围的多个辅助配线30。辅 助配线30提供为相邻于像素电极22,并且提供在多个像素电极22当中的两个相邻像素电 极22之间的间隙中。辅助配线30对应于本发明一个实施例中的〃金属构件〃的具体示例。 辅助配线30用于减小由于透明电极25的大电阻而产生的电压降。辅助配线30形成在电 路基板21上，并且例如可以与像素电极22设置在同一平面内。辅助配线30例如可在一个 制造工艺中与像素电极22 -起形成，并且可由与像素电极22相同的材料制成且具有与像 素电极22相同的厚度。辅助配线30例如可由包含Au、Pt、Ni、Cr、Cu、W、Mo和Ag中的一种 或多种材料的金属及其合金的任何一种制造。多个辅助配线30以与像素电极22绝缘的状 态设置在像素11周围。多个辅助配线30例如可在两个在列方向上彼此相邻的像素11之 间的间隙中的行方向上延伸。
[0088] 辅助配线30可形成在与像素电极22不同的平面中，并且例如可形成在比像素电 极22的层低的层中。然而，在此情况下，例如，显示面板10可优选具有多个焊盘状辅助电 极，以电连接到像素11 (或像素电极22)周围的辅助配线30。辅助电极提供为临近像素电 极22,并且提供在多个像素电极22当中的两个相邻像素电极22之间的间隙中。辅助电极 对应于本发明一个实施例中的"金属构件"的具体示例。辅助电极用于减小由于透明电极 25的大电阻而产生的电压降。辅助电极形成在电路基板21上，并且例如可与像素电极22 设置在同一平面内。辅助电极例如可在一个制造工艺中与像素电极22 -起形成，并且可由 与像素电极22相同的材料制成且与像素电极22具有相同的厚度。辅助电极例如可由包含 Au、Pt、Ni、Cr、Cu、W、Mo和Ag的一种或多种材料的金属及其合金的任何一种制成。多个辅 助电极以与像素电极22绝缘的状态设置在像素11周围。多个辅助电极例如可设置在两个 在列方向上彼此相邻的像素11之间的间隙中。
[0089] 绝缘层23使像素电极22与相邻于该像素电极22的辅助配线30绝缘且隔离，而 且绝缘层23埋设在辅助配线30周围。绝缘层23的顶部表面设置为高于辅助配线30的顶 部表面。绝缘层23在与辅助配线30的顶部表面相对的位置具有用于将辅助配线30电连 接到透明电极25的开口（接触开口 23B)。接触开口 23B对应于本发明一个实施例中的〃第 二开口 〃的具体示例。透明电极25也形成在接触开口 23B内，并且与辅助配线30的顶部 表面当中的接触开口 23B的底部表面上暴露部分的一部分接触。在下面的描述中，在接触 开口 23B的底部表面中，与透明电极25接触的部分称为接触区域30A。接触区域30A是辅 助配线30的顶部表面当中没有被绝缘层23和下述分隔壁31覆盖的区域。应注意，在提供 前述辅助电极的情况下，〃辅助配线30〃将看作本段之上和之下的〃辅助电极〃。
[0090] 显示面板10在与每个接触区域30A相邻的位置具有分隔壁31。接触区域30A存 在于分隔壁31和像素电极22之间。就是说，分隔壁31设置为相对于像素电极22,其间在 平面上具有接触区域30A。接触区域30A和分隔壁31例如可设置在列方向上彼此相邻的两 个像素11 (或两个像素电极22)之间的间隙中。应注意，在该实施例中，接触区域30A和分 隔壁31例如可设置于在行方向上彼此相邻的两个彩色像素之间的间隙中。分隔壁31用于 在制造工艺中在平面上选择性地形成有机发光层24。分隔壁31可与对置基板29或黑矩阵 28接触，其间在分隔壁31的顶表面上还形成有透明电极25。在此情况下，例如，分隔壁31 也可具有支撑对置基板29的功能。应注意，分隔壁31可形成为低到同样形成在分隔壁31 的顶部表面上的透明电极25不与对置基板29或黑矩阵28接触的程度。
[0091] 分隔壁31与辅助配线30的顶部表面当中的接触开口 23B的底部表面上暴露部分 的一部分接触。具体而言，分隔壁31与接触开口 23B的底部表面当中接触区域30A之外的 区域接触。例如，如上所述，在通过气相沉积法(例如蒸发法)形成有机发光层24的情况下， 有机发光层24形成在像素区域12的除了位于分隔壁31后面的区域(接触区域30A)外的 整个表面上。尽管取决于在制造方法中采用分隔壁31，但是有机发光层24在某些情况下 可形成在接触开口 23B的底部表面的一部分上(与其接触)，或者有机发光层24在某些情况 下可不形成在接触开口 23B的底部表面上(不与其接触)。就是说，有机发光层24形成在像 素电极22的顶部表面当中的除了接触开口 23B的底部表面暴露的部分(第一区域）的全部 或部分之外的包括像素开口 23A的底部表面暴露区域(第二区域）的表面上。因此，分隔壁 31与非接触区域30a的不与接触开口 23B的底部表面当中的有机发光层24接触的区域的 部分接触。严格地讲，分隔壁31与接触开口 23B的底部表面当中除了接触区域30A的区域 以及与有机发光层24接触的区域之外的区域接触。
[0092] 分隔壁31还与绝缘层23接触。具体而言，分隔壁31与接触开口 23B的侧表面当 中相邻于非接触区域30a的区域(相邻侧表面30b)接触，并且与绝缘层23的顶部表面当中 相邻于相邻侧表面30b的区域(相邻顶部表面30c)接触。就是说，分隔壁31与非接触区域 30a、相邻侧表面30b和相邻顶部表面30c的部分的所有三个位置接触。在与绝缘层23不 同的工艺中形成分隔壁31。分隔壁31和绝缘层23之间存在界面。
