1.一种红色无机发光二极管显示器件，发出红色可见光，发光波长在570nm到670nm之间，即显示红色的视频图像，其包括多个像素驱动电路器件和多个像素发光器件，每个像素驱动电路器件和每个像素发光器件通过互连电极连接在一起，可以实现每个像素驱动电路器件对每个像素发光器件的独立控制，其特征在于，从互连电极开始，每个像素发光器件各层的顺序依次为：P型电极、P型无机半导体层、发光无机半导体层、N型无机半导体层、刻蚀阻挡层，而且像素发光器件材料生长所需的不透明衬底在器件制作过程中被刻蚀或剥离，即像素发光器件结构不包括不透明衬底；
上述红色无机发光二极管显示器件的制作方法，制作方法包括：
(1)像素驱动电路器件在硅衬底上制作，每个像素驱动电路器件包括场效应管和静态存储器；
(2)像素发光器件处于砷化镓(GaAs)衬底，从砷化镓(GaAs)衬底开始依次为：磷化铟镓(GaInP)刻蚀阻挡层、N型磷化铟镓铝(N-AlGaInP)、磷化铟镓铝/磷化铟镓(AlGaInP/GaInP)量子阱发光层、P型磷化铟镓铝(P-AlGaInP)、P型电极；
(3)利用感应耦合等离子体刻蚀(ICP)刻蚀出N型磷化铟镓铝(N-AlGaInP)，再制作N型电极；
(4)通过金锡(AuSn)合金电极将每个像素驱动电路器件和每个像素发光器件连接在一起，实现每个像素驱动电路器件对每个像素发光器件的独立控制；
(5)互连电极之间以及每个像素驱动电路器件和每个像素发光器件之间充入填充材料；
(6)采用腐蚀液剥离像素光器件的GaAs衬底。
2.根据权利要求1所述红色无机发光二极管显示器件，其特征在于，发光层为重掺杂P型砷化镓(P+-GaAs)、P型磷化铟镓铝(P-AlGaInP)、磷化铟镓铝/磷化铟镓(AlGaInP/GaInP)量子阱或本征型磷化铟镓铝(I-AlGaInP)；N型层为磷化铟镓铝(N-AlGaInP)；刻蚀阻挡层为磷化铟镓(GaInP)或磷化镓(GaP)。
3.根据权利要求1所述红色无机发光二极管显示器件，其特征在于，互连电极材料包括金锡(AuSn)合金、银锡(AgSn)合金、金(Au)或者铟(In)，还可以采用各向异性导电胶(ACF)。
4.根据权利要求1-3任一项所述红色无机发光二极管显示器件，其特征在于，在器件制作过程中被刻蚀或剥离的不透明衬底为砷化镓(GaAs)材料。
5.根据权利要求1-3任一项所述红色无机发光二极管显示器件，其特征在于，像素驱动电路器件包括场效应管和静态存储器。
6.根据权利要求1-3任一项所述红色无机发光二极管显示器件，其特征在于，像素发光器件的N型电极形成网状结构。
7.根据权利要求1-3任一项所述红色无机发光二极管显示器件，其特征在于，互连电极之间及像素驱动电路器件和像素发光器件之间存在填充材料。
8.根据权利要求1所述红色无机发光二极管显示器件，其特征在于，利用红色无机发光二极管显示器件，结合无机二极管绿光显示装置和无机二极管蓝光显示装置，再利用光学透镜和棱镜，组成全彩色的显示装置。