一种增加铜柱间爬电距离的母排绝缘膜的制作方法
【专利摘要】本实用新型涉及用于优化叠层母排爬电距离的布局结构领域，具体涉及一种增加铜柱间爬电距离的母排绝缘膜，其具体包括绝缘膜、铜柱和母排，绝缘膜包括封边沿，母排包括垫片。绝缘膜设置设置在铜柱周围的母排表面。封边沿由双层绝缘膜反面叠层组成，其设置在垫片边沿与母排表面之间。封边沿与母排表面之间存在空间间隙。垫片设置固定在铜柱周围的母排表面。有益效果：显著增加了铜柱间爬电距离，具体可提高50％以上，提升了母排的安全性，同时本技术方案结构简单，制作方便，生产成本低，易于推广。
【专利说明】一种增加铜柱间爬电距离的母排绝缘膜
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及用于优化叠层母排爬电距离的布局结构领域，具体涉及一种增加铜柱间爬电距离的母排绝缘膜。
【背景技术】
[0002]母排是一种常用的电子元器件，其采用铜板作为主要的导电材料，并在铜板表面上设置有绝缘膜层，绝缘膜层中设置有若干铜柱部位用于连接各种电容和IGBT。铜柱间的爬电距离是母排设计中常用的参数之一，其合理的设计对母排的安全性有重要意义。常规增加爬电距离方式均为在端子周围增加绝缘垫片、增设沟槽等绝缘物，但常规方法使得该类产品结构变得结构，相应地增加了生产工序，增加了生产成本，且增加的绝缘物存在脱落、绝缘粘接密封性不好，安装时干涉等问题。
实用新型内容
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是:提供了一种增加铜柱间爬电距离的母排绝缘膜，特别是一种结构简单，成本低，制作方便，又可满足增加母排铜柱间爬电距离的叠层母排绝缘膜。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型提供的技术方案:一种增加铜柱间爬电距离的母排绝缘膜，其具体包括绝缘膜、铜柱和母排，绝缘膜包括封边沿，母排包括垫片。
[0005]绝缘膜设置在铜柱周围的母排表面。
[0006]封边沿由双层绝缘膜反面叠层组成，其设置在垫片边沿与母排表面之间。封边沿与母排表面之间存在空间间隙。
[0007]垫片设置固定在铜柱周围的母排表面。
[0008]进一步优化的方案中，铜柱和母排采用T2紫铜制成。
[0009]采用了上述技术方案后，本实用新型的有益效果是:
[0010]相对于已公开的技术方案，本技术方案通过双层绝缘膜反面叠层组成的封边沿，显著增加了铜柱间爬电距离，具体可提高50 %，提升了母排的安全性，同时本技术方案结构简单，制作方便，生产成本低，易于推广。
【专利附图】
【附图说明】
[0011]图1 一种增加铜柱间爬电距离的母排绝缘膜剖面图
[0012]图2母排绝缘膜对比图
【具体实施方式】
[0013]下面结合附图1至附图2和具体实施例对本实用新型进行详细描述，但不作为对本实用新型的限定。
[0014]如附图1所示，一种增加铜柱间爬电距离的母排绝缘膜，其包括绝缘膜1、铜柱2和母排3，绝缘膜I包括封边沿11，母排3包括垫片31。
[0015]绝缘膜I设置在铜柱周围的母排3表面。
[0016]封边沿11由双层绝缘膜I反面叠层组成，其设置在垫片31边沿与母排3表面之间。封边沿11与母排3表面之间存在空间间隙。
[0017]垫片31设置固定在铜柱2周围的母排表面。
[0018]如附图2所示，上述实施方式中，一般的母排绝缘膜，其仅有单层封边，且封边与母排3间没有空间间隙，爬电距离较小，而按照本技术进行改进后的母排绝缘膜，由于封边沿11为采用双层绝缘膜I反面叠层方式组成的，因此铜柱2间爬电距离可显著增加，具体可增加50 %的距离，同时本产品结构简单，制作方便，生产成本低，易于推广。
[0019]在上述实施方式的基础上，铜柱2和母排3采用T2紫铜制成。
[0020]由技术常识可知，本技术方案可以通过其它的不脱离其精神实质或必要特征的实施方案来实现。因此，上述公开的实施方案，就各方面而言，都只是举例说明，并不是仅有的。所有在本实用新型范围内或在等同于本实用新型的范围内的改变均被本实用新型包含ο
【权利要求】
1.一种增加铜柱间爬电距离的母排绝缘膜，其包括绝缘膜(I)、铜柱(2)和母排(3)，所述绝缘膜(I)包括封边沿(11)，所述母排(3)包括垫片(31)； 其特征在于: 所述绝缘膜(I)设置在铜柱周围的母排(3)表面； 所述封边沿(11)由双层绝缘膜(I)反面叠层组成，其设置在垫片(31)边沿与母排(3)表面之间；封边沿(11)与母排(3)表面之间存在空间间隙；所述垫片(31)设置固定在铜柱(2)周围的母排表面。
2.根据权利要求1所述的母排绝缘膜，其特征在于:所述铜柱(2)和母排(3)采用T2紫铜制成。
【文档编号】H01B7/02GK204190113SQ201420638167
【公开日】2015年3月4日 申请日期:2014年10月19日 优先权日:2014年10月19日
【发明者】刘杰, 林国军 申请人:深圳巴斯巴科技发展有限公司