[0093] 分隔壁31例如可由金属材料、无机材料或有机材料制成。能用于分隔壁31的金 属材料的不例可包括Al、Ag、Mo、Ti、W和Cu中的一种以及包含其中一种或多种金属的合 金。此外，能用于分隔壁31的金属材料的示例包括ΙΤ0和ΙΖ0。在分隔壁31由任何一种前 述金属材料制成的情况下，例如，分隔壁31可通过溅射法形成由金属材料制成的膜，随后 通过光刻法和湿蚀刻法以预定形状成型其形成物而形成。分隔壁31例如可形成如下。首 先，通过溅射法依次层叠 A1和Mo。随后，通过光刻方法在其上形成具有按预定形状形成的 希望图案的抗蚀剂。接下来，利用抗蚀剂为掩模，将A1和Mo的层叠膜浸在磷酸、硝酸和乙 酸的混合酸中以执行蚀刻。其后，通过将抗蚀剂暴露到〇 2等离子体或在诸如有机溶剂的剥 离液体中溶解抗蚀剂而去除抗蚀剂。因此，可形成分隔壁31。能用于分隔壁31的无机材料 的示例可包括Si0 2、SiN和SiON。在分隔壁31由前述无机材料制成的情况下，通过CVD法 形成由无机材料制成的膜，并且随后通过光刻法和湿蚀刻法按预定形状成型所形成物而形 成分隔壁31。分隔壁31例如可如下形成。首先通过CVD法形成510 2膜。随后，通过光刻 法在其上形成具有按预定形状形成的所希望图案的抗蚀剂。接下来，利用抗蚀剂作为掩模， Si0 2膜浸在氢氟酸中以执行蚀刻。其后，通过将抗蚀剂暴露到02等离子体去除抗蚀剂或者 在诸如有机溶剂的剥离液体中溶解抗蚀剂。因此，可形成分隔壁31。能用于分隔壁31的有 机材料的示例可包括光敏树脂。光敏树脂的示例可包括聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、丙烯酸 树脂、酚醛树脂和聚羟基苯乙烯树脂。在分隔壁31由前述有机材料制成的情况下，分隔壁 31例如可这样形成，涂覆光敏树脂、通过光刻法按预定形状成型所形成物，并且加热和固化 所成型的光敏树脂。
[0094] 分隔壁31和绝缘层23的截面形状(列方向上的截面形状)例如可满足下面的公式 (1)至（3)。
[0095] θ 1 彡 90° …（1)
[0096] tan Θ 3=h/x…（2)
[0097] θ 2〈 θ 3〈 θ 1... (3)
[0098] θ 1 :由分隔壁31的侧表面和底部表面(辅助电极30的顶部表面）形成的角度(分 隔壁31的侧表面的倾角）
[0099] Θ 2 :由像素开口 23A的侧表面（内表面)和像素电极22形成的角度(像素开口 23A 的侧表面（内表面）的倾角）
[0100] Θ 3 :由连接分隔壁31的顶部表面的边缘和有机发光层24与接触开口 23B的底部 表面接触的边缘的线段；以及接触开口 23B的底部表面(辅助电极30的顶部表面）所成的 角度
[0101] h :分隔壁31距底部表面(辅助电极30的顶部表面）的高度
[0102] X :从分隔壁31的顶部表面的边缘垂直延长到接触开口 23B的底部表面(辅助电极 30的顶部表面)的线段与接触开口 23B的底部表面(辅助电极30的顶部表面)的交点；与有 机发光层24与接触开口 23B的底部表面接触的边缘之间的距离
[0103] 在分隔壁31和绝缘层23的截面形状满足前述公式（1)至（3)的情况下，像素开口 23A的侧表面（内表面）是锥形的，并且分隔壁31的侧表面是锥形的或坚直的。此外，像素 开口 23A的侧表面（内表面）倾斜翘起的程度大于分隔壁31的侧表面。因此，例如，通过以 角度Θ 3执行斜向蒸发，使得有机发光层24可以形成在像素开口 23A的整个底部表面上， 而接触区域30A形成在分隔壁31后面。
[0104] 接下来，将说明分隔壁31的平面形状。图8A至图8F示出了分隔壁31的平面形 状的示例。分隔壁31形成为与接触区域30A的一个或多个侧边接触。在接触区域30A为 正方形的情况下，分隔壁31可形成为与接触区域30A的一个或多个侧面接触。在接触区域 30A为正方形的情况下，分隔壁31例如可形成为仅与接触区域30A的一个侧面接触。此时， 分隔壁31的平面形状例如可为图8F所示的正方形形状。此外，在接触区域30A为正方形 形状的情况下，分隔壁31例如可形成为仅与接触区域30A的两个侧面接触。此时，分隔壁 31的平面形状例如可为如图8D所示的字母"L"状。此外，在接触区域30A为正方形形状的 情况下，分隔壁31例如可形成为与接触区域30A的仅三侧接触。此时，分隔壁31的平面形 状例如可具有图8A或图8C所示的字母"H"状或字母"U"状的形状。
[0105] 在接触区域30A为圆形、半圆形、椭圆形或半椭圆形的情况下，分隔壁31形成为与 接触区域30A的弯曲侧面接触。此时，分隔壁31的平面形状例如可形成图8B所示的字母 "C"状的形状。在接触区域30A为三角形的情况下，分隔壁31形成为与接触区域30A的两 个侧面接触。此时，分隔壁31的平面形状例如可具有如图8E所示的字母"V"状的形状。
[0106] 在平面中，分隔壁31可优选形成为在从180度到小于360度的范围围绕接触区域 30A的一部分。图8A、图8B、图8C和图8E中描述的分隔壁31满足前述条件。此外，例如， 如图8A、图8B、图8C或图8E所示，分隔壁31可优选具有在平面方向上180度之外的两个 方向上突出的凸起部分31A。在分隔壁31具有这样凸起部分31A的情况下，即使分隔壁31 以其间的透明电极25与对置基板29或黑矩阵28接触，分隔壁31也几乎不可能剥离。应 注意，尽管前述的"接触区域30A的部分"没有特别限制，但是，例如，接触区域30A的该部 分可为接触区域30A的平面形状中的重心位置。
[0107] 制造方法
