被动调q单纵模激光器的制造方法
【专利摘要】本实用新型涉及一种被动调Q单纵模激光器，包括激光二极管(1)、第一聚焦透镜(2)、第二聚焦透镜(3)、激光晶体(4)、被动调Q晶体(5)和耦合器(6)，所述第一聚焦透镜(2)、第二聚焦透镜(3)依次设置在所述激光二极管(1)和激光晶体(4)之间，所述激光晶体(4)与被动调Q晶体(5)并列设置，所述被动调Q晶体(5)设置在激光晶体(4)和耦合器(6)之间。本实用新型提供的被动调Q单纵模激光器利用缩短腔长增加纵模间隔从而获得单纵模输出，得到单纵模连续的种子源结合主振荡放大器法获得大能量的输出，经过Q调制获得脉冲单纵模激光。
【专利说明】
被动调Q单纵模激光器
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种采用二极管泵浦的被动调Q单纵模激光器，尤其涉及一种被动调Q单纵模激光器，属于激光器领域。
【背景技术】
[0002]激光二极管(简称LD)泵浦的脉冲单纵模激光器具有线宽窄、峰值功率高、稳定性好、体积小等优点，主要用于外差探测和相干成像，在测距、测速和光谱学中都有很多用途。其中，1064nm的脉冲单纵模激光还可以通过倍频技术获得532nm的绿光，应用于分子生物学，如激光捕获显微切割技术。
[0003]随着二极管泵浦的固体激光器技术的迅速发展，单纵模固体激光技术达到了较高的水平。根据纵模选择理论，实现单纵模输出主要有两个途径。一方面缩短腔长或在腔内插入纵模选择元件，选出单纵模；另一方面依靠模式间自身竞争并消除空间烧孔效应，使激光振荡在某一模式，一般在腔内插入隔离器形成单向行波腔。但是目前的激光器普遍存在输出能量较小，峰值功率较低的情况。
实用新型内容
[0004]为了克服现有技术的不足，解决好现有技术的问题，弥补现有目前市场上现有产品的不足。
[0005]本实用新型提供了一种被动调Q单纵模激光器，包括激光二极管、第一聚焦透镜、第二聚焦透镜、激光晶体、被动调Q晶体和耦合器，所述第一聚焦透镜、第二聚焦透镜依次设置在所述激光二极管和激光晶体之间，所述激光晶体与被动调Q晶体并列设置，所述被动调Q晶体设置在激光晶体和耦合器之间。
[0006]优选的，上述激光晶体为Nd =YAG激光晶体。
[0007]优选的，上述被动调Q晶体为Cr4+ =YAG被动调Q晶体。
[0008]优选的，上述耦合器与所述激光晶体之间的距离为8mm。
[0009]优选的，上述Nd =YAG激光晶体厚度为1.5mm,两侧分别镀有增透膜。
[0010]本实用新型提供的被动调Q单纵模激光器，利用缩短腔长增加纵模间隔从而获得单纵模输出，得到单纵模连续的种子源结合主振荡放大器法获得大能量的输出，经过Q调制获得脉冲单纵模激光。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1为本实用新型结构示意图。
[0012]附图标记:1_激光二极管(LD) ;2_第一聚焦透镜；3_第二聚焦透镜；4_激光晶体；5-被动调Q晶体；6_稱合器。
【具体实施方式】
[0013]为了便于本领域普通技术人员理解和实施本实用新型，下面结合附图及【具体实施方式】对本实用新型作进一步的详细描述。
[0014]本实用新型提供的被动调Q单纵模激光器，包括激光二极管1、第一聚焦透镜2、第二聚焦透镜3、激光晶体4、被动调Q晶体5和耦合器6，所述第一聚焦透镜2、第二聚焦透镜3依次设置在所述激光二极管I和激光晶体4之间，所述激光晶体4与被动调Q晶体5并列设置，所述被动调Q晶体5设置在激光晶体4和耦合器6之间。激光晶体4为Nd =YAG激光晶体。被动调Q晶体5为Cr4+ =YAG被动调Q晶体。耦合器6与所述激光晶体4之间的距离为8mm。Nd:YAG激光晶体厚度为1.5mm，两侧分别镀有增透膜。
[0015]其中LD固定在热沉上，并且带有半导体制冷器，LD发射的光经过第一聚焦透镜2和第二聚焦透镜3汇聚后进入Nd =YAG激光晶体4，再经过Cr4+ =YAG被动调Q晶体5和耦合器6后输出。
[0016]本实用新型提供的被动调Q单纵模激光器，利用缩短腔长增加纵模间隔从而获得单纵模输出，得到单纵模连续的种子源结合主振荡放大器法获得大能量的输出，经过Q调制获得脉冲单纵模激光。获得输出重复频率为1.9-52kHz，脉宽为1.4-2.9ns的单纵模激光，在泵浦功率为1.8W的情况下峰值功率达到最高值17.6kW。
[0017]以上所述之【具体实施方式】为本实用新型的较佳实施方式，并非以此限定本实用新型的具体实施范围，本实用新型的范围包括并不限于本【具体实施方式】，凡依照本实用新型之形状、结构所作的等效变化均在本实用新型的保护范围内。
【权利要求】
1.一种被动调Q单纵模激光器，其特征在于:所述激光器包括激光二极管(I)、第一聚焦透镜(2)、第二聚焦透镜(3)、激光晶体(4)、被动调Q晶体(5)和耦合器￠)，所述第一聚焦透镜(2)、第二聚焦透镜(3)依次设置在所述激光二极管(I)和激光晶体(4)之间，所述激光晶体(4)与被动调Q晶体(5)并列设置，所述被动调Q晶体(5)设置在激光晶体(4)和率禹合器(6)之间。
2.根据权利要求1所述的被动调Q单纵模激光器，其特征在于:所述激光晶体(4)为Nd =YAG激光晶体。
3.根据权利要求1所述的被动调Q单纵模激光器，其特征在于:所述被动调Q晶体(5)为Cr4+ =YAG被动调Q晶体。
4.根据权利要求1所述的被动调Q单纵模激光器，其特征在于:所述耦合器(6)与所述激光晶体⑷之间的距离为8mm。
5.根据权利要求2所述的被动调Q单纵模激光器，其特征在于:所述Nd=YAG激光晶体厚度为1.5mm，两侧分别镀有增透膜。
【文档编号】H01S3/0941GK204012176SQ201420393693
【公开日】2014年12月10日 申请日期:2014年7月11日 优先权日:2014年7月11日
【发明者】励盼攀 申请人:励盼攀