通孔铜柱直通散热led芯片封装结构的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种通孔铜柱直通散热LED芯片封装结构，包括底层成型体、顶层封装体、LED晶片、正极金线、负极金线、正极焊层、负极焊层和铜柱，LED晶片、正极焊层和负极焊层置于底层成型体的一面上，LED晶片通过正极金线电连接正极焊层，且该LED晶片通过负极金线电连接负极焊层；顶层封装体与底层成型体连接后将LED晶片封装在内，且正极焊层和负极焊层有金属连接端露出；底层成形体内部中空出一通孔，铜柱置于该通孔中，且LED晶片与该铜柱热接触。本案在底层成形体内部中空出一通孔，LED晶片利用通孔内置的铜柱直接将热量导出，散热效果好，提高了LED的寿命。利用利用层状双体的中部夹持住发光源，出光角度更大。
【专利说明】 通孔铜柱直通散热LED芯片封装结构
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及绿色照明【技术领域】，尤其涉及一种通孔铜柱直通散热LED芯片封装结构。
【背景技术】
[0002]目前，贴片式LED—般采用封装体，封装体由于体积小，重量轻，散射角度大，发光均匀性好，可靠性高，抗振能力强，高频性能好，易于实现自动化提高生产效率，所以广泛应用于照明、显示器、背光等领域。
[0003]现有的LED灯封装结构中，支架体采用塑料材质，发光体产生的热量通过塑料材质转换到散热基板时，热传递效率不高，散热效果不好，不仅无法制作大功率的LED封装，而且导致LED芯片的寿命缩短。
【发明内容】
[0004]针对上述技术中存在的不足之处，本实用新型提供一种散热效果好且芯片寿命长的通孔铜柱直通散热LED芯片封装结构。
[0005]为实现上述目的，本实用新型提供一种通孔铜柱直通散热LED芯片封装结构，包括底层成型体、顶层封装体、LED晶片、正极金线、负极金线、正极焊层、负极焊层和铜柱，所述LED晶片、正极焊层和负极焊层置于底层成型体的一面上，所述LED晶片通过正极金线电连接正极焊层，且该LED晶片通过负极金线电连接负极焊层；所述顶层封装体与底层成型体连接后将LED晶片封装在内，且正极焊层和负极焊层有金属连接端露出；所述底层成形体内部中空出一通孔，所述铜柱置于该通孔中，且LED晶片与该铜柱热接触。
[0006]其中，所述底层成型体和顶层封装体为环氧树脂材质，且底层成型体为掺杂具有反射效果的不透光结构，所述顶层封装体的表面设有Si02增透薄膜。
[0007]其中，所述底层成型体为聚乙烯材质，所述顶层封装体为环氧树脂材质，且底层成型体为掺杂具有反射效果的不透光结构，所述顶层封装体的表面设有Si02增透薄膜。
[0008]其中，所述底层成型体和顶层封装体为环氧树脂材质，该底层成型体为透光结构，所述底层成型体和顶层封装体表面均设有Si02增透薄膜。
[0009]其中，所述底层成型体为聚乙烯材质，所述顶层封装体为环氧树脂材质，该底层成型体为透光结构，所述底层成型体和顶层封装体表面均设有Si02增透薄膜。
[0010]本实用新型的有益效果是:与现有技术相比，本实用新型提供的通孔铜柱直通散热LED芯片封装结构，在底层成形体内部中空出一通孔，LED晶片可以利用这个通孔内置的铜柱直接将热量导出，散热效果好，提高了 LED的寿命。另，利用利用层状双体的中部夹持住发光源，使得发光源被抬高一段位移，这样出光角度更大；又利用封装的双焊层结构，并利用金线进行焊接导电，可以显著提高电连接的可靠性；又顶层封装体为环氧树脂材质，光强损失小，出光效率更高。
[0011]进一步地，通孔铜柱直通散热LED芯片封装结构可以有多种变形:
[0012]第一种为上下均为环氧树脂的反射结构，这样的布置可以提高定向发光强度，发光切线好，无需反光杯即可实现高反射光。
[0013]第二种为上环氧树脂下聚乙烯的反射结构，这样的布置可以提高定向发光强度，发光切线好，无需反光杯即可实现高反射光。
[0014]第三种为上下均为环氧树脂的透明结构，这样的布置可以最大限度地拓展出光角度，使得发光源360度全发光。
[0015]第四种为上环氧树脂下聚乙烯的透光结构，利用聚乙烯材质的特性，安装在不同规格的散热基板上，成型体具有较高的耐高温特性。
【专利附图】
【附图说明】
[0016]图1为本实用新型的通孔铜柱直通散热LED芯片封装结构的示意图。
[0017]主要元件符号说明如下:
[0018]10、底层成型体11、顶层封装体
[0019]12、LED晶片13、正极金线
[0020]14、负极金线15、正极焊层