[0108] 接下来，将说明根据该实施例的显示单元1的制造方法示例。图9至图11是示出 按照工艺顺序制造显示装置1的工艺示例的截面图。首先，通过气相沉积法(例如溅射法） 在电路基板21上形成金属材料膜后，通过光刻法和蚀刻成型按预定形状对所形成的膜进 行成型。因此，像素电极22和辅助电极30形成在电路基板21上(见图9)。应注意，可通过 与前述方法类似的方法在不同的工艺中形成像素电极22和辅助电极30。
[0109] 接下来，在包括像素电极22和辅助电极30的整个表面上涂覆诸如聚酰亚胺的光 敏绝缘树脂后，采用光刻法进行曝光和显影。因此，像素开口 23A形成在像素电极22上，并 且接触开口 23B形成在辅助电极30上（图9)。接下来，在绝缘层23具有像素开口 23A和接 触开口 23B的整个表面涂有诸如聚酰亚胺的光敏绝缘树脂后，利用光刻进行曝光和显影。 因此，分隔壁31形成在从接触开口 23B的底部表面的一部分到接触开口 23B的侧壁以及到 绝缘层23的顶部表面的区域中（图9)。此时，光敏绝缘树脂的厚度和曝光强度等可优选调 整为使分隔壁31和绝缘层23的截面形状满足前述的公式（1)至（3)。
[0110] 接下来，有机发光层24可通过气相沉积法(例如斜向蒸发法）形成在整个表面上 (图10)。此时，有机发光层24的材料相对于辅助电极30的顶部表面的进入方向设定为使 要形成接触区域30A的区域变为位于分隔壁31之后（隐藏在后)。此外，有机发光层24的 材料相对于辅助电极30(或像素电极22)的顶部表面的入射角可优选设定为角Θ 3。因此， 使得有机发光层24可以形成在像素开口 23A的底部表面暴露的像素电极22的整个顶部表 面上，而辅助电极30的顶部表面的一部分在接触开口 23B的底部表面上暴露(就是说，同时 形成接触区域30A)。
[0111] 接下来，例如，透明电极25可通过气相沉积法形成在整个表面上，与形成有机发 光层24时所用的气相沉积法相比，在该气相沉积法中减小了入射角的偏斜（图11)。因此， 在接触区域30A中，使得辅助电极30和透明电极25可以彼此电连接。应注意，在蒸发法中， 作为与形成有机发光层24时所用的气相沉积法相比减小了入射角的偏斜的方法，例如，可 采用其中电路基板21放置在旋转台上以及电路基板21旋转的方法。作为选择，可采用溅 射法替代蒸发法。因此，使得有机发光层24的材料可以从不同方向进入电路基板21。其 后，例如，透明电极25涂有诸如聚酰亚胺的光敏绝缘树脂，其后对置基板29附接至光敏绝 缘树脂，其中，滤色器27和黑矩阵28位于对置基板29和光敏绝缘树脂之间，并且固化光敏 绝缘树脂。因此，制造了显示单元1。
[0112] 效果
[0113] 接下来，将说明根据本实施例的显示单元1的效果。
[0114] 图12示出了在根据比较示例的显示面板的像素区域120中像素电极122R、122G 和122B、辅助配线130以及接触区域130A的布置示例。应注意，像素电极122R、122G和 122B对应于根据该实施例的像素电极22R、22G和22B。辅助配线130对应于根据该实施例 的辅助配线30。接触区域130A是辅助配线130的顶部表面的一部分，并且例如可为接触区 域130A中没有覆盖绝缘层而暴露的区域。
[0115] 在该比较示例中，作为将对应于根据该实施例的透明电极25的透明电极电连接 到辅助配线130的方法，例如，透明电极可以以与JP2002-318566A中描述的方法类似的方 式形成在接触区域130A上。在此情况下，在形成透明电极的工艺前，在形成有机发光层240 时，必须将有机发光层的形成区域设置在远离接触区域的位置，从而有机发光层240不形 成在接触区域130A中（图13)。这样做的一个原因是，在此情况下，保证了接触区域130A和 透明电极的电连接。然而，在此情况下，有机发光层240的形成区域减小，并且开口率降低。
[0116] 因此，以与JP2007-73323A和JP2007-103098A中描述的方法类似的方式，通过全 部形成有机发光层且随后去除其部分可形成接触区域。然而，在此情况下，在去除有机发光 层的工艺中的残留物可导致成品率下降。
[0117] 相反，在该实施例中，分隔壁31设置为与辅助配线30和绝缘层23上接触开口 23B 的底部表面的一部分接触。因此，例如，通过由气相沉积法(例如蒸发法）形成有机发光层 24,使得有机发光层24可以形成在包括像素开口 23A的底部表面的表面上，而接触区域30A 形成在分隔壁31的后面(隐藏在后)。就是说，对于阻止在接触区域30A中形成有机发光层 24不必采用掩模。此外，因为形成接触区域30A不必用掩模，掩模的精度余量和掩模的位置 间隙等在接触区域30A周围是不必要的。因此，因不必要的余量使得像素电极22和有机发 光层24可以形成得更宽。因此，使得可以形成接触区域30A而不采用去除有机发光层24 的工艺，并且使得可以提高开口率。
[0118] 此外，在该实施例中，分隔壁31设置为与辅助配线30和绝缘层23上的接触开口 23B的底部表面的一部分接触。因此，与其中分隔壁31设置为仅与辅助配线30接触的情 况相比，分隔壁31几乎不可能剥离。例如，在绝缘层23和分隔壁31二者由有机材料(疏水 材料)制成的情况下，绝缘层23和分隔壁31之间的粘合力很高，并且使得分隔壁31几乎不 可能被剥离。此外，例如，在绝缘层23和分隔壁31二者由无机材料(亲水材料）制成的情 况下，绝缘层23和分隔壁31之间的粘合力以及像素电极22和分隔壁31之间的粘合力很 高，并且使得分隔壁31几乎不可能被剥离。此外，例如，在绝缘层23和分隔壁31的材料类 型(疏水材料和亲水材料）彼此不同，并且分隔壁31由金属材料(亲水金属材料）或无机材 料(亲水金属材料)制成的情况下，像素电极22和分隔壁31之间的粘合力很高，并且绝缘层 23和分隔壁31之间的粘合力相当高。因此，在此情况下，也使得分隔壁31几乎不可能被剥 离。应注意，在金属材料(亲水金属材料）或无机材料(亲水材料）涂有有机材料(疏水材料） 的情况下，金属材料或无机材料和有机材料之间的粘合力可能受到包含在有机材料中的表 面活性剂的功能的抑制。因此，在绝缘层23由无机材料(亲水材料)制成，并且分隔壁31由 有机材料(疏水材料)制成的情况下，绝缘层23和分隔壁31之间的粘合力以及像素电极22 和分隔壁31之间的粘合力不是很高。然而，在此情况下，通过将分隔壁31成型为如图8A、 图8B、图8C和图8E所述难以剥离的平面形状，以便抵消绝缘层23和分隔壁31之间的粘 合力不足，使得可以抑制分隔壁31的剥离。此外，在该实施例中，像素开口 23A的侧表面的 倾斜翘起程度大于分隔壁31的侧表面。因此，例如，在有机发光层24通过气相沉积法(例 如蒸发法）形成的情况下，使得有机发光层24可以形成在像素开口 23A的整个底部表面上 (使得可以与其接触)。
[0119] 此外，在该实施例中，在分隔壁31形成为在平面内在180度到小于360度的范围 内围绕接触区域30A的一部分的情况下，使得分隔壁31几乎不可能被剥离。此外，即使分 隔壁31被小型化，也使得有机发光层24的材料对接触区域30A的粘合力可以被有效地保 持。结果，由于通过小型化分隔壁31获得的效果，使得可以提高开口率。此外，在分隔壁31 具有在平面方向上180度之外的两个方向上突出的凸起部分31A的情况下，也使得分隔壁 31几乎不可能被剥离。在如上所述分隔壁31的结构为其中使得分隔壁31几乎不可能被剥 离的情况下，例如，在通过气相沉积法形成透明电极25时，减少了透明电极25的材料进入 接触区域30A中的量，并且接触区域30A中的电阻值容易增加。因此，在此情况下，透明电 极25的厚度可增加。在该实施例中，在透明电极25由包含Ca和Li的一种或二种的透光 导电材料制成的情况下，即使增大透明电极25的厚度，也使得可以抑制透明电极25的透光 性(透明度)的下降。结果，在抑制显示单元1的光学特性下降的同时，使得可以抑制接触区 域30A中电阻值的增加，并且使得可以改善显示单元1的图像质量。
[0120] 2.变型
[0121] 下文中将说明根据前述实施例的显示单元1的各种变型。在下文的描述中，与前 述实施例的显示单元1中的部件相同的部件采用相同的附图标记。此外，对于与前述实施 例的显示单元1的部件相同的部件，将适当省略其描述。
[0122] 变型 1
[0123] 在前述实施例中，已经举例说明了其中分隔壁30的侧表面为锥形的情况。然而， 分隔壁30的侧表面可为倒锥形，例如，如图14所示。此时，分隔壁31和绝缘层23的截面 形状例如可满足前述公式（2)以及下面的公式（4)和（5)。
[0124] 90。〈 θ 1 彡 180。…（4)
[0125] θ 2〈 Θ 3 彡 90。...（5)
[0126] 在分隔壁31和绝缘层23的截面形状满足前述公式（2)、（4)和（5)的情况下，在 分隔壁31的侧表面下存在间隙，并且该间隙的底部表面变为接触区域30A。此外，像素开口 23A的侧表面（内表面）的倾斜程度大于连接分隔壁31的顶部表面的边缘和有机发光层24 与接触开口 23B的底部表面接触的边缘的线段。因此，通过以角度Θ 3执行斜向蒸发或者 从垂直于像素电极22的顶部表面的方向执行蒸发，使得可以在像素开口 23A的整个底部表 面上形成有机发光层24,同时将接触区域30A形成在分隔壁31的后面。
[0127] 接下来，将说明制造根据该变型的显示单元1的方法的示例。图15至图17是示 出按工艺顺序制造显示单元1的工艺示例的截面图。应注意，至到形成绝缘层23的工艺与 前述实施例的工艺类似，并且因此，下面将描述形成绝缘层23后的工艺。
[0128] 在形成绝缘层23后，具有像素开口 23A和接触开口 23B的绝缘层23的整个表面 涂有诸如聚酰亚胺的光敏绝缘树脂。随后，利用光刻法进行曝光和显影。因此，在从接触开 口 23B的底部表面的部分到接触开口 23B的侧表面以及到绝缘层23的顶部表面的区域中 形成分隔壁31 (图15)。此时，光敏绝缘树脂的厚度和曝光强度等可优选调整为使分隔壁 31和绝缘层23的截面形状满足前述公式（2 )、（ 4 )和（5 )。
[0129] 接下来，例如，有机发光层24可通过气相沉积法(例如斜向蒸发法）形成在整个表 面上（图16)。此时，有机发光层24的材料相对于辅助电极30的顶部表面的进入方向设定 为使要形成接触区域30A的区域变为位于分隔壁31后面(被隐藏在后面)。此外，有机发光 层24的材料相对于辅助电极30的顶部表面(或像素电极22)的入射角可优选设定为角度 Θ3。因此，使得有机发光层24可以形成在像素开口 23A的底部表面上暴露的像素电极22 的整个顶部表面上，而辅助电极30的顶部表面的一部分暴露在接触开口 23B的底部表面上 (也就是说，同时形成接触区域30A)。
[0130] 接下来，例如，透明电极25可通过气相沉积法形成在整个表面上，与形成有机发 光层24时所用的气相沉积法相比在该气相沉积法中减小了入射角的偏斜（图17)。因此，在 接触区域30A中，使得辅助电极30和透明电极25可以彼此电连接。应注意，在蒸发方法中， 作为相对于形成有机发光层24时所用气相沉积法减小入射角偏斜的方法，例如，可采用其 中电路基板21设置在旋转台上且电路基板21旋转的方法。作为选择，可采用溅射法代替 蒸发法。因此，使得有机发光层24的材料可以从不同方向进入电路基板21。此后，例如，透 明电极25涂有诸如聚酰亚胺的光敏绝缘树脂，之后对置基板29附接至光敏绝缘树脂，其中 滤色器27和黑矩阵28位于其间，并且光敏绝缘树脂被固化。因此，制造了根据该变型的显 示单元1。