[0021]16、负极焊层17、铜柱
[0022]171、通孔
【具体实施方式】
[0023]为了更清楚地表述本实用新型，下面结合附图对本实用新型作进一步地描述。
[0024]请参阅图1，本实用新型的一种通孔铜柱直通散热LED芯片封装结构，包括底层成型体10、顶层封装体11、LED晶片12、正极金线13、负极金线14、正极焊层15、负极焊层16和铜柱17，LED晶片12、正极焊层15和负极焊层16置于底层成型体10的一面上，LED晶片12通过正极金线13电连接正极焊层15，且该LED晶片12通过负极金线14电连接负极焊层16 ;顶层封装体11与底层成型体10连接后将LED晶片12封装在内，且正极焊层15和负极焊层16有金属连接端露出；底层成形体10内部中空出一通孔171，铜柱17置于该通孔171中，且LED晶片12与该铜柱17热接触。
[0025]相较于现有技术的情况，本实用新型提供的通孔铜柱直通散热LED芯片封装结构，在底层成形体内部中空出一通孔，LED晶片可以利用这个通孔内置的铜柱直接将热量导出，散热效果好，提高了 LED的寿命。另，利用利用层状双体的中部夹持住发光源，使得发光源被抬高一段位移，这样出光角度更大；又利用封装的双焊层结构，并利用金线进行焊接导电，可以显著提高电连接的可靠性；又顶层封装体为环氧树脂材质，光强损失小，出光效率更高。
[0026]本实用新型的优势在于，通孔铜柱直通散热LED芯片封装结构可以有多种变形:
[0027]第一种为上下均为环氧树脂的反射结构，底层成型体10和顶层封装体11为环氧树脂材质，且底层成型体10为掺杂具有反射效果的不透光结构。这样的布置可以提高定向发光强度，发光切线好，无需反光杯即可实现高反射光。
[0028]第二种为上环氧树脂下聚乙烯的反射结构，底层成型体10为聚乙烯材质，顶层封装体11为环氧树脂材质，且底层成型体为掺杂具有反射效果的不透光结构。这样的布置可以提高定向发光强度，发光切线好，无需反光杯即可实现高反射光。
[0029]第三种为上下均为环氧树脂的透明结构，底层成型体10和顶层封装体11为环氧树脂材质，该底层成型体10为透光结构，其表面设有Si02增透薄膜。这样的布置可以最大限度地拓展出光角度，使得发光源360度全发光。
[0030]第四种为上环氧树脂下聚乙烯的透光结构，底层成型体10为聚乙烯材质，顶层封装体11为环氧树脂材质，该底层成型体10为透光结构，其表面设有Si02增透薄膜。利用聚乙烯材质的特性，安装在不同规格的散热基板上，成型体具有较高的耐高温特性。
[0031]以上公开的仅为本实用新型的几个具体实施例，但是本实用新型并非局限于此，任何本领域的技术人员能思之的变化都应落入本实用新型的保护范围。
【权利要求】
1.一种通孔铜柱直通散热LED芯片封装结构，其特征在于，包括底层成型体、顶层封装体、LED晶片、正极金线、负极金线、正极焊层、负极焊层和铜柱，所述LED晶片、正极焊层和负极焊层置于底层成型体的一面上，所述LED晶片通过正极金线电连接正极焊层，且该LED晶片通过负极金线电连接负极焊层；所述顶层封装体与底层成型体连接后将LED晶片封装在内，且正极焊层和负极焊层有金属连接端露出；所述底层成形体内部中空出一通孔，所述铜柱置于该通孔中，且LED晶片与该铜柱热接触。
2.根据权利要求1所述的通孔铜柱直通散热LED芯片封装结构，其特征在于，所述底层成型体和顶层封装体为环氧树脂材质，且底层成型体为掺杂具有反射效果的不透光结构，所述顶层封装体的表面设有Si02增透薄膜。
3.根据权利要求1所述的通孔铜柱直通散热LED芯片封装结构，其特征在于，所述底层成型体为聚乙烯材质，所述顶层封装体为环氧树脂材质，且底层成型体为掺杂具有反射效果的不透光结构，所述顶层封装体的表面设有Si02增透薄膜。
4.根据权利要求1所述的通孔铜柱直通散热LED芯片封装结构，其特征在于，所述底层成型体和顶层封装体为环氧树脂材质，该底层成型体为透光结构，所述底层成型体和顶层封装体表面均设有Si02增透薄膜。
5.根据权利要求1所述的通孔铜柱直通散热LED芯片封装结构，其特征在于，所述底层成型体为聚乙烯材质，所述顶层封装体为环氧树脂材质，该底层成型体为透光结构，所述底层成型体和顶层封装体表面均设有Si02增透薄膜。
【文档编号】H01L33/60GK204067423SQ201420416470
【公开日】2014年12月31日 申请日期:2014年7月28日 优先权日:2014年7月28日
【发明者】许海鹏 申请人:深圳市新光台电子科技有限公司