[0131] 根据变型的显示单元1也可以下面的方法制造。图18和图19是示出按工艺顺序 制造根据该变型的显示单元1的另一种工艺示例的截面图。应注意，至到形成分隔壁31的 工艺与前述制造方法的工艺类似，因此，将描述形成分隔壁31后的工艺。
[0132] 在形成分隔壁31后，例如，有机发光层24可通过气相沉积法(例如蒸发法)形成在 整个表面上（图18)。例如，有机发光层24的材料的主入射角可设定为垂直于辅助电极30 (或像素电极22)。也就是说，采用垂直蒸发法作为气相沉积法。此时，有机发光层24的材 料几乎不可能进入分隔壁31的倒锥形侧表面下的部分。因此，在接触开口 23B当中，对应 于分隔壁31的倒锥形侧表面之下部分的一部分变为接触区域30A。因此，使得有机发光层 24可以形成在像素开口 23A的底部表面上暴露的像素电极22的整个顶部表面上，而辅助电 极30的顶部表面的部分暴露在接触开口 23B的底部表面上（也就是说，同时形成接触区域 30A)。
[0133] 接下来，例如，透明电极25可通过气相沉积法形成在整个表面上，与形成有机发 光层24时所用的气相沉积法相比在该气相沉积法中降低了入射角偏斜（图19)。因此，在接 触区域30A中，使得辅助配线30和透明电极25可以彼此电连接。应注意，在该蒸发法中， 作为与形成有机发光层24时所用的气相沉积法相比减小入射角偏斜的方法，例如，可采用 其中电路基板21设置在旋转台上，并且电路基板21旋转的方法。作为选择，溅射法可用于 替代蒸发法。因此，使得透明电极25的材料可以从不同方向进入电路基板21。其后，例如， 透明电极25可涂有诸如聚酰亚胺的光敏绝缘树脂，其后对置基板29可以附接至光敏绝缘 树脂，其中滤色器27和黑矩阵28位于其间，并且可固化光敏绝缘树脂。因此，制造了根据 该变型的显示单元1。
[0134] 变型 2
[0135] 在前述的变型1中，辅助电极30的顶部表面是平面。然而，例如，如图20所示，辅 助配线30的顶部表面当中的接触开口 23B的底部表面上暴露的部分(接触区域30A)可为 倾斜表面30B。倾斜表面30B形成为距分隔壁31的侧表面越远越向下倾斜。倾斜表面30B 和分隔壁31的侧表面形成的角可优选为约90度，并且可略微大于90度。倾斜表面30B可 为光滑的表面或者台阶表面。电路基板21在辅助配线30中形成倾斜表面30B的部分之下 的部分中是平面。在辅助配线30中，其在其中形成倾斜表面30B的部分中的厚度小于其在 其它部分中的厚度。作为在辅助配线30中形成倾斜表面30B的方法，例如，可采用辅助配 线30的顶部表面的局部蚀刻。
[0136] 在该变型中，辅助配线30的顶部表面当中接触开口 23B的底部表面上暴露的部分 是倾斜表面30B。因此，例如，在透明电极25通过气相沉积法形成在整个表面的情况下，与 形成有机发光层24时所用的气相沉积法相比该气相沉积法减小入射角的偏斜，使得具有 足够厚度的透明电极25可以形成在接触区域30A中。结果，在接触区域30A中，进一步保 证了辅助电极30和透明电极25之间的电连接。
[0137] 变型 3
[0138] 在前述变型2中，通过在辅助配线30中提供倾斜表面30B，辅助配线30的顶部表 面当中的接触开口 23B的底部表面上暴露的部分变为倾斜表面30B。然而，例如，如图21所 示，钵状凹陷部分21A可提供在电路基板21的顶部表面当中的接触开口 23B的底部表面下 的一部分中，并且辅助配线30的部分可设置在钵状凹陷部分21A内。在此情况下，使得辅助 配线30的顶部表面当中接触开口 23B的底部表面上暴露的部分也可以成为倾斜表面30B。
[0139] 就是说，在该变型中，电路基板21在接触开口 23B的底部表面下的部分中具有钵 状凹陷部分21A。此外，辅助配线30的部分设置在钵状凹陷部分21A内。此时，辅助配线 30的厚度是均匀的而不取决于位置。因此，在该变型中，使得辅助配线30的顶部表面当中 接触开口 23B的底部表面上暴露的部分可以成为倾斜表面30B，而辅助配线30的厚度基本 上保持均匀而不取决于位置。
[0140] 制造方法
[0141] 接下来，将描述制造根据该变型的显示单元1的方法的示例。图22A和图22B是 按照工艺顺序示出制造根据该变型的显示装置1的工艺示例的截面图。应注意，在该变型 中，电路基板21具有其上形成像素电路15的电路基板21a上的平坦膜21b。平坦膜21b例 如可由能经受通过光刻的曝光和显影的材料制成，并且例如可由光敏绝缘树脂制成。
[0142] 首先，在预定位置具有开口 100A和灰阶开口 100B的掩模100设置在电路基板21 上（图22A)。开口 100A是透过掩模100的通孔。灰阶开口 100B的结构为其中紫外线的透 过率低于通孔的透过率。接下来，例如，利用掩模100,执行光刻曝光，并且随后执行图像显 影（图22B)。因此，在一次曝光中，使得具有浅深度的凹陷部分21d和具有深深度的凹陷部 分21c可以同时形成在平坦膜21b中。应注意，凹陷部分21d可用作凹陷部分21A，并且凹 陷部分21c例如可用作其中埋设电连接像素电路15到像素电极22的通孔的位置。
[0143] 根据该变型的显示单元1例如可通过下列方法制造。图23A、图23B、图23C和图 24D是按照工艺顺序示出制造根据该变型的显示单元1的工艺的另一个示例的截面图。
[0144] 首先，在预定位置上具有两个开口 200A的掩模200设置在电路基板21上（图 23A)。开口 200A是透过掩模200的通孔。接下来，例如，利用掩模200,执行光刻曝光，并且 随后，执行显影（图23B)。因此，使得在平坦膜21b中可以形成两个具有浅深度的凹陷部分 21d。接下来，在一个凹陷部分21d之上具有一个开口 210A的掩模210设置在电路基板21 上（图23C)。开口 210A是透过掩模210的通孔。接下来，例如，利用掩模210,执行光刻曝 光，并且随后，执行显影（图23D)。因此，开口 210A下的凹陷部分21d进一步加深而变为凹 陷部分21c。如上所述，在两次曝光中，使得具有浅深度的凹陷部分21d和具有深深度的凹 陷部分21c可以形成在平坦膜21b中。应注意，凹陷部分21d可用作凹陷部分21A，并且凹 陷部分21c例如可用作其中埋设电连接像素电路15到像素电极22的通孔的位置。
[0145] 变型 4
[0146] 在前述实施例及其变型(变型1至3)中，分隔壁31与非接触区域30a、相邻侧表面 30b和相邻顶部表面30c的所有部分接触。然而，分隔壁31可仅与相邻侧表面30b和相邻 顶部表面30c接触。此外，例如，如图24和图25所示，分隔壁31可仅与相邻顶部表面30c 接触。然而，如图24所示，在分隔壁31的侧表面是锥形或者坚直的情况下，分隔壁31和绝 缘层23的截面形状例如可满足前述的公式（1)至公式（3)。此外，如图25所示，在分隔壁 30的侧表面是倒锥形的情况下，分隔壁31和绝缘层23的截面形状例如可满足前述的公式 (2)、（4)和（5)。
[0147] 在分隔壁31和绝缘层23的截面满足前述公式（1)至公式（3)的情况下，例如，通 过以角度Θ 3执行斜向蒸发，使得有机发光层24可以形成在像素开口 23A的整个底部表面 上，而接触区域30A形成在分隔壁31之后。此外，在分隔壁31和绝缘层23的截面形状满 足前述公式（2)、（4)和（5)的情况下，例如，通过以角度Θ 3执行斜向蒸发或者从垂直于像 素电极22的顶部表面的方向执行蒸发，使得有机发光层24可以形成在像素开口 23A的整 个底部表面上，而接触区域30A形成在分隔壁31之后。
[0148] 变型 5
[0149] 在前述实施例及其变型(变型1至4)中，绝缘层26提供为埋设在电路基板21和 对置基板29之间的间隙中。然而，例如，如图26和图27所示，间隙32可存在于电路基板 21和对置基板29之间。此时，分隔壁31可以以其间的透明电极与对置基板29或黑矩阵 28接触，或者分隔壁31可形成为低至分隔壁31不与对置基板29或黑矩阵28接触的程度。 在分隔壁31以其间透明电极25与对置基板29或黑矩阵28接触的情况下，例如，如图8A、 图8B、图8C或图8E所示，分隔壁31可优选具有在平面方向上除了 180度之外的两个方向 上突出的凸起部分31A。在分隔壁31具有这样凸起部分31A的情况下，即使分隔壁31以其 间的透明电极25与对置基板29或黑矩阵28接触，分隔壁31也几乎不可能被剥离。此外， 分隔壁31可优选形成为在平面上从180度到小于360度的范围上围绕接触区域30A的一 部分。图8A、图8B、图8C和图8E所描述的分隔壁31满足前述条件。在此情况下，例如，在 有机发光层24通过蒸发法形成的情况下，使得可以防止有机发光层24进入接触区域30A， 并且除此外，使得分隔壁31几乎不可能通过前述凸起部分的功能被剥离。
[0150] 变型 6
[0151] 在前述实施例及其变型(变型1至5)中，有机发光层24发射白光。然而，有机发 光层24可独立地发射不同颜色的光(例如红光、绿光和蓝光)。例如，如图28所示，有机发 光层24可具有像素11R、像素11G和像素11B公用的发射蓝光的有机发光层24B。此外，例 如，如图28所示，有机发光层24可具有有机发光层24R，其在对应于有机发光层24B上的像 素11R的区域上发射红光，并且可以具有有机发光层24G，其在对应于有机发光层24B的像 素11G的区域中发射绿光。应注意，有机发光层24B可仅提供在对应于像素11B的区域中。
[0152] 在显示面板10具有条纹排列的情况下，有机发光层24R是在列方向上连续形成的 条状以及在多个像素11R (像素电极22R)上的台阶。此外，有机发光层24G是在列方向上 连续形成的条状以及在多个像素11G (像素电极22G)上的台阶。因此，在分别执行涂覆有 机发光层24R和有机发光层24G涂层时，在像素11位置不必执行掩模在列方向上的对齐。 不必要在像素11位置执行掩模在列方向上的这种对齐，无论接触区域30A和分隔壁31是 否设置在列方向上彼此相邻的两个像素11之间的间隙中或者在行方向上彼此相邻的两个 彩色像素之间的间隙中。
[0153] 变型 7
[0154] 在前述实施例及其变型(变型1至6)中，显示面板10是彩色显示面板。然而，显 示面板10可为单色显示面板。例如，如图29所示，在显示面板10中，滤色器27可在图3 所示的构造中省略。
[0155] 变型 8
[0156] 在前述实施例及其变型(变型1至6)中，显示面板10具有条纹排列。然而，显示 面板10可具有任何其它排列。例如，在每个彩色像素由分别发射四种颜色光的四个像素11 构成的情况下，包括在每个彩色像素中的四个像素11例如可排列成二乘二矩阵图案。
[0157] 3.应用示例
[0158] 下面，将描述根据前述实施例及其变型(变型1至8)(在下文称为〃前述实施例等 〃）中描述的显示单元1的应用示例。根据前述实施例等的显示单元1可适用于任何领域的 电子设备的显示单元，用于将从外部输入的图像信号或者内部产生的图像信号显示为图片 或视频。电子设备的示例可包括电视机、数码相机、笔记本个人计算机、诸如移动电话的便 携式终端装置以及摄像机。
[0159] 应用示例1
[0160] 图30示出了应用根据前述实施例等的显示单元1的电视机的外观。该电视机例 如可具有图像显示屏部分300,图像显示屏部分300包括前面板310和滤光片玻璃320。图 像显示屏部分300由根据前述实施例等的显示单元1构造。
[0161] 应用示例2
[0162] 图31A和图31B示出了应用根据前述实施例等的显示单元1的数码相机的外观。 该数码相机例如可具有用于闪光的发光部分410、显示部分420、菜单开关430和快门按钮 440。显示部分420由根据前述实施例等的显示单元1构造。
[0163] 应用示例3
[0164] 图32示出了应用根据前述实施例等的显示单元1的笔记本个人计算机的外观。该 笔记本个人计算机例如可具有主体510、用于输入字符等操作的键盘520以及用于显示图 像的显示部分530。显示部分530由根据前述实施例等的显示单元1构造。
[0165] 应用示例4
[0166] 图33示出了应用根据前述实施例等的显示单元1的摄像机的外观。该摄像机例 如可具有主体610、用于摄取提供在主体610的前侧表面上的物体的镜头620、用于摄取的 启动-停止开关630以及显示部分640。显示部分640由根据前述实施例等的显示单元1 构造。
[0167] 应用示例5
[0168] 图34A至图34F示出了应用根据前述实施例等的显示单元1的移动电话的外观。 在移动电话中，例如，上封装710和下封装720可由连接部分(铰链部分)730连接。该移动 电话可具有显示器740、子显示器750、图片灯760和相机770。显示器740和子显示器750 的任何一个或二者由根据前述实施例等的显示单元1构造。
[0169] 尽管已经参考实施例和应用示例描述了本发明，但是本发明不限于前述实施例 等，而是可进行各种变型。
[0170] 例如，用于有源矩阵驱动的像素电路15的构造不限于前述实施例等中描述的构 造，并且在前述实施例等中可根据需要增加电容器或晶体管。在此情况下，随着像素电路15 的变化，可增加除前述信号线驱动电路13和扫描线驱动电路14等之外的必要驱动电路。
[0171] 此外，本发明包括本文描述的和本文结合的各个实施例的某些或全部的任何可能 的结合。
[0172] 从本发明上述示例性实施例至少能实现下述构造。
[0173] (1) 一种显示单元，包括：
[0174] 多个第一电极；
[0175] 金属构件，设置在该第一电极上周围；
[0176] 绝缘层，具有在该第一电极的对应一个上的第一开口和在该金属构件上的第二开 Π ；
[0177] 有机发光层，设置在包括该第一开口的底部表面但不包括该第二开口的底部表面 的全部或一部分的表面上；
[0178] 分隔壁，设置为至少与该第二开口的该底部表面的一部分以及该绝缘层中的该绝 缘层接触，该分隔壁的形成工艺与该绝缘层的形成工艺不同；以及
[0179] 第二电极，提供为与接触区域接触且与该有机发光层中的该第一开口的该底部表 面之上的部分接触，该接触区域是该第二开口的该底部表面的一部分。
[0180] (2)根据（1)所述的显示单元，其中该分隔壁与该第二开口的该底部表面的一部分 以及该绝缘层二者接触。
[0181] (3)根据（2)或（3)所述的显示单元，其中该第一开口的侧表面以大于该分隔壁的 侧表面倾斜的程度倾斜。
[0182] (4)根据（1)至（3)任何一项所述的显示单元，其中该分隔壁形成为在平面上在约 180度至小于约360的值的范围内围绕该接触区域的一部分。
[0183] (5)根据（1)至（4)任何一项所述的显示单元，其中该分隔壁包括在平面方向上不 成180度的两个方向上突出的凸起部分。
[0184] (6)根据（1)至（5)任何一项所述的显示单元，其中该分隔壁设置为在平面上与该 第一电极的对应的一个相对且其间具有该接触区域。
[0185] (7)根据（1)至（6)任何一项所述的显示单元，其中
[0186] 该有机发光层具有在该多个第一电极之上的台阶以及在列方向上连续形成的条 状的形状，并且
[0187] 该接触区域和该分隔壁设置在列方向上彼此相邻的该多个第一电极中的两个第 一电极之间的间隙中。
[0188] (8)根据（1)至（7)任何一项所述的显示单元，其中该第二电极由包含Ca和Li之 一或二者的透光导电材料制造。
[0189] (9)根据（1)至（8)任何一项所述的显示单元，其中该接触区域离该分隔壁的侧壁 越远越向下倾斜。
[0190] (10) -种提供有显示单元的电子设备，该显示单元包括：
[0191] 多个第一电极；
[0192] 金属构件，设置在该第一电极周围；
[0193] 绝缘层，具有在该第一电极的对应一个上的第一开口和在该金属构件上的第二开 Π ；
[0194] 有机发光层，设置在包括该第一开口的底部表面但不包括该第二开口的底部表面 的全部或一部分的表面上；
[0195] 分隔壁，设置为至少与该第二开口的该底部表面的一部分以及该绝缘层中的该绝 缘层接触，该分隔壁形成的工艺与该绝缘层的形成工艺不同；以及
[0196] 第二电极，设置为与接触区域接触，并且与该有机发光层中的该第一开口的该底 部表面之上的一部分接触，该接触区域是该第二开口的该底部表面的一部分。
[0197] (11) 一种制造显示单元的方法，该方法包括：
[0198] 形成绝缘层，该绝缘层具有在多个第一电极的对应一个上的第一开口和在金属构 件上的第二开口，该金属构件设置在该第一电极周围；
[0199] 通过气相扩散法形成分隔壁，该分隔壁至少与该第二开口的底部表面的一部分以 及该绝缘层中的该绝缘层接触；
[0200] 通过气相沉积法在包括该第一开口的底部表面但不包括该第二开口的该底部表 面的全部或部分的表面上形成有机发光层；以及
[0201] 通过气相沉积法形成第二电极，其中与形成该有机发光层所用的气相沉积法相比 减小了入射角的偏斜，该第二电极与接触区域接触且与该有机发光层中的该第一开口的该 底部表面之上的部分接触，该接触区域是该第二开口的该底部表面的一部分。
[0202] (12)根据（11)所述的制造显示单元的方法，其中
[0203] 该分隔壁的侧表面为倒锥形，并且
[0204] 该有机发光层的材料的主入射角设定为在形成该有机发光层中垂直于该金属构 件。
[0205] (13)根据（11)所述的制造显示单元的方法，其中
[0206] 该分隔壁的侧表面为锥形或坚直的，并且
[0207] 该有机发光层的材料的主入射角设定为在形成该有机发光层中相对于该金属构 件倾斜。
[0208] 本领域的技术人员应当理解的是，在所附权利要求或其等同方案的范围内，根据 设计需要和其他因素，可以进行各种变型、结合、部分结合和替换。相关申请的交叉引用
[0209] 本申请要求2013年4月19日提交的日本优先权专利申请JP2013-88634的权益， 其全部内容通过引用结合于此。
【权利要求】
1. 一种显示单元，包括： 多个第一电极； 金属构件，设置在该第一电极周围； 绝缘层，具有在该第一电极的对应一个上的第一开口和在该金属构件上的第二开口； 有机发光层，设置在包括该第一开口的底部表面但不包括该第二开口的底部表面的全 部或一部分的表面上； 分隔壁，设置为至少与该第二开口的该底部表面的一部分以及该绝缘层中的该绝缘层 接触，该分隔壁在与该绝缘层的形成工艺不同的工艺中形成；以及 第二电极，设置为与接触区域接触且与该有机发光层中该第一开口的该底部表面之上 的部分接触，该接触区域是该第二开口的该底部表面的一部分。
2. 根据权利要求1所述的显示单元，其中该分隔壁与该第二开口的该底部表面的一部 分以及该绝缘层二者接触。
3. 根据权利要求2所述的显示单元，其中该第一开口的侧表面以大于该分隔壁的侧表 面倾斜的程度倾斜。
4. 根据权利要求2所述的显示单元，其中该分隔壁形成为在平面上在约180度至小于 约360的值的范围围绕该接触区域的一部分。
5. 根据权利要求2所述的显示单元，其中该分隔壁包括在平面方向上不成180度的两 个方向上突出的凸起部分。
6. 根据权利要求2所述的显示单元，其中该分隔壁设置为在平面上与该第一电极的对 应的一个相对且其间具有该接触区域。
7. 根据权利要求6所述的显示单元，其中 该有机发光层具有在该多个第一电极之上的台阶以及在列方向上连续形成的条状的 形状，并且 该接触区域和该分隔壁设置在列方向上彼此相邻的该多个第一电极中的两个第一电 极之间的间隙中。
8. 根据权利要求2所述的显示单元，其中该第二电极由包含Ca和Li之一或二者的透 光导电材料制成。
9. 根据权利要求2所述的显示单元，其中该接触区域离该分隔壁的侧壁越远越向下倾 斜。
10. -种设置有显示单元的电子设备，该显示单元包括： 多个第一电极； 金属构件，设置在该第一电极周围； 绝缘层，具有在该第一电极的对应一个上的第一开口和在该金属构件上的第二开口； 有机发光层，设置在包括该第一开口的底部表面但不包括该第二开口的底部表面的全 部或一部分的表面上； 分隔壁，设置为至少与该第二开口的该底部表面的一部分以及该绝缘层中的该绝缘层 接触，该分隔壁在与该绝缘层的形成工艺不同的工艺中形成；以及 第二电极，设置为与接触区域接触，并且与该有机发光层中的该第一开口的该底部表 面之上的一部分接触，该接触区域是该第二开口的该底部表面的一部分。
11. 一种制造显示单元的方法，该方法包括： 形成绝缘层，该绝缘层具有在多个第一电极的对应一个上的第一开口和在金属构件上 的第二开口，该金属构件设置在该第一电极周围； 通过气相扩散法形成分隔壁，该分隔壁至少与该第二开口的底部表面的一部分以及该 绝缘层中的该绝缘层接触； 通过气相沉积法在包括该第一开口的底部表面但不包括该第二开口的该底部表面的 全部或部分的表面上形成有机发光层；以及 通过气相沉积法形成第二电极，其中与形成该有机发光层所用的该气相沉积法相比减 小了入射角的偏斜，该第二电极与接触区域接触且与该有机发光层中该第一开口的该底部 表面之上的部分接触，该接触区域是该第二开口的该底部表面的一部分。
12. 根据权利要求11所述的制造显示单元的方法，其中 该分隔壁的侧表面为倒锥形，并且 该有机发光层的材料的主入射角设定为在形成该有机发光层中垂直于该金属构件。
13. 根据权利要求11所述的制造显示单元的方法，其中 该分隔壁的侧表面为锥形或坚直的，并且 该有机发光层的材料的主入射角设定为在形成该有机发光层中相对于该金属构件倾 斜。
【文档编号】H01L51/52GK104112762SQ201410144829
【公开日】2014年10月22日 申请日期:2014年4月11日 优先权日:2013年4月19日
【发明者】藤井拓磨, 藤冈弘文, 前川达也, 西川智孝 申请人:索尼公司